半導(dǎo)體物理徐海濤2005-2006半導(dǎo)體中的電子能量狀態(tài)淺能級雜質(zhì)GroupIIIandV提供載流子深能級雜質(zhì)復(fù)合中心施主受主電子空穴Ec雜質(zhì)能帶：半導(dǎo)體物理半導(dǎo)體中的電子能量狀態(tài)缺陷能級半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級DefectTypeExamplesPointorZero-DimensionalDefectsVacancyDefectsInterstitialDefectsExtrinsicDefectsLineorOne-DimensionalDefectsStraightDislocations(edgeorscrew)DislocationLoopsAreaorTwo-DimensionalDefectsStackingFaultsTwinsGrainBoundariesVolumeorThree-DimensionalDefectsPrecipitatesVoids半導(dǎo)體物理半導(dǎo)體中的電子能量狀態(tài)半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級PointDefects半導(dǎo)體物理半導(dǎo)體中的電子能量狀態(tài)半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級點(diǎn)缺陷Frenkel缺陷：晶格中的一部分原子會獲得足夠的能量，擠入晶格原子間的間隙，形成間隙原子，原來的位置成為空位。Schottky缺陷：只在晶格中形成空位而無間隙原子。

晶體中空位比間隙原子多得多。(因為產(chǎn)生Schottky缺陷所需的能量較低）半導(dǎo)體物理半導(dǎo)體中的電子能量狀態(tài)空位：不飽和鍵，傾向于接受電子受主間隙原子：4個多余的價電子施主對于III-V族,

如GaAs，除了熱振動引起點(diǎn)缺陷外，還會由于Ga，As成分偏離正常的化學(xué)計量比（1:1），形成Ga，As空位。半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級

對GroupIV的半導(dǎo)體而言

對II-VI族化合物(MX)而言M空位或X間隙原子———受主X空位或M間隙原子———施主半導(dǎo)體物理半導(dǎo)體中的電子能量狀態(tài)線缺陷:位錯(dislocation)位錯：刃位錯(edgedislocation)和螺位錯(screwdislocation)位錯對半導(dǎo)體材料的影響可具有施主或受主作用使晶格發(fā)生畸變，改變禁帶寬度。半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級半導(dǎo)體物理半導(dǎo)體中的電子能量狀態(tài)位錯產(chǎn)生的一排多余原子是不飽和鍵，有一個不成對的電子若失去電子受主俘獲電子施主半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級深能級半導(dǎo)體物理半導(dǎo)體中的電子能量狀態(tài)半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級PhotoofaStackingFaultScrewdislocation半導(dǎo)體物理半導(dǎo)體中的電子能量狀態(tài)缺陷能級半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級DefectTypeExamplesPointorZero-DimensionalDefectsVacancyDefectsInterstitialDefectsFrenkelDefectsExtrinsicDefectsLineorOne-DimensionalDefectsStraightDislocations(edgeorscrew)DislocationLoopsAreaorTwo-DimensionalDefectsStackingFaultsTwinsGrainBoundariesVolumeorThree-DimensionalDefectsPrecipitatesVoids半導(dǎo)體物理半導(dǎo)體中的電子能量狀態(tài)Quiz

1.請指出以下這兩張圖的錯誤，并說出原因。半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級半導(dǎo)體物理半導(dǎo)體中的電子能量狀態(tài)2。請畫出Au在Si中的化學(xué)鍵示意圖，并指出Au+Au0Au-Au2-Au3-時的情況。3。請翻閱資料，指出Si中常見缺陷的在禁帶中的能級第二章半導(dǎo)體中的電子能量狀態(tài)半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)-->§1.1半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶-->§1.2半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動和有效質(zhì)量-->§1.3-1.4

回旋共振-->§1.5半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)-->§1.6-1.8半