標準解讀

《GB/T 34326-2017 表面化學分析 深度剖析 AES和XPS深度剖析時離子束對準方法及其束流或束流密度測量方法》是一項國家標準,旨在規范使用增強型二次離子質譜(AES)和X射線光電子能譜(XPS)技術進行材料表面及近表面區域成分分析過程中涉及的離子束對準以及束流或束流密度測量的具體操作流程。該標準適用于需要通過濺射去除材料表層來獲取不同深度信息的研究與工業應用場合。

標準詳細描述了如何正確設置實驗條件以確保獲得準確可靠的分析結果。對于離子束對準部分,它提供了包括但不限于調整入射角度、選擇合適的靶材位置等指導原則,這些都是為了保證離子能夠均勻地轟擊樣品表面,從而避免由于局部過度侵蝕而導致的數據失真問題。此外,還特別強調了在實際操作前應當根據所用設備的特點進行適當的校準工作。

針對束流或束流密度測量方面,《GB/T 34326-2017》規定了幾種常用的測定方法,并指出了每種方法適用的情況及其局限性。例如,直接法適用于那些可以直接讀取電流值的儀器;而對于無法直接測量電流的情形,則推薦采用間接法,如利用已知靈敏度的標準樣品來進行相對比較。同時,該文件也提到了一些影響測量精度的因素,比如環境溫度變化可能引起讀數波動等問題,并給出了相應的解決方案建議。

此外,本標準還涵蓋了數據處理的相關內容,介紹了如何從原始信號中提取有用信息的方法,以及如何評估實驗誤差并報告最終結果的方式。通過遵循這些指南,研究人員可以更加有效地利用AES和XPS技術開展科學研究或質量控制活動。


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....

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  • 現行
  • 正在執行有效
  • 2017-09-29 頒布
  • 2018-08-01 實施
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GB/T 34326-2017表面化學分析深度剖析AES和XPS深度剖析時離子束對準方法及其束流或束流密度測量方法_第1頁
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文檔簡介

ICS7104040

G04..

中華人民共和國國家標準

GB/T34326—2017/ISO165312013

:

表面化學分析深度剖析AES和

XPS深度剖析時離子束對準方法及其

束流或束流密度測量方法

Surfacechemicalanalysis—Depthprofiling—Methodsforionbeam

alignmentandtheassociatedmeasurementofcurrentorcurrentdensity

fordepthprofilinginAESandXPS

(ISO16531:2013,IDT)

2017-09-29發布2018-08-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T34326—2017/ISO/165312013

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規范性引用文件

2…………………………1

術語定義符號和縮略語

3、、………………1

系統要求

4…………………2

離子束對準方法

5…………………………3

何時進行離子束對準及其檢查

6…………10

附錄資料性附錄離子束對準優劣情況下深度剖析譜圖對比

A()AES……………11

附錄資料性附錄使用同軸電極杯對準

B()……………12

參考文獻

……………………13

GB/T34326—2017/ISO/165312013

:

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準使用翻譯法等同采用表面化學分析深度剖析和深度剖析

ISO16531:2013《AESXPS

時離子束對準方法及其束流或束流密度測量方法

》。

本標準由全國微束分析標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC38)。

本標準起草單位中國計量科學研究院

:。

本標準主要起草人王海王梅玲張艾蕊宋小平

:、、、。

GB/T34326—2017/ISO/165312013

:

引言

俄歇電子能譜和射線光電子能譜用于表面化學分析時離子濺射常與它們廣泛結

(AES)X(XPS),

合用于許多器件和材料的表面清潔及其層狀結構的深度表征目前厚度小于的超薄膜在現代

。,10nm

器件中日益得到應用較低能量的離子在深度剖析中變得更加重要為了得到可重現的濺射速率和好

,。

的深度分辨率在最佳位置對準離子束非常重要隨著要求越來越好的深度分辨率優化過程變得愈加

,。,

至關重要定期進行離子束對準通常不是必需的但當儀器參數發生改變時應該進行離子束對準例如

。,,

更換離子槍燈絲或烘烤儀器后在離子束對準過程中需停止濺射否則會影響樣品臺上的待分析樣

。,,

品離子束對準涉及儀器的不同部件本標準描述了種方法用以保證大多數分析人員可使用其中

。。7,

的至少一種方法兩種方法對于測量離子束流或束流密度也非常有用且在測量濺射產額和濺射速率

。,

的一致性時非常重要對于商業化儀器制造商會提供一種方法和設備用于對準離子束如果制造商

。,。

提供的方法合適本標準描述的方法或許不是必需的但它們能幫助確認制造商提供方法的有效性

,,。

文獻描述了利用層狀樣品測量深度分辨率以及如何利用深度分辨率去監測深度剖析是否充

[1],

分正確優化或符合預期然而文獻描述的方法從儀器設置經深度測量至深度分辨率評估非常

、。,[1]()

耗時為了保證離子束被正確對準本標準提供了更加快捷的方法它可用于文獻描述方法的第一

。,,[1]

步或者更多的日常檢查

GB/T34326—2017/ISO/165312013

:

表面化學分析深度剖析AES和

XPS深度剖析時離子束對準方法及其

束流或束流密度測量方法

1范圍

本標準規定了在俄歇電子能譜和射線光電子能譜中使用惰性氣體離子以保證濺射

(AES)X(XPS)

深度剖析具有好的深度分辨率以及最佳表面清潔效果而采取的離子束對準方法這些方法分為兩類

。:

一類通過法拉第杯測量離子束流另一類通過成像方法法拉第杯方法也規定了離子束束流密度和束

,。

流分布的測量這些方法不包括深度分辨率的優化

。。

這些方法均適用于束斑直徑小于的離子槍

1mm。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

表面化學分析詞匯第部分通用術語和譜學術語

ISO18115-11:(Surfacechemical

analysis—Vocabulary—Part1:Generaltermsandtermsusedinspectroscopy)

3術語定義符號和縮略語

、、

界定的術語和定義以及下列符號和縮略語適用于本文件

ISO18115-1。

A法拉第杯孔面積

(AreaofFaradaycupaperture)

A樣品平面上離子束掃描面積

0(Areaofionbeamrasterinsampleplane)

A在離子束已知取向上的掃描面積

R(Rasterareaataknownorientationtotheionbeam)

B離子束寬化參數等于II之比I

,outer/inner(Ionbeambroadeningparameterequaltoratioouter/

I

inner)

束流

C(Current)

束流密度

CD(Currentdensity)

D樣品上的離子劑量速率

'(Iondoserateatthesample)

F離子槍傳遞的離子流量速率

'(Ionfluenceratedeliveredbyiongun)

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