ICS31020

CCSL.40

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T427062—2023/IEC62435-22017

.:

電子元器件半導(dǎo)體器件長(zhǎng)期貯存

第2部分退化機(jī)理

:

Electroniccomponents—Long-termstorageofelectronicsemiconductordevices—

Part2Deteriorationmechanisms

:

IEC62435-22017IDT

(:,)

2023-05-23發(fā)布2023-09-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T427062—2023/IEC62435-22017

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)定義和縮略語(yǔ)

3、………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3.1…………………………1

縮略語(yǔ)

3.2………………1

退化類(lèi)型

4…………………2

概述

4.1…………………2

引線(xiàn)鍍層的可焊性和氧化

4.2…………2

爆米花效應(yīng)

4.3“”………………………2

分層

4.4…………………2

腐蝕和變色

4.5…………………………2

靜電影響

4.6……………2

高能電離輻射損傷

4.7…………………2

貯存溫度對(duì)半導(dǎo)體器件的風(fēng)險(xiǎn)

4.8……………………3

貴金屬鍍層

4.9…………………………3

霧錫和其他鍍層

4.10……………………3

焊料球和焊料凸點(diǎn)

4.11…………………3

含可編程閃存可編程邏輯單元的器件和其他含非易失性存儲(chǔ)單元的器件

4.12、…3

元器件的技術(shù)驗(yàn)證

5………………………3

目的

5.1…………………3

試驗(yàn)選擇準(zhǔn)則

5.2………………………3

測(cè)量和試驗(yàn)

5.3…………………………4

定期評(píng)價(jià)

5.4……………5

附錄規(guī)范性封裝和未封裝有源元器件的失效機(jī)理

A()………………7

參考文獻(xiàn)

………………………9

Ⅰ

GB/T427062—2023/IEC62435-22017

.:

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是電子元器件半導(dǎo)體器件長(zhǎng)期貯存的第部分已經(jīng)發(fā)布

GB/T42706《》2。GB/T42706

了以下部分

:

第部分總則

———1:;

第部分退化機(jī)理

———2:;

第部分芯片和晶圓

———5:。

本文件等同采用電子元器件半導(dǎo)體器件長(zhǎng)期貯存第部分退化機(jī)理

IEC62435-2:2017《2:》。

本文件做了下列最小限度的編輯性改動(dòng)

:

刪除了中資料性引用的

a)4.8JEDECJEP122;

表中為避免最后一列的字母與第四列中的相同字母混淆將最后一列的字母改

b)A.1,“T”,“T”

成了字母

“C”;

調(diào)整了參考文獻(xiàn)

c)。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專(zhuān)利的責(zé)任

。。

本文件由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本文件起草單位中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所河北北芯半導(dǎo)體科技有限公司池州華宇

:、、

電子科技有限公司河北中電科航檢測(cè)技術(shù)服務(wù)有限公司深圳市標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究院北京賽迪君信電子

、、、

產(chǎn)品檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室有限公司綿陽(yáng)邁可微檢測(cè)技術(shù)有限公司武漢格物芯科技有限公司惠州市特創(chuàng)電子

、、、

科技股份有限公司佛山市毅豐電器實(shí)業(yè)有限公司

、。

本文件主要起草人劉瑋石東升晉李華彭勇閆萌張?chǎng)闻砗拼薏ㄎ罕w鵬麥日容徐昕

:、、、、、、、、、、、、

米村艷何黎陳金星吳衛(wèi)斌

、、、。

Ⅲ

GB/T427062—2023/IEC62435-22017

.:

引言

本文件描述了一種長(zhǎng)期貯存實(shí)施方法長(zhǎng)期貯存是指電子元器件預(yù)計(jì)貯存時(shí)間超過(guò)個(gè)月的

。12

貯存

。

近年來(lái)電子元器件尤其是集成電路的淘汰越來(lái)越嚴(yán)重隨著科技的發(fā)展與用于航空鐵路或能

,,。,、

源領(lǐng)域的工業(yè)設(shè)備相比元器件的生命周期非常短因此對(duì)元器件進(jìn)行系統(tǒng)的貯存是解決淘汰問(wèn)題的

,。,

主要方法

。

長(zhǎng)期貯存需要很好地執(zhí)行貯存程序尤其是貯存環(huán)境建議依據(jù)最新工藝水平執(zhí)行所有的運(yùn)輸維

,。、

護(hù)貯存和測(cè)試操作

、。

本文件提出了一種最大程度上延緩淘汰的方法但并不能保證貯存結(jié)束后的元器件處于完美的工

,

作狀態(tài)

。

由于一些系統(tǒng)的使用時(shí)間很長(zhǎng)有的情況下長(zhǎng)達(dá)年或更久因此如何進(jìn)行維修和獲得備件成為

,40,

了用戶(hù)和維修機(jī)構(gòu)需要解決的問(wèn)題例如維修這些系統(tǒng)所需的一些元器件在系統(tǒng)的生命周期內(nèi)不能

。,

從原始供應(yīng)商處獲得又或者用于組裝的備件在生產(chǎn)初期就生產(chǎn)出來(lái)但需要進(jìn)行長(zhǎng)期貯存本文件的

,,。

目的就是為元器件的長(zhǎng)期貯存提供指導(dǎo)

。

電子元器件半導(dǎo)體器件長(zhǎng)期貯存旨在確保元器件長(zhǎng)期貯存后在使用中有足夠的

GB/T42706《》,

可靠性鼓勵(lì)用戶(hù)要求供貨商提供相關(guān)產(chǎn)品的技術(shù)參數(shù)以論證出滿(mǎn)足用戶(hù)需求的貯存過(guò)程這些標(biāo)

。,。

準(zhǔn)旨在為需要長(zhǎng)期貯存的電子元器件提供相關(guān)指導(dǎo)

。

電子元器件半導(dǎo)體器件長(zhǎng)期貯存共分為個(gè)部分第部分第部分適用于

GB/T42706《》9。1~4

所有長(zhǎng)期貯存并包含了總體要求和指導(dǎo)第部分第部分適用于幾種特定產(chǎn)品類(lèi)型的貯存在

,。5~9。

滿(mǎn)足第部分第部分的總體要求的同時(shí)還要滿(mǎn)足特定產(chǎn)品類(lèi)型的要求

1~4,。

從第部分開(kāi)始涉及需要不同貯存條件的電子元器件

5。

電子元器件半導(dǎo)體器件長(zhǎng)期貯存與系列標(biāo)準(zhǔn)相對(duì)應(yīng)擬分為以下

GB/T42706《》IEC62435,

部分

:

第部分總則目的在于規(guī)定長(zhǎng)期貯存的相關(guān)術(shù)語(yǔ)定義和原理提供有效進(jìn)行元器件長(zhǎng)期

———1:。、,

貯存的理念良好工作習(xí)慣和一般方法

、。

第部分退化機(jī)理目的在于規(guī)定電子元器件在實(shí)際貯存條件下隨時(shí)間推移的退化機(jī)理和

———2:。

退化方式以及評(píng)估一般退化機(jī)理的試驗(yàn)方法指南

,。

第部分?jǐn)?shù)據(jù)目的在于規(guī)定電子元器件長(zhǎng)期貯存過(guò)程中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的各方面要求保持可追

———3:。,

溯性或數(shù)據(jù)鏈完整性

。

第部分貯存目的在于規(guī)定電子元器件長(zhǎng)期貯存方法以及相關(guān)的推薦條件包括運(yùn)輸控

———4:。,,、

制以及貯存設(shè)施安全

。

第部分芯片和晶圓目的在于規(guī)定單個(gè)芯片部分晶圓或整個(gè)晶圓以及帶金屬結(jié)構(gòu)引入

———5:。、,(

金屬層植球植柱等芯片的貯存條件和規(guī)則同時(shí)為含有芯片或晶圓的通用和專(zhuān)用封裝產(chǎn)品

、),

提供操作指導(dǎo)

。

第部分封裝或涂覆元器件目的在于規(guī)定封裝或涂覆元器件長(zhǎng)期貯存方法和推薦條件包

———6:。,

括運(yùn)輸控制以及貯存設(shè)施安全

、。

第部分目的在于規(guī)定長(zhǎng)期貯存時(shí)需要注意的事項(xiàng)及基本要求

———7:MEMS。MEMS。

Ⅳ

GB/T427062—2023/IEC62435-22017

.:

第部分無(wú)源電子器件目的在于規(guī)定無(wú)源電子器件產(chǎn)品長(zhǎng)期貯存時(shí)需要注意的事項(xiàng)及基

———8:。

本要求

。

第部分特殊情況目的在于規(guī)定特殊器件的貯存方法包括所有類(lèi)型的硅器件和半導(dǎo)體

———9:。,

器件

。

Ⅴ

GB/T427062—2023/IEC62435-22017

.:

電子元器件半導(dǎo)體器件長(zhǎng)期貯存

第2部分退化機(jī)理

:

1范圍

本文件描述了電子元器件在實(shí)際貯存條件下隨時(shí)間推移的退化機(jī)理和退化方式以及評(píng)估一般退

,

化機(jī)理的試驗(yàn)方法通常本文件與一起使用用于預(yù)計(jì)貯存時(shí)間超過(guò)個(gè)月的長(zhǎng)期貯存

。IEC62435-1,12

器件特定類(lèi)型電子元器件的退化機(jī)理在中加以規(guī)定

。IEC62435-5~IEC62435-9。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分對(duì)潮濕和焊接熱綜合影響敏

IEC60749-20-120-1:

感的表面安裝器件的操作包