標準解讀

GB/T 4298-1984 標準規定了使用活化分析方法測定半導體硅材料中雜質元素含量的技術要求。該標準適用于通過核反應激活樣品中的特定元素，然后測量放射性衰變產物來定量分析硅材料中微量或痕量雜質的方法。

根據此標準，首先需要對樣品進行適當的預處理，包括清洗和稱重等步驟，以確保分析結果的準確性。接著，將處理好的硅樣品置于中子源中輻照一定時間，使樣品內某些雜質元素發生核反應而被激活成放射性同素異形體。輻照結束后，取出樣品并讓其冷卻一段時間，以便于短壽命放射性核素衰減到可檢測水平。

隨后，利用γ射線譜儀或其他適合的儀器設備對激活后的樣品進行測量，記錄下各個特征能量峰的位置及強度信息。基于這些數據，并結合已知的標準曲線或理論計算模型，可以推算出樣品中目標雜質元素的具體濃度值。

在整個過程中，需要注意控制實驗條件（如輻照劑量、冷卻時間等）的一致性和重復性，同時也要考慮到背景輻射等因素可能帶來的干擾影響。此外，對于不同類型的雜質元素，由于它們與中子相互作用的概率以及生成的放射性同位素性質存在差異，因此在實際操作時還需針對具體情況選擇合適的活化參數和技術手段。


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  • 已被廢除、停止使用，并不再更新
  • 1984-03-28 頒布
  • 1985-03-01 實施
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UDC669.782:543.06:621.315.592中華人民共和國國家標準GB4298-84半導體硅材料中雜質元素的活化分析方法Theactivationanalysismethodforthedeterminationoflimpuritiesinsemiconductorelementalrsiliconmaterials1984-03-28發布1985-03-01實施家標佳局批準

中華人民共和國國家標準半導體硅材料中雜質元素的活化分析方法GB4298-84中國標準出版社出版發行北京西城區復興門外三里河北街16號郵政編碼：100045電話：63787337、637874471984年10月第一版20106年7月電子版制作書號：15169·1-2627版權專有浸權必究舉報電話：（010）68533533

中華人民共和國國家標準UDC669.782半導體硅材料中雜質元素的：543.06:621.315.592活化分析方法GB4298-84Theactivationanalysismethodforthedeterminationofelementalimpuritiesinsemiconductorsiliconmaterials本標準適用于單晶硅、多晶硅中金屬雜質元素和非金屬雜質元素含量的測定。本標準包括雜質元素（十六個）的反應堆中子活化儀器分析方法、銅和砷的反應堆中子活化放射化分離分析方法、磷的反應堆中子活化放射化分離分析方法、氧的粒子活化儀器分析方法和碳的爾子活化儀器分析方法。第一篇雜質元素（十六個）的反應堆中子活化儀器分析方法適用范圍本篇方法適用于單晶硅、多晶硅中十六個雜質元素的測定。測定范圍：航量大于1×10ppmi鎳量大于2×10-ppm，鐵量大于1×10-2ppm，鈷量大于2×10-ppm，銅量大于5×10-5ppmi鋅量大于5×10"ppm，家量大于9×10°ppm，砷址大于6×10-ppm；銀量大于6×10-ppmi第量大于2×10-ppm，鋼量大于1×10ppm；銷量大于3×10-ppm，擔世大于3×10ppm;鴿量大于7×10ppm；金量大于6×10ppm；鉻量大于1×10“ppm。原理硅材料經反應堆中子輻照后，硅基體和待測元素「鎮除外，鎳經（"，p）反應】均經（"，？）反應生成放射性核素（見表1）。冷卻適當時間，待“Si衰變后（"Si的半衰期為2.62h)，用y譜儀測量各生成核的特征》射線的強度，進行各元素的定量分析。在測定銅量時，要扣除“Na和天然本底在511keV峰中的貢獻。·本適用范圍由正文中所給下限實驗條件（取樣最、輻照和測

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