犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜１３３８７—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１３３８７—１９９２

硅及其他電子材料晶片

參考面長度測量方法

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２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

書

犌犅／犜１３３８７—２００９

前言

本標準修改采用ＳＥＭＩＭＦ６７１０７０５《硅及其他電子材料晶片參考面長度測試方法》。

本標準與ＳＥＭＩＭＦ６７１０７０５相比主要有如下變化：

———標準編寫格式按ＧＢ／Ｔ１．１要求進行編寫；

———增加了前言內(nèi)容。

本標準代替ＧＢ／Ｔ１３３８７—１９９２《電子材料晶片參考面長度測試方法》。

本標準與ＧＢ／Ｔ１３３８７—１９９２相比主要有如下變化：

———細化了測量范圍的內(nèi)容，如該方法中涉及的公英制單位等；

———增加了該方法的局限性內(nèi)容；

———增加了部分術語，定義了測量中用到的偏移；

———增加了引用標準；

———將原標準中的試樣改為抽樣章節(jié)；

———將校準和測量分為兩章分別敘述；

———精密度采用了ＳＥＭＩＭＦ６７１０７０５中多個實驗室間的評價，并附有較詳細的說明。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。

本標準起草單位：有研半導體材料股份有限公司。

本標準主要起草人：杜娟、孫燕、盧立延。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１３３８７—１９９２。

Ⅰ

書

犌犅／犜１３３８７—２００９

硅及其他電子材料晶片

參考面長度測量方法

１目的

１．１基準面長度對于半導體加工過程中使用材料的適應性是一項重要的參數(shù)。

１．２晶片自動操作設備被廣泛應用于半導體制造業(yè)中，它們是通過晶片主參考面識別和定位獲得正確

的對準。

２范圍

２．１本標準涵蓋了對晶片邊緣平直部分長度的確認方法。

２．２本標準用于標稱圓形晶片邊緣平直部分長度小于等于６５ｍｍ的電學材料。本標準僅對硅片精度

進行確認，預期精度不因材料而改變。

２．３本標準適用于仲裁測量，當規(guī)定的限度要求高于用尺子和肉眼檢測能夠獲得的精度時，本標準也

可用于常規(guī)驗收測量。

２．４本標準與表面光潔度無關。

２．５任何直徑的晶片，包括７６．２ｍｍ和更小直徑的晶片，參考面長度單位應該使用公制為計量單位，

而英制單位的數(shù)值僅供參考。

２．６本標準不涉及安全問題，即使有也與標準的使用相聯(lián)系。標準使用前，建立合適的安全和保障措

施以及確定規(guī)章制度的應用范圍是標準使用者的責任。

３局限性

３．１切片后的一些工序如倒角和化學腐蝕都有可能降低參考面區(qū)域邊緣部分的清晰度。

３．２測微計測量時旋轉(zhuǎn)螺桿的倒退可能導致錯誤的讀數(shù)。

３．３測量期間樣品在投影儀顯示屏上圖像聚焦不清晰可能引入誤差。

３．４投影儀的光學系統(tǒng)有時可能存在圖像反轉(zhuǎn)功能，導致呈現(xiàn)的圖像與本標準所述狀態(tài)相反。

４規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＧＢ／Ｔ２８２８．１計數(shù)抽樣檢驗程序第１部分：按接收質(zhì)量限（ＡＱＬ）檢索的逐批檢驗抽樣計劃