ICS31200

L55.

中華人民共和國國家標準

GB/T36614—2018

集成電路存儲器引出端排列

Integratedcircuits—Memorydevicespinconfiguration

(IEC61964:1999,MOD)

2018-09-17發布2019-01-01實施

國家市場監督管理總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T36614—2018

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規范性引用文件

2…………………………1

術語和定義符號

3、…………………………1

術語和定義

3.1…………………………1

符號

3.2…………………5

引出端排列

4………………6

集成電路動態讀寫存儲器

4.1…………6

集成電路同步動態讀寫存儲器

4.2……………………6

集成電路靜態存儲器

4.3………………6

集成電路電可擦除可編程只讀存儲器

4.4……………6

GB/T36614—2018

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準使用重新起草法修改采用集成電路存儲器引出端排列

IEC61964:1999《》。

本標準與的技術性差異及其原因如下

IEC61964:1999:

關于規范性引用文件本標準做了具有技術性差異的調整以適應我國的技術條件調整的情

———,,,

況集中反應在第章規范性引用文件中具體調整如下

2“”,:

用代替了

●GB/T9178—1988IEC60748;

用等同采用國際標準的代替了

●GB/T16464—1996IEC60748-1:1984;

增加引用了

●GB/T7092—1993。

關于術語定義和符號具體調整如下

———、,:

引用了標準界定的術語和定義

●GB/T9178—1988;

增加了術語和定義或非型快閃存儲器見與非型快閃存儲器見

●“(3.1.3.9)”、“(3.1.3.10)”、

雙列直插封裝無引出端芯片封裝見薄型雙側扁平無引出端封

“(3.1.5.3)”、“”(3.1.5.9)、“

裝見小外形封裝見小外形集成電路封裝見

”(3.1.5.7)、“”(3.1.5.6)、“”(3.1.5.4);

將符號單列到

●3.2。

刪除了和見中和

———4.4、4.5、4.64.8(IEC61964—19994.4、4.5、4.64.8);

增加了表和表

———89。

本標準做了下列編輯性修改

:

表表中的器件長度和引出端節距的單位修改成國際制單位

———1~7。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由中華人民共和國工業和信息化部提出

。

本標準由全國半導體器件標準化技術委員會歸口

(SAC/TC78)。

本標準起草單位工業和信息化部電子第五研究所深圳市國微電子股份有限公司中科院微電

:、、

子所

。

本標準主要起草人來萍師謙雷登云劉妙何春華騰瑞侯波恩云飛

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T36614—2018

集成電路存儲器引出端排列

1范圍

本標準規定了半導體集成電路存儲器的引出端排列

。

本標準適用于半字節動態存儲器字寬動態存儲器字節寬動態存儲器半字節同步動態存儲器字

、、、、

節寬同步動態存儲器字寬同步動態存儲器的引出端排列

、。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導體集成電路外形尺寸

GB/T7092—1993

集成電路術語

GB/T9178—1988

半導體器件集成電路第部分總則

GB/T16464—19961:(idtIEC60748-1:1984)

3術語和定義符號

、

31術語和定義

.

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T9178—1988。

311器件引出端

..

3111

...

地址輸入addressinputsAn

;()

輸入選取存儲陣列上某個或一系列存儲單元用于存儲數據或者將保存的數據發送到器件輸出

,。

整數用于區分不同地址輸入

n。

3112

...

地址鎖存器允許addresslatchenableALAL

;,\

控制引出端輸入信號為真時地址輸入可以寫入寄存器為假時前一次輸入的輸入地址狀態被

,,

鎖存

。

3113

...

存儲塊地址bankaddressBA

;

控制引出端在具有多個存儲塊結構的讀寫存儲器里面使用儲存塊地址在任何時間會選定

,RAM,

可用存儲塊中的一個