磁表面存儲器ppt第1頁，課件共13頁，創作于2023年2月2.技術指標道密度：（1）記錄密度（2）存儲容量位密度：單位長度內的磁道數。磁道上單位長度內的二進制代碼數。非格式化容量：格式化容量：總位數用位密度計算。有效位數用扇區內的數據塊長度計算。（3）速度指標平均存取時間帶：平均等待時間盤：平均定位、平均旋轉時間衡量查找速度

ms數據傳輸率衡量讀/寫速度

b/s、B/s高仿酒第2頁，課件共13頁，創作于2023年2月5.3.2磁記錄方式1.定義寫電流波形的組成方式。解決提高可靠性：增大寫波幅度，以提高讀出信號幅度。內同步，即能從自身讀出信號序列中提取同步信號，以區分位單元。提高記錄密度減少轉變區數目，使位單元長度縮短。具有自同步能力，使位單元長度縮短。2.實用記錄方式的特點與應用第3頁，課件共13頁，創作于2023年2月（1）不歸零-1制（NRZ1）寫1時電流變，寫0時電流不變。001101I0t轉變區少，無自同步能力。用于早期低速磁帶機。（2）調相制（PE）I0t001101寫1時電流正跳變，寫0時電流負跳變。轉變區多，有自同步能力。用于常規磁帶機。（3）調頻制（FM）I0t001101寫1時電流變二次，寫0時電流變一次。轉變區多，有自同步能力。用于早期磁盤。第4頁，課件共13頁，創作于2023年2月（3）調頻制（FM）I0t001101寫1時位單元中間電流變，相鄰的0交界處電流變。轉變區少，有自同步能力。用于磁盤。（4）改進型調頻制（MFM）I0t001101可壓縮位單元長度：I0t001101（5）群碼制（GCR）記錄碼中連續的0不超過2個；記錄碼按NRZ1方式寫入。轉變區少，有自同步能力。用于數據流磁帶機。第5頁，課件共13頁，創作于2023年2月5.3.3磁盤存儲器適用于調用較頻繁的場合，常作為主存的直接后援。磁盤磁盤控制器磁盤驅動器+接口磁盤適配器盤片、磁頭定位系統、傳動系統1.組成（1）軟盤信息分布與尋址信息1）信息分布盤片：單片，雙面記錄。磁道：盤片旋轉一周，磁頭的作用區域。扇區：磁道上長度相同的區段。存放數據塊。各道容量相同,各道位密度不同,內圈位密度最高。第6頁，課件共13頁，創作于2023年2月非格式化容量=內圈位密度×內圈周長×道數/面×面數驅動器號、磁頭號、磁道號、扇區號、扇區數2）尋址信息盤組：多個盤片，雙面記錄。各記錄面上相同序號的磁道構成一圓柱面。圓柱面：扇區（定長記錄格式）格式化容量=字節數/扇區×扇區數/道×道數/面×面數（2）硬盤信息分布與尋址信息1）信息分布（柱面數=道數/面）數據塊記錄塊（不定長記錄格式），無扇區化分。第7頁，課件共13頁，創作于2023年2月驅動器號、圓柱面號、磁頭號、扇區號（記錄號）、交換量。2）尋址信息例：定長記錄格式2.記錄格式（磁道格式）選擇磁盤組選擇盤面選擇磁道選擇起始扇區磁道時間磁道索引脈沖間隔扇區1扇區2扇區n間隔扇區i標志區：標志信息、CRC校驗碼數據區：標志信息、CRC、數據字段

3.磁盤基本操作尋址操作尋道：磁頭徑向移動尋找扇區：盤片旋轉讀/寫操作串行讀/寫DMA方式傳送（1）（2）扇區數第8頁，課件共13頁，創作于2023年2月5.3.4校驗碼1.碼距的概念（1）碼距定義一種編碼體制中，各組合法代碼間的不同位數稱距離，其最小距離為該編碼的碼距。有效信息位+校驗位衡量一種編碼查錯與糾錯的能力。校驗碼例1.8421碼（2）碼距作用（3）查錯與糾錯的基本出發點1）約定某種規律，作為檢測的依據。譯碼檢測2）增大碼距，從信息量上提供指錯的可能。2.幾個例子碼距d=1無查錯、糾錯能力。第9頁，課件共13頁，創作于2023年2月有效信息位+1位校驗位校驗碼例2.奇偶校驗碼如：偶校驗檢測依據（編碼規則）：碼距d=2通過統計校驗碼中1的個數是否為偶數來查錯。10110010可檢測一位錯，約定校驗碼中1的個數為奇數/偶數。1011011

1不能糾錯。用于主存校驗。例3.海明校驗碼檢測依據：多重奇偶校驗。代碼分組各組進行奇偶校驗形成多位指誤字=全0無錯≠全0有錯指誤字狀態對應出錯位序號，將出錯位變反糾錯。第10頁，課件共13頁，創作于2023年2月3.循環校驗碼（CRC）設有效信息為A，約定代碼為G。A校驗碼能被某代碼除盡。余數校驗碼例.有效信息A=1100，約定代碼G=10111）A左移r位（1）約定規律G

=

Q

+

RGA-RG

=

Q

（2）編碼方法將有效信息與余數拼在一起形成校驗碼Krn有效信息位數K：r：n：余數位數校驗碼位數（r=3）：11000002）求余數：11000001011=1110+0101011余數第11頁，課件共13頁，創作于2023年2月約定代碼3）形成校驗碼（3）譯碼與糾錯循環校驗碼余數為0，無錯K=4（7，4）碼n=7余數非0，有錯不同余數對應不同出錯數位1100000+010=1100010生成多項式利用余數循環的特點，將出錯位移至校驗碼最高位，變反糾錯。節省硬件。（4）生成多項式滿足三個條件出錯，余數不為0。不同出錯位對應不同余數。余數循環。可查表獲得生成多項式第12頁，課件共13頁，創作于2023年2月第五章復習提綱1.半導體存儲器邏輯設計(地址分配、片選邏輯、框圖)。2.記錄方式(NRZ1、PE、FM、MFM、