授課老師：曹佰來(lái)1薄膜太陽(yáng)能電池薄膜太陽(yáng)能簡(jiǎn)介2薄膜太陽(yáng)能電池可使用價(jià)格低廉的玻璃，塑料，陶瓷，石墨，金屬片等不同材料當(dāng)基板來(lái)制造，形成可產(chǎn)生電壓的薄膜，厚度僅需數(shù)μm，厚度可低于晶體硅太陽(yáng)能電池90%以上)。薄膜電池除了平面之外，也因具有饒性可制作成非平面構(gòu)造。其應(yīng)用范圍大，可與建筑物結(jié)合或變成建筑的一部分，在薄膜太陽(yáng)電池制造上，可使用各種沉積(deposition)技術(shù)，一層又一層的把p-型或n-型材料長(zhǎng)上去，常見的薄膜太陽(yáng)能電池有非晶硅、CuInSe2(CIS)、CuInGaSe2(CIGS)、和CdTe..等。薄膜太陽(yáng)能電池的種類薄膜新材料新技術(shù)化合物半導(dǎo)體硅薄膜類球狀硅納米技術(shù)有機(jī)類Cds,CdTe,CIS,CIGS硫化鎘，銻化鎘…低溫多晶硅微晶硅非晶硅薄膜太陽(yáng)能厚度比較：晶硅(200～350μm)、非晶性薄膜(0.5μm)

主要定義◆非晶硅——利用濺鍍或化學(xué)氣相沉積方式在玻璃或金屬基板上生成薄膜的太陽(yáng)能生產(chǎn)方式◆BIPV——一體型太陽(yáng)能電池模板，是結(jié)合太陽(yáng)能發(fā)電與建筑物外墻，將太陽(yáng)電池模組或陣列整合，設(shè)計(jì)并安裝在建筑物上的雙用途產(chǎn)品◆化合物半導(dǎo)體——硫化鎘，銻化鎘，硒化銦銅等化合物半導(dǎo)體材料轉(zhuǎn)換效率總體優(yōu)于非晶硅材料，12~30%薄膜太陽(yáng)能電池特點(diǎn)：

◆相同遮蔽面積下功率損失小（弱光下的發(fā)電性能佳)

◆光照度相同下?lián)p失的功率較晶體硅太陽(yáng)能電池少◆功率溫度系數(shù)，光傳輸性佳◆較高的累積發(fā)電量◆只需少量的硅原料，成本低◆厚度較晶體硅太陽(yáng)能電池薄◆沒(méi)有內(nèi)部電路短路問(wèn)題(連線已經(jīng)在串聯(lián)電池制造時(shí)內(nèi)建)◆可與建材整合性運(yùn)用（BIPV）薄膜太陽(yáng)能電池的應(yīng)用：◆建筑整合式太陽(yáng)能應(yīng)用(BIPV)◆隨身折疊式充電電源，軍事，旅行，海上設(shè)備等◆屋頂，建筑整合式，遠(yuǎn)端電力供應(yīng)，國(guó)防等薄膜太陽(yáng)能結(jié)構(gòu)圖基板透明導(dǎo)電膜（P）半導(dǎo)體層（p型、i型、n型三層a-Si）金屬膜（N）以非晶硅為例電流薄膜太陽(yáng)能電池制備流程基板準(zhǔn)備，清洗TCO膜沉積鐳射切割半導(dǎo)體膜成形鐳射切割金屬膜成形鐳射切割測(cè)試，模組封裝及出貨IECEE認(rèn)可的測(cè)試機(jī)構(gòu)國(guó)家測(cè)試機(jī)構(gòu)法國(guó)LCIE德國(guó)VDE，TUV萊茵日本JET西班牙AENOR美國(guó)UL.Inc意大利IMQIEC61646

測(cè)試程序目測(cè)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下的性能絕緣測(cè)試濕漏電流測(cè)試光曝露測(cè)試紫外線測(cè)試退火測(cè)試熱循環(huán)測(cè)試50次濕冷凍測(cè)試10次引線段強(qiáng)度測(cè)試扭曲測(cè)試濕漏電流測(cè)試光曝露測(cè)試測(cè)試溫度系數(shù)標(biāo)準(zhǔn)操作電池溫度標(biāo)準(zhǔn)操作電池溫度下性能低照射度下性能戶外暴露測(cè)試熱斑耐久測(cè)試退火測(cè)試熱循環(huán)測(cè)試200次