共基電路的高頻響應

*考察晶體管電容C

b′e和C

b′c以及負載電容CL對高頻響應的影響;*與共射電路對比，共基電路輸入回路的時常數很小，

上限頻率很高。圖5―14共基電路高頻響應的討論(a)電路；(b)高頻交流通路1.C

b′e的影響:C

b′e直接接于輸入端，不存在密勒倍增效應。理論分析的結果fH1≈fT。

2.C

b′c及CL的影響Cb′c直接接到輸出端，也不存在密勒倍增效應。輸出端總電容為Cb′c+CL。此時，輸出回路時常數為RL’(Cb′c+CL)，輸出回路決定的fH2為共基極放大電路的高頻響應①高頻等效電路（b）高頻小信號等效電路②高頻響應列e點的KCL而所以電流增益為其中電壓增益為

其中

特征頻率忽略共基極放大電路的高頻響應共集電路的高頻響應共集電路如圖5―13(a)所示。與共射電路對比，共集電路的高頻響應比共射電路要好得多，即

f

H(CC)>>f

H(CE)。圖5―13共集電路高頻響應的討論(a)電路；(b)高頻交流通路及密勒等效1.Cb′c的影響由于共集電路集電極直接連接到電源UCC，所以Cb′c相當于接在內基極“b′”和“地”之間，不存在共射電路中的密勒倍增效應。因為Cb′c本身很小(零點幾～幾pF),只要源電阻Rs及rbb′較小，Cb′c對高頻響應的影響就很小。2.C

b′e的影響這是一個跨接在輸入端與輸出端的電容，利用密勒定理將其等效到輸入端,則密勒等效電容為

A′u為共集電路的電壓增益，是接近于1的正值，故Cμ<<C

b′e。---密勒定理I+Vi-+Vo-KK+Vi-+Vo-II12高頻等效模型的單向化

3.CL的影響只要源電阻Rs較小，工作點電流ICQ較大，則Ro可以做到很小。所以時常數RoCL很小，fH2很高。因此說共集電路有很強的承受容性負載的能力。共集極放大電路的頻率響應Usrbb’Rsrb’eCb’eCb’cUogmUb’eRL’b’三極管的頻率參數fβ和fTfT：頻率增大使|

|下降到0dB（|

|=1）時的 頻率，稱為特征頻率。00幾個上限頻率的比較的上限頻率特征頻率共基極上限頻率共發射極上限頻率共基極電路頻帶最寬，無密勒電容。Exit幾個上限頻率的比較共基極電路頻帶最寬，無密勒電容共基共射共集上限頻率3)在電路輸入端采用低阻節點（即RS小）。結論,共基電路頻率特性最好、共發最差。提高上限頻率的方法1）選rbb、Cbe、Cbc小、T高的三極管使fH2)采用恒壓源（RS

0）激勵：4)在電路輸出端也采用低阻節點（即RL小）5)改進集成工藝，通過提高管子特征頻率fT擴展fH。7)在放大電路中引入負反饋擴展上限頻率fH。6)利用組合電路擴展上限頻率fH。上限截止頻率電路中三極管的極間電容決定。例選擇正確答案填入空內。（1）測試放大電路輸出電壓幅值與相位的變化，可以得到它的頻率響應，條件是

。

A.輸入電壓幅值不變，改變頻率

B.輸入電壓頻率不變，改變幅值

C.輸入電壓的幅值與頻率同時變化（2）放大電路在高頻信號作用時放大倍數數值下降的原因是

，而低頻信號作用時放大倍數數值下降的原因是

。

A.耦合電容和旁路電容的存在

B.半導體管極間電容和分布電容的存在。

C.半導體管的非線性特性

D.放大電路的靜態工作點不合適

ABA例選擇正確答案填入空內。（3）當信號頻率等于放大電路的fL

或fH時，放大倍數的值約下降到中頻時的

。

A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍即增益下降

。

A.3dB

B.4dB C.5dB

（4）對于單管共射放大電路，當f＝

fL時，輸出與輸入相位關系是

。

A.＋45?

B.－90?C.－135?

當f＝

fH時，輸出與輸入的相位關系是

。

A.－45?B.－135?C.－225?BACC(5)全頻段放大倍數波特圖如果fL1＞fL2，可以畫出單級基本放大電路的波特圖，如圖所示。例子2：試分析如下電路的頻率特性RC=10-3

（分析步驟）解:(1)寫出電路的傳遞函數返回(2)根據傳遞函數畫出其頻率特性波特圖幅頻特性波特圖：1230-20-40-602012320dB/10倍頻相頻特性波特圖：0o-45o45o-90o90o123-45o/10倍頻90o90o0ofL1fL2考慮下限頻率時的附加相移0ofH考慮上限頻率時的附加相移-90o例子1：試分析如下電路的頻率特性RC=10-3（分析步驟）例題2解:(1)寫出電路的傳遞函數返回(2)根據傳遞函數畫出其頻率特性波特圖0-3-20-40-20dB/10倍頻0o-45o-90o-45o/10倍頻幅頻特性波特圖：相頻特性波特圖：高頻段上限截止頻率(4)全頻段總電壓放大倍數全頻段總電