ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標準

GB/T29054—2019

代替

GB/T29054—2012

太陽能電池用鑄造多晶硅塊

Castingmulticrystallinesiliconbrickforphotovoltaicsolarcell

2019-06-04發布2020-05-01實施

國家市場監督管理總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T29054—2019

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替太陽能級鑄造多晶硅塊本標準與相比除

GB/T29054—2012《》。GB/T29054—2012,

編輯性修改外主要技術變化如下

:

修改了適用范圍將適用于利用鑄造技術制備多晶硅片的多晶硅塊改為適用于從鑄造技術

———,“”“

制備的硅錠上切割得到的準方形多晶硅塊包括類單晶硅塊產品用于切割成硅片后進一步

()。

制作太陽能電池見第章年版的第章

”(1,20121)。

刪除了規范性引用文件中增加了

———GB/T6616、SEMIPV1-0709,GB/T1554、GB/T2828.1—

將移到了參考文獻見

2012、GB/T31854,GB/T1551、GB/T1553、GB/T1557、GB/T1558(

第章年版的第章

2,20122)。

刪除了硅塊的定義增加了有效高度類單晶和最大晶粒面積比例的定義見第章年

———,、(3,2012

版的第章

3)。

刪除了分類見年版的第章

———(20124)。

端面尺寸由改為其他尺寸

———125mm×125mm、156mm×156mm156.75mm×156.75mm,,

建議增減量為的整數倍見見年版的第章

1mm(4.1.1,20124)。

修改了端面尺寸及允許偏差見年版的第章

———(4.1.1,20124、5.1.6)。

修改了載流子壽命的要求由改為不小于見年版的

———,≥1μs2μs(4.2.3,20125.2)。

修改了間隙氧含量的要求由173改為不大于173見

———,≤8×10atoms/cm6×10atoms/cm(4.3,

年版的

20125.2)。

增加了類單晶硅塊的最大晶粒面積比例和缺陷密度要求及試驗方法檢驗規則等見

———、(4.7、4.8、

第章

5.13、5.14、6)。

刪除了硼濃度的要求見年版的

———(20125.2)。

修改了檢驗項目取樣及檢驗結果的判定見年版的

———、(6.3、6.4、6.5,20127.3、7.4、7.5)。

增加了附錄列出了常見的不同最大晶粒面積比例的類單晶硅塊見附錄

———A,(A)。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位江蘇協鑫硅材料科技發展有限公司鎮江仁德新能源科技有限公司江西賽維

:、、

太陽能高科技有限公司宜昌南玻硅材料有限公司有色金屬技術經濟研究院揚州榮德新能源科

LDK、、、

技有限公司英利能源中國有限公司

、()。

本標準主要起草人萬躍鵬唐駿游達林清香蘇磊楊素心余剛高長昆常傳波李建敏何亮

:、、、、、、、、、、、

陳發勤孫培亞張雷

、、。

本標準所代替標準的歷次版本發布情況為

:

———GB/T29054—2012。

Ⅰ

GB/T29054—2019

太陽能電池用鑄造多晶硅塊

1范圍

本標準規定了太陽能電池用鑄造多晶硅塊以下簡稱硅塊的要求試驗方法檢驗規則標志包

()、、、、

裝運輸貯存質量證明書和訂貨單或合同內容

、、、()。

本標準適用于從鑄造技術制備的硅錠上切割得到的準方形多晶硅塊包括類單晶硅塊

()。

注多晶硅塊切割成硅片后用于制作太陽能電池

:。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

硅晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法

GB/T1554

計數抽樣檢驗程序第部分按接收質量限檢索的逐批檢驗抽樣

GB/T2828.1—20121:(AQL)

計劃

半導體材料術語

GB/T14264

光伏電池用硅材料中金屬雜質含量的電感耦合等離子體質譜測量方法

GB/T31854

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

有效高度effectiveheight

硅塊符合各項技術要求的可切割高度

。

32

.

類單晶quasi-monocrystallinesilicon

通過單晶籽晶以定向凝固法生長形成的鑄造多晶該晶體具有明顯與籽晶同方向的大晶粒也可

,,