1模擬電子線路

課程號：B0400041S車晶chej@QQ:16377387552模擬電子線路課程是什么？模擬電子線路是工科本科的一門主干專業基礎課程，不僅因為這門課程涵蓋的理論知識在理工科專業中占有基礎性地位，更為重要的是這是一門理論與實際聯系非常緊密、實踐性很強的課程。3模擬電子線路課程是什么？（續）由于這門課程是聯系公共基礎課程與專業課程的一個重要橋梁，因此許多工科學校把它視為工科學生進入工程領域的第一門課程。4

本課程的主要任務是使學生獲得電子線路方面的基本理論、基本分析方法和基本技能，著重培養學生發現問題、分析問題和解決問題的能力。模擬電子線路課程是什么？（續）5

是重要的專業基礎課

是電子信息類專業的主干課程是強調硬件應用能力的工程類課程

是工程師訓練的基本入門課程

是很多重點大學的考研課程模擬電子線路課程是什么？（續）6電子電路的發展歷程以及應用前景最早源于50年代的電子管放大器60年代逐步演變為分立元件的晶體管放大電路80年代開始引入集成電路90年代引入EDA技術。7電子電路元器件的歷史當代，是包括計算機在內的電子學繁榮昌盛的時代，其背景與電子電路元器件由電子管-晶體管－集成電路的不斷發展有著密切的關系。

8（1）電子管電子管是一種在氣密性封閉容器（一般為玻璃管）中產生電流傳導，以獲得信號放大或振蕩的電子器件。早期應用于電視機、收音機擴音機等電子產品中，近年來逐漸被晶體管和集成電路所取代。9目前在一些高保真音響器材中，仍然使用電子管作為音頻功率放大器件。電子管是沿著二極管-三極管-四極管-五極管的順序發明出來的。

（1）電子管10電子管圖片11（2）晶體管晶體管是一種固體半導體器件，可以用于放大、開關、穩壓、信號調制和許多其他功能。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流。12晶體管的應用在模擬電路中，晶體管用于放大器，音頻放大器，射頻放大器，穩壓電源，在計算機電源中，主要用于開關電源。晶體管也應用于數字電路，主要功能是模擬電子開關。13晶體管圖片14（3）集成電路大約在1956年，英國的達馬就從晶體管原理預想到了集成電路的出現。1958年美國提出了用半導體制造全部電路元器件，實現集成電路化的方案。

1961年，得克薩斯儀器公司開始批量生產集成電路。15（3）集成電路集成電路并不是用一個一個電路元器件連接成的電路，而是把具有某種功能的電路“埋”在半導體晶體里的一個器件。它易于小型化和減少引線端，所以具有可靠性高的優點。

16（3）集成電路集成電路的集成度在逐年增加。元件數在100個以下的小規模集成電路，100~1000個的中規模集成電路，1000~100000個大規模集成電路，以及100000個以上的超大規模集成電路，都已依次開發出來，并在各種裝置中獲得了廣泛應用。17（3）集成電路雖然現在集成電路的應用日漸普遍，但是分立元件仍是不可或缺的，特別在大功率輸出方面，而LED作為新型節能環保光源的前途更是不可限量。

18集成電路圖片19要怎么學習這樣的課程模擬電子技術的價值主要體現在它是解決生產實際中的需要而建立的系統，而不是獨立分散的電路或者器件。建立系統的概念建立工程的概念20例：我校教師上課時所用的無線擴音器系統21怎樣學好這門課

強調自學能力，注意學習方法。

入門時可能會遇到一些困難。注意不斷改進、總結和調整、提高。22學習方法“過四關”

基本器件關-----電路構成工程近似關-----分析方法實驗動手關-----實踐應用

EDA應用關-----設計能力

23幾點建議：“愛好”和“志向”很重要！“興趣是最好的老師”學習主觀能動性是學好這門課的“關鍵”。“讓我學”和“我要學”教學相長

“教師是啟發和引導者”“好學生不是教出來的”24考試成績評定平時20%(無期中考試）期末80%25教材

參考書1康華光主編．電子技術基礎（模擬部分，第四版），北京：高等教育出版社，1988．2謝嘉奎主編．電子線路（線性部分，第四版），北京：高等教育出版社，1999．26兩種信號模擬信號Analogsignal數字信號Digitalsignal27模擬信號

是連續的、平滑的周期或非周期函數信號。

如語音（音頻）信號、圖像（視頻）信號、模擬溫度、壓力的物理量檢測信號等。

28數字信號是間斷的、離散的瞬時值周期或非周期函數信號如開關信號、脈沖信號、計算機編碼信號等。

29兩種電路

模擬電路Analogcircuit數字電路Digitalcircuit30電子電路數字電路模擬電路低頻電路（處理低頻信號）高頻電路（處理高頻信號）電路分類電子電路數字電路模擬電路線性電路（處理小信號）非線性電路（處理大信號）31全國大學生電子設計競賽全國大學生電子設計競賽是教育部倡導的大學生學科競賽之一，是面向大學生的群眾性科技活動，目的在于推動高等學校促進信息與電子類學科課程體系和課程內容的改革。競賽的特點是與高等學校相關專業的課程體系和課程內容改革密切結合，以推動其課程教學、教學改革和實驗室建設工作。32全國大學生電子設計競賽的組織運行模式為：“政府主辦、專家主導、學生主體、社會參與”十六字方針，以充分調動各方面的參與積極性。332011年08月31日全國大學生電子設計競賽開賽三萬達人滬上打擂上午的比賽現場，大學生選手設計作品34晚報訊今天上午，瑞薩杯2011全國大學生電子設計競賽在全國30個賽區正式開賽。1042所院校、11002支隊伍、33006名學生將通過為期四天的角逐，爭奪一等獎、二等獎、以及本年度的最高榮譽獎“瑞薩杯”獎。3536第一章晶體二極管及其基本電路1-1半導體物理基礎知識導體半導體絕緣體物質半導體的特性：1．導電能力介于導體和絕緣體之間；2．導電能力隨溫度、光照或摻入某些雜質而發生顯著變化。37+14284+3228184硅原子（Silicon）鍺原子（Germanium）圖1

硅和鍺原子結構圖硅（Si）、鍺（Ge）和砷化鎵（GaAs）１-１-１本征半導體38+4圖1-1硅和鍺原子結構簡化模型慣性核電子39+4+4+4+4共價鍵價電子圖1-2單晶硅和鍺共價鍵結構示意圖40說明：1、共價鍵：相鄰兩個原子中的價電子作為共用電子對而形成的相互作用力。2、單晶硅：原子按一定的間隔排列成有規律的空間點陣結構。通常共價鍵的電子受到所屬原子核的吸引，是不能自由移動的。——束縛電子，不能參與導電。3、本征半導體：純凈的（未摻雜）單晶半導體稱為本征半導體。41絕對零度（-2730C）時晶體中無自由電子——相當于絕緣體。載流子(Carrier)指半導體結構中獲得運動能量的帶電粒子。有溫度環境就有載流子——本征激發一、半導體中的載流子

——自由電子和空穴42+4+4+4+4自由電子空穴束縛電子圖1-3本征激發產生電子和空穴在一定的溫度下，或者受到光照時，使價電子獲得一定的額外能量，一部分價電子就能夠沖破共價鍵的束縛變成自由電子。本征激發動畫演示43注意：1、空穴的運動可以看成一個帶正電荷的粒子的運動。2、一個空穴的運動實際上是許多價電子（不是自由電子）作相反運動的結果。但是一個空穴運動所引起的電流的大小只與空穴的多少有關，與多少個價電子運動無關。3、若沒有空穴，價電子不會運動，即使互換位置也不會帶來電荷的遷移。動畫演示44結論在半導體中，有兩種載流子：自由電子（負電荷）和空穴（正電荷）。在本征半導體中，自由電子和空穴是成對出現的。45二、本征載流子濃度復合：由于正負電荷相吸引，自由電子會填入空穴成為價電子，同時釋放出相應的能量，從而消失一對電子、空穴，這一過程稱為復合。與本征激發是相反的過程。一分為二本征激發

復合合二為一載流子濃度：載流子濃度越大，復合的機會就越多。在一定溫度下，當沒有其它能量存在時，電子、空穴對的產生與復合最終達到一種熱平衡狀態，使本征半導體中載流子的濃度一定。46本征載流子濃度：式中：ni、pi——分別表示電子和空穴的濃度（㎝-3）；

T——為熱力學溫度（K）；

EG0為T=0K（-273oC）時的禁帶寬度（硅為1.21eV，鍺為0.78eV）；

k為玻爾茲曼常數（8.63×10-6V/K）；A0為與半導體材料有關的常數（硅為3.87×1016㎝-3·，鍺為1.76×1016㎝-3·）。47說明隨著T的增加，載流子濃度按指數規律增加。——對溫度非常敏感。在T=300K的室溫下，本征硅（鍺）的載流子濃度=1.43×1010㎝-3（2.38×1013㎝-3），本征硅（鍺）的原子密度=5×1022㎝-3

（4.4×1022㎝-3）。 相比之下，室溫下只有極少數原子的價電子(三萬億分之一)受激發產生電子、空穴對。48結論

本征半導體的導電能力是很弱的；本征載流子濃度隨溫度升高近似按指數規律增大，所以其導電性能對溫度的變化很敏感。491-1-2雜質半導體（摻雜半導體）

在本征半導體中摻入微量的元素（稱為雜質），會使其導電性能發生顯著變化。————雜質半導體。根據摻入雜質的不同，雜質半導體可分為N型半導體和P型半導體。50一、N型半導體

圖1-4N型半導體原子結構示意圖+4+5+4+4鍵外電子束縛電子施主原子51說明在本征硅（鍺）中摻入少量的五價元素（如：磷、砷、銻等）就得到N型半導體。雜質原子頂替硅原子，多一個電子位于共價鍵之外，受原子的束縛力很弱，很容易激發成為自由電子。幾乎一個雜質原子能提供一個自由電子，從而自由電子數大大增加。——施主雜質。由于自由電子的濃度增加，與空穴（本征激發產生的）復合的機會也增加，因此空穴濃度相應減少。52在N型半導體中： 自由電子——多數載流子，簡稱多子； 空穴——少數載流子，簡稱少子。答：N型半導體是電中性的。雖然自由電子數遠大于空穴數，但由于施主正離子的存在，使正、負電荷數相等，即自由電子數=空穴數+施主正離子

問題：N型半導體是帶正電還是帶負電？53

圖1-5P型半導體原子結構示意圖受主原子空位+4+3+4+4束縛電子二、P型半導體（Positivetype）54

在本征硅（或鍺）中，摻入少量的三價元素（硼、鋁等），就得到P型半導體。室溫時，幾乎全部雜質原子都能提供一個空穴。多子（多數載流子）：空穴；少子（少數載流子）：自由電子；P型半導體是電中性的。空穴數=自由電子數+受主負離子55三、雜質半導體的載流子濃度多子的濃度 在雜質半導體中，雜質原子所提供的多子數遠大于本征激發的載流子數。

結論：多子的濃度主要由摻雜濃度決定。少子的濃度 少子主要由本征激發產生，因摻雜不同，會隨多子濃度的變化而變化。56結論：在熱平衡下，多子濃度值與少子濃度值的乘積恒等于本征載流子濃度值ni的平方。

對N型半導體，多子nn與少子pn有57對P型半導體，多子pp與少子np有58小結1.本征半導體通過摻雜，可以大大改變半導體內載流子的濃度，并使一種載流子多，另一種載流子少。2.多子濃度主要取決于雜質的含量，它與溫度幾乎無關；少子的濃度則主要與本征激發有關，因而它的濃度與溫度有十分密切的關系。591-1-3半導體中的電流

在導體中，載流子只有一種：自由電子。在電場作用下，產生定向的漂移運動形成漂移電流。在半導體中有兩種載流子：自由電子和空穴。電場作用下的漂移電流兩種類型的電流濃度差導致的擴散電流60IpIn一、漂移電流總電流：1、定義：在電場作用下，半導體中的載流子作定向飄移運動而形成的電流。61①載流子濃度2.漂移電流大小取決于②外加電場強度③遷移速度二、擴散電流

在半導體工作中，擴散運動是比漂移運動更為重要的導電機理。金屬導體是不具有這種電流的，正是由于擴散電流特性，才能夠將它做成電子器件。62平衡載流子濃度：一般的本征半導體在溫度不便、無光照或其他激發下，載流子濃度分布均勻。非平衡載流子濃度：若一端注入載流子或用光線照射該端。則該端的載流子濃度增加。63圖1―6半導體中載流子的濃度分布64擴散電流大小主要取決于該處載流子濃度差（即濃度梯度）。濃度差越大，擴散電流越大，而與該處的濃度值無關。65思考題與習題導體、半導體和絕緣體的區別和在電子線路以及集成電路制造中的作用？說明半導體材料的特性及其應用解釋本征半導體、雜質半導體的區別？解釋N型半導體與P型半導體的區別？為什么說這兩種半導體仍然對外呈電中性？解釋雜質半導體的多子濃度和少子濃度各由何種因素決定的？解釋漂移電流和擴散電流的構成？661-2PN結 PN結是半導體器件的核心，可以構成一個二極管。PN

本征硅的一邊做成P型半導體，一邊做成N型半導體。交界處形成一個很薄的特殊物理層。——PN結67+++++++++++++++PN（a）空穴和電子的擴散1-2-1ＰＮ結的形成

由于擴散運動，使接觸面附近的空穴和電子形成不能移動的負離子和正離子狀態，這個區域稱為空間電荷區（耗盡層），即PN結。動畫演示68PN空間電荷區內電場UB（b）平衡時的PN結圖1-7PN結的形成+++++++++++++++69空間電荷區（耗盡層）70PN結形成“三步曲”（1）多數載流子的擴散運動。（2）空間電荷區的形成促進少子的漂移運動，阻止多子的擴散運動。（3）擴散運動與漂移運動的動態平衡。PN結又稱為勢壘區、阻擋層。PN結很窄（幾個到幾十個m)。71問題：達到動態平衡時，在PN結流過的總電流為多少，方向是什么？如下圖，多子的擴散電流方向為從左到右，少子的漂移電流方向從右到左。兩者在動態平衡時，大小相等，而方向相反，所以流過PN結的總電流為零。

多子擴散電流方向少子漂移電流方向PN多子少子多子少子72對稱PN結：如果P區和N區的摻雜濃度相同，則耗盡區相對界面對稱，稱為對稱結不對稱PN結：如果一邊摻雜濃度大（重摻雜），一邊摻雜濃度小（輕摻雜），此耗盡區主要伸向輕摻雜區一邊，這樣的PN結稱為不對稱結73問題：為什么PN結伸向輕摻雜區？答：輕摻雜區的施主正離子（或受主負離子）的排列稀疏，重摻雜區的施主正離子（或受主負離子）的排列緊密。如上圖，兩邊電荷量相等，所以會伸向輕摻雜區。74PN耗盡區內電場UB

-U圖1-9正向偏置的PN結+-ERU+++++++++++++++1-2-2ＰＮ結的單向導電特性動畫演示75PN結加正向電壓外加的正向電壓大部分降落在PN結區，方向與PN結內電場方向相反，削弱了內電場。于是，內電場對多子擴散運動的阻礙減弱，擴散電流加大。擴散電流遠大于漂移電流，可忽略漂移電流的影響。PN結呈現低阻性，有較大的正偏電流。76圖1-10反向偏置的PN結ERPN耗盡區內電場UB

+U-+U+++++++++++++++二、PＮ結加反向電壓動畫演示77PN結加反向電壓外加的反向電壓大部分降落在PN結區，方向與PN結內電場方向相同，加強了內電場。內電場對多子擴散運動的阻礙增強，擴散電流大大減小。此時PN結區的少子在內電場作用下形成的漂移電流大于擴散電流，可忽略擴散電流。PN結呈現高阻性。在一定的溫度條件下，由本征激發決定的少子濃度是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的大小無關，這個電流也稱為反向飽和電流。

78PN結加正向電壓時，呈現低電阻，具有較大的正向擴散電流；PN結加反向電壓時，呈現高電阻，具有很小的反向漂移電流。結論：PN結具有單向導電性。79三、PN結電流方程圖1-11PN結的伏安特性當T=300K(室溫)時,UT=26mV。iu0TT-U(BR)IS為反向飽和電流(10-15A)

。UT=KT/q,溫度電壓當量，80PN結伏安特性由上式當u為正時

PN結外加正電壓時，流過電流為正電壓的e指數關系。當u為負時

PN結外加負電壓時流過電流為飽和漏電流。811-2-5PN結的溫度特性一、反映在伏安特性上為：溫度升高，正向特性向左移，反向特性向下移。1.保持正向電流不變時，溫度每升高1℃，結電壓減小約2~2.5mV，即Δu/ΔT≈-(2~2.5)mV/℃2.溫度每升高10℃，反向飽和電流IS增大一倍。82

硅管：UD(on)=0.7V。鍺管：UD(on)=0.3Viu0TT-U(BR)導通電壓UD(on)UD(on)831-2-3PN結的擊穿特性當對PN結外加反向電壓超過一定的限度，PN結會從反向截止發展到反向擊穿。反向擊穿破壞了PN結的單向導電特性。利用此原理可以制成穩壓管。

U(BR)稱為PN結的擊穿電壓。有兩種擊穿機理：雪崩擊穿和齊納擊穿。84擊穿種類摻雜情況耗盡層寬度擊穿機理雪崩擊穿輕摻雜寬因為耗盡層寬，使加速的少子撞擊耗盡區的中性原子，產生電子、空穴對，反復作用使載流子數目迅速增加齊納擊穿重摻雜窄較窄的耗盡區有很強的電場，強電場使耗盡區的價電子被直接拉出共價鍵，產生電子、空穴對。雪崩擊穿和齊納擊穿的比較85問題：為什么輕摻雜的PN結不易出現齊納擊穿？相反重摻雜為什么不易出現雪崩擊穿？答：因為輕摻雜的耗盡層寬，正負離子分布稀疏，電場強度不夠強，不足以拉出價電子。而重摻雜的耗盡層窄使少子的加速時間短，少子的動能不足以撞擊中性原子，產生電子空穴對。86一般來說，對硅材料的PN結，UBR>7V時為雪崩擊穿；

UBR<5V時為齊納擊穿；

UBR介于5~7V時，兩種擊穿都有。87擊穿的可逆性電擊穿是可逆的（可恢復，當有限流電阻時）。電擊穿后如無限流措施，將發生熱擊穿現象。熱擊穿會破壞PN結結構（燒壞）熱擊穿是不可逆的。881-2-4PN結的電容特性PN結的耗盡區與平板電容器相似，外加電壓變化，耗盡區的寬度變化，則耗盡區中的正負離子數目變化，即存儲的電荷量變化。一、勢壘電容CT89多子擴散在對方區形成非平衡少子的濃度分布曲線偏置電壓變化分布曲線變化非平衡少子變化電荷變化。二、擴散電容CD90圖1―12P區少子濃度分布曲線91結電容Cj=CT+CD結論因為CT和CD并不大，所以在高頻工作時，才考慮它們的影響。

正偏時以擴散電容CD為主，Cj≈CD

，其值通常為幾十至幾百pF；

反偏時以勢壘電容CT為主，Cj≈CT,其值通常為幾至幾十pF。（如：變容二極管）921-3晶體二極管及其基本電路PN結加上電極引線和管殼就形成晶體二極管。圖1-13晶體二極管結構示意圖及電路符號

P區N區正極負極（a）結構示意圖（b）電路符號PN正極負極931-3-1二極管特性曲線二極管特性曲線與PN結基本相同，略有差異。圖1-14二極管伏安特性曲線

i/mAu/V(A)0102030-5-10-0.50.5硅二極管94一、正向特性硅:UD(on)=0.5～0.6V；1.導通電壓或死區電壓2.曲線分段：鍺:UD(on)=0.1～0.2V。3.小功率二極管正常工作的電流范圍內，管壓降變化比較小。指數段（小電流時）、直線段（大電流時）。一般硅：0.6~0.8V，鍺：0.1~0.3V。95二、反向特性2.小功率二極管的反向電流很小。一般硅管<0.1A，鍺管<幾十微安。1.反向電壓加大時，反向電流也略有增大。96

直流電阻和交流電阻直流電阻RD

是二極管所加直流電壓UD與所流過直流電流ID之比。其幾何意義是曲線Q點到原點直線斜率的倒數。交流電阻rD

是其工作狀態(ID,UD)處電壓改變量與電流改變量之比。幾何意義是曲線Q點處切線斜率的倒數。971-3-2二極管的主要參數一、直流電阻圖1-15二極管電阻的幾何意義IDUDQ1RD=UD/IDRD

的幾何意義：iu0Q2(a)直流電阻RDQ點到原點直線斜率的倒數。RD不是恒定的，正向的RD隨工作電流增大而減小，反向的RD隨反向電壓的增大而增大。981.正向電阻：幾百歐姆；反向電阻：幾百千歐姆；2.Q點不同，測出的電阻也不同；結論因此，PN結具有單向導電特性。99二、交流電阻二極管在其工作狀態(IDQ,UDQ)下的電壓微變量與電流微變量之比。iu0Qiu(b)交流電阻rDrD

的幾何意義:Q(IDQ,UDQ)點處切線斜率的倒數。100與IDQ成反比，并與溫度有關。101例：已知D為Si二極管，流過D的直流電流ID=10mA，交流電壓U=10mV，求室溫下流過D的交流電流I=?10VDR0.93KΩUID解：交流電阻交流電流為：102三、最大整流電流IF四、最大反向工作電壓URM五、反向電流IR允許通過的最大正向平均電流。通常取U(BR)的一半，超過U(BR)容易發生反向擊穿。未擊穿時的反向電流。IR越小，單向導電性能越好。103六、最高工作頻率fM※

需要指出，手冊中給出的一般為典型值，需要時應通過實際測量得到準確值。工作頻率超過f

M時，二極管的單向導電性能變壞。1041-3-3晶體二極管模型由于二極管的非線性特性，當電路加入二極管時，便成為非線性電路。實際應用時可根據二極管的應用條件作合理近似，得到相應的等效電路，化為線性電路非線性近似線性105對電子線路進行分析(定量分析)時,電路中的實際器件必須用相應的電路模型來等效表示，這稱為：“建模”。計算機輔助分析計算要使用管子的模型。

一、二極管的大信號等效電路106圖1-16二極管特性的折線近似及電路模型硅管：UD(on)＝０.7V鍺管：UD(on)＝０.3ViA1uBUD(on)C0（a)折線近似特性U<UD(on)UUD(on)12UD(on)rD(on)（b)近似電路模型107圖1-16二極管特性的折線近似及電路模型iA′uBUD(on)C0（a)折線近似特性U<UD(on)UUD(on)12UD(on)（c)簡化電路模型108圖1-16二極管特性的折線近似及電路模型iA2uB0C0（a)折線近似特性U<0U012（d)理想電路模型109二極管大信號模型以上三種電路模型(近似、簡化、理想)均為二極管線形化模型。對不同電路模型可在不同需求時采用。

110一、二極管整流電路

把交流電轉變為直流電稱為“整流”。反之稱為“逆變”。整流交流電直流電逆變

1-3-4二極管基本應用電路111圖1-17二極管半波整流電路及波形tui0

uot0(b)輸入、輸出波形關系VRLuiuo(a)電路二極管近似為理想模型

思考：二極管近似為簡化模型的電路輸出？112uit010V0.7V113二、二極管限幅電路又稱為：“削波電路”。能夠把輸入電壓變化范圍加以限制，常用于波形變換和整形。114圖1-20二極管上限幅電路及波形(b)輸入、輸出波形關系t0

uo/V2.7-5t

ui/V0-55(a)電路E2VVRuiuo二極管近似為簡化模型115判別原則：ui-EUD(ON)

時,V導通，否則截止。①當u

i≥2.7V,V導通，uo=E+0.7=2.7V②當u

i<2.7V時,V截止，即開路，uo=u

i。即：116三、二極管電平選擇電路能夠從多路輸入信號中選出最低電平或最高電平的電路稱為電平選擇電路。117輸入數字量時為與邏輯。5V1181.穩壓二極管的正向特性、反向特性與普通二極管基本相同，區別僅在于反向擊穿時，特性曲線更加陡峭。2.穩壓管在反向擊穿后，能通過調節自身電流，實現穩定電壓的功能。電壓幾乎不變，為-UZ。即當一、穩壓二極管的特性1-3-5穩壓二極管及穩壓電路119圖1-21穩壓二極管及其特性曲線(a)電路符號i/mAu/VIZmax0-UZIZmin(b)伏安特性曲線120二、穩壓二極管主要參數穩壓電壓UZ額定功耗Pz穩定電流Iz動態電阻rz溫度系數121穩壓電壓UZ指管子長期穩定時的工作電壓值。122額定功耗Pz

與材料、結構、工藝有關。使用時不允許超過此值。123穩定電流Iz穩壓二極管正常工作時的參考電流。IZmin<IZ<IZmax,如果電流小于IZmin時，不能穩壓，大于IZmax時，容易燒壞管子。124動態電阻rz是在擊穿狀態下,管子兩端電壓變化量與電流變化量的比值。反映在特性曲線上，是工作點出切線斜率的倒數。一般為幾歐姆到幾十歐姆（越小越好）。125溫度系數指管子穩定電壓受溫度影響的程度。＞7V是正