ICS77040

H17.

中華人民共和國國家標準

GB/T4059—2018

代替

GB/T4059—2007

硅多晶氣氛區熔基磷檢驗方法

Testmethodforphosphoruscontentinpolycrystallinesiliconbyzone-melting

methodundercontrolledatmosphere

2018-12-28發布2019-11-01實施

國家市場監督管理總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T4059—2018

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替硅多晶氣氛區熔基磷檢驗方法與相比除編

GB/T4059—2007《》,GB/T4059—2007,

輯性修改外主要技術變化如下

,:

基磷含量的測定范圍由-9-9修改為13-313-3

———“0.002×10~100×10”“0.01×10cm~500×10cm”

見第章年版的第章

(1,20071);

調整了規范性引用文件刪除了增加了

———,GB/T1553、GB/T1554、GB/T1555、GB/T13389,

GB/T1550、GB/T4060、GB/T4842、GB/T8979、GB/T11446.1—2013、GB/T24574、

見第章年版的第章

GB/T24581、GB/T25915.1—2010(2,20072);

修改了樣芯的定義刪除了空心鉆頭見年版的

———,“”(3.3,20073.3);

修改了方法和方法的方法原理表述見年版的

———AB(4.1、4.2,20074.1、4.2);

干擾因素中酸洗和區熔操作的環境修改為不低于規定的級潔凈環

———“GB/T25915.1—20106

境見年版的第章

”[5.3,20075c)];

干擾因素中增加了樣品處理過程區熔速度硅芯等項對測試結果有影響的因素見

———、、3(5.4、

5.6、5.7);

刪除了干擾因素中關于區熔后硅單晶棒測試環境的要求見年版的第章第章

———、[20075f)、5

g)];

修改了試劑和材料中去離子水氬氣的要求見年版的

———、(6.3、6.4,20076.3、6.5);

試劑和材料增加了氮氣的要求見

———(6.5);

修改了試劑和材料中籽晶的要求由型電阻率不低于的籽晶修改為籽晶應為

———,“n500Ω·cm”“

無位錯的型高阻硅單晶且施主雜質含量原子數小于12-3碳含量原子

N<111>,()2.5×10cm,(

數小于15-3晶向偏離度小于見年版的

)5×10cm,5°”(6.6,20076.1);

對儀器設備中的取芯設備增加了要求見年版的第章

———“”[7.1,20077a)];

真空內熱式區熔爐改為內熱式區熔爐見年版的第章

———“”“”[7.5,20077d)];

儀器設備中增加了超聲清洗設備氮氣與氬氣純化裝置導電類型測試儀兩探針電阻率測試

———、、、

儀低溫紅外光譜儀或光致發光光譜儀見

、(7.3、7.6、7.7、7.8、7.9);

刪除了定性濾紙真空吸塵器潔凈室專用的手套等實驗室常用材料見年版的第章

———、、[20077

第章第章

e)、7f)、7g)];

修改了取樣要求見年版的

———(8.2、8.4,20078.2、8.4);

刪除了選擇電阻率大于碳含量小于-6無位錯晶向偏離度小于的

———“500Ω·cm,0.2×10,,5°

型高阻硅單晶切割制備成的籽晶見年版的

n<111>”(200710.1.1);

將籽晶必須在干燥后內使用修改為籽晶應予以密封進行潔凈保護見年

———“36h”“”(10.1,2007

版的

10.1.2);

增加了清洗后的樣芯宜用高純氮氣吹干見

———“”(10.2.2);

刪除了清潔取芯鉆用不低于的去離子水清潔酸洗臺見年版的

———“”“10MΩ·cm”(200710.3.1、

10.3.2);

在清潔真空抽吸后預熱樣芯修改為在清潔裝料真空抽吸充氬氣后預熱樣芯見

———“、,”“、、、,”(

年版的

10.3,200710.3.3);

修改了試驗步驟中的晶棒生長內容見年版的

———(10.4,200710.4);

Ⅰ

GB/T4059—2018

增加了導電類型的測試按的規定進行見

———“GB/T1550”[10.5.2a)];

修改了試驗步驟中的晶棒評價內容見年版的

———[10.5.2b),200710.5.2.4];

刪除了晶向晶錠結晶完整性少數載流子壽命的測試見年版的

———、、(200710.5.2.1、10.5.2.2、

10.5.2.3);

刪除了允許差增加了精密度見第章年版的第章

———,(12,200712)。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位江蘇中能硅業科技發展有限公司青海黃河上游水電開發有限責任公司新能源分

:、

公司亞洲硅業青海有限公司內蒙古神舟硅業有限責任公司新特能源股份有限公司宜昌南玻硅材

、()、、、

料有限公司洛陽中硅高科技有限公司新疆大全新能源股份有限公司鄂爾多斯多晶硅業有限公司內

、、、、

蒙古盾安光伏科技有限公司新疆協鑫新能源材料科技有限公司樂山市產品質量監督檢驗所山東大

、、、

海新能源發展有限公司

。

本標準起草人胡偉耿全榮胡自強魯文鋒柳德發薛心祿蔡延國尹東林宗鳳云邱艷梅

:、、、、、、、、、、

劉國霞高明楚東旭劉翠王瑞姚利忠梁洪唐珊珊王佳

、、、、、、、、。

本標準所代替標準的歷次版本發布情況為

:

———GB/T4059—1983、GB/T4059—2007。

Ⅱ

GB/T4059—2018

硅多晶氣氛區熔基磷檢驗方法

1范圍

本標準規定了多晶硅中基磷含量的檢驗方法

。

本標準適用于在硅芯上沉積生長的多晶硅棒中基磷含量原子數的測定測定范圍為13-3

(),0.01×10cm~

13-3

500×10cm。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測定方法

GB/T1551

硅多晶真空區熔基硼檢驗方法

GB/T4060

氬

GB/T4842

純氮高純氮和超純氮

GB/T8979、

電子級水

GB/T11446.1—2013

半導體材料術語

GB/T14264