晶瑞股份專題研究1

守正出奇的國內半導體材料領軍我們認為半導體新材料企業的競爭力來自于三個方面：獨家工藝或設備、穩定生產及穩固的卡位。復盤公司，經過二十余年投入，晶瑞股份成功研制出高純濃硫

酸、高純氨水及高純雙氧水的提純方法，同時不斷攻克光刻膠配方技術，成功打破

了國際壟斷，業已成為國內諸多半導體下游廠商材料主供應商之一。1.1

專注半導體領域新材料公司蘇州晶瑞化學股份有限公司是一家集研發、生產和銷售于一體的科技型新材料

公司，為國內外新興科技領域提供關鍵材料和技術服務。主要產品包括超凈高純試

劑、光刻膠、功能性材料、鋰電池材料等，廣泛應用于半導體、面板顯示、LED等泛

半導體領域及鋰電池、太陽能光伏等新能源行業。公司經過多年研發和積累，部分

超凈高純試劑達到國際最高純度等級（G5），打破了國外技術壟斷；光刻膠產品規模

化生產

24

年，達到國際中高級水準，是國內最早規模量產光刻膠的少數幾家企業之

一。公司實際控制人為羅培楠女士，通過新銀國際（BVI）持有晶瑞股份控股股東新

銀國際（香港）100%股權，通過內生+外延的發展方式，集團逐漸形成存量基礎業務、

并購賦能業務及新建業務和產能等三大架構。2020

年公司實現營業收入

4.03

億元，較去年同期上升

135.06%；營業成本

3.27

億元，較去年同期上升

159.43%；歸屬于上市公司股東的凈利潤

2303.03

萬元，比上年同期上升

441.19%；歸屬于上市公司股東的扣除非經常性損益的凈利潤

2092.32

萬元，比上年同期上升

2766.53%。營收增速迅猛的原因在于中國半導體材料行業國

產替代進程提速、新能源行業高速發展，下游客戶對產品需求旺盛，公司充分把握

行業發展機遇，完善產業鏈布局，積極開拓市場，同時隨著全球疫情影響修復，整

體經濟環境復蘇，公司各類銷售訂單量價齊升，營業收入較去年同期大幅增長。1.2

助力國內半導體行業技術獨立公司已經形成半導體+新能源雙輪驅動業務格局。為了打造電子級硫酸產業鏈，

公司正在投資建設年產9萬噸電子級硫酸改擴建項目，一期3萬噸產線主體已于2021

年

5

月已完成項目備案、環境影響評價批復等程序，未來將逐步改變中國目前半導

體級硫酸主要依賴進口的局面，同時有利于滿足未來持續增長的半導體市場需求。

公司在眉山投資建設

8.7

萬噸光電顯示、半導體用新材料項目，有利于企業維護和

拓展優質客戶，充分發揮公司產品市場競爭力，開拓西南地區市場，進一步擴大市

場份額。公司產品等級不斷提升，在中高端客戶市場的客戶儲備和開拓也取得一定突破。光刻膠及配套材料方面，根據

2020

年報顯示，公司生產的

i線光刻膠已向

合肥長鑫、士蘭微、揚杰科技、福順微電子等行業頭部公司供貨。公司在

2016

年與日本三菱化學株式會社在蘇州設立了

LCD用彩色光刻膠共同研究所，并于

2019

年開始批量生產供應顯示面板廠家。同時公司依托設立在公

司的國家CNAS實驗室及江蘇省集成電路精細化學品工程技術中心等研發平

臺，開發了系列配套材料用于光刻膠產品配套，為客戶提供了完善的技術

解決方案，并向半導體公司實現批量供貨。超凈高純試劑方面，高純雙氧水、高純氨水及在建的高純硫酸等品質已達

SEMI最高等級

G5

水準，金屬雜質含量均低于

10ppt，可基本解決高純化學

品這一大類芯片制造材料的本地化供應。2020

年報顯示已投產主導產品獲

得中芯國際、華虹宏力、長江存儲、士蘭微等國內知名半導體客戶的采購。

公司其他多種超凈高純試劑如

BOE、硝酸、鹽酸、氫氟酸等產品品質全面達

到

G3、G4

等級，可滿足平板顯示、LED、光伏太陽能等行業客戶需求。鋰電池材料方面，2020

年公司研發的

CMCLi粘結劑生產線順利落成，并實

現量產，規模達千噸級，實現了中國在該領域零的突破，打破了高端市場

被國外企業壟斷的格局。同年公司順利完成對載元派爾森的收購，一舉進

入三星環新的供應體系，其主要產品

NMP全年產銷兩旺，市場空間較大。2

打造半導體“過程材料”平臺型公司我們認為全球半導體“不對稱競爭”是引發中國半導體產業獨立性變革的根本

原因，也是持續動力。同時制造、封裝等工藝的創新已達極限，未來半導體行業將

由“過程材料”從分子層面進行支撐，“過程材料”即生產過程中被消耗掉的、不遺

留在產品中的輔助材料。晶瑞股份有望將憑借自身在高純試劑領域品種齊全、領先的提純技術等特點，

未來持續擴大濕化學品領域的市場。此外，鑒于當前半導體領域的風向標由光刻機

光源研發轉移至光刻膠的研發，晶瑞股份有望憑借技術先發及配方優勢繼續鞏固光

刻膠行業領軍者地位。2.1

半導體“過程材料”從分子層面支撐整個產業半導體產業鏈自上而下可以分為設計、制造及封裝測試等三個環節，半導體材

料主要應用在中游圓晶制造端。整個半導體產業鏈生產流程可以歸納為，設計公司

設計出集成電路，然后委托晶圓制造公司進行制造，最后再由封測廠商對集成電路

進行封裝測試。在制造和封裝的過程中，還會涉及到很多高精度的設備和高純度的

材料。半導體產業鏈的上游由為設計、制造和封測環節提供軟件及知識產權、硬件

設備、原材料等生產資料的核心產業組成。半導體產業鏈的中游可以分為半導體芯

片設計環節、制造環節和封裝測試環節。廣義的半導體材料是指半導體產業鏈中用到的各種材料，例如前端芯片制造用

大尺寸硅片，晶片拋光用拋光液和拋光墊，貫穿半導體各個工藝制程的電子特種氣

體，IC制作過程中用的光掩膜版、光刻膠等。典型的半導體材料是指電阻率在

10-3Ω·cm～108Ω·cm、導電能力介于導體和絕緣體之間的材料，主要包括半金屬、

元素半導體材料和化物半導體材料等。中國晶圓制造材料銷售額增速遠超封裝材料增速。從占比來看，2011

年中國晶

圓制造材料與封裝材料市場份額基本都在

50%左右，平分秋色。而到

2020

年中國晶

圓制造材料占比上升至63.11%，封裝材料下降至36.89%。從絕對數額來看，2016-2020年中國晶圓制造材料年均復合增速為

18.3%，封裝材料同期的復合增速為

9.18%，晶

圓制造材料的增速接近于封裝材料的兩倍，重要性日益提高。根據中商產業研究院數據，在半導體材料市場構成方面，大硅片占比最大，占

比為

32.9%。其次為氣體，占比為

14.1%，光掩膜排名第三，占比為

12.6%，其后分

別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學品、建設靶材，比分別為

7.2%、6.9%、6.1%、4%和

3%。我們認為未來，國內圓晶廠商擴建、技術革新增加用量、政策面推動、國家基

金支持及國產替代等五大因素將有力推動半導體“過程”材料市場的成長。產業轉移推動國內圓晶廠建設中國集成電路大部分依賴進口。目前中國根據海關統計，2020

年中國進口集成

電路

5435

億塊，同比增長

22.1%；進口金額

3500.4

億美元，同比增長

14.6%。2020

年中國集成電路出口

2598

億塊，同比增長

18.8%，出口金額

1166

億美元，同比增長

14.8%。半導體產業逐步東移，國產化進程加速。總體來看，半導體產業總共經歷了三

次大規模的產業轉移：第一次是

20

世紀

70-80

年代，由美國向日本轉移，日本借助家電產業和大型機

DRAM市場，實現了對美國的趕超；第二次在

20

世紀

80-90

年代，

由美國、日本向韓國和中國臺灣轉移，韓國借助

PC及移動通信發展成為

DRAM的主

要生產者，而中國臺灣則通過在晶圓代工、封裝測試領域的垂直分工奠定了半導體

代工領域的龍頭地位。第三次轉移逐步向中國大陸轉移，國產化替代已成為主旋律。中國大陸圓晶廠產量占比全球總產量逐年提升。ESIA將半導體產能歸一化為

200

毫米晶圓當量后的統計結果顯示，中國大陸圓晶廠產量從

1995

年占全球產量的

14.4%上升到

2020

年的

22.8%，同期歐洲從

9.4%下降到

7.2%。近五年，除中國大陸

以外的所有半導體產區的份額均出現下降。美國從

2015

年的

12.6%下降到了

2020

年的

10.6%，中國臺灣地區也從

2015

年的

18.8%略降到了

2020

年的

17.8%。中國大陸晶圓廠進入投產高峰期，持續驅動晶圓制造材料板塊發展。截止

2020

年第四季

度，12

英寸生產線投產的

26

條，合計裝機產能約

103

萬片，較

2019

年增長

15%，8

英寸生產線投產的

24

條，合計裝機產能約

117

萬片，較

2019

年增長

17%；2020

年

在建未完工、開工建設或簽約的

12

英寸生產線有

15

條，月規劃產能達

62

萬片；在

建未完工、開工建設或簽約的

8

英寸生產線有

7

條，月規劃產能達

26

萬片。技術迭代增加濕化學品用量，同時催生更多品類光刻膠高純試劑主要用來清洗芯片制造過程中的沾污，隨著制程工藝精細化發展，所

需的高純試劑量也隨之增加。芯片制造需要在無塵室中進行，如果在制造過程中，

有沾污現象，將影響芯片上器件的正常功能。據估計，80%的芯片電學失效都是由沾

污帶來的缺陷引起的。沾污雜質是指半導體制造過程中引入的任何危害芯片成品率

及電學性能的物質，具體的沾污包括顆粒、有機物、金屬和自然氧化層等，因而通

常采用高純酸堿及其混合溶液來進行清洗。一般來說，工藝越精細對于控污的要求越高，而且難度越大，隨著半導體芯片

工藝技術節點進入

28

納米、14

納米等更先進等級，工藝流程的延長且越趨復雜，產

線成品率也會隨之下降。造成這種現象的一個原因就是先進制程對雜質的敏感度更

高，小尺寸污染物的高效清洗更困難，解決的方法主要是增加清洗步驟。在

80-60nm制程中，清洗工藝大約

100

多個步驟，而到了

10nm制程，增至

200

多個清洗步驟。

因而也需要更多的濕化學品。隨著光刻技術的不斷深入發展，光刻膠的品類也在逐漸增加。從

1959

年被發

明以來，光刻膠就是半導體工業最核心的工業材料之一，

在大規模集成電路的制造

過程中，光刻和刻蝕技術是精細線路圖形加工中最重要的工藝，決定著芯片的最小

特征尺寸，占芯片制造時間的

40-50%，占制造成本的

30%。現代微電子（集成電路）

工業按照摩爾定律在不斷發展，即集成電路的集成度每

18

個月翻一番；芯片的特征

尺寸每

3

年縮小

2

倍，芯片面積增加

15

倍，芯片中的晶體管數增加約

4

倍，即每過

3

年便有一代新的集成電路產品問世。現在世界集成電路水平已由微米級（10μｍ）、

亞微米級（10～0.35μｍ）、深亞微米級（0.35μｍ以下）進入到納米級（90～65ｎ

ｍ）階段，對光刻膠分辨率等性能的要求不斷提高。因為光刻膠的可分辨線寬

δ＝

ｋλ／ＮＡ，因此縮短曝光波長和提高透鏡的開口數（Ｎ可提高光刻膠的分辨率）。光刻技術隨著集成電路的發展，光刻技術已經經歷了從紫外寬譜（300~450nm），G線(436nm)，Ｉ線（365nm），KrF（248nm），ARF（193nm）

F2（157nm），到

EUV（13.5nm）

階段，用于滿足世界集成電路更高密度的堆積和更先進的制程工藝。政策支持，相關利好政策推動產業發展。半導體材料行業作為支撐半導體發展的上游行業，近年來得到了國家一系列相

關政策的支持。為實現集成電路跨越式的發展，2014

年國務院發布國家集成電路

發展推進綱要，提出到

2020

年，集成電路產業與國際先進水平差距逐步縮小；到

2030

年，集成電路產業鏈主要環節達到國際先進水平，一批企業進入國際第一梯隊

的發展目標。2016

年以后，大量政策開始出臺，戰略性新興產業的加速發展，為我

國集成電路產業帶來強力支撐，體現了國家對半導體與集成電路產業發展高度重視。資金支持，大基金助力半導體材料行業發展。國家集成電路產業投資基金，主要為推進中國芯片產業的發展而設立。大基金

一期主要投資于半導體設計和制造領域，投資期為五年，累計投資約

60

家企業。大

基金二期主要投資方向為一期投資較少的半導體制造設備和半導體材料領域。二期

在資金規模上遠超一期，一二期資金協同配合以完成半導體產業鏈布局。國產替代迫在眉睫復盤日韓貿易沖突，光刻膠和高純試劑被列入日本對韓限制關鍵材料。2019

年

8

月，日本對韓國半導體產業進行出口管制，其中包含氟化聚酰亞胺、光刻膠、高純

氟化氫等三種半導體材料。韓國貿易協會數據顯示，日本企業生產的顯示器制造所

需的氟化多聚物和光刻膠，產量幾乎占到全球總供應的

100%；氟化氫占全球供應量

的近

70%。韓國從日本進口的大部分是關鍵材料和零部件，這些材料和零部件主要用

于生產韓國主要出口產品，此次與日本的貿易爭端直接沖擊了韓國屏幕、芯片生產

和半導體行業。面對制裁，韓國不斷投入以尋求自我突破或研發替代材料。為減少對日本的依

賴，韓國政府推出了一項綜合研發計劃，包括在未來七年內投入

64.8

億美元用于本

土材料、元器件等的研發，同時將投入

41.2

億美元提高關鍵工業材料的研發能力。氟化氫較快地實現了國產化，LG在

9

月便宣布使用韓國生產的氟化氫替代

了日本進口材料，Soulbrain和

SKMaterials緊隨其后，擴大了半導體氟

化氫的生產。除獨立生產外，韓國同時從中國大陸和中國臺灣省以及美國進口

以替代日本產品。2020

年，韓國從日進口氟化氫降至

93.8

億美元，是

17

年來首次低于

100

億美元，相較

2018

年

668.6

億美元的進口額下降了

86%。光刻膠方面，韓國的解決措施更多依賴于與日本公司的合作，通過合資企

業繞開日本政府的限制。TaiyoHoldings通過和其韓國子公司

TaiyoInk合營投資建設

EUV光刻膠產線，TOK和三星合資設立的

TOKAdvancedMaterials在韓生產

EUV光刻膠以供應三星需求，三星同時從

JSR在比利時

的合資企業進口光刻膠。此外，據韓國貿易、工業和能源部，韓國從美國

吸引了價值

3000

億美元的

EUV相關投資。2021

年

1~5

月，日本進口光刻膠

占比

85.2%，相較

2019

年同期的

91.9%，下降了

6.7

個百分點。整體上看，韓國的不利局面并沒有得到根本的扭轉。文在寅在

2021

年

7

月的一次講話中提出韓國關鍵工業材料的獨立獨立自主取得了重大進展，但韓國的去日化

依然遠未成功。韓國對日貿易逆差額依然居高不下，僅在

2019

年出現下降，此后反

而呈擴大態勢。據

KITA數據，2021

年

1~5

月期間韓國對日貿易逆差達到

102

億美元，

相較去年同期大幅度增長

34%，其中進口半導體設備金額相較去年同期增長

55%，高

端化學品進口額增長

12%。同時

KITA預測

2021

年韓國對日貿易逆差將超過

2020

年。中國半導體國產化率極低，以史為鑒，國產替代已迫在眉睫。根據中國電子工

業材料協會統計，全球微電子化學品市場主要被歐美、日本和亞太企業占據，目前

國際大型微電子化學廠商主要集中在歐洲、美國和日本等地區，主要包括日本的

TOK、

JSR、富士、信越化學、住友化學、，歐洲的

AZEM、

E.Merck和韓國的東進世美等。

隨著產業向中國轉移、美國對中國科技技術的打壓和配套產業鏈的完善，未來進口

替代是趨勢所向，其中大部分中低端產品已實現進口替代，國內企業已在光刻膠等

高端產品進口替代上取得突破，進口替代趨勢愈加明顯。2.2

超高/高純試劑已成為中堅力量公司超凈高純試劑主要應用在半導體產品生產過程。隨著公司年產

9

萬噸超大

規模集成電路用半導體級高純硫酸技改項目的實施，部分硫酸產能將由基礎化工行

業類別轉化為超凈高純試劑行業類別，公司產品將進一步朝著半導體材料領域傾斜。我們認為種類豐富、品質高及注重專利保護等三大因素助力公司脫穎而出。品類豐富可以滿足下游多樣化需求超凈高純試劑是控制顆粒和雜質含量的電子工業用化學試劑。按性質可劃分為：

酸類、堿類、有機溶劑類和其它類。晶瑞股份的超凈高純試劑多款產品達到

G4

等級，其中超凈高純雙氧水、超凈高

純硫酸、超凈高純氨水三大類產品已實現整體技術突破，達到

G5

等級，是國內唯一

一家同時供應硫酸、雙氧水、氨水三種高純試劑的企業，適用于

4

納米以上集成電

路加工工藝。公司目前已投產產品已獲得上海華虹、中芯國際、長江存儲、合肥長

鑫等知名半導體客戶的采購或認證。公司產品品質極高，硫酸、氨水及雙氧水均為G5

級別

集成電路集成度越高，對高純試劑顆粒控制的要求越嚴格。一般認為，產生集

成電路斷絲、短路等物理性故障的雜質大小為最小線寬的

1/4,產生腐蝕或漏電等化

學性故障的雜質大小為最小線寬的

1/10。隨著集成電路線寬尺寸減小，對專用化學

品中的金屬雜質、塵埃含量、塵埃粒徑等指標提出了更高的要求，對超凈高純試劑

的需求日益增加。晶瑞股份的超凈高純試劑品質行業領先。1975

年國際半導體設備和材料組織

(SEMI)制定了國際統一的超凈高純試劑標準，以對應不同線寬的集成電路應用。目

前中國大多數企業的工藝水平在

SEMIG1

至

G2

之間，較好的能達到

SEMIG3

級別，僅

有少數國內企業部分產品能達到

SEMIG4

及以上的等級。其中晶瑞股份的濃硫酸、氨

水及雙氧水等三項產品的提純技術已經能達到

SEMIG5

級別。公司注重專利申請以防止競爭者復刻通過多年創新，公司取得了一系列擁有自主知識產權并已經實現產業化的科研

成果。公司擁有江蘇省工程技術中心，江蘇省企業技術中心等省級研發平臺，擁有

國家

CNAS認證實驗室一個。近十年先后承擔了國家重大科技專項、863

計劃等一

大批國家科技項目。研發生產銷售微電子業用超純電子材料如電子級雙氧水、電子

級氨水、電子級硝酸等。2.3

半導體光刻膠有望成為未來支柱集成電路制造工藝繁多復雜，其中光刻、刻蝕和薄膜沉積是半導體制造三大核

心工藝。制造芯片的過程需要數十層光罩，集成電路制造主要是通過薄膜沉積、光

刻和刻蝕三大工藝循環，把所有光罩的圖形逐層轉移到晶圓上。其中薄膜沉積工藝

主要功效是在晶圓上沉積一層待處理的薄膜，光刻技術主要功效是把光罩上的圖形

轉移到光刻膠，刻蝕工藝主要功效是把光刻膠上圖形轉移到薄膜，最后去除光刻膠

后，就完成圖形從光罩到晶圓的轉移。光刻膠的質量決定著刻蝕的質量。光刻膠是利用光化學反應經光刻工藝將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上的圖形轉移介質，由成膜劑、光敏劑、

溶劑和添加劑等主要化學品

成分和其他助劑組成，被廣泛應用于光電信息產業的微

細圖形線路的加工制作，是微細加工技術的關鍵性材料。由于集成電路一般有十幾

層結構，每層結構加工則需要十幾個刻蝕步驟，只有每個刻蝕步驟的合格率均達到

99.99%，才能實現總體合格率

90%以上，因此高品質光刻膠的作用不言而喻。過去光刻膠品類隨著光刻機迭代而更新，而光刻機的迭代實質其實是光源的迭代更新。利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻

膠見光后會發生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。這就是光刻的作用，類似照相機照相。照相機拍攝的照片是印在

底片上，而光刻刻的不是照片，而是電路圖和其他電子元件。簡單點來說，光刻機

就是放大的單反，光刻機就是將光罩上的設計好集成電路圖形通過光線的曝光印到

光感材料上，形成圖形。過去的幾十年中，光刻的曝光波長已從汞燈的

436nm縮小到

356nm，進而到深

紫外波長

248nm的

KrF準分子激光，193nm的

ArF準分子激光和更短波長的

157nmF2

準分子激光。目前光源創新已達極致，未來光刻膠的研發將接棒光刻機的研發，占據推動整

個半導體行業的主導地位。根據瑞利公式，為了提高分辨率，獲得較窄的光刻線寬，

常用的方法有采用更短的曝光波長或更大的數值孔徑。然而，孔徑的增加會受到焦

深的限制。因此，提高分辨率的最直接辦法就是采用更短波長的光源。隨著特征尺寸的不斷變小，傳統的光學投影光刻已經達到了物理極限，要研發

相應的光刻設備所付出的技術和資金代價都十分高昂。目前正在研發的

EUV光源有

激光等離子體源（LPP）技術和放電等離子體源（DPP）技術等兩種光源。LPP技術是

采用高功率激光轟擊氙（Xe）或錫（Sn）等靶材產生等離子體，由等離子體釋放極

紫外光。DPP技術在放電氣體中加入脈沖高電壓，產生等離子釋放極紫外光。而

LPP技術被認為是

EUV光源的最佳候選者，主要是因為

LPPEUV光源發光區域小，發出

的極紫外輻射可以很好地收集，能達到大規模生產制造所需要的功率。而

DPPEUV光源功率還達不到要求。LPP技術的靶材由氙轉變為錫后，具有更高的轉換效率（CE）。

因而

LPPEUV光源是下一代光刻光源中最有希望的，進而繼

193

nm浸沒式光刻技術

后成為集成電路制造領域的主流光刻技術。我們認為種類豐富、配方能力及注重專利保護等兩大因素助力公司在光刻膠產業脫穎而出。品類豐富，能滿足下游多樣需求蘇州瑞紅

1993

年開始光刻膠生產，承擔并完成了國家

02

專項“i線光刻膠產品開發及產業化”項目。公司光刻膠產品序列齊全，產業化規模、盈利能力均處于行業領先水平，其中

i線光刻膠已向國內的知名大尺寸半導體廠商供貨，

KrF（248nm深紫外）光刻膠完成

中試，產品分辨率達到了

0.25～0.13μm的技術要求，建成了中試示范線。此外，公

司在

2016

年與日本三菱化學株式會社在蘇州設立了

LCD用彩色光刻膠共同研究所，

為三菱化學的彩色光刻膠在國內的檢測以及中國國內客戶評定檢測服務，并于

2019

年開始批量生產供應顯示面板廠家。公司于

2020

年下半年購買

ASML1900Gi型光刻

機設備，

ArF高端光刻膠研發工作正式啟動，旨在研發滿足

90-28nm芯片制程的ArF(193nm)光刻膠，滿足當前集成電路產業關鍵材料市場需求。配方工藝為最核心工藝公司生產的光刻膠對應的核心生產工藝為產品配方技術、超潔凈技術和質量控

制技術，其中配方技術為最核心工藝。公司擁有

100

級凈化灌裝線，生產人員在潔

凈環境下根據公司自主研發的產品配方對原材料進行配比溶解，經調整后，進行精

密過濾，最后灌裝形成光刻膠成品；同時，公司擁有國內一流的光刻膠檢測評價技

術，為了保證公司產品質量，在每一步工藝流程后均會對公司產品進行質量檢測分

析，以滿足客戶對光刻膠的分辨率、感光靈敏度等技術指標要求。以專利保護構建護城河公司具有悠久的光刻膠研發和生產歷史，具有較多的技術沉淀、應用經驗和市

場基礎，利于新品的研發和產品的推廣。公司生產工藝流程和設備完善、質量控制

體系完善。光刻膠配套材料包括緩沖蝕刻液、鋁蝕刻液、清洗液、顯影液、稀釋劑、

剝離液、硅蝕刻液等十幾個品種，產品廣泛應用于超大規模集成電路、液晶面板、

LED、觸摸屏、光伏電池、鋰電池等行業。2.4

對標信越夯實領軍者地位信越化學工業株式會社成立于

1926

年，于

1949

年在東京證券交易所上市，是

日本最大的化工企業。信越化學是全球半導體材料巨頭，在半導體硅、光掩膜等領

域占據了全球最大的市場份額。公司主要業務包括

PVC/聚氯乙烯、有機硅、特種化

學品、半導體硅和電子與功能性材料五個板塊。信越化學經營風格穩健，長期保持著超過

80%的凈資產比。十年來公司營業收入

和歸母凈利潤穩步上升。2020

財年（2020

年

4

月至

2021

年

3

月）受疫情影響，市

場形勢不佳，需求縮減，公司營收和歸母凈利潤出現小幅度下降，分別為

15435

億

日元（141.6

億美元）和

3140

億日元（28.8

億美元），同比下降

3%和

6%，證明公司

具有較強的風險應對能力。分業務板塊看，PVC/聚氯乙烯是公司最大的業務板塊，營業收入占比

31%。電子與

功能性材料板塊

2020

財年營業收入

2348

億日元，占比

16%。在各個板塊中，電子與功

能性材料的營業利潤率始終保持在較高的水平，并呈現出緩慢增長的趨勢，半導體硅的

營業利潤率近年來出現了較大幅度的增長，從

2017

年的

22%增長到了

2020

年的

39%。信越及晶瑞半導體材料品類眾多，且貼近下游客戶信越公司半導體材料種類豐富，涵蓋高品質硅片、光刻膠、切割拋光、樹脂密

封等等，完全覆蓋下游需求。信越光刻膠產品包括

SIPR、SEPR、SAIL等六個系列，

覆蓋了

i線、干式

ArF、浸沒式

ArF、KrF和

EUV，主要用于半導體制造和磁頭制造。

SIPR等

i線產品主要用于半導體、GaAs（砷化鎵）、薄膜磁頭（thin-filmmagneticheads）、MEMS（微機電系統）、凸塊制造（bump）等，KrF和

ArF產品用于半導體蝕

刻，此外，在前沿的微型化領域，公司也實現了多層光刻膠產品的量產。信越公司產地分布貼近下游圓晶廠，可以更及時服務客戶。信越光刻膠生產基

地布局在日本新潟縣和中國臺灣省云林縣。其中中國臺灣生產基地于

2018

年

11

月

設立，是信越在海外設立的首個光刻膠生產基地，該基地旨在利用中國臺灣作為主

要光刻膠需求地的區位優勢。2020

年

10

月，信越宣布投資

300

億日元（2.85

億美

元）擴張中國臺灣和日本的光刻膠產線，建設完成后中國臺灣工廠將增產

50%，并新

建

EUV光刻膠產能以滿足臺積電等客戶的需求，日本工廠將增產

20%。公司通過外延并購豐富產品類型，目前已形成高純半導體用試劑及光刻膠組合

拳產品。公司圍繞泛半導體材料和新能源材料兩個方向，通過并購行業優質資源來擴充自身實力。2017

年收購蘇州瑞紅股份，完成光刻膠業務布局；2017

年及

2019

年分階段收購電子級硫酸公司江蘇陽恒，一舉增強了公司濕化學品研制能力；2019

年發行股份及支付現金購買載元派爾森，完成鋰電池行業布局；2021

年收購晶之瑞

（蘇州）微電子科技有限公司，進一步豐富了自身的產品類型。未來，公司依然通過內生增長和外延并購，將公司打造成產品種類全、技術水

平高，具有國際競爭力的微電子化學品生產企業。晶瑞股份生產基地基本選在中國圓晶廠密集地區。中國的晶圓廠，熟悉半導體

的朋友都會有所了解，我們在大陸有大量的晶圓廠正在建設，分布在不同的區域，

華北、華南、華中都有，華東的數量是最多的。信越憑借半導體器件卡位半導體市場，晶瑞則憑借光刻膠率先研發實現卡位信越化學以半導體器件迅速切入半導體市場，完成卡位后快速導入光刻膠及高

純度硅片產品。信越集團于

1979

年便設立

S.E.H.

America公司，開始生產

IC掩膜

板用合成石英基板，隨后于

1984

年設立

S.E.H.

Europe（英國），并完成鉭酸鋰（LT）

產品的生產，隨后十余年內逐步開發出超高純氮化硼（PBN）成型產品、超小型光隔

離器及光掩膜防塵用保護罩、蒙版，成功打入了美國及韓國半導體產業鏈。隨后公司于

1998

年實現了光刻膠生產商業化，并成功導入韓國三星等企業中。

根據中國產業信息網數據，2020

年，信越化學在全球光刻膠市場占有約

13%的份額。

其中在目前光刻技術最前沿的

EUV光刻領域，信越化學是全球為數不多具備

EUV光

刻膠生產能力的企業之一，和

JSR共同占據了約

90%的市場份額。相比行業內其他公司，晶瑞股份子公司蘇州瑞紅為國內最早一批投入光刻膠研

發的企業。蘇州瑞紅

1993

年開始光刻膠的生產，是國內最早規模化生產光刻膠的

企業之一，承擔了國家重大科技項目

02

專項

“i線光刻膠產品開發及產業化”

項目，在國內率先實現目前集成電路芯片制造領域大量使用的核心光刻膠的量產，

可以實現

0.35μm的分辨率，在業內建立了較高技術聲譽。2021

年

6

月

22

日，晶

瑞股份在投資者互動平臺中表示，公司的KrF光刻膠完成中試，建成了中試示范線，

目前已進入客戶測試階段，達到0.15μm的分辨率，測試通過后即可進入量產階段，

滿足當前集成電路產業關鍵材料市場需求。縱觀行業其他公司，研發時間大多晚于

晶瑞股份，且相關配方已被公司申請專利保護，因而行業內其他公司的研制路徑及

方式必然存在不同。雖然該領域產品通過下游驗證后性能相似，但其配方及研制方

法均為各家企業獨創。信越及晶瑞均十分重視研發投入及專利保護信越十分重視知識產權，從

90

年代開始大量布局光刻膠相關專利，到

2011

年

左右達到頂峰。同時公司也注重在海外的專利布局，其在韓國、中國大陸、中國臺灣和美國都擁有大量的專利。通過早期大規模布局，公司得以鞏固其技術壁壘。晶瑞股份取得了一大批擁有自主知識產權并產業化的科研成果。2020

年公司研

發投入為

3384.7

萬元，穩定的研發投入及優秀的研發創新能力使公司擁有較強的技

術優勢和競爭實力，將持續為公司帶來穩定的經濟效益。截至

2020

年期末，公司及

下屬子公司共擁有專利

72

項，其中發明專利

45

項。2.5

面板和光伏制造精度的“半導體化”打開新篇章平板顯示工藝中，光刻的清洗和蝕刻環節需要大量超凈高純試劑，顯影和剝離

環節中需要顯影液、剝離液等功能性材料，光刻膠也是制作

TFT-LCD關鍵器件彩色

濾光片的核心材料，約占

TFT-LCD總成本的

4%。目前，國內超凈高純試劑以及功

能性材料的技術儲備已經基本達到平板顯示市場要求，隨著國內平板顯示行業的增

長以及微電子化學產業技術的進步，超凈高純試劑及光刻膠市場需求將進一步增大。濕化學品方面，濕電子化學品發揮顯影、光刻和清洗功效。濕電子化學品在液

晶顯示器（LCD）

生產過程中，主要用于面板制造中基板上顆粒和有機物的清洗、光刻膠的顯影

和去除、電極的刻蝕等，濕化學品中所含的金屬離子和個別塵埃顆粒，

都會讓

面板產生極大缺陷，所以工藝化學品的純度和潔凈度對平板顯示器的成品率

有

著十分重要的影響。隨著中國政策的扶持和龍頭企業十幾年來的建設發展，國內

高世代線紛紛建成投產，顯示產業已經由日韓向中國轉移，中國在全球平板顯示產

業中的地位逐步穩固，根據賽迪顧問數據，2020

年中國

LCD產能占全球產能的

50%，

穩居全球第一，OLED領域產能也在不斷釋放，未來增長可期。從全球

TFT-LCD產業格局來看，韓國、中國臺灣、日本是全球主要的

TFT-LCD生產地，中國大陸

TFT-LCD產業正在快速崛起。隨著中國高世代線的加快建設，中

國大陸在全球平板顯示產業中的地位將會快速提升。液晶面板產業為國家重點戰略

扶持產業，近年來得到高速發展，國內龍頭面板企業已經建設了全球領先的高世代

液晶面板生產線。根據中國電子材料行業協會的統計數據，

2020

年中國大陸

LCD面板、

OLED面板產能分別達

1.69

億平米、1509

萬平米。按照

80%的產能利用率，

測算

2020

年

LCD、

OLED面板制造對微電子化學品的需求量分別達

42

萬噸、27

萬噸，行業總需求為

69

萬噸，2014-2020

年復合增長率為

28.15%，預計未來三年

將保持

25%以上的增速。光刻膠方面，根據法國知名調研機構-Reportlinker于

2020

年

7

月公布的數據

顯示，2019

年，全球光刻膠在面板顯示(LCD)領域的應用占比最大，約

27.8%;而在

PCB和半導體領域的應用比例分別為

23%和

21.9%。根據前瞻產業研究院數據，2020

年，全球光刻膠整體市場規模約

87

億美元。據

Reportlinker機構的預測數據顯示，

2019-2026

年全球光刻膠市場的復合年增長率為

6.3%，前瞻據此以

6%左右的增速測

算，至

2026

年，全球光刻膠行業市場規模將突破

120

億美元，面板光刻膠市場規模

將達

27

億美元。光伏電池是通過光電效應將光能轉化成電能的裝置。按照基體材質的不同，太

陽能電池可分為晶體硅太陽能電池和薄膜太陽能電池。以高純度硅材料作為主要原

料的晶體硅太陽能電池一直是市場主流產品，占據著光伏發電市場的優勢地位。公司產品超凈高純試劑、功能性材料主要應用于上游多晶硅、單晶硅、硅片以

及中游的電池片制造工藝中清洗、蝕刻等環節。近年來，受歐洲市場對光伏電池的

需求拉動，中國光伏太陽能電池制造主要用于向境外出口。經過多年快速發展，我

國目前已成為全球最大的晶體硅太陽能電池生產國之一。太陽能發展“十三五”規

劃中明確提出，到

2020

年底，太陽能發電裝機達到

1.1

億千瓦以上，其中，光伏

發電裝機達到

1.05

億千瓦以上，在“十二五”基礎上每年保持穩定的發展規模;太

陽能熱發電裝機達到

500

萬千瓦。太陽能熱利用集熱面積達到

8

億平方米。到

2020

年，太陽能年利用量達到

1.4

億噸標準煤以上。由此可見，光伏發電仍將是中國電

力生產行業重點發展方向。太陽能利用規模的擴大會帶動太陽能電池需求的增長。

自

531

新政發布以來，光伏產業鏈各環節價格已降低了

30%-40%，光伏平價上網加速

推進中。同時