標準解讀

GB/T 21039.1-2007 是一項中國國家標準，專注于半導體器件中的分立器件領域，特別是針對微波應用的二極管、晶體管以及微波場效應晶體管。這一標準的第4-1部分，具體規定了微波場效應晶體管（MESFETs、HEMTs等）的空白詳細規范，旨在為這些器件的設計、生產、測試及質量控制提供統一的技術要求和方法。

標準內容概覽：

  1. 范圍：明確了本部分標準適用的微波場效應晶體管類型，包括但不限于金屬半導體場效應晶體管（MESFET）、高電子遷移率晶體管（HEMT）等，用于微波頻率范圍內的信號放大或開關功能。

  2. 規范性引用文件：列出了執行該標準時需要參考的其他國家標準或國際標準文檔，這些文檔提供了基礎定義、測試方法等必要信息。

  3. 術語和定義：對標準中使用的專業術語給出清晰定義，確保讀者對關鍵概念有統一理解。

  4. 分類與命名：根據器件的結構、材料、工作頻率等特性進行分類，并規定了命名規則，便于識別和區分不同型號的微波場效應晶體管。

  5. 要求：詳細闡述了微波場效應晶體管在電氣性能（如最大輸出功率、噪聲系數、增益、輸入/輸出阻抗匹配等）、機械尺寸、工作環境條件（如溫度、濕度）等方面的具體要求。

  6. 測試方法：規定了如何對器件進行測試以驗證其是否滿足上述要求，包括測試環境、測試設備、測試程序等。

  7. 標志、包裝、運輸和貯存：指導制造商如何正確地標記產品、選擇合適的包裝材料與方式，以及在運輸和儲存過程中的注意事項，以保護器件免受損害。

重要性：

該標準的實施有助于確保微波場效應晶體管產品的互換性、可靠性和性能一致性，促進國內外貿易，同時也為用戶選擇和應用這些器件提供了科學依據。它不僅是半導體器件制造商遵循的技術準則，也是質量監督、檢驗機構進行產品認證的重要參考。


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  • 現行
  • 正在執行有效
  • 2007-06-29 頒布
  • 2007-11-01 實施
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GB/T 21039.1-2007半導體器件分立器件第4-1部分：微波二極管和晶體管微波場效應晶體管空白詳細規范_第1頁
GB/T 21039.1-2007半導體器件分立器件第4-1部分：微波二極管和晶體管微波場效應晶體管空白詳細規范_第2頁
GB/T 21039.1-2007半導體器件分立器件第4-1部分：微波二極管和晶體管微波場效應晶體管空白詳細規范_第3頁
GB/T 21039.1-2007半導體器件分立器件第4-1部分：微波二極管和晶體管微波場效應晶體管空白詳細規范_第4頁

文檔簡介

ICS31.080.30L41中華人民共和國國家標準GB/T21039.1-2007/IEC60747-4-1:2000半導體器件分立器件第4-1部分：微波二極管和晶體管微波場效應晶體管空白詳細規范Semiconductordevices-Discretedeyices-Part4-1：Microwavediodesandtransistors--Microwavefieldeffecttransistors-Blankdetailspecification（IEC60747-4-1:2000,IDT)2007-06-29發布2007-11-01實施中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布中國國家標準化管理委員會

GB/T21039.1-2007/IEC60747-4-1:2000前本部分是《半導體器件分立器件》系列國家標準之一。下面列出本系列已有的和正在制定的國家標準：-GB/T4589.1—2006《半導體器件第10部分：分立器件和集成電路總規范》;GGB/T12560—1999《半導體器件分立器件分規范》：GB/T17573-1998《半導體器件分立器件和集成電路第1部分：總則》；GB/T4023—1997《半導體器件分立器件和集成電路第2部分：整流二極管》：（B/T6571—1995《半導體器件分立器件第3部分：信號(包括開關)和調整二極管》：-GB/T20516—2006《半導體器件分立器件第4部分：微波器件》；GB/T21039.1—2007《半導體器件分立器件第4-1部分.微波二極管和晶體管微波場效應品體管空白詳細規范》；-GB/T15291—1994《半導體器件第6部分：品閘管》;-GB/T4587-1994《半導體器件→分立器件和集成電路第7部分：雙極型品體管》GB/T4586—1994《半導體器件分立器件第8部分：場效應品體管》：《半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極型品體管》。本部分等同采用IEC60747-4-1:2000《半導體器件分立器件第4-1部分：微波二極管和品體管微波場效應品體管空白詳細規范》英文版)。為了便于使用，本部分作了如下編輯性修改：a）用小數點"."代替作為小數點的迎號"."：刪除國際標準的前言；第7章訂貨資料“....3.7規定的質量評定類別·.."和".....3.6規定的篩選順序·..“原文中章條號編輯性錯誤,應為"...3.8規定的質量評定類別·..“和".....3.7規定的篩洗順序·...."：第第8章試驗條件和檢驗要求"…….引用或重新規定GB/T12560—1999中3.8的數伯。”原文中章條號編輯性錯誤,應為"……….引用或重新規定GB/T12560—1999中3.7的數值。"；（3分組檢驗要求極限中"》無損壞".原文編輯性錯誤;應為"無損壞"；e經比較本部分C8分組的引用標準IEC60747-8-1附錄1在內容上與本部分附錄A一致,因此本部分中C8分組的引用標準改為本部分附錄A。本部分中引用的國家標準對應等同采用的IEC標準是：國家標準編號IEC標準編號GB/T4589.1-2006TEC60747-10(1991GB/T20516-2006IEC60747-4（2001GB/T12560-1999TEC60747-11（1985)本部分中引用的國家標準及試驗方法號相對應等同采用的IEC標準中的試驗方法是：國家標準編號及方法號IEC標準試驗方法號GB/T4586-19944.2T071GB/T4586-19944.5T-O74T-072GB/T4587-19954.1.13.6T-044

GB/T21039.1-2007/IEC60747-4-1：2000本部分附錄A是規范性附錄本部分由中華人民共和國信息產業部提出。本部分由全國半導體分立器件標準化分技術委員會歸口本部分由中國電子技術標準化研究所本部分起草人：羅發明、劉春勛。

GB/T21039.1一2007/IEC60747-4-1:2000半導體器件分立器件第4-1部分：微波二極管和晶體管微波場效應晶體管空白詳細規范引言IEC電子元器件質量評定體系遵循IEC章程并在IEC授權下工作。該體系的目的是確定質量評定程序,以這種方式使一個參加國按有關規范要求放行的電子元器件無需進一步試驗而為其他所有參加國同樣接受。本空白詳細規范是半導體器件的一系列空白詳細規范之一,并應與下列國家標準一起使用GB/T4589.1—2006半導體器件第10部分：分立器件和集成電路總規范(IEC60747-10:1991.IDT)GB/T12560-1999半導體器件分立器件分規范(idtIEC60747-11:1996)要求的資料本頁及下頁方括號內的數字與下列各項要求的資料相對應,這些資料應填入相應欄中。詳細規范的識別口1」授權發布詳細規范的國家標準化機構名稱，C2詳細規范的IECQ編號。總規范和分規范的編號及版本號。【4詳細規范的國家編號、發布日期及國家標準體系要求的任何資料器件的識別L5器件的類型典型結構和應用資料。如果一種器件有幾種應用,則應在詳細規范中說明。這些應用的特性、極限值和檢驗要求均應予以滿足。如果器件是靜電敏感型或含有危險材料，如氧化皺,應在詳細規范中給出注意事項。口外形圖和（或）引用有關的外形標準C8質量評定類別。L9能能在器件型號之間比較的最重要特性的參考數據【在本規范中.方括號里給出的文字是用于指導詳細規范的編寫者，不應納入詳細規范中。「在本規范中,×"表示應在詳細規范中規定特性或額定值的值。【負責發布規范的國家代表機構(NAI)或團體的名稱(地IECQ詳細規范編號、版本號和（或）日期址）QC750115評定電子元器件質量的依據：總規范：GB/T4589.1-200

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