標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 15861-1995 離子束蝕刻機(jī)通用技術(shù)條件》這一標(biāo)準(zhǔn)文件規(guī)定了離子束蝕刻機(jī)應(yīng)滿足的基本技術(shù)要求、測(cè)試方法以及檢驗(yàn)規(guī)則,旨在確保設(shè)備的性能穩(wěn)定性和加工質(zhì)量的一致性。以下是該標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容的概述:
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范圍:明確了本標(biāo)準(zhǔn)適用的離子束蝕刻機(jī)類型,通常用于半導(dǎo)體、微電子、光學(xué)元件等領(lǐng)域中的材料精密加工,通過離子束轟擊實(shí)現(xiàn)材料表面的精確蝕刻。
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引用標(biāo)準(zhǔn):列出了實(shí)施本標(biāo)準(zhǔn)時(shí)需要參考的其他相關(guān)國家標(biāo)準(zhǔn)或行業(yè)規(guī)范,這些標(biāo)準(zhǔn)涉及電氣安全、機(jī)械安全、環(huán)境條件等方面的要求。
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術(shù)語和定義:對(duì)離子束蝕刻機(jī)相關(guān)的專業(yè)術(shù)語進(jìn)行了明確界定,便于讀者理解和執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容。
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分類與型號(hào):根據(jù)離子束能量、加工面積、設(shè)備結(jié)構(gòu)等特點(diǎn),對(duì)離子束蝕刻機(jī)進(jìn)行分類,并規(guī)定了型號(hào)命名規(guī)則,以便用戶根據(jù)需求選擇合適的機(jī)型。
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技術(shù)要求:
- 性能指標(biāo):包括離子束的能量范圍、束流穩(wěn)定性、加工精度、均勻性等關(guān)鍵參數(shù)的具體要求。
- 安全性:確保設(shè)備在操作、維護(hù)過程中的電氣安全、機(jī)械安全及防護(hù)措施達(dá)到國家相關(guān)安全標(biāo)準(zhǔn)。
- 環(huán)境適應(yīng)性:設(shè)備需能在規(guī)定的溫度、濕度、潔凈度等環(huán)境下正常工作,且對(duì)周圍環(huán)境的影響控制在允許范圍內(nèi)。
- 可靠性:規(guī)定了設(shè)備連續(xù)工作時(shí)間、故障率等指標(biāo),確保長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。
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試驗(yàn)方法:詳細(xì)說明了如何對(duì)離子束蝕刻機(jī)的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)進(jìn)行測(cè)試和驗(yàn)證,包括測(cè)試環(huán)境、測(cè)試設(shè)備、測(cè)試步驟和判定準(zhǔn)則。
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檢驗(yàn)規(guī)則:包括出廠檢驗(yàn)、型式檢驗(yàn)的項(xiàng)目、抽樣方案及合格判定標(biāo)準(zhǔn),確保每臺(tái)出廠設(shè)備均符合技術(shù)要求。
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標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存:對(duì)設(shè)備的標(biāo)識(shí)信息、包裝方式、運(yùn)輸條件及貯存環(huán)境提出了具體要求,以保護(hù)設(shè)備在流通和存放期間不受損害。
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- 被代替
- 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替,建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 15861-2012
- 1995-12-22 頒布
- 1996-08-01 實(shí)施


文檔簡(jiǎn)介
ICS31.200L97中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T15861-1995離子束蝕刻機(jī)通用技術(shù)條件GenericspecificationT0mbeametchingsystem1995-12-22發(fā)布1996-08-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)CB/T15861-1995離子束蝕刻機(jī)通用技術(shù)條件Genericspecificationofionbeametchingsystem主題內(nèi)容與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了離子束蝕刻機(jī)的術(shù)語、產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及包裝、運(yùn)輸、定存本標(biāo)準(zhǔn)適用于物理濺射腐蝕作用的通用離子柬蝕刻機(jī)。其它專用離子束蝕刻機(jī)亦可參照?qǐng)?zhí)行引用標(biāo)準(zhǔn)GB191包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志GB5080.7設(shè)備可靠性試驗(yàn)恒定失效率假定下的失效率與平均無故障時(shí)間的驗(yàn)證試驗(yàn)方案SJ142電子工業(yè)專用設(shè)備總技術(shù)要求SJ1224真空蒸發(fā)設(shè)備通用技術(shù)條件SJ/T10152集成電路主要工藝設(shè)備術(shù)語3術(shù)語3.1束能量beamenergy表征離子束中離子的動(dòng)能。單位以電子伏特(eV)計(jì)3.2柬流雷度beamcurrentdensity離子束某一指定截面上單位面積所通過的電流強(qiáng)度。3.3有效束徑effectivebeamdiameter杠到靶上的束流密度均勻性在土5%以內(nèi)的束直徑范圍3.4東流均勾性u(píng)niformityofbeamcurrent離子束某一指定截面上各等距測(cè)試點(diǎn)間束流密度變化的最大與最小值之差與其之和的比的百分3.5束流穩(wěn)定性stabilityofbeamcurrent定時(shí)間內(nèi)束流強(qiáng)度變化的均方根值與其平均值之比。3.6蝕刻均勾性etchuniformity被蝕刻材料表層不同點(diǎn)上的蝕刻速率的不一致性。3.7中和器neutralizer產(chǎn)生中和離子束中正電荷的電子發(fā)射源。4產(chǎn)品分類按加工工件置放方式分:立式離子束蝕
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