標準解讀

GB/T 15877-1995 是一項中國國家標準，全稱為《蝕刻型雙列封裝引線框架規范》。此標準主要規定了蝕刻工藝制成的雙列封裝（DIP, Dual In-line Package）引線框架的技術要求、試驗方法、檢驗規則以及標志、包裝、運輸和儲存要求，旨在確保此類封裝材料的質量與可靠性，適用于半導體器件的封裝制造過程。

標準內容概覽：

  1. 范圍：明確了標準適用的產品類型，即通過蝕刻技術加工而成，用于承載集成電路芯片并實現外部電氣連接的雙列封裝引線框架。

  2. 引用標準：列出了實施該標準時需要參考的其他相關國家標準或行業標準，這些標準通常涉及基礎材料性能、測試方法等。

  3. 術語和定義：對標準中使用的一些專業術語進行了界定，幫助讀者準確理解標準內容。

  4. 分類與標記：規定了引線框架的分類方法及產品標記規則，便于生產、檢驗及使用過程中對產品的識別與區分。

  5. 技術要求：

    • 材料：規定了制作引線框架所用材料的種類及其性能要求，如金屬材料的純度、機械強度等。
    • 尺寸和外形：詳細描述了引線框架的尺寸公差、引腳排列和間距、外形尺寸等指標。
    • 表面質量：包括表面光潔度、無缺陷要求等，以確保良好的焊接性和可靠性。
    • 電鍍層：針對有電鍍要求的部分，規定了鍍層材質、厚度及均勻性等要求。

  6. 試驗方法：介紹了如何進行尺寸測量、材料性能測試、表面質量檢查及電鍍層檢測的具體操作步驟和評判標準。

  7. 檢驗規則：包括出廠檢驗、型式檢驗的項目、抽樣方案及合格判定準則，確保產品符合標準要求。

  8. 標志、包裝、運輸和儲存：規定了產品包裝上應包含的信息、包裝方式、在運輸和儲存過程中的環境條件要求，以防止損傷或變質。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替
  • 1995-12-22 頒布
  • 1996-08-01 實施
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GB/T 15877-1995蝕刻型雙列封裝引線框架規范_第1頁
GB/T 15877-1995蝕刻型雙列封裝引線框架規范_第2頁
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文檔簡介

TC3..31.200L55中華人民共和國國家標準GB/T15877－1995蝕刻型雙列封裝引線框架規范SpecificationofDIPducedlbyetchingT1995-12-22發布1996-08-01實施國家技術監督局發布

中華人民共和國國家標準蝕刻型雙列封裝引線框架規范GB/T15877-1995SpecificationofDIPleadframesproducedbyetching主題內容與適用范圍主題內容本規范規定了半導體集成電路蝕刻型雙列封裝引線框架(以下簡稱引線框架)的技術要求及檢驗規1.2！適用范圍本規范適用于半導體集成電路塑料雙列封裝引線框架，其他封裝形式引線框架也可參照使用。2引用標準GB7092-93半導體集成電路外形尺寸GB/T14112—93半導體集成電路塑料雙列封裝沖制型引線框架規范GB/T14113-93半導體集成電路封裝術語SJ/Z9007-87計數檢套抽樣方案和程序術語、符號、代號本規范所用術語、符號和代號應按GB/T14113的規定技術要求4.1設計引線框架的外形尺寸應符合GB7092的有關規定，并符合引線框架設計的要求。4.1.1引線鍵合區的最小面積引線鍵合區應保證其寬度不小于0.2mm，長度不小于0.635mm，由于蝕刻工藝中的鉆蝕是難以避免的，并將產生端頭倒圓現象，因此在長度計量時應從距端部0.25mm處起進行計算，4.1.2金屬間的間隔引線框架各內引線之間，內引線與芯片粘接區之間的距離不小于0.15mm.4.2引線框架形狀和位置公差4.2.1引線框架的側彎應小于標稱條長的0.5%.4.2.2引線框架的卷曲應小于標稱條長的0.3%4.2.3引線框架的橫彎引線框架的最大橫彎尺寸應符

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