標準解讀

《GB/T 30453-2013 硅材料原生缺陷圖譜》是中國國家標準之一，該標準主要針對硅材料中可能出現的原生缺陷進行分類和描述，并提供了相應的圖譜作為參考。這類缺陷通常是在硅晶體生長過程中形成，包括但不限于位錯、空洞、沉淀物等。

在內容上，標準首先定義了硅材料中原生缺陷的相關術語與定義，明確了討論范圍內的具體對象。接著，根據缺陷形態特征及其對硅材料性能影響的不同，將這些原生缺陷進行了詳細的分類。例如，按其物理性質可以分為點缺陷（如空位）、線缺陷（如位錯）以及面缺陷（如晶界）；按照產生原因又可進一步細分為生長過程中的熱應力引起的缺陷、雜質引入導致的缺陷等。

對于每種類型的缺陷，《GB/T 30453-2013》還給出了典型示例圖像及說明文字，幫助讀者更直觀地理解各種缺陷的特點。此外，該標準也介紹了使用電子顯微鏡、X射線衍射等現代檢測技術來識別和分析這些缺陷的方法論指導。


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....

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  • 現行
  • 正在執行有效
  • 2013-12-31 頒布
  • 2014-10-01 實施
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GB/T 30453-2013硅材料原生缺陷圖譜_第1頁
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文檔簡介

ICS29045

H80.

中華人民共和國國家標準

GB/T30453—2013

硅材料原生缺陷圖譜

Metallographscollectionfororiginaldefectsofcrystallinesilicon

2013-12-31發布2014-10-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T30453—2013

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

硅多晶結構的不完整性

4…………………1

硅單晶晶體缺陷

5…………………………4

硅片加工缺陷

6……………9

硅外延片缺陷

7…………………………11

附錄資料性附錄氫致缺陷圖

A()………………………76

索引

…………………………79

Ⅰ

GB/T30453—2013

前言

本標準按照制定的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位有研半導體材料股份有限公司東方電氣集團峨眉半導體材料有限公司南京國

:、、

盛電子有限公司杭州海納半導體有限公司萬向硅峰電子股份有限公司四川新光硅業科技有限責任

、、、

公司陜西天宏硅材料有限責任公司中國有色金屬工業標準計量質量研究所

、、。

本標準主要起草人孫燕曹孜翟富義楊旭譚衛東黃笑容樓春蘭王飛堯石宇劉云霞陳赫

:、、、、、、、、、、、

梁洪羅莉萍李詠梅齊步坤李慧向磊

、、、、、。

Ⅲ

GB/T30453—2013

硅材料原生缺陷圖譜

1范圍

本標準給出了硅多晶硅單晶硅片和硅外延片等硅材料的各種原生缺陷及其密切相關誘生缺陷的

、、

術語及其形貌特征圖譜分析了其產生的原因和消除方法

。。

本標準適用于硅多晶硅單晶硅片和硅外延片等硅材料生產研究中各種缺陷的檢驗硅器件集

、、。、

成電路的生產研究也可參考本標準

。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

硅晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法

GB/T1554

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法

GB/T4058

半導體材料術語

GB/T14264

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4硅多晶結構的不完整性

41晶粒粗大

.

411特征

..

由三氯氫硅或四氯化硅氫還原法和硅烷熱分解法生長的硅多晶表面致密

(SiHCl3)(SiCl4)(SiH4),

度和晶粒大小與合格多晶明顯有差異見圖圖

,(1~4)。

412產生原因

..

多晶生長時沉積速率過快溫度過高易產生顆粒粗大

,,。

413對單晶制備的影響

..

給單晶制備前多晶料的清潔處理帶來困難并成為單晶中雜質的污染源

,。

414消除方法

..

合理控制沉積速率控制進料配比調節氣流速度

,,。

42溫度圈

.

4

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