存儲芯片行業分析一、AI帶動存力芯片用量快速提升1.1AI帶動算力及存力需求快速提升ChatGPT是OpenAI開發的一款聊天機器人，能夠更高層次理解人類需求并解決復雜問題。ChatGPT基于Transformer架構算法，可用于處理序列數據模型，通過連接真實世界中大量的語料庫來訓練模型，可進行語言理解并通過文本輸出，做到與真正人類幾乎無異的聊天場景進行交流。ChatGPT應用場景廣泛，海外已有龍頭落地成功案例：1）文字創意的生成：快速生成文章段落結構。2）客服系統：與客戶更流暢的交流。3）虛擬人物對話：傳統虛擬人物會設定對話標準答案，ChatGPT能夠更自然真實地與人對話。4）結合Office軟件：生成文檔、表格、PPT等。5）搜索：替代部分搜索需求。6）咨詢領域：提供值得思考或探索的方向。ChatGPT海外已有應用方案落地：為BuzzFeed提供個性化測試服務以及為Amazon解決工程師技術難題等。ChatGPT帶動算力需求飆升，存算側硬件全面增量需求。據估算，訓練GPT3，假設單個機器的顯存/內存容量足夠的前提下，8張V100顯卡訓練時長預計達36年，1024張80GBA100顯卡完整訓練GPT-3的時長為1個月，算力側硬件需求全面增長。ChatGPT4多模態演繹，算力需求進一步激增。ChatGPT4為多模態模型，使用圖像、視頻等多媒體數據進行訓練，文件大小遠超文字，進一步驅動算力需求飆升。以LAION5B圖文數據集為例，其包含58.5億個CLIP過濾的圖像文本數據集，我們認為圖像、視頻類訓練數據將驅動算力需求進一步飆升。此外，大模型訓練需要海量數據傳輸，由此將對以服務器交換機為代表的數據傳輸設備產生更多需求，相關高算力芯片需求量將相應增長。高算力時代，Chiplet助力突破芯片制程瓶頸。在速度方面，采取3D封裝技術的chiplet縮短了線路傳輸距離，指令的響應速度得到大幅提升，寄生性電容和電感也得以降低，此外，更多更密集的I/O接點數，電路密度提升將提高功率密度。3D封裝由于采用更細小、更密集的電路，信號傳輸不需要過多的電信號，從而功耗也會相應降低。整體來看，ChatGPT將從算力側和數據傳輸端全面帶動顯卡及高算力芯片需求，由此將從算力芯片、應用端、存算一體、先進封裝、封裝設備、IC載板等多個領域帶動硬件市場增量需求。1.2AI服務器需求快速增長，有望帶動存儲行業困境修復根據研究數據，2021年全球服務器出貨量達1315萬臺，同比增長7.8%，對應全球市場規模達995億美元。根據預計，2022年全球服務器市場規模有望達到1117億美元，同比增長17.0%。預計云服務提供商數據中心擴張增長驅動力主要來自于汽車、5G、云游戲和高性能計算。AI服務器滲透率依舊較低，增長空間巨大。根據數據統計，截止2022年全球搭載GPGPU的AI服務器（推理）出貨量占整體服務器比重約1%，同時預測2023年伴隨AI相關應用加持，年出貨量增速達到8%，2022~2026年CAGR為10.8%。根據數據統計，2022年全球AI服務器采購中，Microsoft、Google、Meta、AWS為前四大采購商，合計占比66.2%。中國地區ByteDance（字節跳動）采購比例最高，達到6.2%。人工智能已成為解決艱巨業務挑戰的首選解決方案。AI正在為各行各業的企業組織開辟創新之路，從改善客戶服務、優化供應鏈、獲取商業智能，到設計新產品和服務等。NVIDIA作為AI基礎架構的先行者，NVIDIADGX系統可提供更強大、完整的AI平臺，將企業組織的核心想法付諸實踐。目前AI大規模訓練方面，NVIDIA推出的最新DGX系統包括A100、H100、BasePOD、SuperPOD四款產品，其中，DGXA100、DGXH100為英偉達當前服務于AI領域的服務器產品。H100采用先進工藝芯片采用臺積電4N工藝+臺積電CoWoS2.5D封裝，有800億個晶體管對比A100有540億個晶體管，同時搭載了HBM3顯存，可實現近5TB/s的外部互聯帶寬。H100是首款支持PCIe5.0的GPU，也是首款采用HBM3標準的GPU，單個H100可支持40Tb/s的IO帶寬，實現3TB/s的顯存帶寬。DGXH100帶來性能的快速飛躍，通過全新張量處理格式FP8實現。其中FP8算力是4PetaFLOPS，FP16達2PetaFLOPS，TF32算力為1PetaFLOPS，FP64和FP32算力為60TeraFLOPS。在DGXH100系統中，擁有8顆H100GPU，整體系統顯存帶寬達24TB/s，硬件上支持系統內存2TB，及支持2塊1.9TB的NVMeM.2硬盤作為操作系統及8塊3.84TBNVMeM.2硬盤作為內部存儲。根據官網信息，NVIDIADGXH100對比上一代產品具有6倍的性能及2倍的網絡速度和高速可擴展性，同時英偉達表示目前新款DGXH100已經全面投入生產。國內華為的昇騰Atlas800（型號9010）訓練服務器是基于昇騰910+IntelCascadeLake的AI訓練服務器，具有高計算密度、高能效比與高網絡帶寬易拓展、易管理等特點，該服務器廣泛應用于深度學習模型開發和AI訓練服務場景，適用于公有云、互聯網、運營商等需要大算力的行業領域。AI處理器昇騰910是一款具有超高算力的AI處理器，其最大功耗為310W，華為自研的達芬奇架構大大提升了其能效比。八位整數精度（INT8）下的性能達到640TOPS，16位浮點數（FP16）下的性能達到320TFLOPS。Atlas800（型號9010）訓練服務器從配置來看，擁有8個昇騰910模組，單模組支持HBM2e技術，且擁有32GB容量及1228GB/s傳輸速度，AI算力達2.24PFLOPSFP16/1.76PFLOPSFP16。本地存儲支持2個2.5SATA+8個2.5SAS/SATA或2個2.5SAS/SATA+6個2.5NVMe。AI服務器帶來存力硬件需求快速擴展。根據數據測算，人工智能服務器中DRAM內容是普通服務器的8倍，NAND內容將是普通服務器的3倍，而大容量及高速率存儲器將是算力數據迭代運算的重要基礎。我們認為，人工智能計算量日益增加，對于AI服務器硬件需求將進一步提升。從服務器硬件配置角度，HBM技術將快速在AI服務器中普及，其價格遠高于現有基礎服務器配置，未來AI服務器需求將帶領存儲芯片出現量價齊升的趨勢。1.3海外龍頭減產縮支，國產化存儲產業鏈或將加快布局1.美光科技公司最新發布2023年Q2財報披露。2023年Q2公司總收入約36.93億美元，環比下降約9.6%，同比下降約52.6%，營業利潤虧損22.13億美金。2023年Q2會計期末庫存約為81.29億美元，較上一季度環比回落2.75%，有望持續改善。2023年Q2財年的非GAAP每股虧損為1.91美元，低于上一季度的每股虧損0.04美元和上一年的每股收益2.14美元，其中Q2財政每股收益包括約1.34美元的庫存減記損失。2023年Q2財政的公司分存儲芯片業務收入：a.DRAM：收入為27億美元，占總收入的74%。DRAM收入環比下降4%，出貨量在預期范圍內微增，其中價格下降約20%。b.NAND收入為8.85億美元，占總收入的24％。NAND收入環比下降20％，價格下降在20%范圍內。美光科技對于2023財年第三季度的GAAP收入指引為37億±2億美元，較2022財年第三季度GAAP收入的86.42億美元同比下降約57%，環比有望持平。公司認為財務業績已在2023年第二財季達到較低位置，并看好未來幾個季度的財務業績快速修復。在經歷整體市場及公司財務業績低迷之后，公司預計將根據長期財務模型恢復正常的增長和盈利能力。2.三星電子2023年4月7日三星電子發布2023年Q1業績，公司初步報表（未審計）預計23Q1營收63萬億韓元，yoy-19%，營業利潤為6000億韓元，同比-95.8%。2022全年公司業績收入302.23萬億韓元，yoy+8.1%；毛利率37.1%，yoy-3.4pcts；研發費用率8.2%，yoy+0.2pcts；營業利潤43.38萬億韓元，yoy-16.0%；營業利潤率14.4%，yoy-4.1pcts；凈利率18.4%，yoy+4.1pcts。22Q4單季度公司業績收入70.46萬億韓元，yoy-8.0%，qoq-8.2%；毛利率31.0%，yoy-10.3pcts，qoq-6.4pcts；研發費用率9.2%，yoy+0.8pcts，qoq+1.0pcts；營業利潤4.31萬億韓元，yoy-68.9%，qoq60.3%；營業利潤率6.1%，yoy-12.0pcts，qoq-8.0pcts；凈利率33.8%，yoy+19.6pcts，qoq+21.6pcts。（凈利率大幅提升主因前期與子公司股息相關的遞延所得稅負債減少）基于2022年全年公司分產品業績：1）DRAM：22Q4ASP下降了30%，預計23Q1DRAM市場出現低個位數下降，公司與市場保持同步。2）NAND：22Q4ASP下降了20%，預計23Q1NAND市場出現中個位數下降，公司表現略優于市場水平。3）出貨量：移動端，22Q4智能手機出貨量為5800萬部，ASP為240美元，平板電腦出貨量為800萬部；預計23Q1智能手機出貨量和ASP將上升，但平板電腦出貨量將下降；電視端，22Q4液晶電視銷量增長了15%，預計23Q1銷量將下降10%~15%。3.海力士2022全年業績收入44.65萬億韓元，yoy+4%；營業利潤7.01萬億韓元，yoy-44%；營業利潤率16%，yoy-13pcts；凈利潤2.44萬億韓元，yoy-75%。2022Q4業績收入7.70萬億韓元，yoy-38%，qoq-38%；營業虧損1.70萬億韓元，上年同期為盈利4.20萬億韓元；營業利潤率-22%，上季度為15%，去年同期為34%；凈虧損3.52萬億韓元，上年同期為凈盈利3.32萬億韓元。分產品業績1）NAND：NAND產品在2022Q4收入為2.39萬億韓元，占2022Q4公司總收入31%。從應用上來講，SSD&Mobile共占NAND的應用收入的90%，USB，Card和其他的應用占剩余的10%。2）DRAM：DRAM產品在2022Q4收入為4.62萬億韓元，占2022Q4公司總收入60%。3）從應用上來講，Server占DRAM的應用收入的50%，PC占20%，Graphics,Consumer&Mobile占應用收入的剩下30%。4.海外公司資本開支：1）美光：率先宣布將削減投資計劃。之前美光已大幅削減資本開支，2023年第二財季將進一步削減2023財年資本開支，目前預計投資約70億美元，同比下降40%，同時芯片設備方面的支出削減最多達50%，以放緩供應增長。2）三星電子：公司表示由于全球經濟疲軟以及客戶專注于用完庫存而放緩采購，內存需求急劇下降，從而進一步影響了行業定價及公司業績?；诂F有供給保障，公司將把存儲芯片的產量降到一個較為平衡的水平。我們認為，公司相較之前減產態度有所改變，短期內或有望削減生產計劃，但長期來看公司也將對基礎設施及研究進行長期投資，以確保其行業領先地位。3）海力士：相比2022年海力士由于經濟周期下行、設備交期等因素及芯片供給過剩，9月底開始對設備商進行砍單。據韓媒報道，公司2022年資本支出19萬億韓元，2023年將大幅縮減資本支出50%。公司預期2023年H2整體存儲行業需求端或將復蘇，但資本支出削減有助于公司靈活經營業務。美光、三星、海力士對于行業價格及景氣度預估將在23年H2恢復，各家公司減產及縮減資本開支有利行業快速觸底反彈。我們認為，行業周期屬性顯著，縮減資本開支是周期的一部分，可以有效改善供需錯配關系，優化行業格局和過剩產能，同時推動行業從周期底部向上修復。5.中國網信網公告對美光公司在華銷售進行安全審查根據2023年3月31日，中國網信網公告，為保障關鍵信息基礎設施供應鏈安全，防范產品問題隱患造成網絡安全風險，維護國家安全，依據《中華人民共和國國家安全法》《中華人民共和國網絡安全法》，網絡安全審查辦公室按照《網絡安全審查辦法》，對美光公司（Micron）在華銷售的產品實施網絡安全審查。國產化存儲產業鏈迎來布局時刻。我們認為，隨我國存儲產業布局逐步完善，國內將對美光及一部分國外公司的依賴度將逐漸降低，國內存儲產業鏈公司有望快速崛起。1）AI服務器帶來存力硬件需求上行：根據數據測算，人工智能服務器中DRAM內容是普通服務器的8倍，NAND內容將是普通服務器的3倍，而大容量存儲器將是算力數據迭代運算的重要基礎。2）庫存邊際改善，價格修復在即：美光2023年Q2會計期末庫存約為81.29億美金，同比下降2.75%，有望持續改善。AI服務器有望帶動存儲行業景氣度及需求快速提升，加速存儲行業庫存進一步清出。根據數據統計，美光及SK海力士在內的部分供應商已啟動DRAM減產計劃，2023年第二季度DRAM價格跌幅將收窄至10%到15%。3）國產化存儲產業鏈迎來布局時刻：國內存儲產業鏈多元化布局，2023年有望完成產品結構快速升級。二、DRAM：周期輪動，價格底部2.1DRAM：強周期屬性，高壟斷格局DRAM系存儲器第一大產品，占比全球儲存市場53%的市場份額。DRAM屬于易失存儲器，多用于cpu和圖像系統緩存的臨時數據存儲，若斷電則存儲數據會丟失。DRAM產品緩存空間越大則可同時處理和儲存的數據也相應更多，系電子設備不可或缺的組成部分。復盤DRAM歷史周期變化情況，市場波動劇烈，周期屬性較強。在過去30年中，DRAM市場經歷過若干輪的驚人增長和毀滅性崩潰。2021年DRAM行業迎來42%的高速增長，而根據預計，2022年DRAM行業增速轉而下降18%。波動上升，市場規模呈增長趨勢。DRAM系千億美金大市場，下游覆蓋消費、PC、服務器等眾多領域，行業規模在周期輪動中不斷上升。根據統計，2011年全球DRAM市場規模為296億美金，而2022年全球DRAM市場規模將達758億美金，CAGR達8.9%。DRAM下游應用主要在智能手機、PC以及服務器三大領域，美國和中國系前兩大市場。2021年DRAM第一大應用領域智能手機占比39%，第二大應用領域服務器占比34%，PC端整體出貨量同比2020年增長14.8%，但受核心配件價格高漲和辦公需求萎縮的影響，整體占比下降，僅為13%。從區域分布看，美國和中國系DRAM前兩大市場，2019年合計份額超70%。強周期屬性大浪淘沙，集中度不斷提升。在經歷“需求提出-供不應求-價格上漲-產能擴張-供給過剩-價格下跌-重新洗牌”的多輪周期往復后，當前全球DRAM廠商形成了以三星電子（韓國）、SK海力士(韓國)和美光(美國)三大巨頭壟斷的局面。2021年全球市場份額中，三星、海力士、美光合計份額占比達94%。DDR技術不斷演進，行業對于產品性能、內存容量和功耗的追求也越來越高，標準工作電壓越來越低，芯片容量越來越大，同時IO速率也越來越高。從最早的128Mbps的DDR發展到了如今的6400Mbps的DDR5，每一代DDR產品的發布都伴隨著數據傳輸速率的翻倍增長。DRAM產品中，DDR4系當前主流，DDR5接力入場。DRAM產品有明顯的新產品逐步取代老產品的趨勢，老款DRAM逐步轉為利基型DRAM直至停產淘汰。第一代DDR產品已停產，DDR2在2010年占比高達30%，而到了2020年僅占1%，應用于利基市場。當前DRAM市場DDR4系主流，2020年占比達78%左右。根據統計，兩代內存之間的過渡時間大約只需要兩年，這意味著到2023年，DDR5內存的市場份額將高于DDR4。而到2026年，DDR4份額或將降至5%以下。2.2行業寒冬，周期視角下的底部2.2.1供需端：需求短期等待修復，DRAM廠商難逃行業寒冬2022年供需位元差加大，供大于求困局未破。根據統計，2023年DRAM市場需求位元成長率為8.3%，系近年來首次低于10%，遠低于供給位元成長的14.1%。因此2023年的DRAM市場在供過于求的情勢或愈演愈烈，供大于求仍是當前困局。下游需求疲軟，DRAM市場規模連續多季度萎縮。2022年疲弱的經濟狀況和高通脹率降低了全球范圍內個人電腦、智能手機和其他消費電子產品的需求，DRAM需求也因此下降。預計2022年下半年DRAM銷售額將下降-40%至293億美元，而2022年上半年銷售額達490億美元。同時，根據CFM閃存市場，三季度存儲市場規模環比大跌29.72%至177.64億美元，創10個季度新低，預計2022年Q4市場規模將進一步環比下跌。2022年Q4多廠商業績下行，行業平均下跌達30%。三星：2022年Q4，DRAM銷售收入達54.05億美元，環比減少23.6%，市場份額為44.5%。DRAMBit出貨量環比高個位數增長，ASP環比下跌超30%。SK海力士：2022年Q4，DRAM收入達34.07億美元，環比減少35.3%，DRAM出貨量環比持平，ASP下跌超30%。美光：2022年Q4，DRAM收入為28.29億美元，環比下跌41.2%，DRAMBit出貨量環比下降約25%，DRAMASP環比減少20%以上。南亞科技：2022年Q4，DRAM收入環比減少30.3%至2.53億美元。華邦電子:2022年Q4，DRAM收入環比減少29.8%至1.06億美元。2.2.2價格端：高水位庫存+低需求市場，降價持續庫存端，以美光各季庫存進行追蹤，自2021年Q1開始，公司庫存逐步進入下降通道，至2021年Q4達到底部。自此開始，受下游需求疲軟影響，公司庫存水位逐步增加，至2023Q1，公司庫存水位已達近三年最高點，為81.29億美元，環比2022年Q4增幅超18%。高庫存水位下，各廠商去庫存壓力迫在眉睫，同時疊加需求疲軟，直接導致DRAM市場產品價格大幅下跌。供需對峙下，存儲廠商唯有降價。根據統計，2023年Q1下游各領域產品價格均有超過10%的下降。目前來看，PC制造商仍有9至13周的DRAM庫存等待消化，但移動設備領域的庫存水平相對健康，不過定價仍預計要下降10-15%。由于消費者對DRAM的需求低迷，供應商將銷售的目光投向了服務器方面，然而這卻導致服務器DRAM庫存的大量堆積?，F貨價：我們以DDR34Gb512Mx81600MHz產品為例，現貨價格已至上一輪周期底部，利基市場主要面向存儲速度性能不太高的市場，上一輪DDR3周期價格上行系三星、海力士等龍頭廠商為準備利潤更高的DDR5生產，逐步淘汰DDR3產能，導致DDR3短期內供需失衡所致。同樣，在本輪的DDR3價格下行周期中，三星放緩line13的DDR3產能轉換至CIS，也給供給端帶來更多壓力。本輪底部區間，在行業面臨寒冬，下游需求疲軟，供給過剩的背景下，價格反彈壓力較大。三、NANDFlash:市場有望快速修復NANDFlash作為非易失性存儲，被廣泛應用在下游設備資料儲存的應用領域。NANDFlash從特性來看斷電后不會丟失儲存信息特征，在生產過程中主流產品已具備規?；?、標準化的能力，同時容量大、價格較低，現階段作為主流的儲存介質，被廣泛的應用于智能手機領域、筆電領域、服務器領域及汽車領域等。從微觀結構基本構成來看，NANDFlash的結構從小到大分別為cell-lineblockplane-die。例如三星型號為K9K8G08U0A的NandFlash，其內部有兩個K9F4G08U0A的chip，chip#1和chip#2，每個K9F4G08U0A的chip包含了2個Plane，每個Plane是2Gbbit，所以K9F4G08U0A的大小是2Gb×2=4Gb=512MB，因此，K9K8G08U0A內部有2個K9F4G08U0A，或者說4個Plane，總大小是×256MB＝1GB。通過下游領域劃分，其最終儲存介質的出貨形態劃分以eMMC/UFS（主要應用在移動設備）、SSD（主要應用在服務器和PC）產品為主，及SD/閃存盤（移動儲存SD卡及U盤）為輔的產品設備中。在移動設備領域，相較于eMMC的封裝形式，UFS封裝的閃存有著更高的寫入速度，更好的性能。智能手機端從eMMC發展現階段UFS3.1規格儲存，讀寫速度進一步提升，遠超于eMMC幾倍的速率。SSD產品則依據下游應用場景對容量和速度的要求部分，分為消費級、數據中心級和企業級固態硬盤。根據閃存市場CFM數據，2021年NANDFlash市場容量達到5700億GB，預計2022年將增長30%，達到7410億GB。其中，2021年NANDFlash主要以應用于mobile市場的UFS、eMMC、eMCP和uMCP產品為主的嵌入式存儲產品，和應用于PC等消費類渠道市場的cSSD、以及應用于服務器市場的eSSD產品為主，占比分別為39%、25%和22%。根據數據統計，未來到2023年，智能手機板塊的需求將小幅度上漲，而服務器的需求將大幅上漲，與此形成對應的則是在PC端的需求小幅下降。3.1NANDFlash市場規模持續增長根據統計數據，NANDFlash2020年市場規模為534.1億美元，預計到2025年，全球NANDFlash市場規模講達到931.9億美元，2021年至2025年，CAGR增速7.4%。隨著PC及智能手機平均儲存容量的上升，及工業設備、傳感器、汽車系統和醫療系統等設備中，人工智能和機器學習對海量數據處理需求增長，基于NANDFlash的儲存趨勢也將繼續發展。NANDFlash技術一直基于二維平面的NAND技術，也就是我們說的2DNAND閃存。2D在平面上對晶體管尺寸進行微縮，從而獲得更高的存儲密度，但晶體管尺寸微縮遇到物理極限，現已面臨瓶頸，達到發展極限。為了在維持性能的情況下實現容量提升，3DNAND成為發展主流。根據數據顯示，2019年，3DNAND的滲透率為72.6％，已遠超2DNAND，且未來仍將持續提高，預計2025年3DNAND將占閃存總市場的97.5％。3.2等待下游需求恢復，價格欲將企穩修復3.2.1供需端:產業鏈進一步集中，供需逐漸修復NANDFlash寡頭地位逐步增強，根據數據顯示，CR6包括三星、鎧俠、西部數據、美光、英特爾、海力士總體市場規模占比約99%，其中三星、鎧俠、西部數據三家行業龍頭，約占比70%的市場份額，在市場上有較大的影響力。根據數據預測，預計受益于下游新增需求的快速發展，NANDFlash的需求量也會有增長趨勢。從行業供給格局來看，三星依舊占領較大的市場份額，但還未形成絕對的寡頭地位，且國內公司長江儲存也將持續發展，有望進一步提升市場份額。位于四日市最先進制程晶圓廠Fab7完工。此Fab7晶圓廠第一期的總投資約為1萬億日元(約合人民幣487.97億元)，具備生產第六代162層NANDFlash閃存和未來更先進3DNANDFlash閃存的能力，計劃于2023年初開始出貨162層NANDFlash閃存。頭部廠商已正逐步覆蓋3DNAND236及256層甚至更高疊層工藝制程，持續技術迭代更新。NANDFlash需求端受到全球人工智能和機器學習對海量數據處理，其市場規模正快速增長。而NANDFlash主要覆蓋的下游應用設備為手機、服務器、PC及車載工控等，我們認為，手機及3C產品的儲存容量和硬盤搭載率提升將推動NANDFlash需求量持續增高。對于服務器設備，云端儲存及處理數據場景越發增長，服務器需求量及單設備搭載量同樣推動NANDFlash市場的需求量提升。除此傳統需求領域外，隨著車載智能化的逐步提升，車載NANDFlash市場也有望迎來高速增長。1)手機及傳統3C產品，NAND單機搭載量提升近十年，智能手機作為成熟市場，每年全球手機出貨維持在11至13億部左右，保持穩定波動。而隨手機智能化水平越發提升，其攝影攝像功能、高清顯示功能及各類多功能軟件所消耗的儲存空間持續增長，用戶對于手機的儲存空間越發增加。智能手機市場對應Flash市場的增長邏輯，主要來源于單機搭載量的持續提升。根據數據顯示，2020年智能手機NAND閃存平均容量首次突破100GB大關。在iOS和Android手機中有所不同。在iOS手機中，2020年第四季度的平均NAND容量達到140.9GB，而同期Android手機的平均容量為95.7GB。Android手機的平均容量在過去幾年中一直在快速增長。2020年iOS和Android手機的平均容量分別增長了5.6%和20.5%。同時根據數據顯示，預估2023年智能手機NANDFlash單機搭載容量年成長仍能維持22.1%。我們認為，IPhone產品組合仍全線往更高容量1TB靠攏；Android高端機種也跟進將512GB做為標準配備，中低端機儲存空間則隨硬件規格持續升級而提高，因此整體平均容量仍有增長空間。全球PC市場（包括筆電、桌面PC、工作站等）在2020-2021年期間迎來強換機周期且居家辦公刺激需求端提前消費，根據數據統計，2021年全球PC出貨量達3.46億臺。2022年需求迎來疲軟態勢，根據數據預測，2022年整體出貨量將下滑至2.93億臺，同比降低15.2%。另外，由于消費市場需求減緩，教育市場也獲基本滿足，及因經濟狀況弱化同樣使商用市場需求遭到擠壓。根據數據預測，預計2023年全球PC市場將進一步萎縮。PC加上平板電腦的整體市場預估2023年下降2.6%，預計在2024年恢復成長。根據數據統計，由于2020-2021年受到居家辦公的提前消費影響，平板電腦（包括二合一的可拆卸式平板在內）市場在2020/2021年出貨量達到1.65/1.69億部，同比增長13.8%/2.4%。但隨2022年消費逐步疲軟，根據數據統計，2022年全球出貨量同比下滑3.6%至1.63億臺。PC及移動平板電腦作為存量市場，整體年度出貨量波動不大，基本維持億部的出貨量。近些年隨電腦固態硬盤替代傳統硬盤趨勢及單機儲存量提升，其中SSD搭載率有所提升。據中國閃存市場數據，預計到2018年SSD240GB價格與1TBHDD同價的，在筆記本電腦上的搭載率將達到52%。到2019年SSD480GB價格與1TBHDD同價的時候，在筆記本電腦上的搭載率將達到65%以上。另外，消費類SSD在零售渠道市場每個月也有200萬片硬盤升級SSD的出貨量。據中國閃存市場數據顯示，2020年筆記本市場SSD的搭載率已經高達80%，且512GBSSD出貨量大幅增加。其中價位更加低廉的中低端市場是其成長驅動力。2)AI帶動服務器及云端數據儲存有望快速放量，進一步推動NANDFlash需求云計算時代市場的快速增長，云儲存、云計算的數據量不斷提高。在數字化時代的發展下，隨工作量的云上遷移和云本地應用的加速開發，在移動互聯網技術不斷迭代升級的背景下，全球數據量呈現爆發式增長。根據數據顯示，全球數據儲量由2016年的16ZB增長至2021年的54ZB，復合年均增長率為27.5%，隨著數字經濟的不斷發展，預計2022年全球數據儲量將達61ZB。根據數據統計，云數據及企業級數據儲存需求將在2026年達到5255億每GB當量，2021年至2026年，CAGR將達到33.0%。3)車載NANDFlash有望受汽車智能化持續增長2022年全球新能源汽車銷量突破千萬。根據數據統計，2022年全球新能源汽車銷量突破千萬達1009.12萬輛，占整體汽車市場14%份額，其中比亞迪以184.77萬輛的全年銷售數據獲得全球銷量冠軍。根據中國汽車工業協會數據，2023年1月和2月我國新能源汽車月度銷量分別為40.78萬輛和52.50萬輛，由于1-2月為汽車銷量傳統淡季，2023年1月與2月銷量與2022年12月81.38萬輛的月銷量相比仍有差距。后續隨著汽車電動化進程不斷深化，我們認為全球范圍內新能源汽車銷量將會維持高速增長態勢。根據數據顯示，車用DRAM和NAND市場規模將從2020年的20.4億和12.6億，增長到2025年的85億美元和61億美元，預計年復合增長率為33%和37%。車規級NANDFlash需要符合AEC-Q100等車規標準，隨著汽車行業智能化、網聯化的演進，與SOTA（軟件在線升級），MaaS（出行即服務）得以實現，市場對車載存儲的程序和處理的數據量提出更多的新需求。車用存儲芯片規模成長的驅動因素，主要為三個方面，首先為智能座艙產生巨量數據交互，其次是ADAS系統及車載娛樂系統。隨著自動駕駛的普及及自動駕駛等級的提升（L2~L5），會產生大量的道路和環境數據，用于收集車輛運行和周邊環境數據的各類傳感器也會越來越多，包括攝像頭、毫米波雷達、激光雷達等，根據安全和功能需要對數據進行處理和保存，從而產生了大容量NAND存儲的需求。英特爾估計，自動駕駛汽車每天將產生4000GB的數據量，即再低等級的自動駕駛車輛也需要大量車載數據存儲。根據數據顯示，L1/L2級別的自動駕駛需要8GB的NAND容量，而L3為256GB，到L5的時候需要1TB，自動駕駛技術升級對NAND需求呈現指數級的增長。3.2.2價格端：環比下降收窄，價格將逐步企穩考慮到NANDFlash主流產品和利基產品的定位、單價和格局等不盡相同，我們對NANDFlash價格分主流產品和利基產品兩大類進行跟蹤。主流價格：現貨價增長后企穩，合約價自2022年6月開始下跌。現貨價：以MLCNANDFlash64Gb（8Gx8）及MLCNANDFlash32Gb（4Gx8）為例，經歷2022年4月漲價后，價格逐步企穩跌幅趨緩。截至2023年4月7日，以上兩款64Gb和32Gb價格分別為3.85美金和2.13美金。合約價：以MLCNANDFlash128Gb（16Gx8）、MLCNANDFlash64Gb（8Gx8）及MLCNANDFlash32Gb（4Gx8）三款為例，從2021年7月價格穩定后，在2022年6月開始出現價格下降，截至2023年2月24日，以上三款合約價分別為4.14/2.98/2.59美金。四、存儲創新技術適配AI快速發展4.1HBM突破技術瓶頸，逐漸凸顯應用價值4.1.1HBM堆疊技術進一步提高傳輸速率高帶寬存儲器（英文：HighBandwidthMemory，縮寫HBM）是三星電子、超微半導體和SK海力士發起的一種基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應用場合，用于圖形處理器、網絡交換及轉發設備（如路由器、交換器）等。HBM主要是通過硅通孔（ThroughSiliconVia，簡稱“TSV”）技術進行芯片堆疊，以增加吞吐量并克服單一封裝內帶寬的限制，將數個DRAM裸片像樓層一樣垂直堆疊。HBM有兩個核心特征：1）DRAM顆粒以3D封裝方式垂直擺放。2）3DDRAM與GPU/CPU通過interposer合封，實現直接連接。這兩個技術特征，目的是解決傳統DRAM與CPU/GPU通過主板（Motherboard）連接的信號延遲與電磁干擾。HBM對比其他DRAM內存（如DDR4或GDDR6）相比，擁有較寬內存總線。一個HBMstack由4個DRAMdie（4-Hi）堆疊而成，并擁有8個128位信道（每個die上2個），總寬度為1024位。因此，具有四個4-HiHBMstack的GPU將擁有4096位寬度的內存總線。相比之下，GDDR存儲器的總線寬度為32位，同樣16個信道則只具有512位存儲器接口。HBM支持每個package的容量最多為4GB。對比第一代HBM，第二代高帶寬存儲HBM2，該標準指定了每個stack多達8個die，將pin傳輸速率提高一倍來到2GT/s。保留1024位寬的存取，HBM2能夠達到每個package256GB/s存儲帶寬。HBM2規范允許每個package容量高達8GB，其性能也是超于同期DRAM內存。4.1.2HBM技術已迅速發展，人工智能將帶動技術快速突破HBM技術已經發展了很長時間。在2013年推出的高帶寬內存（HBM）是一種高性能3D堆疊SDRAM架構，其數據傳輸速率約為1Gbps。2016年發布的HBM2繼承了前一代產品的特點，每個堆疊包含最多8個內存芯片，并將管腳傳輸速率提升一倍至2Gbps。HBM2實現了每個封裝256GB/s的內存帶寬（DRAM堆疊），支持HBM2規格，每個封裝最大容量可達8GB。首款使用高帶寬存儲器的設備是AMDRadeonFury系列顯示核心。2013年10月，高帶寬存儲器正式被JEDEC采納為業界標準，第二代高帶寬存儲器（HBM2）于2016年1月被JEDEC采納，同時NVIDIA在該年發表的新款旗艦型Tesla運算加速卡“TeslaP100”，AMD的“RadeonRXVega”系列及Intel的“KnightLanding”也采用了第二代高帶寬存儲器。2018年底，JEDEC宣布推出HBM2E規范，以滿足增長的帶寬和容量需求。當傳輸速率提升至每管腳3.6Gbps時，HBM2E可實現每堆疊461GB/s的內存帶寬。此外，HBM2E支持最多12個DRAM的堆疊，內存容量最高可達每堆疊24GB。HBM2E具備實現巨大內存帶寬的能力。連接到一個處理器的四塊HBM2E內存堆疊將提供超過1.8TB/s的帶寬。通過3D堆疊內存，可在極小的空間內滿足高帶寬和高容量需求。NVIDIA最新一代的SXM4A100GPU采用了HBM2E內存。從芯片內部結構圖可見，A100計算核心兩側共有6個HBM內存放置空間。在SXM4A100GPU發布時，NVIDIA實際上僅使用了其中5個HBM內存放置空間，提供40GBHBM2E內存容量，這意味著每個HBM2E內存上堆疊了8個1GBDRAMDie。對于升級版的80GBSXM4A100GPU，每個HBM2E內存上則采用了8個2GBDRAMDie進行堆疊。2022年三星也發布器HBM3技術產品，在三星發布的路線圖中，其單芯片接口寬度可達1024bit，接口傳輸速率可達6.4Gbps，相比上一代提升1.8倍，從而實現單芯片接口帶寬819GB/s，如果使用6層堆疊可以實現4.8TB/s的總帶寬。我們認為2024-2025年隨人工智能算力需求進一步提升，將快速提高對存儲器件高帶寬的高傳輸速率要求，2024年預計在不考慮高級封裝技術帶來的高多層堆疊和內存寬度提升下，將實現接口速度高達7.2Gbps的HBM3p，從而將數據傳輸率相比這一代進一步提升10%，從而將堆疊的總帶寬提升到5TB/s以上。我們認為，2025年將看到更多搭載HBM下一代技術的產品服役于人工智能服及高算力設備中。4.2存算一體：嵌入計算能力，有效提升數據效率4.2.1存算一體，后摩爾時代發展的必然要求存算一體（ComputinginMemory）是在存儲器中嵌入計算能力，以新的運算架構進行二維和三維矩陣乘法/加法運算，即利用存儲器對數據進行計算，從而避免數據搬運產生的“存儲墻”和“功耗墻”，提高數據的并行和效率。經典馮諾依曼框架下，數據的存儲和計算是分開的，處理器和存儲器之間通過數據總線進行數據交換。在過去二十年，處理器性能以每年大約55%的速度提升，內存性能的提升速度每年只有10%左右。結果長期下來，不均衡的發展速度造成了當前的存儲速度嚴重滯后于處理器的計算速度。因此在存儲器和處理器之間形成了“存儲墻”，嚴重限制了芯片的整體性能。由于處理器和存儲器的分離，在處理數據的過程中，首先需要將數據從存儲器通過總線搬運到處理器，處理完成后，再將數據搬運回存儲器進行存儲。搬運時間往往是運算時間的成百上千倍，能效非常低即稱為“功耗墻”。目前存算技術按照以下歷史路線順序演進：A、查存計算（ProcessingWithMemory）：GPU中對于復雜函數就采用了這種計算方法，是早已落地多年的技術。通過在存儲芯片內部查表來完成計算操作。這是最早期的技術。B、近存計算（ComputingNearMemory）：典型代表是AMD的Zen系列CPU。計算操作由位于存儲區域外部的獨立計算芯片/模塊完成。這種架構設計的代際設計成本較低，適合傳統架構芯片轉入。將HBM內存（包括三星的HBM-PIM）與計算模組（裸Die）封裝在一起的芯片也屬于這一類。近存計算技術早已成熟，被廣泛應用在各類CPU和GPU上。C、存內計算（ComputingInMemory）：典型代表是Mythic、千芯科技、閃億、知存、九天睿芯等。計算操作由位于存儲芯片/區域內部的獨立計算單元完成，存儲和計算可以是模擬的也可以是數字的。這種路線一般用于算法固定的場景算法計算。D、存內邏輯（LogicInMemory）：這是較新的存算架構，典型代表包括TSMC（在2021ISSCC發表）和千芯科技。這種架構數據傳輸路徑最短，同時能滿足大模型的計算精度要求。通過在內部存儲中添加計算邏輯，直接在內部存儲執行數據計算。4.2.2國外龍頭占據行業壟斷地位，國內廠商積極布局進入互聯網時代后，全球數據產生量快速攀升，數據產生量爆發式增長，特別是在人工智能、云計算、物聯網背景的發展下，根據預計2025年數據產生量將達到175ZB，市場對數據的收集、存儲、處理要求將不斷提高。存算一體芯片必將從端側小算力市場逐步擴展到整個AI芯片領域。未來行業將會呈現持續走高的態勢。量子位智庫預估2025年，國內存算一體芯片市場規模為125億元，2030年為1136億人民幣，CAGR為55%。目前可用于存算一體的成熟存儲器有NORFLASH、SRAM、DRAM、RRAM、MRAM、NVRAM等。SRAM在速度方面和能效比方面具有優勢，特別是在存內邏輯技術發展起來之后具有明顯的高能效和高精度特點。DRAM成本低，容量大，但是速度慢，且需要電力不斷刷新。適用存算一體的新型存儲器有PCAM、MRAM、RRAM和FRAM等。其中憶阻器RRAM在神經網絡計算中具有特別的優勢，是除了SRAM存算一體之外的，下一代存算一體介質的主流研究方向。目前RRAM距離工藝成熟還需要2-5年，材料不穩定，但RRAM具有高速、結構簡單的優點，有希望成為未來發展最快的新型存儲器。學術界和產業界對存算一體的技術路徑尚未形成統一的分類，目前主流的劃分方法是依照計算單元與存儲單元的距離，將其大致分為近存計算（PNM）、存內處理（PIM）、存內計算（CIM）。特斯拉、阿里達摩院、三星等大廠所選擇的便是近存計算（PNM）。特斯拉：在HotChips大會上，公司測算Dojo（AI訓練計算機）所用的D1芯片相比于統一時間的業內其他芯片，同成本下性能提升4倍，同能耗下性能提高1.3倍，占用空間節省5倍。阿里達摩院：在2021年，發布采用混合鍵合（HybridBonding）的3D堆疊技術相比傳統CPU計算系統。公司測算，相比一時間的存算一體芯片的性能提升10倍以上，能效提升超過300倍。三星：在2022年10月，基于存內處理架構，發布存儲器產品HBM-PIM（嚴格意義上是PNM）。公司測算，與其他沒有HBM-PIM芯片的GPU加速器相比，HBM-PIM芯片將AMDGPU加速卡的性能提高了一倍，能耗平均降低了約50%。與僅配備HBM的GPU加速器相比，配備HBM-PIM的GPU加速器一年的能耗降低了約2100GWh。知存科技：2022年3月量產的基于PIM的SoC芯片WTM2101正式投入市場，公司認為，對比統一時間產品實現10倍以上的能效提升。億鑄科技：基于CIM框架、RRAM存儲介質的研發“全數字存算一體”大算力芯片，通過減少數據搬運提高運算能效比，同時利用數字存算一體方法保證運算精度，適用于云端AI推理和邊緣計算。智芯科微：于2022年底推出業界首款基于SRAMCIM的邊緣側AI增強圖像處理器。特斯拉、三星、阿里巴巴等擁有豐富生態的大廠以及英特爾，IBM等傳統的芯片大廠，幾乎都在布局PNM；而知存科技、億鑄科技、智芯科等初創公司，在押注PIM、CIM等“存”與“算”更親密的存算一體技術路線。大廠對存算一體架構提出的需求是“實用、落地快”，而近存計算作為最接近工程落地的技術，成為大廠們的首選。而中國初創公司們，由于成立時間較短、技術儲備薄弱：缺乏先進2.5D和3D封裝產能和技術，為打破美國的科技壟斷，中國初創企業聚焦的是無需考慮先進制程技術的CIM。4.33DNAND：突破存儲容量限制瓶頸NAND從2D到3D是大勢所趨，可突破存儲容量限制瓶頸。2DNAND是在平面上對晶體管尺寸進行微縮，從而獲得更高的存儲密度，但晶體管尺寸微縮存在物理極限，發展已趨緩。要在維持性能的情況下實現容量提升，3DNAND成為主流方向。3DNAND將解決方案從提高制程工藝轉變為多層堆疊，解決了2DNAND在增加容量的同時性能出現下降的問題，實現容量、速度、能效及可靠性等多方位的提升。3DNAND的層數一直在發展。從最早的24層、48層，發展到現在238層甚至300層，在未來甚至會突破500層。據介紹，SK海力士最新第8代3DNAND閃存，容量為1Tb（128GB），具有三級單元和超過20Gb/mm2的位密度（bitdensity）。該芯片的頁容量（pagesize）為16KB，擁有四個planes，接口傳輸速率為2400MT/s，最高吞吐量為194MB/s（相比第7代238層3DNAND閃存提高了18%）。密度的提升將降低制造過程中每Tb的成本，終端消費者最終能從性能和容量的提升中受益。三星已經完成了第八代V-NAND技術產品的開發，堆棧層數達到了236層，2022年11月已量產。SK海力士已宣布研發出了238層NAND閃存，預計2023年H1大規模量產。美光232層NAND已于2022年12月為消費類設備出貨。國內廠商長江存儲也于今年8月份發布了232層的3DNAND閃存芯片X3-9070，且于2022年12月或將應用于國內部分品牌客戶產品。在下游應用領域中，移動設備和數據中心是3DNAND技術的主要應用領域，隨ChatGPT等人工智能帶來大數據存儲的巨量級需求增加，未來3DNAND技術或將快速且進一步升級。五、重點公司分析5.1兆易創新：業績高速增長，看平臺化公司如何打造立足中國覆蓋全球，產品品類不斷擴展。兆易創新成立于2005年4月，是一家立足中國的全球化芯片設計公司。公司致力于各類存儲器、控制器及周邊產品的設計研發。公司在上海、合肥、中國香港設有全資子公司、在深圳設有分公司，在中國臺灣省設有辦事處，并在日韓、美國等地通過產品分銷商為客戶提供本地化服務。公司產品包括NORFlash、NANDFlash、DRAM以及MCU等，廣泛應用于移動終端、消費電子、個人電腦、辦公設備、汽車電子及工業控制設備等多個領域。公司作為NorFlash龍頭積極拓展DRAM市場，已于2021年6月成功量產自有品牌19nmDRAM，未來將朝17nm演進。公司2023年3月1日公告，與合肥長鑫存儲發生采購DRAM產品及代工業務，22年與長鑫的實際采購額8.74億元（其中自研2.61億元，代銷6.13億元），預計23H1與長鑫關聯交易金額預計約為5.55億元（其中自研2.08億元，代銷3.47億元）。公司營收近年來穩步增長，即使在今年芯片行業寒冬的大背景下，公司前三季度營收依然維持正增長。更為可貴的是，公司的扣非歸母凈利潤延續2021年遠高于營收增速的態勢，2022前三季度，公司歸母凈利潤同比增速達26.92%。公司業績高增的一大原因系常年高投入的研發支出，帶來了良好的成果轉化，并以此建立深厚的技術壁壘。利潤率水平來看，公司毛利率水平基本維持在40%左右，且近兩年有所上升，2022年前三季度公司毛利率達48%，對應凈利潤率達31%。公司圍繞智能化時代數據的感、存、算、控、聯五個方面，涵蓋消費、汽車、工業等多個領域，以存儲器件為切入點，提供核心IC器件和相應軟件一體化配套。具體來看：1）產品類別擴張：圍繞智能化不斷擴張以內生發展（募集資金用于DRAM研發）和外延并購（收購上海思立微電子）為主，逐步從NORFlash、NANDFlash和MCU擴展至DRAM和Sensor。2）平臺化搭建：通過應用領域的擴張完善以智能化為核心的產品布局，并實現已有產品的不斷迭代和工藝制程的持續升級，驅動公司平臺體系建設日趨完善。其中：（a）NORFlash：工藝平臺從2018年的65nm逐步實現55nm量產，并于2022年推動45nm工藝平臺的研發。同時不斷針對產品性能進行打磨，推陳出新。（b）NANDFlash：工藝制程從2018年的38nm逐步實現24nm量產，并開始進行19nm的研發。同時不斷針對車規市場進行開拓布局和研發。（c）MCU：產品覆蓋逐步從55nm至40nm再到22nm制程，并針對物聯網、工控和汽車領域不斷擴張。（d）DRAM：逐步實現從19nmDDR4產品量產至17nmDDR3產品研發。（e）Sensor：在已有LCD較全品類的基礎上進行OLED相關產品的研發，并即將推出OLED相關產品。5.2北京君正：收購北京矽成進入存儲芯片市場，業績高速增長、利潤率有所修復老牌IC設計企業，收購北京矽成進軍拓展存儲市場。北京君正于2005年成立，是一家集成電路設計企業，擁有全球領先的32位嵌入式CPU技術和低功耗技術。公司主營業務為微處理器芯片、智能視頻芯片等ASIC芯片產品及整體解決方案的研發和銷售，擁有較強的自主創新能力，且已形成可持續發展的梯隊化產品布局，各類芯片產品分別面向不同市場領域。北京君正于2020年完成對北京矽成（ISSI）及其下屬子品牌Lumissil的收購，擁有其100%股份。ISSI存儲部門有高速低功耗SRAM，低中密度DRAM，NOR/NANDFlash，嵌入式FlashpFusion，及eMMC等芯片產品。受益車規產品放量，公司業績實現高速增長。2021年公司營收達52.74億元，同比增長143.07%，2022年前三季度公司營收達42.19億元，同比增長11.23%。2021年公司扣非歸母凈利潤達8.94億元，同比增速達4265%，2022年前三季度公司扣非歸母凈利潤達7.17億元，同比增長16.83%。公司研發投入高速增長，利潤率水平得到修復。2022年前三季度公司研發支出達4.64億元，遠超2020年全年水平，同比2021年增長達26.78%。公司毛利率始終維持較高水平，2020年毛利率下滑系收購子公司存貨增值導致的毛利率下跌，2021年公司調整迅速，毛利率和凈利率水平已基本恢復至正常水平。2022年前三季度公司毛利率達38.65%，凈利率達17.19%。5.3雅克科技：全球前驅體核心供應商，深度受益高性能存儲需求公司1月19日發布2022年業績預告，歸母凈利潤盈利5.2-5.9億元，同比提升55.34%-76.25%。公司認為，LNG保溫復合材料及安裝工程取得較大幅度增長，帶動公司整體業績增長和毛利率上升。公司2022年前三季度業績，營收31.67億元，同比提升17.63%，公司實現歸母凈利潤4.63億元，同比上升18.88%。2022年Q3單季度看，實現營業收入11.08億元，同比上升324.67%，實現歸母凈利潤1.82億元，同比提升23.21%。前驅體等半導體材料業務持續受益于國產替代。前驅體主要用于薄膜沉積環節，產品價值量、用量隨制程迭代快速增長。全球領先玩家包括默克、法液空、SKM、DNF等，公司市場份額有望穩步提升?？礃I務空間，1）高算力芯片搭配HBM，HBM對前驅體需求及價值量顯著提升；2）海外存儲客戶整體稼動率見底，預計2023年H2將有所回升，同時美光科技被審查進一步提升國產份額，利好國產材料供應商；3）國內存儲廠持續擴產，公司國內前驅體業務隨下游爬坡放量持續成長。復合板材是LNG運輸船核心材料，競爭格局極佳，進入高景氣周期。LNG船需要在-163℃的極低溫下運輸液化天然氣，且體積被壓縮超過600倍的液化天然氣若在有限空間內泄漏，急劇膨脹會產生物理爆炸。因此，LNG運輸船被人們稱為“沉睡的氫彈”。而復合板材作為LNG運輸船核心材料，由金屬薄膜、增強硬質閉孔聚氨酯泡沫、特殊配方樹脂制成，不僅起到保溫隔熱功能，且對LNG運輸船只的安全性作用關鍵。LNG船復合板材具有極佳的競爭格局和較長的下游認證周期，公司作為國內造船廠核心供應商，具有全球領先的深冷復合材料技術。我們認為此次滬東造船廠訂單有望成為公司LNG板材業務需求超預期的開始。此外，公司復合材料業務產業鏈的持續完善，有望使得業務盈利能力提升，板材業務進入高景氣周期。5.4東芯股份：國內SLCNAND龍頭，短期業績有望快速修復公司披露業績2022年年度業績快報。2022年公司營收11.49億元，同比增長1.34%。公司實現歸母凈利潤1.85億元，同比下降29.51%。單季度看，公司2022年Q3實現營業收入2.34億元，環比下降36.63%，同比下降29.17%，實現歸母凈利潤5644萬元，環比減少46.01%，同比下降36.01%，2022年第三季度業績下滑主要系市場景氣度下降所致。盈利能力方面，2022年Q3單季度毛利率為30.27%，整體前三季度毛利率達42.23%，同比提升3.64pct。費用方面，公司前三季度研發費用達8393萬元，同比增長77.08%，研發費率達到8.86%，同比提升2.82pct。公司逐步實現產品產品線拓展及技術創新1）NANDFlash方面：公司作為SLCNAND領域龍頭企業，核心技術優勢明顯，實現了從1Gb到32Gb系列產品設計研發的全覆蓋。公司開發的車規產品正在進行AEC-Q100驗證，同時先進制程的19nm已完成首輪晶圓流片，處于國際領先地位。2）NORFlash方面：公司自主設計的SPINORFlash存儲容量覆蓋2Mb至256Mb。支持多種數據傳輸模式，目前公司已經為三星電子、LG、傳音控股、歌爾股份等中外知名終端客戶提供產品。3）DRAM方面：公司研發的DDR3具有高帶寬、低延時等特點，在研的LPDDR4x進度符合公司預期，主要針對基帶市場和模塊類客戶。5.5深科技：存儲芯片封測領先者，定增加碼產能存儲芯片封測領先者。在半導體封測業務領域，公司主要從事高端存儲芯片的封裝與測試，產品包括動態隨機存取存儲器（DRAM）、NAND型閃存（NANDFLASH）以及嵌入式存儲芯片，具體有雙倍速率同步動態隨機存儲器（DDR3、DDR4、DDR5）、低功耗雙倍速率同步動態隨機存儲器（LPDDR3、LPDDR4、LPDDR5）、符合內嵌式存儲器標準規格的低功耗雙倍速率同步動態隨機存儲器（eMCP4）等。定增加碼存儲芯片封測產能。公司定增募資14.62億元投向存儲先進封測與模組制造項目。合肥沛頓已通過現有客戶封裝產品大規模量產審核，計劃下半年進一步積極導入新客戶。公司積極布局高端封測，規劃建設凸點（Bumping）項目，目前凈化間施工和首線設備采購正同步進行。未來，公司將以滿足重點客戶產能需求和加強先進封裝技術研發為目標，聚焦倒裝工藝（Flip-chip）、POPt堆疊封裝技術的研發、16層超薄芯片堆疊技術的優化，致力成為存儲芯片封測標桿企業。公司披露業績2022年第三季度業績報告。2022前三季度公司營收120億元，同比下滑2.08%，公司實現歸母凈利潤5.75億元，同比上升11.32%。單季度看，公司2022年Q3實現營業收入44.6億元，環比上升14.3%，同比上升3.43%，實現歸母凈利潤1.2億元，環比減少43.66%，同比下降50.9%。盈利能力方面，2022年Q3單季度毛利率為3.31%，整體前三季度毛利率達11.24%，同比提升16.6%。費用方面，公司前三季度研發費用達2.25億元，同比下降27.4%，研發費率1.87%，與上一年度基本持平。5.6普冉股份：存儲行業新星，發