ICS77040

H21.

中華人民共和國國家標準

GB/T1550—2018

代替

GB/T1550—1997

非本征半導體材料導電類型測試方法

Testmethodsforconductivitytypeofextrinsicsemiconductingmaterials

2018-12-28發布2019-11-01實施

國家市場監督管理總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T1550—2018

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替非本征半導體材料導電類型測試方法與相比

GB/T1550—1997《》,GB/T1550—1997

主要技術變化如下

:

適用范圍修改為本標準適用于硅鍺非本征半導體材料導電類型的測試其他非本征半導體

———“、,

材料可參照本標準測試見第章年版的第章

”(1,19971);

增加了術語和定義見第章

———(3);

將原標準的修改為總則見年版的

———1.2~1.9“4.1”(4.1,19971.2~1.9);

修改了方法方法方法的適用范圍見年版的

———A、D1、D2(4.1.2、4.1.5、4.1.6,19971.3、1.6、1.7);

增加了方法表面光電壓法測試導電類型見

———E()(4.1.7、4.5、5.5、7.6、9.5);

增加了如果采用的測試步驟能夠獲得穩定的讀數和良好的靈敏度則表明試樣表

———“9.1~9.5,

面無沾污或氧化層如果讀數不穩定或靈敏度差則表明試樣表面已被沾污或有氧化層可采

。,,

用中的方法對試樣表面進行處理見

8.2。”(9.6);

增加了試驗結果的分析見第章

———(10)。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位樂山市產品質量監督檢驗所中國計量科學研究院廣州市昆德科技有限公司瑟

:、、、

米萊伯貿易上海有限公司浙江海納半導體有限公司新特能源股份有限公司江蘇中能硅業科技發

()、、、

展有限公司峨嵋半導體材料研究所洛陽中硅高科技有限公司中鍺科技有限公司云南冶金云芯硅材

、、、、

股份有限公司江西賽維太陽能高科技有限公司北京合能陽光新能源技術有限公司

、LDK、。

本標準主要起草人梁洪王瑩趙曉斌高英王昕王飛堯黃黎徐紅騫邱艷梅劉曉霞楊旭

:、、、、、、、、、、、

張園園劉新軍徐遠志程小娟潘金平肖宗杰

、、、、、。

本標準所代替標準的歷次版本發布情況為

:

———GB1550—1979、GB/T1550—1997;

———GB5256—1985。

Ⅰ

GB/T1550—2018

非本征半導體材料導電類型測試方法

1范圍

本標準規定了非本征半導體材料導電類型的測試方法

。

本標準適用于硅鍺非本征半導體材料導電類型的測試其他非本征半導體材料可參照本標準測

、,

試本標準方法能保證對均勻的同一導電類型的材料測得可靠結果對于導電類型不均勻的材料可在

。;,

其表面上測出不同導電類型區域

。

本標準不適用于分層結構材料如外延片導電類型的測試

()。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

硅單晶電阻率測定方法

GB/T1551

非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數測量方法

GB/T4326

半導體材料術語

GB/T14264

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

41總則

.

411本標準包括五種測試方法方法熱探針法方法冷探針法方法點接觸整流

..:A———;B———;C———

法方法全類型法包括方法全類型整流法方法全類型熱電勢法方法表

;D———,D1———,D2———;E———

面光電壓法

。

412方法適用于電阻率以下的型和型鍺材料及電阻率以下的型

..A:20Ω·cmNP1000Ω·cmN

和型硅材料

P。

413方法適用于電阻率以下的型和型鍺材料及電阻率以下的型

..B:20Ω·cmNP1000Ω·cmN

和型硅材料

P。

414方法適用于電阻率的型和型硅材料

..C:1Ω·cm~1000Ω·cmNP。

415方法適用于電阻率的型和型鍺材料及電阻率

..D1:1Ω·cm~36Ω·cm