0一年三說 明《特種設(shè)備無損檢測技術(shù)培訓考核習題集》是在《鍋爐壓力容器無損檢測新編教材配套習題集》基礎(chǔ)上改寫而成的。改寫過程中糾正了書中的一些錯誤外，還增加了材料、焊接、熱處理等基礎(chǔ)知識的題目。編寫本習題集的主要依據(jù)是《射線檢測》、《超聲波檢測》、《磁粉檢測》、《滲透檢測》、《特種設(shè)備無損檢測相關(guān)知識》五本教材，編寫時還參考了全國考委會《鍋爐壓力容器無損檢測人員考試習題集》、江蘇省《無損檢測習題集》以及部分美國ASNT習題。本書主要編寫人：強天鵬、施健。無損檢測知識部分的習題集的排列編號與教材的章節(jié)對應(yīng)。RT和UT部分的計*解**題人員應(yīng)**以題，理了***題人員應(yīng)*******“”的75%左右“”“”25%左右其它型則未分，學可大綱“”“”“了”的要求來確定對有關(guān)習題的熟練程度。材料、焊接、熱處理知識部分的習題選用了是非和選擇題兩種題型，主要是考慮這兩種題型有利于學員對基礎(chǔ)概念的。20123·南目 錄說明第一部分 射線檢測一、是非題二、選擇題三、問答題問答題答案一、 是非

第一部分 射線檢測共： 803題其： 是非題 301題選擇題 284題問答題 118題計算題 100題Z質(zhì)子數(shù)量。（√）為了使原子呈性，原子核質(zhì)子數(shù)必須等于核外電子數(shù)。（√）Χ）個增加個質(zhì)仍可保持類不）序相同而量不同我們稱同位）不穩(wěn)定同位在衰過程始終要輻射γ射線。）不同類同位放射性活度大總是比放射性活度小具有更高輻射劑量。（）放射性同位半衰期是指放射性能量來半所需要間（）（）α和β雖然有很強穿透力，但由于對人體傷害太大，所以一般不用于工業(yè)探傷。（）111 將元素放在核反應(yīng)堆中受過量中子轟擊，從而變成人造放性同位素，這一過程稱為“激活”。）Cs137）Ir192Se75）Χ）Χ或強就大。Χ）Χ或以光微質(zhì)粒Χ）當χ2價層后僅僅剩最初1/4。）果母材密缺陷密大倍而母材序缺陷序時缺陷底片上所成象白斑。）標識Χ具有那由于電靶核碰撞結(jié)果。）連續(xù)Χ電靶軌道電碰撞結(jié)果。）Χ波長管電壓有關(guān)。）Χ射線機產(chǎn)生Χ射線的效率比較高，大約有95%的電能轉(zhuǎn)化為Χ射線的能量。（）一種同位素相當與多少千伏或兆伏能力的Χ射線機來做相同的工作，這種關(guān)系叫做同位素的當量能。（ ）同能量的γ射線和Χ射線具有完全相同的性質(zhì)。（ ）Χ射線的強度不僅取決于Χ射線機的管電流而且還取決于Χ（）C60C137γ射線能量較低，半衰期較短。長0 S（Χ）。（）300KeV與原相互作用使一軌道50KeV道，50KeV則新200KeV。（）的發(fā)生幾率隨原序數(shù)的增大增加。（）（Χ）隨著入射能量的增大，吸收系數(shù)迅速減少，康普頓衰減系數(shù)逐漸增大。（）1.32 10MeV對效應(yīng)。）連續(xù)Χ射線穿透物質(zhì)后，強度減弱，線質(zhì)不變。）9/101/10）1/8。）Χ有效能量是指透物質(zhì)未物質(zhì)能量所以透越大有效能量越小。）C60Ir192源是穩(wěn)定同位素在核反應(yīng)堆中俘獲中子而得到源O經(jīng)幾衰期將放在核反應(yīng)堆中激活可重復(fù)使用。）Χ和γ都是電磁輻而中子不是電磁輻）放性同位素量能總是高于起平均能。）Χ與可見光本質(zhì)上區(qū)別是振動頻率不同。）高速電子與靶原子軌道電子相撞發(fā)出Χ這一程韌致輻）Χ能量與管電壓有關(guān)與管電流無關(guān)。）Χ與管電流有關(guān)與管電壓無關(guān)。）標識Χ能量與管電壓管電流均無關(guān)取決于靶。 ）Χ射線與γ射線的基本區(qū)別是后者具有高能量，可以穿透較厚物質(zhì)。（ ）采取一定措施可以使射線照射范圍限制在一個小區(qū)域，這樣的射線稱為窄束線。（ ）對鋼、鋁、銅等金屬材料來說，射線的質(zhì)量吸收系數(shù)值總是小于線吸收系數(shù)值。（ ）原子核的穩(wěn)定性與核內(nèi)中子數(shù)有關(guān)核內(nèi)中子數(shù)越小核就越穩(wěn)定。 （ 經(jīng)過一次β-衰變，元素的原子序數(shù)Z增加1，而經(jīng)過一次α衰變，元數(shù)的原子序數(shù)Z2。（ ）放射性同位素衰變常數(shù)越小，意味著該同位素半衰期越長。（ ）在管電壓、管電流不變的前提下，將Χ射線管的靶材料由鉬改為鎢，所發(fā)生的射線強度會增大。（ ）1.52 在工業(yè)射線探傷中使膠片感光的主要是連續(xù)譜Χ射線標識譜Χ射線不起什么作用。（ ）Ir192射線與物質(zhì)相互作用，肯定不會發(fā)生電子對效應(yīng)。（ ）高能Χ射線與物質(zhì)相互作用的主要形式之一是瑞利散射。（ ）））×）原子由個原子核若干個核外子）原子核核外子帶正荷在原子核周圍高速運動×原子序數(shù)Z子數(shù)=子數(shù)=核荷數(shù)）原子量=子數(shù)+中子數(shù)）中子數(shù)=相原子量(原子量)-子數(shù)=相原子Z。）穩(wěn)定同位素放性同位素Z≥83許多元素及其化合具有放性。）目前所同位素放性同位素譜中化部譜）康普頓效應(yīng)發(fā)生幾率致與子量正與原子序數(shù)×）相干）有子量發(fā)生子效應(yīng)）效應(yīng)子效應(yīng)有高相康普頓效應(yīng)生相）相化管×）Χ光管的有效焦點總是小于實際焦點。（√）Χ射線機中的焦點尺寸,應(yīng)盡可能大,這樣發(fā)射的Χ射線能量大,同時也可防止靶過分受熱。(Χ)Χ射線管中電子的速度越小，則所發(fā)生的射線能量也就越小。（√）由于Χ射線機的電壓峰值（KVP）容易使人誤解，所以Χ射線機所發(fā)出的射線能量用電壓的平均值表示。（ ）全波整流Χ射線機所產(chǎn)生射線的平均能比半波整流Χ射線機所產(chǎn)生的平均高。（ ）移動式Χ射線機只能室內(nèi)小范圍移動，不能到野外作業(yè)。（ ）移動式Χ射線機有油冷和氣冷兩種絕緣介質(zhì)冷卻方式。（ ）相同千伏值的金屬陶瓷管和玻璃管，前者體積和尺寸小于后者。（ ）“變頻”是減小Χ射線機重量的有效措施之一。（ ）放射性同位素的比活度越大，其輻射強度也就越大。（ ）100mmγ源的是Co60，20mm下的γIr192。（ ）黑定義為阻光率的常用對數(shù)值。（ ）底片黑D=1，即意味著透射光強為入射光強的十分之一。（ ）ISO感光100的膠片，達到凈黑所需的曝光量為100戈瑞。 （ 能量較低的射線較更容易被膠片吸收，引起感光，因此，射線透照時防止散射線十分重要。（ ）用來說明管電壓、管電流和穿透關(guān)系曲線稱為膠片特性曲線。（ ）膠片達到一定黑所需的照射量（即倫琴數(shù)）與射線質(zhì)無關(guān)。（ ）同一膠片對不同能量的射線具有不同的感光。（ ）比活做得更小。（ ）膠片灰霧包括片基年固有密和化學灰霧密兩部分。（ ）100KV-400KVΧ射線能量范圍內(nèi)鉛箔屏其厚）對Χ射線射線能量高但對γ射線來說則不是這樣例如，60192。對Χ射線機進行“訓練”目是為了排出絕緣油中氣泡。Χ和γ射線本質(zhì)是相同但γ射線來自同位素Χ射線來自于一個以速電子裝置。任何情況下同位素都優(yōu)于Χ射線設(shè)備這是由于使它能得到更高對比和清晰）對于某一同位素放射源其活越則所發(fā)出射線強也越將一張含有針孔鉛板放于Χ射線管和之間中間位置上可以來測量中心射線強相同標稱千伏值和毫安值Χ射線機所產(chǎn)生射線強和能量必定相同。Χ射線燈絲的。（ ）放射源的比活度越大，其半衰期月短。（ ）膠片對比度與射線能量有關(guān)，射線能量越高，膠片對比度越小。（ ）膠片特性曲線的斜率用來度量膠片的對比度。（ ）從實際應(yīng)用的角度來說，射線的能量對膠片特性曲線形狀基本上不產(chǎn)生影響。（ ）寬容度大的膠片其對比度必然低。（ ）顯影時間延長，將會使特性曲線變陡，且在坐標上的位置向左移。（ ）膠片特性曲線在坐標上的位置向左移，意味著膠片感光速度越小。（ ）與一般膠片不同，Χ射線膠片雙面涂布感光乳劑層，其目的為了增加感光速度和黑度。（√）潛象指在沒有強光燈的條件下不能看到的影象。（ ）嵌增感屏除有增感作用外，還有減少散射線的作用，因此在射線能穿透的前提下，應(yīng)盡量選用較厚的鉛屏。（ ）透照不銹鋼焊縫，可以使用碳金屬絲象質(zhì)計。（ ）透照鈦焊縫，必須使用鈦金屬絲象質(zhì)計。（ ）透照鎳基合金焊縫時使用碳素鋼象質(zhì)計，如果底片上顯示的線徑編號剛剛達到標準規(guī)定值，則該底片的實際靈敏度肯定達不到標準規(guī)定的要求。（ ）因為鉛箔增感屏的增感系數(shù)高于熒光增感屏，所以得到廣泛使用。（ ）膠片鹵化銀粒度就是顯影后底片的顆粒度。（ ）梯噪比高的膠片成像質(zhì)量好。（ ）膠片系統(tǒng)分類的主要依據(jù)是膠片感光速度和梯噪比。（ ）直通道型射線比S通道型射線的，。（ ）射線時應(yīng)徑不得，則。（ ×）像質(zhì)劑一般擺放在射線透照區(qū)內(nèi)顯示靈敏度較低部位。（ ）））×）陽由陽靶陽體陽罩三構(gòu)成般陽體采用導(dǎo)熱率大無氧銅制成）攜帶式散熱形式多采用輻散熱式）陽特性就與關(guān)系）采用陽接地方式自整路對高變絕緣性要求較高。）燈絲變個降變）γ屏蔽容般用貧化鈾材料制成其體積重量比鉛屏蔽體要小許多。）換γ源操作過程中必須使用γ計量儀表及音儀。）由成）特性曝曲定量表示×）底定黑度所用曝量倒數(shù)定義為度）未經(jīng)曝經(jīng)暗室處理定黑度稱為本底灰霧度）對曝量底顯示黑度差固有稱為梯度）有效黑度范圍相對應(yīng)曝范圍稱為寬容度）特性指標只與有關(guān)與增屏和沖洗無關(guān)×）×）使用金屬增感屏所得到底片像質(zhì)最佳，其增感系數(shù)也最小√）Q指用增感屏曝Eo曝E比值，即：Q=Eo/E金屬增感屏具有增感效應(yīng)吸收效應(yīng)個基本效應(yīng)√）由于增感系數(shù)高，熒增感屏多用于承壓設(shè)備焊縫射線照相×）像質(zhì)劑用來檢查定評價射線底片影像質(zhì)工具√）像質(zhì)劑通常用與被檢工件材質(zhì)相或?qū)ι渚€吸收性能相似材料制作√影象顆粒完全取決于膠片乳劑層中鹵化銀微粒尺寸大小。）象質(zhì)靈敏%，就意味著尺寸大于透照厚%缺陷均可被檢出）使用較低能射線可得到較高主因?qū)Ρ龋┥渚€照相時，若千伏值提高，將會使膠片對比降低。）一般對厚差較大工件，應(yīng)使用較高能射線透照，其目降低對比增大寬容）增大曝可提高主因?qū)Ρ龋┊斏渚€有效250KV產(chǎn)生明顯影響。（）Dmin（）（）（）（）（）（）γ以消除（）加以但同時會（）成象性會隨著量提高而變差。（）、、決定靈敏三個要數(shù)。（）和均厚變化黑差（）（）（）（）（）（））（）（）（）（）透照有余高的焊縫時，所選擇的“最佳黑度”就是指是能保證焊縫部位和母材部位得到相同角質(zhì)計靈敏度顯示的黑度值。（ ）由于最小可見對比度△Dmin隨黑度的增大而增大，所以底片黑度過大會對缺陷識別產(chǎn)生不利的影響。（ ）底片黑度只影響對比度，不影響清晰度。（ ）試驗證明，平板試件照相，底片最佳黑度值大約在左右。 （ 固有不清晰度是由于使溴化銀感光的電子在乳劑層中有一定穿越行程而造成的。（ ）底片能夠記錄的影象細節(jié)的最小尺寸取決于顆粒度。（ ）對有余高的焊縫照相，應(yīng)盡量選擇較低能量的射線，以保證焊縫區(qū)域有較高的對比度。（ ）σ與截面形狀關(guān)例如裂紋截面形狀與金屬絲不同，兩者的σ值也不同。（ ）由于底片上影象信噪比隨曝光量的增加而增大，所以增加曝光量有利于缺陷影象識別。（ ）射線照相的信噪比與膠片梯噪比具有不同含義。（ √）×）焦點至工件表面的距離是影響幾何的原因之一√）膠片對比顯影條件√）一般情況下，膠片光速越高，影像的顆粒性就越明顯×焦點尺寸的大小幾何沒系×）膠片未貼緊會大√）衰減系數(shù)μ只能量，試件材質(zhì)×）幾何焦點尺寸和工件厚成正比，焦點至工件表面的距離成反比。√）可采用鉑-鎢雙絲像質(zhì)劑測定√）顆粒性是指均勻曝光的底片上影像黑分布均勻的視覺印象√）按“高靈敏法”的要求，300KVX可透鋼的最大厚40mm。）γ的優(yōu)點是源尺寸小，且對厚工作曝光。）小的dr，大焦距F，可Ug減小。）高表面的小，采用源的透比源的透）的透中，源中心透周向曝光法為最佳。）UgUi）

則同樣厚鋼和后者管電壓應(yīng)為前者的銅倍）對余高焊縫進行熱影響區(qū)部位散射比要比焊縫中心部位得多。源在內(nèi)搭接標記必須放在射源側(cè)。背散射線存在會影響底片對比通常可在工件和膠片之間放置B否存在。布置為防止漏檢搭接標記應(yīng)放在射線源側(cè)。會。工件厚會散射發(fā)。 在源和工件之間放置濾板來減少散射線措施對γ射線并適可放在工件和膠片之間Χ機環(huán)焊縫透心法曝光時利檢出橫紋但利檢出縱裂紋。外單壁透方式K變則越大一次透L3

越大。雙壁單法透時K變則越大一次透L3越小單壁法透環(huán)焊縫時所搭接標記均應(yīng)側(cè)表面免端部缺陷漏檢某一曝光曲應(yīng)同一類型膠片但更換同Χ機。γ曝光曲時首先應(yīng)知道給定時活度。如果已知等效系數(shù)Χ曝光曲來代替γ曝光曲也光參數(shù)小徑管垂直透法傾斜透法更利檢出根部未熔合。增大透照厚度寬容度最常用的辦法是適當提高射線能量。（ ）對尺寸很小的缺陷，其影象的對比度不僅與射線能量有關(guān)，而且與焦距有關(guān)。（ ）材料的種類影響散射比，例如給定能量的射線在鋼中的散射比要比在鋁中大得多。（ ）在常規(guī)射線照相檢驗中，散射線是無法避免的。（ ）環(huán)縫雙壁單影照相，搭接標記應(yīng)放在膠片側(cè)，底片的有效評定長度是底片上兩搭接標記之間的長度。（ ）縱焊縫雙壁單影照相，搭接標記應(yīng)放在膠片側(cè)，底片的有效評定長度就是兩搭接標記之間的長。（ ）小徑管雙壁透照的要點是選用較高管電壓，較低曝光量，其目的是減小底片反差，擴大檢出區(qū)域。（ ）射線照相實際透照時很少采用標準允許的最小焦距值。（ ）雙片疊加觀察是雙膠片技中的雙片法常采用的種底片觀察法。（ ×）選擇射線源的首要因素是其對被檢工件應(yīng)具有足夠的穿透力。（ √）×）在滿足幾何不清晰度前下為高工效和影像質(zhì)量環(huán)形焊縫應(yīng)盡量選圓錐靶周向X機作內(nèi)透中心法周向√）從照相靈敏度角度考慮：在保證穿透力前下應(yīng)盡量選擇能力較低√）選擇能量較低X獲得較高對比度和寬容度×）高管電壓是高工效和靈敏度有效方法之一×）底片黑度改變量控制√）平方反比定律表示輻強度與距離平方反比√）對√）對度較工比能量×對幾不作×）度效×）在管透照中影像處幾何不清晰度都是一致×）顯影十膠片上AgBr被還原金屬銀從膠片變黑。）對不足底片影高影度方法底片黑度從獲得符合要求底片。）AgBr“通透間”就是指從放入到乳劑層變?yōu)橥该鬟@段間。減少底水跡法是溫快速干燥。表面起網(wǎng)狀皺紋可能是處理溫度變化急劇而引起沖洗只要使安全燈就出現(xiàn)灰霧。過量增加碳酸鈉底產(chǎn)生反差降低良后使增底出現(xiàn)。紋產(chǎn)生是過。底產(chǎn)生跡可能是前使彎曲。AgBrPH。 “超和性和。）））金屬對劑氧催）色））×）和苯二酚都劑能力大大低苯二酚×）溴化鉀過會大大抑制苯二酚作用）保護劑作用阻止劑被氧化延長使用壽命）促進劑作用增強劑能力和速）氫氧化促進劑強堿在使用注意安全）抑制劑作用抑制灰霧）在定過程定劑與鹵化銀和金屬銀都發(fā)生化學反應(yīng)×）由射線照相存在象放大現(xiàn)象所以評定時缺陷定應(yīng)考慮放大響×）各種熱裂紋只發(fā)生在焊縫上會發(fā)生在熱響。×）缺陷屬進和射線照相應(yīng)缺陷評。射線照相時會使上在上相置改變）熔化焊焊接過程二次結(jié)晶僅僅發(fā)生在焊縫與熱響關(guān)×）作在過程會上生射線照射白血球會降低。,）Χ或γ，不能中子當Χ或γ源移去以后件不再受，但件本身仍殘留極低即相同，不同種類對人體傷害不同小，低率不會發(fā)生隨機性損害要嚴格遵守防護標準關(guān)當限值規(guī)定，就可以保不發(fā)生損傷Χ機γ防護，可以1=1。/當，/（）當關(guān)1=100Χγ人體吸收，所以Χ對人體傷害γ大。Χ線比低Χ線對人體的傷害力更大一些。（ ）輻損傷的確定性效應(yīng)不存在劑閥值它的發(fā)生幾率隨著劑的增加而增加( X )適用于描述不帶電粒子與物質(zhì)的互作用比釋動適用于描述帶電粒子與物質(zhì)的互作用。( X )在輻防護中人體任一器官或組織被Χ和γ線后的吸收劑和劑量在數(shù)值上是等的。( √ )吸收劑的大小取決于電離輻的與被物體本身的性質(zhì)無關(guān)( X )輻源一定距離增加一倍其劑或劑率減少到原來的一半( X )與電子回旋加速器比直線加速器更束流更大焦點更小。（ ）寬容度大是Χ線的優(yōu)點之一。（ ）加速器一般選擇較大的焦距其目的是減小幾何不清晰度提靈敏度。（ ）中子幾乎不具有使膠片溴化銀感光的力。（ ）中子照相的應(yīng)用之一是用來檢查航空材料蜂窩結(jié)構(gòu)的粘接質(zhì)量。（ ）中子對鋼鐵材料的穿透力很強，因此常用它來檢測厚度超過 100mm的對接焊縫的焊接缺陷。（ ）高能Χ射線照相的不清晰度主要是固有不清晰度，幾何不清晰度的影響幾乎可以忽略。（ ）射線實時成像檢驗系統(tǒng)的圖像容易得到較高的對比度，但不容易得到較好的清晰度。（ ）象素的多少決定了射線實時成像系統(tǒng)圖像識別細節(jié)的能力。（ ）在高能射線照相中，增感屏的增感作用主要靠前屏。（ ）按ASME規(guī)范要求，透照雙面焊縫的使用孔型象質(zhì)計，應(yīng)在象質(zhì)計下放墊板，墊板厚度應(yīng)為上下焊縫余高之和。（ ）在ASME100%（ ）是○ ○ × × ○× × × × ×○○××××××××○×○○○×○○○××××○○××○○○×○×○××○×○○×○○×○○ × ○ × ○○ × ○ ○ ××○○×○××○×○×○○×○×○×××××○○○○×○××○○×××○×××××○××○×○×○ ○ × × ×○○×××××○○○○○○○○○○○○×○○○○×○×○○×○×××××○○○×○○○○○××○×○○○×○○×○○○×○×○○×○×○○×○○○○××××○×××××○×××○○××○○○ × ○× ○ × ○ ○× ○ ○ ○ ○○ ○子 B.C.線 D.fcc =f·λC.=·c D.=f/c核數(shù)等于A.數(shù) B.序數(shù)C.數(shù) D.量區(qū)別沒有A.荷 B.量C.自旋 D.半衰期當幾種粒通過空氣時其離效應(yīng)最高A.α粒子 B.β粒子C子 D.γ在探傷應(yīng)最多三種Aγ線 B.αβγCγβ線 C.γα核外能級量最高A.B.C.D.A.B.C.D.A.射 B.C.射 D.100KeVo-10MeVB.=h/vD.=/hc=hv=hv2IΔX材料后弱ΔI其關(guān)系IμIΔX此示下列哪種現(xiàn)象A.應(yīng) B.C.吸收 D.半價200KVXAΧB.平均連續(xù)C.連續(xù)D.有效連續(xù)單是A.標識Χ線 B.工業(yè)探傷γ源產(chǎn)生C.用來產(chǎn)生高對比度窄束線 D.由單一波長電磁波組成的在一般工業(yè)探傷中與物質(zhì)相互作用時主要產(chǎn)生二個效應(yīng)。A.光電效應(yīng)和電子對效應(yīng) B.光電效應(yīng)和康普頓散射C.康普頓散和電子對效應(yīng) D.康普頓散和電離當光子與物質(zhì)相互作用時，光子將部分用于逐出軌道電子，且剩余變電子動，這就是A.康普頓散射 B.光電效應(yīng)C.電子對效應(yīng) D.電離當光子與物質(zhì)相互作用時，光子波長增加，方向改變，這是由于結(jié)果。A.光電效應(yīng) B.康普頓散射湯姆遜散射 D.電子對產(chǎn)康普頓散特征是）A.產(chǎn)生光電子 B.產(chǎn)生俄歇電子C.D.B.Χ線C.二次D.以上都是已知某單能線在鋼中半價層為3mm線通過物質(zhì)時衰減取決與物質(zhì)原序數(shù)、密度和厚度 B.物質(zhì)楊氏模C.物質(zhì)泊松比 D.物質(zhì)晶粒度窄束和寬束區(qū)別窄束指散和未散線均達到檢測器，而寬束指只有未散線到達檢測器。窄束指只有未散線到達檢測器，而寬束指散和未散線均到達檢測器。窄束和寬束區(qū)別在于源尺寸大小不同。D.窄束和寬束區(qū)別在于照場大小不同。散線主要成份低能磁輻，它由在哪一過程中減弱而過程 B.康普頓過程過程 D.離過程從Χ線管中出線包括A.Χ射線 B.標識Χ射線C.β射線 和BΧ射線穿透厚工件時，有何特點（ ）。A.第二半價層小于第一半價層； B.第二半價層等于第一半價層C.第二半價層大于第一半價層； D.第二半價層與第一半價層關(guān)系不確定當射線波長一定時，下列哪種物質(zhì)的μ最大（ ）產(chǎn)生Χ射線的一般方法是在高速電子的運動方向上設(shè)置一個障礙物，使高速電子在這個障礙物上突然減速，這個障礙物被叫（ ）。A.陽極 B.陰極 C.靶 D.燈Χ射線的穿透能力取決與（ ）。A.毫安 B.千伏 C.曝光時間 D.焦點尺γ射線的穿透能力取決于（ ）。A.源的尺寸 B.源的種類 C.曝光時間 D.焦點尺當施加于Χ射線管兩端的管電壓不變，管電流增加時，則（ ）。產(chǎn)生的Χ射線波長不變，強度不變；ΧC.ΧD.ΧΧ射線機管電流不變，管電壓減小時，則Χ射線將會發(fā)（）A.強度不變，波長減小 B.強度不變，波長增波長減小，強度減小 D.波長增大，強度減Χ射線管所連續(xù)Χ射線強度與管電壓關(guān)系是（ ）。A.強度與管電壓成正比 B.強度與管電壓成反比C.波長減小，強度減小 D.強度與管電壓平方成反活度為80Ci、平均能量為同位素源，經(jīng)過3個半衰期后，其平均能量為（ ）。放射性同位素衰變時，原子核衰變方式通常是（ ）A.粒子發(fā)射 俘獲C.裂變 和B韌致輻射是指高速運動電子同靶相碰撞時，與靶什么相互作用而放也電子的能量，連續(xù)Χ射線（ ）。A.自由電子 B.原子核質(zhì)子或中子C.殼層電子 D.院子核外庫侖場放射性元素Co60轉(zhuǎn)變?yōu)镹i60過程是一次（ ）。A.α衰變 B.β衰變 C.γ衰變 俘A.B.C.D.A.B.C.α越越D.某放性同位素衰變常天則其半衰期天 天 天 天列種線衰系較）A.銅 B.鋁 C.鐵 D.瑞利A.瑞利相干種；B.瑞利不改變只改變運動方向C.瑞利D.瑞利急劇線照相難檢缺陷）A.未焊透和裂紋B.氣孔和未熔合C.夾渣和咬邊D.分層和折疊A.焊 B.C.焊 D.）A.鋼 B.C.金 D.A.B.C.D.C比。γ譜稱為 A ）A.狀譜 B.連續(xù)譜 C.標識譜 D.衰變常λ映了放固屬Bλ值越說明該越穩(wěn)衰變的越快B ）A.射 B.收 C.射 D.以上都是、康普頓、子各自占優(yōu)勢的區(qū)域是(D)低子序數(shù)高的占優(yōu)勢。中等子序數(shù)低的康普頓C.高子序數(shù)高的子占優(yōu)勢。D.各種照產(chǎn)生的影響C）康普頓有利提高照比。子康普頓有利提高照比。子有利提高照比。Χ射線陽極由銅換成鎢產(chǎn)生Χ射線線質(zhì)如何化（）A.邊硬 B.軟 C.變 D.一Χ射線的陽極靶最常用的材料是（ ）。A.銅 B.鎢 C.鈹 D.銀軟射線Χ射線的窗口材料一般是（ ）。A.銅 B.鎢 C.鈹 D.銀Χ射線機技術(shù)性能指標中焦點尺寸是一項重要指標焦點尺寸是（ A.靶的幾何尺寸 B.束的直徑C.實際焦點尺寸 D.有焦點尺寸在條件允許的情況下焦點尺寸盡可能的小其目的是（ ）A.減小設(shè)備體積 B.提高清晰度C.增加能量密度 D.節(jié)省合金材料Χ射線中轟擊靶產(chǎn)生Χ射線的高速的數(shù)量取決于（ ）A.陽極靶材料的原序數(shù)； B.陰極靶材料的原序數(shù)；C.； D.Χ射線管靶所要求（ ）。高數(shù) B.高熔點高傳導(dǎo)率 D.高質(zhì)量吸收系數(shù)當兩臺相同型號Χ射線機千伏值和毫安值均相同時則（ ）A.產(chǎn)生Χ射線強和波長定相同；B.產(chǎn)生Χ射線波長相同強同；C.產(chǎn)生Χ射線強相同波長同；D.產(chǎn)生Χ射線強和波長定相同。高壓變壓器直接與Χ射線管相連接Χ射線機叫做（ ）。A.全波整流Χ射線機 B.自整流Χ射線C.交流Χ射線機 D.恒電壓Χ射線Χ射線管對真空要求較高其因（ ）防止電極氧化；使陰極與陽極之間絕緣；使電束電離氣體而容易通過D.以上三者均是決定Χ射線機工作時間長短主要因素（ ）A.工作電太KV大小； B.工作電流mA大小；C.工件厚大小； D.陽極冷卻速大小Χ射線機中循環(huán)油作用（ ）A.線 B.射線C.熱 D.Χ機與小Χ機相比，其特是（ ）A.能量低穿透力小； B.不集，度小C.照相黑度不易控制； D.照相清晰度差般Χ機調(diào)節(jié)管電壓方法通常是（ ）A.調(diào)節(jié)燈絲加電壓； B.調(diào)節(jié)陰極和陽極之間電壓C.調(diào)節(jié)陰極和陽極之間距離； D.調(diào)節(jié)燈絲與陰極之間距離Χ管陰極最常見是（ ）A.冷陰極 B.陰極C.旋轉(zhuǎn)陰極 D.固定陰極提高燈絲溫度目是使（ ）A.發(fā)電子能量； B.發(fā)電子數(shù)量多；C.發(fā)出Χ短； D.發(fā)出Χ功率Χ管陽極冷卻常用方法是（ ）A.輻冷卻 B.對流冷卻C.傳導(dǎo)冷卻 D.液體迫循環(huán)冷卻γ探傷機與Χ探傷機相比其優(yōu)是（ ）A.設(shè)備簡單 B.不需外部電源C.源體積小 D.以上三者都是）A.素 B.C.素 D.）A.大 B.C.小 D.γ線若要加線可采A.加焦距 B.焦距曝光間 D.均下列四種元中半價層最厚）下列四種元中,半衰期最長為( )Tm170Tm170γ源發(fā)出線能量為( 和180mm厚鋼試件線照相,可能使γ線源( )A.鈷60 B.銩170 C.銥192 D.銫137可使銥192照相鋼試件厚范圍( )決材料X線吸收量最重要因( )A.材料厚度 B.材料密度C.材料原子序數(shù) D.材料晶粒度X,( A.,,,D.,。放性同位素源比活取決( A.核反應(yīng)堆中中子材料在反應(yīng)堆中停留時間；材料特性(原子量,活化截D.以上全。列四種放性同位素中,可用來透厚為3-12mm薄壁,輻特性類似100-250KVX( )般放性比活高源其自吸收()A.較高B.較低C.兩者無關(guān)D.無自吸收決X靶材適用性兩個因素()A.拉伸強和倔強強度 B.硬和磁導(dǎo)度C.阻和抗氧化性能 D.原子序數(shù)和熔以便攜式X機操作使用,( )3前應(yīng)預(yù)燈絲C.SF6

,D.1:1()A.B.C.D.,X,( )A.XB.XC.XD.熱Χ流大小取決于()A.材料B.燈絲流C.陽極到陰極距離D.上都是Χ運動速度取決于( )A.材原序數(shù) B.壓C..流 D.燈絲流在壓,流相同情況,列種路質(zhì)較硬,照劑較大( )A.半整流 B.整流C.穩(wěn)恒直流 D.路種類與質(zhì)劑量無關(guān)在壓,流相同情況,焦尺寸越小,其焦溫度( )A.越低B.越高 C.變 D.一各種膠片成像粒度( )A.隨千伏值提高而增大 B.隨千伏值提高而減小C.與千伏值無關(guān) D.變化服從勃朗寧定律表示膠片受到一定量 X射線照射,顯后的底片黑度是多少的曲線叫做( A.曝光曲線 B.靈敏度曲線C.特性曲線 D.吸收曲線X膠片的片基常用的材料是（ ）A.聚氯乙烯薄膜 B.聚氨脂薄膜C.滌綸薄膜 D.聚乙烯薄膜保存射線膠片的環(huán)境相對濕度應(yīng)為( )% %% D.膠片特性曲線上,兩個特定黑度點的直線的斜率叫做( A.膠片寬谷度 B.梯度C.平均梯度 D.感光度由膠片特性曲線可以得到膠片的技術(shù)參數(shù)是( )A.膠片的反差系數(shù) B.膠片的本底灰霧度C.正常的曝光范圍 D.三者均是哪一因素變化,會使膠片特性曲線形狀明顯改變( )A.改變管電壓 B.改變管電流C.改變距 D.改變顯使膠片化感光的因素是( )關(guān)量子 B.C.子 D.,一正確是( A.顆粒度大,感光速度就快,底圖像清晰;B.顆粒度小,感光速度就快,底圖像模糊;C.顆粒度大,感光速度快,底圖像模糊;D.顆粒度小,感光速度快,底圖像清晰.底黑度范圍限制在特性曲線直線區(qū)域內(nèi),這是因為在此區(qū)域透照出底( )A.黑度大 B.感光度高C.本底灰霧度小 D.對比度高已曝過光X,不能在高濕環(huán)境內(nèi)保持時間過長,否則會引起( A.藥膜自動脫落 B.產(chǎn)生白色斑點C.產(chǎn)生靜感光 D.潛象衰退和黑度分類依據(jù)主要是( )A.梯度和顆粒度 B.感光度和顆粒度C.感光度和梯度 D.灰霧度和寬容X乳劑與射線作用產(chǎn)生光化學作用成分是( )用含銻6%鉛合金作增感屏其原因是這增感屏( )A.清晰度號 B.斑點效果好C.比較耐用 D.增感系數(shù)高與非增感屏型混合使用增感屏是( )A.屏 B.C.屏 D.,( A.B.C.D.()A.B.C.D.,,Xγ( )A.發(fā)出從而；B.發(fā)出見從而；C.發(fā)出紅外從而；D.發(fā)出電子從而。中,象質(zhì)計目()A.測量缺陷大小 B.評價C.測定度 D.什么象質(zhì)計局限性( )A.不供檢驗B.不較兩種不透技術(shù)質(zhì)量低；C.D.。平板孔型象計象等級2-IT是：（ ）A.象計厚度為2%，孔徑為象1計厚度為1%，孔徑為象2計厚度為2%，孔徑為象11%D.以上都對對母材厚度為12毫米雙面焊接焊縫進行射線探傷時，在底片上發(fā)現(xiàn)直徑為毫米鋼絲象計，其象計靈敏度為（ ）平板焊縫相時，下面四種關(guān)于象計擺放敘述，唯一正確擺放位置是（ ）近膠片一側(cè)作表面，并應(yīng)靠近膠片端頭；近射源一側(cè)作表面，金術(shù)士垂直焊縫，并位于件中部；近膠片一側(cè)相范圍一端近射源一側(cè)有效相范圍一端焊縫上，金屬絲垂直于焊縫，細絲在外吸收系數(shù)小于鋼，在鈦試件時采了鋼絲象計，如果底片上顯示象數(shù)剛好達到標準要求，則該底片靈敏度（ A.剛好符合標準要求 B.達到標準要求C.遠遠超過標準要求 D.無法判斷一直入射光強200cd/m2，則底片黑度為區(qū)域過光強為：（ ）cd/22cd/2 cd/m2）A.器 C.器 X）A.XB.300KVXC.D.XA.高 B.C.低 D.Ir192γ能量為以金屬陶瓷X優(yōu)點A.體積小 B.重量輕C.故障小 D.需訓機以因素對對產(chǎn)生響A.能量 B.底黑C.類型 D.件“真空暗盒”優(yōu)點（）A.度 B.C.度 D.A.盒 B.C.件 D.5-30mmD ）D）A.B.C.D.Sγ機與直γ機相其優(yōu)C）A.重輕 B.體積C.輸管彎曲半徑可更D.金屬陶瓷X管特D）抗震強一般易破碎 B.管管易口 D.特曲C）A.B.C.D.反轉(zhuǎn)區(qū)鉛鉑鉛鉑表面沾油污后后造成C）A.BC影A.C.D.A.差 B.度 D.A.長 B.C.差 D.（）A.B.CD30cd/m2100cd/m2。輪廓鮮明程A.度 B.C.度 D.集合也稱為A.固有度 B.幾何放大C.失真 D.半影A.B.C.D.。決定細節(jié)在底片上可記錄最小是A.對度 B.C.顆粒度 D.以上都是相底片顆粒性是由什么因素造A.影像顆粒或顆粒團塊均勻分布B.底片單位面積上顆粒數(shù)統(tǒng)計變化C.顆粒團塊重重疊疊；D.以上都是。下列四種因素中能減小因素是A.源到膠片離； B.膠片到件離；C.源強； D.源。減小幾何方法是A.選用較大源； B.使用感光速較快膠片C.增大源到膠片離； D.增大件到膠片離。固有下列哪一因素有關(guān)A.源； B.膠片感光C.膠片粒； D.能量。A.C.D.A.寸 B.量 D.A.KV值 B.C.mA值 D.A.寸 B.C.離 D.σ敘述條錯誤A.當小才需引入σ比進行B.σ越小條比越大；C.σ而布常用法大D.比盡采用σ>1布當象質(zhì)計金屬絲寬小某特定其小可見比△D

min

A.隨寬減小而減小； B.隨寬減小而大；C.； D.ABC.； D.A.L B.WC.d D.θ板厚定且散比效提A.增大 B.減小 D.定用單壁外法筒體如考慮焦點投尺寸縱Ug

環(huán)Ug區(qū)別：張底片縱Ug環(huán)

各樣環(huán)Ug各樣縱

g縱環(huán)Ug

g用區(qū)底片定的A.； B.散；C.； D.狀修正A.； B.C.； D.底片顆粒性五明顯影響A.顯影程； B.使用鋁增感屏C.穿透力； D.使用熒光增感屏。工靠近源側(cè)缺陷圖像，在種情況清晰最差A(yù).焦距增大； B.焦距尺寸減小；C.工厚增大； D.膠片與工距離減小如何提高底片信噪（）A.增加曝光量； B.提高管電壓；C.增大焦距； D.膠片與工距離減小。參數(shù)是影響小缺陷清晰和共同A.焦點源尺寸； B.黑C.焦距； D.。在什么條尺寸較大源攝得底片量可與尺寸較小源當A.增大源到膠片距離； B.采用較厚鉛增感屏；C.使用速快膠片； D.縮短曝光時間。決定缺陷在透方向上可檢出最小厚差數(shù)是（A.度 B.清晰度C.顆粒度 D.以上都是膠片與增感屏貼合緊，明顯影響）A.度 B.C.度 D.d）df

LL1 2

W正W）ΔDσ比D只要1就能夠識越識別就越容易按某種透幾何件計算出直徑質(zhì)計金屬絲系數(shù)σ=這意味著）金屬絲黑為金屬絲為直徑金屬絲只當厚差階梯試塊響種措施能提高）A.使用速更慢膠片 B.增加曝光提高黑度 D.提高能量）A.U

U Ug i

B.UU2U2U2g iC.U

D.U

U i3U33U3U3g igD）A.B.C.D.。照相幾何與下哪一因素有關(guān)C）A.增屏 B.底黑C.尺寸 能量照相中，提高底反差有利于缺陷檢，但同時會產(chǎn)生D）A.厚寬容減B.曝時延長 C.底有效評定區(qū)縮D.下列有關(guān)梯敘述，正確B）A.增型比非增型梯大B.選擇梯較可提高比度C.梯黑增加而減小 D.狀缺陷比取決于C）A.缺陷高度B.缺陷截面積 C.缺陷體積 D.幾何與D）A.焦點尺寸成正比 B.工件厚成正比 C.焦點至工件面距離成反D.Ir192A ）Ir192）Fmin）df

UiTD.FminGB3323ABUg）A.U

11 L31

B.U

12 L32g 15 2 g 15 2C.U

11 L31

D.U

12 L32g 10 2 g 10 2A.Φ89mm； B.Φ76mmC.Φ20mm； D.Φ10mm若縮短20暴光間可減少少）% Ｂ.36% % %半衰期為75Ir192某間對某個暴光間40;5個該對,為得到樣黑底,暴光間應(yīng)為:()40。1/2,則膠片接受的照射量將減少多少( )A.25%%%。200KV14mm暴光量( )對于厚度差較大的工件進行透照,為了得到黑度和層次比較均勻的底片,一般做法是( )提高管電流； B.提高管電壓；C.增加暴光間； D.縮短焦距。在同一個暗盒中裝有兩張不同感光速度的膠片進行暴光的主要目的是( A.為了防止暗室處理不當而重新拍片；為了防止探傷工藝選擇不當而重新拍片；C.為了防止膠片上的偽缺陷而重新拍片；D.用于厚度差較大工件射線探傷，這樣在不同厚度部位都能得到黑度適當?shù)牡灼Ｓ秒p膠片進行射線照相，要裝兩張不同感光速度的膠片，其選片原則是：兩種膠片的特性曲線：（ ）A.應(yīng)在黑度軸上一些重合； B.在黑度軸上無需重合；C.應(yīng)在lgE軸上有些重合； D.在lgE軸上無需重合。鉛箔增感屏上的深度劃傷會在射線底片上產(chǎn)生黑線，這是因為：（ ）A.鉛箔劃傷部位厚度減薄，對射線吸收減小，從而使該處透射線增多；B.劃傷使鉛箔表面增大，因而發(fā)射電子面積增大，增感作用加強；C.深度劃傷與膠片之間的間隙增大，散射線增加；D.以上都對。透照有余高的，面一件的不會散射增大（ A.射線能從 200KeV到100KeV；照射從Φ300mm增大到Φ500mm；試件厚度從 20mm增加到40mm；余高從 2mm增加到4mm。較大的散射源通常是（ ）A.鉛箔增感屏； B.暗盒背面鉛板； C.地板和墻壁； D.被檢工件。C ）AB.C.D.。探傷中屏蔽）A.鉛箔增感屏和鉛罩； B.濾板和光闌；C.暗盒底鉛板； D.以上。探傷時，在膠片暗盒和底鉛板之間放一個一定規(guī)格B底片上出現(xiàn)B亮圖像，則認為）A.這一張底片對比度高，象質(zhì)好；B.這一張底片清晰度高，靈敏度高；C.這一張底片受影響嚴重，象質(zhì)不符合要求；D.這一張底片受影響嚴重，象質(zhì)不符合要求。在機窗口加濾板，在上加補償塊減小厚度差，以及采用多膠片法，都是為了）A.校不清晰度； B.校低密度；C.校對比度； D.校低寬容度.。置于作和源之間濾板可以減少從邊緣進入,其原因濾板()A.吸收一次束中波長較長成分B.吸收一次束中波長較短成分C.吸收D.降低一次束強度。濾板作用相當于A.B.C.；D.。已知C060后用該源對同一工件按同樣條件進行射線照相，為得到同樣的底片，暴光時間（ ）A.不變； B.約延長10%；C.約延長30； D.約延長60%。用鉛箔感，焦距1200MM暴光時間8分鐘，得底片黑，現(xiàn)焦距為600MM，底片黑不變，暴光時間應(yīng)為（ ）暴光因子中的管電流，暴光時間和焦距三者的關(guān)系是（ A.管電流不變，時間與焦距的平方成正比；B.管電流不變，時間與焦距的平方成正比；C.焦距不變，管電流與暴光時間成正比；D.暴光時間不變，管電流與焦距成正比。控制透照厚K（）A.提高橫向裂紋檢出率；B.減小幾何不清晰C.大厚寬容D.提高底片對比度對能量為100KV的射線，鋁的透照等效系數(shù)為，則對于厚25MM的鋁試件，應(yīng)擇多少厚鋼的暴光量（ ）。采用雙片暴光和雙片觀察技術(shù)，可以（）A.大對比B.減小不清晰C.大寬容D.減小顆粒。A.； B.C.； D.橢圓有效范圍度A.與焦距平方成反比； B.與焦距平方成正比C.與焦距成正比； D.與焦距無關(guān)。對鋼工件大致在哪一厚度值上C060IR192；（）因子表達了哪幾個相互關(guān)系A(chǔ).流間 B.量焦距C.流焦距 D.底片黑度量焦距穿過試件薄截面射線會在相鄰厚截面下產(chǎn)生散射從而對厚截面象產(chǎn)生影響這種響稱為）A.康普頓散射 B.瑞利散射C.邊蝕散射 D.固有不清晰度以下關(guān)于直法敘述哪一條錯誤（）A.直法一般只用與直20MM子相；B.直法比斜法更易于探傷操作；C.直法比斜法更有利于檢出根部未熔和未D.直法比斜法更有利于判斷缺陷在中150MM鋼對接可選用射線源（）X機 Xγ源 γ源對厚度為15MM，直徑1000MM的筒體的對接環(huán)縫照相，較理想的選擇是（ γ源，中心透照法 B.錐靶周向X，中心透照法C.單向X機 D.平靶周向X，中心透照法在哪一種情況下，底片的有效評定范圍會超出搭接標記以外（ A.環(huán)縫雙壁單影透照，搭接標記放在膠片側(cè)；B.C.縱縫單壁外透法，搭接標記放在D.環(huán)縫中心透照法搭接標記放在膠片側(cè)。小徑管環(huán)焊縫照相的參數(shù)經(jīng)驗有效厚度比Ke的用途是（）A.為焦距選擇提供參考依據(jù)； B.為偏距離選擇提供參考依據(jù)；C.為管電壓選擇提供參考依據(jù)； D.為暴光量選擇提供參考依據(jù)鍛件法蘭對接焊縫照相，提高照相質(zhì)量最重要的措施是（ ）A.提高管電壓增大寬容度 B.使用梯噪比高的膠片C.使用屏蔽板減少“邊蝕” D.增大焦距提高小裂紋檢出下列不需要計算一次透照長度的透照方是（B）A.環(huán)焊單臂外透法； B.小徑管雙壁雙影法； C.縱縫雙臂單影法； 環(huán)峰內(nèi)透偏心法。球罐γ全景曝光時，安全距離的計算不需要考慮下列哪個因素（A）AB.C.D.D）A.； B.C.；D.C）XD.D）A.、標準、設(shè)計文和理求；B.考慮缺陷檢出率、靈敏和底片質(zhì)C.考慮檢測速、效率和檢測成本D.專D）B.C.和；D.質(zhì)求A.靈敏考慮片部缺陷產(chǎn)生混淆；C.大利部面狀缺陷檢出；D.。顯影的目的（ B ）A.使暴光的金屬銀轉(zhuǎn)變?yōu)殇寤y； B.使暴光的溴化銀轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘巽y；C.去除未暴光的溴化銀； D.去除已暴光的溴化銀顯影液的主要成分（ ）A.還原劑和促進劑； B.保護劑；C.抑制劑； D.全。還原集通常采用（ ）A.亞硫酸鈉； B.溴化鉀；C.米吐爾和對苯二酚； D.碳酸鈉顯影液中的促進劑通常采用（ ）A.亞硫酸鈉； B.溴化鉀；C.菲尼銅； D.碳酸鈉。顯影液中的保護劑通常采用（ ）A.亞硫酸鈉； B.溴化鉀；菲尼銅； D.碳酸鈉。顯影液中的抑制劑通常采用（ ）亞硫酸鈉； B.溴化鉀；C.菲尼銅； D.氫氧化鈉。顯影操作時，不斷攪動底片的目的（ A.使未暴光的溴化銀粒子脫落；C.。程中應(yīng)翻動膠或攪動液其目（ A.保護膠時其免受大壓力；膠液更新；膠未粒子散開D.防止產(chǎn)生網(wǎng)狀皺紋。時哪一條件變會導(dǎo)致象顆粒粗大（ ）A.液活力降低； B.液攪動度；C.時間短； D.溫度高。下關(guān)于劑性質(zhì)敘述哪一條正確（ A.對苯二酚反差小；菲尼酮可取代對笨二酚與米吐組成劑；當溫度降低時對苯二酚能力著降低米吐爾則不明D.當堿度增大時米吐爾能力著提高對苯二酚則不明定液中定劑通常采用( )A.硫代硫酸鈉；B.冰醋酸；C.明礬；D.亞硫酸鈉。定液用一定時間后失效,其原因()A.主要起作用成分已揮發(fā)；成分已沉淀；C.D.在操時,時間一般為( )鐘 B.底片通透即可C.通透時間2倍 鐘是一種( )A.酸； B.堿中； D.二者均不是。在中能抑制硫酸鈉被解析出硫化學藥品是( )以下關(guān)于配制敘述中，哪一條是錯誤（ A.亞硫酸鈉應(yīng)在加酸之前解；硫代硫酸鈉應(yīng)在加酸之后解；C.硫酸鋁鉀應(yīng)在加酸之后解；D.酸劑除加入醋酸外還應(yīng)加入硼酸。以下哪一種材料不適宜盛放洗片容器（ A.塑料 B.不銹鋼 C.搪瓷 D.顯速慢，反差減小，灰霧增大，引上述現(xiàn)象原因能是（ A.顯溫過高 B.顯時間過短顯時攪動不足 D.顯老硼砂在顯中是（ ）A.劑 B.劑 C.劑 D.劑）A.B.D.A.化 B.原 C.制 D.A.化 B.C.發(fā) D.一項改導(dǎo)致象霧增大顆粒粗A.米吐爾改菲尼酮 B.增大亞鈉量C.鈉改氫鈉 D.增大溴以下關(guān)于停敘述一條錯誤B.使停可兩色霧鬻產(chǎn)生 C.使停可污染D.損傷可停無亞鈉 A.停溶液自動洗片機正式洗片先輸一張清洗片其目D）A.檢查有無異常情況 B.清除桶上沾染空氣C.清除桶上沾染空氣液D.以上都是B）C.D.D）2±2℃間4-6min預(yù)先浸過程中適當動；16-24℃間5-15min過程中充分動；干燥≤4℃去表面滴后干燥；上都下列關(guān)劑說法錯誤C）A.米吐爾易易亞B.菲尼酮常下但易堿性C.菲尼酮苯二酚合使能力但性能D.苯二酚使。劑D）A.霧 B.勻C.用 D.上都是程）A.好 B.70C.過亮致相同 D.上都A.10MM。下黑A.黑均在標準定黑范圍內(nèi)B.測量最大黑測量點般選在中心標記附近C.測量最黑測量點般選在搭接標記附近D.每張黑至少測量四點取四次測量平均值作黑下觀燈亮觀光時燈越亮越好；透過光強最好30cd/m2；C.透過光強最好100cd/m2；D.光源顏色最好綠色白色也。般情況下常人眼睛大約A.直徑點線B.直徑點C.直徑點D.直徑點一般不會產(chǎn)生延遲裂紋（ ）A.優(yōu)質(zhì)碳素鋼B.低合金鋼C.奧氏體不銹鋼D.鈦合金再熱裂紋發(fā)生位置一般在（）A.母材B.熱影響區(qū)C.縫區(qū)D.上都是上哪一般不會產(chǎn)生再熱裂紋（ ）A.低碳鋼 B.低合金高強鋼C.珠光體耐熱鋼 D.沉淀強化奧氏體結(jié)晶裂紋是熱裂紋一種，發(fā)生位置一般是（ ）A.縫區(qū) B.熱影響區(qū)C.母材 D.上都是含碳量超過%鋼,時容易產(chǎn)生缺陷是( )A.熱影響區(qū)裂紋 B.氣孔C.夾渣 D.未熔合坡口面加熱不足或存在氧化皮可能引起( )A.未透 B.未熔合凹陷 D.咬邊電流過小或速度過快可能引起( )A.裂紋 B.未透咬邊 D.瘤坡口或表面不清潔,有水或油污,可能引起( )A.B.C.D.()A.B.D.一種方法會產(chǎn)生鎢()A.手工弧焊B.埋弧自動焊體保護焊D.一種缺陷屬于面積型缺陷()A.B.溶合狀D.底片上出現(xiàn)的白點影象,它是( A.鎢B.瘤C.飛濺D.上都是靜感光的影象一般是( )A.鳥爪型B.樹枝型冠狀D.上都是底片上的出現(xiàn)寬等,有許多斷續(xù)分枝的鋸齒形黑線,它是( A.紋 B.溶合接 D.顯影后呈現(xiàn)在射線底片上的亮的皺折痕跡是由于什么原因造成的( A.靜感光; B.鉛增感屏C.曝光前膠片受折 D.曝光后膠片受折造成底片上出現(xiàn)黑度小于其它部位的白影的原因是(B)A.顯影操作開始前，膠片上沾染了顯影液;C.增感屏劃傷B.顯影操作開始前，膠片上沾染了定影液D.膠片跑光為正確識別底片上的表面幾何影像，評片人員應(yīng)(D)仔細了解試件結(jié)構(gòu)和焊接接頭形式; C.掌握試件和焊縫表面質(zhì)量情況熟悉不同焊接方法和焊接位置的焊縫成形特點 D.以上都是收劑量的SI單位是( )倫琴(R) B.戈瑞(Gy)C.拉德(rad) D.希沃特(Sv)當光子能量超過 200KeV后,對于人體組織的吸收劑量與照射量換算關(guān)系大致為( )戈瑞=倫琴 戈瑞=倫琴戈瑞=10倫琴 戈瑞=100倫琴GB4792-84標準規(guī)定:放射工作人員受全身均照射的劑量不應(yīng)超過( )GB4793-84標準規(guī)定:人受全身照射劑量當量不應(yīng)超過( )同吸收劑量的情況,對人體傷大的射是( )A.Χ射線B.γ射C.子射D.β射線以哪一探測器,不是利用射空氣電離效應(yīng)原理( )A.室 B.-管 D.,( )A.; B.;; D..Ir192γ線過水泥墻后,照率衰減到200mR/h,為使照率衰減到10mR/h以下,至少還應(yīng)覆多少厚鉛板(設(shè)半價層厚為 ( )200mm照100mR/h,照2mR/h區(qū)邊界標源距約為( )線物效應(yīng),與下列什么因素關(guān)( )A.線性質(zhì)和能量B.線照量C.肌體吸收劑量D.以上都是熱釋光用于( )A.工作監(jiān)測B.個劑量監(jiān)測C.照監(jiān)測和B下列線物( )A.計B.C.D.體劑量計效應(yīng)()A.效應(yīng)率與劑量關(guān)B.劑量效應(yīng)重C.D.BC( A.B.C.D.BCGB4792-84,( A.B.C.100mSvD.( D )A.； B.； D.。列利用半價層算層厚度說法，正確( B A.散線存，其半價層就固定值B.根據(jù)半價層算出層厚度確C.半價層厚度層厚度增加而增加D.層厚度很，半價層厚度層厚度增加而增加直線加速器,電子何種方式加速 ( )A.高頻電波； B.加速磁鐵；C.D.,( )A.B.C.D.()A.B.ΧC.D.α利和壓在環(huán)形軌道Χ叫做( )A.靜器 B.直器 D.三者均是利波導(dǎo)管沿直軌道Χ叫做( )A.靜B.直D.三者均是下哪一點不優(yōu)點()A.穿透力強B.曝光時間短比小D.總不清晰度小下哪一條不影響Χ實時成像圖象質(zhì)參數(shù)( A.屏固有不清晰度B.焦點尺寸和投影放大引起幾不清晰度C.噪聲D.上都不是( A.力 B.率 D.( )A.子 B.子 D.( )A.相 B.C.相 D.15MeV,( )； B.C.； D.Χ束錐角最小( )Χ機()A.軟Χ機B.鈹窗口Χ機C.微焦Χ機D.運動優(yōu)( A.透程連續(xù)、效場小、輻危害低采連續(xù)作為記錄介處理、閱讀、貯存便一種適宜檢測厚度物體的近表面缺陷( A.中子射線照相 B.運動中射線照相C.康普頓散射照相 D.層析照元素中對中子吸收最的是( )A.鉛 B.鐵 C.鋁 D.氫中子射線照相中，直伏曝光法所使用的轉(zhuǎn)換屏是( )A.鉛 B.鐵 C.鎢 D.適于中子照相法檢出的缺陷是（ ）A.厚鋼鑄件中的裂紋 B.厚鋼件中的縮C.厚鋼鑄件中的熔劑夾雜 D.上都是測試射線實時成像系統(tǒng)圖像力常用( A.孔型象質(zhì)計 B.線對測試卡C.雙絲象質(zhì)計 和C測試射線實時成像系統(tǒng)對比度靈敏度常用( A.階梯試塊 B.平底方孔試塊C.平底園孔試塊 和C射線實時成像系統(tǒng)的最佳倍數(shù)主要取決于( A.射源尺寸和固有不清晰度射源尺寸和屏尺寸射源尺寸和空間力對比度靈敏度和總的不清晰度( )A.級 B.C.D.( )A.B.C.D.ASME( )A.“B”標記；B.前面附“B”標記C.10中一必須附“B”標記；D.無任何。ASME質(zhì)計（ 只選用平板孔質(zhì)計B.只選用金屬絲型質(zhì)計C.兩種質(zhì)計均可使用D22以上必須使用孔型。以下100%透檢環(huán)縫照透次ASME（ ）透照次K≤要求通過公式計算求出；K照透次必須保證所得底片滿足；32C。ASME）A.ASME）A.43ASME( )DγDγD≤找DγD≤DγD≤ASMEASME()B. C. 一種標準不考慮照厚比K（ ）中國GB3323標準 B.日本JISZ標準C.美國ASME范 D.歐洲EN標準一種標準圓形缺陷標準圖樣（ ）A.中國GB3323標準 B.日本JISZ標準美國ASME范 D.歐洲EN標選擇題答案DBBAAAADDCCCADBBBCABABBDCDCBBBDCDDDBCABACDDDBCBCDBDDDBDDCDBBBDDBCBABAADCDDDBDADDBBCBACCBCDDCCDDAACBCADBCACDBCCDABDABCDDBDBCDCCDCCDDDDDDBAABACDBCABAABBCCDBC B C CC D B BDCBBDCDDDACCBBABCADDCCDDBBCCBDCDABBBDCADCADBDDBCDACDCDDCACBAAABBDDCCDDACBDADCDDDCDBCADDABBCBDCCCBCCCDCDDCDBACDACACBCCCCXγXγ不同點X需要條件X機發(fā)出X連續(xù)波長XX各起作用試述光電效應(yīng)機理特點試述光電效應(yīng)機理產(chǎn)生條件試述康普頓效應(yīng)機理特點電子對應(yīng)效應(yīng)電子對應(yīng)效應(yīng)產(chǎn)生條件是瑞利散瑞利散特點是試敘述與物相互作導(dǎo)致強度減弱四效應(yīng)各起了作試解釋“窄束”“寬束”“單色”“多色”含義。窄束單色在物中衰減規(guī)律怎樣表示寬束連續(xù)在物中規(guī)律又怎樣表示X又怎樣表示XXXγ源要求X比，γX結(jié)構(gòu)和各部分作用X優(yōu)點X陽極冷卻方冷卻重要性X機訓練目和X機高壓發(fā)生路們X輸出上何區(qū)別X膠片特點和結(jié)構(gòu)X機維護、保養(yǎng)注意事項膠片特參數(shù)項可特曲上表示出來如何表示感型膠片和非感型膠片特曲何區(qū)別兩膠片GD何不同像計兒類型，國和美國各采象像劑應(yīng)如何和置金屬感屏作，金屬材料可作何活度γ源強度何聯(lián)系75192X何△X平板底公式計金屬絲底公式說明公式中各符號含義并指兩個公式異就計金屬絲底公式討論提高途徑并說通過這途徑提高 可能會帶來缺點謂固不清晰度固不清晰大小謂幾不清晰其實際中底上各Ug否變化律UgUi以及。述底顆粒及。什么叫最小可見對比度影響最小可見對比度的因素有哪些為什么射線探傷標準要規(guī)定底片黑度的上下限寫出裂紋的 6個自身特征參數(shù)，并說明哪幾個是射線照相的關(guān)鍵參數(shù)寫出裂紋靈敏度通解公式，并說明公式中各符號的意義什么是幾何修正系數(shù)，寫出其計算式并說明其實用意義。采用源在外的透照方式比源在內(nèi)的透照方式更有利于內(nèi)壁表面裂紋的檢出，這一說 法是否正確，為什么 為什么說象質(zhì)計靈敏度不能等于缺陷靈敏度簡述像質(zhì)劑靈敏度和自然缺陷靈敏度的區(qū)別和聯(lián)系 在底片黑度，象質(zhì)計靈敏度符合要求的情況下，哪些缺陷仍會漏檢為什么裂紋的檢出率與像質(zhì)劑靈敏度對應(yīng)關(guān)系不好試述射線源的選擇原則何為Xγ射線的別什么何因何方比定律何定對射線照相有何影響對X射線照相質(zhì)有什么影響透照有應(yīng)意哪些透照的底片靈敏度的試述射線的實際來源和類。射比的影響因素有哪些常用控制射線的方法有哪些。指出小口徑管對接焊縫射線照相對缺陷檢出的不利因素，并提出改進措施。4.10 從提高探傷質(zhì)量的角度比較各種透照方式的優(yōu)劣4.11 X4.13 D0焊縫透照的基本操作包括哪些內(nèi)容大厚度比試件透照采取的特殊技術(shù)措施有哪些4.14 計算搭接長度時，公式中的工件表面至膠片距離 L2是否要考慮焊縫余高。15 計算小徑管透照平移距離時，公式中的工件表面至膠片距離 L2是否要計入焊縫余高。計算幾何不清晰度Ug時，公式中的工件表面至膠片距離 L2是否要計入焊縫余高。曝光曲線有哪些固定條件和變化參數(shù)。為什么說不同的 X射線機的曝光曲線各不相同射線照相實際透照時，為什么一般并不采用最小焦距值什么是優(yōu)化焦距 Fopt射線檢中選擇優(yōu)化焦距的的是什么GB3323和 JB4730對幾何不清晰度是定的的作用。定的作用。定的因素有哪些Xγ防護中吸收怎樣換算場所輻監(jiān)測個人監(jiān)測場所輻監(jiān)測儀器幾種個人輻監(jiān)測儀器幾種敘防護三大方法原。我國現(xiàn)行輻防護標準放作人員限值規(guī)定叫隨效叫確效應(yīng)怎樣解電離輻所致隨效“無閥”輻防護基本原則現(xiàn)場透照控區(qū)監(jiān)督區(qū)怎樣劃中子照用領(lǐng)域。高照實照限性計算照技術(shù)(CR)限性數(shù)字圖辨率數(shù)字化成技術(shù)辨率受因素響簡述線陣列掃描數(shù)字成像系統(tǒng)工作原理X射線層析照相有哪些特點鍋爐壓力容器無損檢測質(zhì)量管理應(yīng)包括哪些內(nèi)容無損檢測新工藝和新技術(shù)在生產(chǎn)中應(yīng)用之前，為什么要經(jīng)過工藝鑒定程序全面質(zhì)量管理的主要內(nèi)容是什么無損檢測的質(zhì)量管理一般包含哪些內(nèi)容γ射線源的保管儲存應(yīng)滿足哪些要求無損檢測的工藝管理一般包含哪些內(nèi)容什么是例外檢查制定射線檢測的例外檢測方案和工藝時，應(yīng)考慮那幾個方面的問題申請開展射線裝置工作的單位必須具備哪些基本條件申請放射工作人員證必須具備哪些基本條件如發(fā)生人員受超劑量照射事故，應(yīng)如何處置問答題答案答: (1)X射線和 γ射線。是的，相點，也作是量的。X射線是的產(chǎn)生的；γ射是放射位在 γ 過程中原內(nèi)發(fā)的。射線和 射線。是。射線是過的射線是放射位在 過程中原內(nèi)發(fā)的。質(zhì)射線射線和。α射線。是的，質(zhì)是普氫原H是位H1

的原，由1個質(zhì)和 1個中子α粒子是氮原子核4H由2個質(zhì)子與2個中子。質(zhì)子射線與氘2α射線是放射性同位素在α衰變過程中從原子核內(nèi)發(fā)出的。中子射線。它是高速中子流，可從原子反應(yīng)堆中獲得，也可通過加速器252XXγ答:X和γ射線都屬電磁波范疇，兩者最主要的不同點是產(chǎn)生方式不同。X射線是高速電子撞擊金屬產(chǎn)生的，γ射線是放射性同位素從原子核中發(fā)出的其他不同點包括:X射線是連續(xù)能譜, γ射線是線狀能譜X射線能量取決于加速電子的電壓，γ射線能量取決于放射性同位素種類X射線強度隨管電壓的平方和管電流而變，γ射線強度隨時間的推移按指數(shù)規(guī)律減弱。X個：發(fā)射電子。通電加到狀，其原子電子原子。在產(chǎn)生的電子，種用電流電子的方電子發(fā)射。電子。用中，其與電位通。由子電子帶負電，會與它發(fā)生相互排斥作用，其結(jié)果是電子被一束。加速電子。在與間加高的電壓，電子在從過程中獲。真空。陰陽極之間必須保持真空，使電子不受氣體分子阻擋而降低能量，同時保證燈絲不被氧化燒毀。電子被遏止。采用金屬作陽極靶，使電子與靶碰撞急劇減，電子X答：施加于X射線管兩端的壓是脈動直流電壓，由于電壓不斷變化，到達陽極的電子各不相同，只有少數(shù)電子經(jīng)過最電壓的加。而電子與陽極靶的碰撞情況也各X逐漸0XXX答：(1)產(chǎn)不同，連續(xù)X電子與靶子的作用產(chǎn)的，X射是電子靶子的電子碰撞出，電子時發(fā)出的。(2X有波長，能為連續(xù)，最短波長于管電壓而X射線波長為，能為線，波長與靶材有而與管電壓X子能量，例如鎢靶所產(chǎn)的K系能量為，在探傷中基本上不作用。中，，使要X答：當電子與物質(zhì)原子中的束縛電子相互作用時，光子把全部能量轉(zhuǎn)移給一個束縛電子，使之脫離軌道，發(fā)射出去，而光子本身消失，這一過程稱為光電效應(yīng)。光電效應(yīng)發(fā)射出去的電子叫光電子。發(fā)生光電效應(yīng)的必要條件是光子能量大于電子結(jié)合能。遵照能量守恒定律，光子部分能量消耗于光電子脫離原子束縛所需的電離能（電子在原子中的結(jié)合能），其余能量作為光電子的動能。自由電子不能吸收光子能量成為電子，這是因為在光電過程中，除光子和光電子外，還必須有第三者——原子核參加，才能滿足能量守恒，所以光電效應(yīng)只能發(fā)生在原子的內(nèi)層軌道電子上，電子在原子中束縛越緊，發(fā)生光電效應(yīng)幾率越大，大約 80%的光電吸收發(fā)生在緊靠核的K層電子上。答：光子與電子發(fā)生非彈性碰撞，光子的一部分能量轉(zhuǎn)移給電子，使電子沿與光子入射方向成一定角飛去，稱作反沖電子，光子自身能量減，，動方向，這一過程稱作效應(yīng)。效應(yīng)是發(fā)生在自由電子原子束縛的外層電子上，入射光子的能量由反沖電子和射光子者之分，電子反沖角 Ψ在0一90之，光子射角在 0一180之，射角 越大，光子的能量失越大。答：當能光子原子核過時，在核的作用，光子轉(zhuǎn)為一個電和一個負電子，自身消失，這一過程稱為電子對效應(yīng)。根據(jù)能量守恒定律，只有當入射光子能量 hv大于 2moC2,即hv>才能發(fā)生電子對效應(yīng)，入射光子的部分能量轉(zhuǎn)為負電子對的靜止質(zhì)量 )，其余作為電子的動能。電子對效應(yīng)之所以需要原子核參與作用，是為了滿足能量守恒。答：四種效應(yīng)(即光電效應(yīng)，康普頓效應(yīng)，電子對效應(yīng)，瑞利散射)的發(fā)生幾率與入射光子能量及物質(zhì)原子序數(shù)有關(guān)。一般說來，對低能量射線和原子序數(shù)高的物質(zhì)。光效應(yīng)占優(yōu)勢，對高能量射線和原子序數(shù)高的物質(zhì)，電子對效應(yīng)占優(yōu)勢，瑞利散射的影響大大低于上述三個效應(yīng)。在鋼鐵中，當光子能量在10KeV時，光電效應(yīng)占優(yōu)勢，隨著光子能量的增大，光電效應(yīng)比率逐漸減小，康普頓效應(yīng)比率逐漸增大，在稍后過 100KeV后兩者相等，此時瑞利散射趨于最大，但其發(fā)生率也不到 10%，1MeV附近射線的衰減基本上都是康普頓效應(yīng)造成的；電子對效應(yīng)自以后開始發(fā)生，并隨能量的增大發(fā)生幾率逐漸增加，在 10MeV附近，電子對效應(yīng)與康普頓效應(yīng)作用大致相等；超過10MeV以后，電子對效應(yīng)對射線強度度衰減起主要作用。強度散射線影響的射線稱束射線。X射線的的是光中的和的關(guān)來，一的射線稱射線，的射線稱射線，把的射線稱射線”：中：I射線強度；Io

I=Ie-μTo：入射線強度；：線衰減數(shù)； T：穿度，對于X射線，在穿物質(zhì)過程中的線秩會逐漸硬化，線衰減數(shù) μ是個變量，在此情況下可用平均衰減系數(shù)代替。所以，連續(xù)射線的強度衰減公式為：（2）

I=Ie-μTo對寬束射線，必須考慮散射的影響，透過物質(zhì)的射線強度 I包括一次透射線 和散射線Is兩個部分，令散射比 n=Is/Ip,寬束射線強度衰減公式推導(dǎo)如下：I=Ip+I（1+n）=Ie-μT（1+n） (3)o綜合（2）（3）式，寬束連續(xù)射線的強度衰減公式為答：線質(zhì)是對射線穿透物質(zhì)能力的度量，穿透力較強的射線稱其線質(zhì)較硬，穿透力較弱的射線稱其線質(zhì)較軟。對單色射線，線質(zhì)可用光子能量或波長定量表示，對連續(xù)X射線，因其能量和波長是連續(xù)分布的.一般可用半價層，吸收系數(shù)或有效能從來定量表示。答:如果某一單能射線的吸收系數(shù)與連續(xù) X射線在特定厚度范圍內(nèi)平均吸收系數(shù)相等，便可用此單能射線的能量來表示連續(xù) X射線的平均能量，稱作有效能量。連續(xù)X射線包含有能量不同的光子，在穿透物質(zhì)過程中，能量較低的光子較容易被物質(zhì)吸收，因此，從而使透過物質(zhì)后.不同能量射線所占的強度幾率發(fā)生變化，低能量射線所占幾率減，從而使透過射線的平均能量或有效能量0。答:射同衰變有以下式：a衰變:兩個的。β:β—時反微；β+衰變子，同時中微子；俘獲外子。