4.1結型場效應管4.3金屬-氧化物-半導體場效應管4.4場效應管放大電路4.5各種放大器件電路性能比較*4.2砷化鎵金屬-半導體場效應管4場效應管放大電路4場效應管放大電路N溝道P溝道增強型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道（耗盡型）FET場效應管JFET結型MOSFET絕緣柵型(IGFET)分類：4.1結型場效應管結構工作原理

輸出特性轉移特性

主要參數

4.1.1

JFET的結構和工作原理

4.1.2

JFET的特性曲線及參數

4.1.1JFET的結構和工作原理1.結構

源極，用S或s表示N型導電溝道漏極，用D或d表示

P型區P型區柵極，用G或g表示柵極，用G或g表示符號符號4.1.1JFET的結構和工作原理4.1結型場效應管1.結構#

符號中的箭頭方向表示什么？2.工作原理4.1結型場效應管①VGS對溝道的控制作用當VGS＜0時（以N溝道JFET為例）當溝道夾斷時，對應的柵源電壓VGS稱為夾斷電壓VP（或VGS(off)）。對于N溝道的JFET，VP<0。PN結反偏耗盡層加厚溝道變窄。

VGS繼續減小，溝道繼續變窄②VDS對溝道的控制作用當VGS=0時，VDSID

G、D間PN結的反向電壓增加，使靠近漏極處的耗盡層加寬，溝道變窄，從上至下呈楔形分布。當VDS增加到使VGD=VP時，在緊靠漏極處出現預夾斷。此時VDS夾斷區延長溝道電阻ID基本不變③

VGS和VDS同時作用時當VP<VGS<0時，導電溝道更容易夾斷，對于同樣的VDS，

ID的值比VGS=0時的值要小。在預夾斷處VGD=VGS-VDS=VP綜上分析可知溝道中只有一種類型的多數載流子參與導電，

所以場效應管也稱為單極型三極管。JFET是電壓控制電流器件，iD受vGS控制預夾斷前iD與vDS呈近似線性關系；預夾斷后，iD趨于飽和。4.1結型場效應管#

為什么JFET的輸入電阻比BJT高得多？

JFET柵極與溝道間的PN結是反向偏置的，因

此iG0，輸入電阻很高。4.1結型場效應管#

JFET有正常放大作用時，溝道處于什么狀態？4.1.2JFET的特性曲線及參數2.轉移特性VP1.輸出特性①夾斷電壓VP(或VGS(off))：②飽和漏極電流IDSS：

③

低頻跨導gm：或4.1結型場效應管3.主要參數漏極電流約為零時的VGS值。VGS=0時對應的漏極電流。低頻跨導反映了vGS對iD的控制作用。gm可以在轉移特性曲線上求得，單位是mS(毫西門子)。④輸出電阻rd：4.1結型場效應管3.主要參數⑤直流輸入電阻RGS：對于結型場效應三極管，反偏時RGS約大于107Ω。⑧最大漏極功耗PDM⑥最大漏源電壓V(BR)DS⑦最大柵源電壓V(BR)GS{end}4.4場效應管放大電路直流偏置電路靜態工作點

FET小信號模型動態指標分析

三種基本放大電路的性能比較

4.4.1

FET的直流偏置及靜態分析

4.4.2

FET放大電路的小信號模型分析法

1.直流偏置電路4.4.1FET的直流偏置電路及靜態分析（1）自偏壓電路（2）分壓式自偏壓電路vGSvGSvGSvGSvGSvGS

=-iDR4.4結型場效應管2.靜態工作點Q點：VGS、ID、VDSvGS

=VDS=已知VP，由VDD-ID(Rd+R)-iDR可解出Q點的VGS、ID、VDS4.4結型場效應管4.4.2FET放大電路的小信號模型分析法1.FET小信號模型（1）低頻模型4.4結型場效應管（2）高頻模型4.4結型場效應管2.動態指標分析（1）中頻小信號模型4.4結型場效應管2.動態指標分析（2）中頻電壓增益（3）輸入電阻（4）輸出電阻忽略rD由輸入輸出回路得則通常則例4.4.2共漏極放大電路如圖示。試求中頻電壓增益、輸入電阻和輸出電阻。（2）中頻電壓增益（3）輸入電阻得

解：（1）中頻小信號模型由例題（4）輸出電阻所以由圖有例題3.三種基本放大電路的性能比較組態對應關系：4.4結型場效應管CEBJTFETCSCCCDCBCGBJTFET電壓增益：CE：CC：CB：CS：CD：CG：輸出電阻：3.三種基本放大電路的性能比較4.4結型場效應管BJT