泓域咨詢/電子氣體項目可研報告

電子氣體項目可研報告xxx（集團）有限公司

目錄第一章行業、市場分析 9一、靶材 9二、陶瓷基板 11三、電子氣體 12第二章項目建設單位說明 17一、公司基本信息 17二、公司簡介 17三、公司競爭優勢 18四、公司主要財務數據 20公司合并資產負債表主要數據 20公司合并利潤表主要數據 20五、核心人員介紹 21六、經營宗旨 22七、公司發展規劃 22第三章項目緒論 25一、項目概述 25二、項目提出的理由 27三、項目總投資及資金構成 28四、資金籌措方案 28五、項目預期經濟效益規劃目標 29六、項目建設進度規劃 29七、環境影響 29八、報告編制依據和原則 29九、研究范圍 31十、研究結論 32十一、主要經濟指標一覽表 32主要經濟指標一覽表 33第四章項目背景分析 35一、硅片 35二、引線框架 40三、半導體材料 44四、加快城鄉融合發展，全面提升城市能級 46五、推動全方位雙向開放，塑造開放合作新優勢 47六、項目實施的必要性 48第五章選址可行性分析 50一、項目選址原則 50二、建設區基本情況 50三、項目選址綜合評價 56第六章產品方案 57一、建設規模及主要建設內容 57二、產品規劃方案及生產綱領 57產品規劃方案一覽表 57第七章建筑工程說明 61一、項目工程設計總體要求 61二、建設方案 61三、建筑工程建設指標 64建筑工程投資一覽表 65第八章發展規劃 66一、公司發展規劃 66二、保障措施 67第九章法人治理結構 70一、股東權利及義務 70二、董事 73三、高級管理人員 78四、監事 81第十章組織機構管理 84一、人力資源配置 84勞動定員一覽表 84二、員工技能培訓 84第十一章項目規劃進度 87一、項目進度安排 87項目實施進度計劃一覽表 87二、項目實施保障措施 88第十二章環境保護分析 89一、環境保護綜述 89二、建設期大氣環境影響分析 90三、建設期水環境影響分析 93四、建設期固體廢棄物環境影響分析 93五、建設期聲環境影響分析 94六、環境影響綜合評價 95第十三章原輔材料供應及成品管理 96一、項目建設期原輔材料供應情況 96二、項目運營期原輔材料供應及質量管理 96第十四章勞動安全生產分析 97一、編制依據 97二、防范措施 98三、預期效果評價 104第十五章項目投資分析 105一、投資估算的依據和說明 105二、建設投資估算 106建設投資估算表 110三、建設期利息 110建設期利息估算表 110固定資產投資估算表 111四、流動資金 112流動資金估算表 113五、項目總投資 114總投資及構成一覽表 114六、資金籌措與投資計劃 115項目投資計劃與資金籌措一覽表 115第十六章項目經濟效益 117一、經濟評價財務測算 117營業收入、稅金及附加和增值稅估算表 117綜合總成本費用估算表 118固定資產折舊費估算表 119無形資產和其他資產攤銷估算表 120利潤及利潤分配表 121二、項目盈利能力分析 122項目投資現金流量表 124三、償債能力分析 125借款還本付息計劃表 126第十七章項目招標、投標分析 128一、項目招標依據 128二、項目招標范圍 128三、招標要求 129四、招標組織方式 129五、招標信息發布 133第十八章風險防范 134一、項目風險分析 134二、項目風險對策 136第十九章項目總結分析 139第二十章附表附錄 141主要經濟指標一覽表 141建設投資估算表 142建設期利息估算表 143固定資產投資估算表 144流動資金估算表 144總投資及構成一覽表 145項目投資計劃與資金籌措一覽表 146營業收入、稅金及附加和增值稅估算表 147綜合總成本費用估算表 148利潤及利潤分配表 149項目投資現金流量表 150借款還本付息計劃表 151報告說明掩膜版（Photomask），又稱光罩、光掩膜、光刻掩膜版、掩模版等，是下游產品制造過程中圖形“底片”轉移用的高精密工具，是承載圖形設計和工藝技術等知識產權信息的載體。光掩模是用于集成電路制造工序的重要器件，通過制作光掩膜底板、繪圖、顯影、蝕刻以及去除光致抗蝕劑等步驟，便成功制成掩膜版。根據謹慎財務估算，項目總投資24628.86萬元，其中：建設投資18846.58萬元，占項目總投資的76.52%；建設期利息206.51萬元，占項目總投資的0.84%；流動資金5575.77萬元，占項目總投資的22.64%。項目正常運營每年營業收入47100.00萬元，綜合總成本費用37964.69萬元，凈利潤6683.90萬元，財務內部收益率20.24%，財務凈現值10235.15萬元，全部投資回收期5.72年。本期項目具有較強的財務盈利能力，其財務凈現值良好，投資回收期合理。本期項目技術上可行、經濟上合理，投資方向正確，資本結構合理，技術方案設計優良。本期項目的投資建設和實施無論是經濟效益、社會效益等方面都是積極可行的。本報告為模板參考范文，不作為投資建議，僅供參考。報告產業背景、市場分析、技術方案、風險評估等內容基于公開信息；項目建設方案、投資估算、經濟效益分析等內容基于行業研究模型。本報告可用于學習交流或模板參考應用。行業、市場分析靶材PVD技術是制備薄膜材料的主要技術之一，指在真空條件下采用物理方法，將某種物質表面氣化成氣態原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體（或等離子體）過程，在基板材料表面沉積具有某種特殊功能的薄膜材料的技術。PVD技術已成為目前主流鍍膜方法，主要包括濺射鍍膜和真空蒸發鍍膜。用于制備薄膜材料的物質，統稱為PVD鍍膜材料。濺射鍍膜是指利用離子源產生的離子，在真空中經過加速聚集，而形成高速度的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基板材料表面的技術。被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜材料的原材料，稱為濺射靶材。濺射靶材主要由靶坯、背板（或背管）等部分構成，靶坯是高速離子束流轟擊的目標材料，屬于濺射靶材的核心部分。濺射鍍膜工藝可重復性好、膜厚可控制，可在大面積基板材料上獲得厚度均勻的薄膜，所制備的薄膜具有純度高、致密性好、與基板材料的結合力強等優點，已成為制備薄膜材料的主要技術之一，各種類型的濺射薄膜材料已得到廣泛的應用，濺射靶材是目前市場應用量最大的PVD鍍膜材料。真空蒸發鍍膜是指在真空條件下，利用膜材加熱裝置（稱為蒸發源）的熱能，通過加熱蒸發某種物質使其沉積在基板材料表面的一種沉積技術。被蒸發的物質是用真空蒸發鍍膜法沉積薄膜材料的原材料，稱之為蒸鍍材料。真空蒸發鍍膜技術具有簡單便利、操作方便、成膜速度快等特點，主要應用于小尺寸基板材料的鍍膜。以金屬靶材為例，高純濺射靶材產業鏈上游為金屬提純，包括原材料和生產設備，其中高純金屬原材料生產成本可占到靶材生產成本的大約80%，國外廠商包括斯塔克、住友化學、霍尼韋爾、大阪鈦業等，中國廠商包括東方鉭業、寧波創潤、紫金礦業等；生產設備包括靶材冷軋系統、等離子噴涂設備、熱處理爐等30多種。中游為高純濺射靶材制備，國外廠商主要有日礦金屬、霍尼韋爾、東曹、普萊克斯等，中國廠商主要有江豐電子、有研新材（有研億金）、阿石創等。在濺射鍍膜過程中，濺射靶材需要安裝在機臺中完成濺射反應，濺射機臺專用性強、精密度高，市場長期被美國、日本公司壟斷，主要廠商包括美國AMAT（應用材料）、日本ULVAC（愛發科）、日本ANELVA、美國Varian（瓦里安）等。下游應用主要包括半導體（占比20%）、平板顯示（占比30%）、太陽能電池（占比18%）等，主要廠商有臺積電、聯電、SK海力士、中芯國際、華虹半導體、三星電子、LGDisplay、京東方、華星光電、SunPower（太陽能源）、天合光能等。陶瓷基板隨著功率電子產品技術進步，散熱問題已成為制約其向著大功率與輕型化方向發展的瓶頸。陶瓷基板作為新興的散熱材料，具有優良電絕緣性能，高導熱特性，導熱性與絕緣性都優于金屬基板，更適合功率電子產品封裝，已成為大功率電力電子電路結構技術和互連技術的基礎材料，廣泛應用于LED、汽車電子、航天航空及軍用電子組件、激光等工業電子領域。對于陶瓷基板，需要通過其實現電氣連接，因此金屬化對陶瓷基板的制作而言是至關重要的一環，根據制備工藝及金屬化方法不同，現階段常見的陶瓷基板種類共有HTCC、LTCC、DPC、DBC和AMB等。HTCC（HighTemperatureCo-firedCeramic，高溫共燒陶瓷）：屬于較早發展的技術，是采用陶瓷與高熔點的W、Mo等金屬圖案進行共燒獲得的多層陶瓷基板。但由于燒結溫度較高使其電極材料的選擇受限，且制作成本相對昂，促使了LTCC的發展；LTCC（LowTemperatureCo-firedCeramic，低溫共燒陶瓷）：LTCC技術共燒溫度降至約850℃，通過將多個印有金屬圖案的陶瓷膜片堆疊共燒，實現電路在三維空間布線；DPC（DirectPlatingCopper，直接鍍銅）：是在陶瓷薄膜工藝加工基礎上發展起來的陶瓷電路加工工藝。以陶瓷作為線路的基板，采用濺鍍工藝于基板表面復合金屬層，并以電鍍和光刻工藝形成電路；DBC（DirectBondedCopper，直接覆銅）：通過熱熔式粘合法，在高溫下將銅箔直接燒結到Al2O3和AlN陶瓷表面而制成復合基板；AMB（ActiveMetalBrazing，活性金屬釬焊）：AMB是在DBC技術的基礎上發展而來的，在800℃左右的高溫下，含有活性元素Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金屬的界面潤濕并反應，從而實現陶瓷與金屬異質鍵合。與傳統產品相比，AMB陶瓷基板是靠陶瓷與活性金屬焊膏在高溫下進行化學反應來實現結合，因此其結合強度更高，可靠性更好，極適用于連接器或對電流承載大、散熱要求高的場景。常用電子封裝陶瓷基片材料包括氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)、氧化鈹(BeO)、氮化硼（BN）等。Al2O3和AlN綜合性能較好，分別在低端和高端陶瓷基板市場占據主流，而Si3N4基板由于綜合性能突出，在高功率、大溫變電力電子器件(如IGBT)封裝領域發揮重要作用。從目前市場綜合價格和產品性能來看，Al2O3和AlN是最常見的兩種基板。雖然AlN的價格是Al2O3的4倍左右，但由于其高導熱性和更好的散熱性能，AlN是目前最常用的基板，其次是Al2O3。電子氣體工業中，把常溫常壓下呈氣態的產品統稱為工業氣體產品，工業氣體是現代工業的基礎原材料，在國民經濟中有著重要地位和作用，廣泛應用于冶金、化工、醫療、食品、機械、軍工等傳統行業，以及半導體、液晶面板、LED、光伏、新能源、生物醫藥、新材料等新興產業，對國民經濟的發展有著戰略性的支持作用，因此被喻為“工業的血液”。工業氣體產品種類繁多，分類方式多樣。按化學性質不同可以分為劇毒氣體（如氯氣、氨氣等）、易燃氣體（如氫氣、乙炔等）、不燃氣體（如氧氣、氮氣和氬氣等）。按組分不同可以分為工業純氣和工業混合氣。按制備方式和應用領域的不同，工業氣體可分為大宗氣體和特種氣體。大宗氣體又分為空分氣體與合成氣體，此類氣體產銷量較大，但一般對氣體純度要求不高，主要用于冶金、化工、機械、電力、造船等傳統領域；特種氣體指在部分特定領域應用的氣體產品，根據純度和用途又可以細分為標準氣體、高純氣體和電子特種氣體。特種氣體雖然產銷量小，但是種類繁多，對氣體純度、雜質含量等指標有較高要求，屬于高技術、高附加值的產品，下游主要應用于集成電路、液晶面板、LED、光伏、生物醫藥、新能源等新興產業。從整個工業氣體市場的產銷量來看，空分氣體應用領域最廣泛、使用量最大，占工業氣體的約90%，其余的部分為合成氣體和特種氣體。大宗氣體中，空分氣體主要通過分離空氣制取，主要有氧氣、氮氣、氬氣等，是空氣的主要成分，在空氣中的體積占比一般為20.95%、78.08%、0.93%；合成氣體主要有乙炔、氨氣、二氧化碳，這些氣體的制備方法與空分氣體截然不同，應用領域也有較大差別。大宗氣體純度要求≤4N（99.99%）。特種氣體中，標準氣體主要有單元/二元/三元/多元標氣；高純氣體主要有氧氣、氮氣、氫氣、氬氣、二氧化碳等；電子特氣主要有氫化物、氟化物、鹵素氣體以及其他特種氣體等，現有單元特種氣體已超過260種。特種氣體純度要求≥5N（99.999%），電子特氣純度要求一般>6N（99.9999%）。工業氣體產業鏈方面，上游包括原料及設備，空分氣體的原料主要為空氣或者工業廢氣，成本較低，合成氣體的原料主要為化學產品，成本較高；特種氣體的原料主要為外購的工業氣體和化學原材料，成本高。設備分為氣體生產設備、氣體儲存設備和氣體運輸設備，氣體生產設備主要有空分設備和氣體提純設備，氣體儲存設備主要有鋼瓶和儲槽，氣體運輸設備主要有用液化氣槽車和管道。中游為大宗氣體和特種氣體的制造、運輸和儲存，下游應用領域包括傳統行業與新興行業。根據供應模式的不同，工業氣體行業的經營模式可以分為零售供氣和現場制氣。零售供氣又分為瓶裝運輸和儲槽運輸。對于瓶裝運輸，特種氣體由于單位價值較高，基本無運輸半徑限制，大宗氣體運輸半徑在50km左右，使用量較小，主要用于醫療、科研領域，比如醫院、公共衛生、技術研發等；對于儲槽運輸，運輸半徑亦有所擴大，一般為200km左右，使用量適中，主要用于制造業，比如汽車、造船、食品加工、半導體、太陽能、平板顯示等?，F場制氣是在客戶端建造現場制氣裝置，并通過管網供應氣體，使用量較大，主要用于工業領域，比如鋼鐵、煉油、石化行業等。受益于工業化進程推動，全球及中國工業氣體市場規模穩步提升。根據億渡數據，全球工業氣體市場規模2021年為9432億元，預計2022年將達到10238億元，2026年將達到13299億元。中國工業氣體行業在20世紀80年代末期已初具規模，到90年代后期開始快速發展，2021年為1798億元，預計2022年將達到1964億元，2026年將達到2842億元。全球工業氣體市場目前已經形成寡頭壟斷的局面，工業氣體市場在歐美日步入后工業化時代后逐步興起，經過多年以來的發展及并購整合，目前已形成德國林德和法國液化空氣為第一梯隊，美國空氣化工、日本大陽日酸和德國梅塞爾為第二梯隊的全球市場格局。全球工業氣體CR4近年來基本維持在50%以上。工業氣體的經營模式可分為自建裝置供氣與外包供氣，其中外包供氣又分為液態氣體、管道氣體和瓶裝氣體三種供氣模式。傳統上大型鋼鐵冶煉、化工企業選擇自行建造空氣分離裝置，從而滿足自身氣體需求。但是由于空分設備的實際產量與企業用氣需求存在一定差異，再加之供氣不穩定的影響，導致企業設備綜合利用率較低，當期無法消耗的產品多被放空，造成資源浪費現象突出；對于數目眾多、用氣規模較小的中小型工業用戶而言，目前則主要改為采用外包給專業氣體生產企業供氣這種更經濟的模式。發達國家供氣外包比例為80%，自建比例為20%，中國2021年外包比例為65%，與發達國家相比外包占比仍有待提升。項目建設單位說明公司基本信息1、公司名稱：xxx（集團）有限公司2、法定代表人：黎xx3、注冊資本：1400萬元4、統一社會信用代碼：xxxxxxxxxxxxx5、登記機關：xxx市場監督管理局6、成立日期：2014-8-27、營業期限：2014-8-2至無固定期限8、注冊地址：xx市xx區xx9、經營范圍：從事電子氣體相關業務（企業依法自主選擇經營項目，開展經營活動；依法須經批準的項目，經相關部門批準后依批準的內容開展經營活動；不得從事本市產業政策禁止和限制類項目的經營活動。）公司簡介展望未來，公司將圍繞企業發展目標的實現，在“夢想、責任、忠誠、一流”核心價值觀的指引下，圍繞業務體系、管控體系和人才隊伍體系重塑，推動體制機制改革和管理及業務模式的創新，加強團隊能力建設，提升核心競爭力，努力把公司打造成為國內一流的供應鏈管理平臺。經過多年的發展，公司擁有雄厚的技術實力，豐富的生產經營管理經驗和可靠的產品質量保證體系，綜合實力進一步增強。公司將繼續提升供應鏈構建與管理、新技術新工藝新材料應用研發。集團成立至今，始終堅持以人為本、質量第一、自主創新、持續改進，以技術領先求發展的方針。公司競爭優勢（一）工藝技術優勢公司一直注重技術進步和工藝創新，通過引入國際先進的設備，不斷加大自主技術研發和工藝改進力度，形成較強的工藝技術優勢。公司根據客戶受托產品的品種和特點，制定相應的工藝技術參數，以滿足客戶需求，已經積累了豐富的工藝技術。經過多年的技術改造和工藝研發，公司已經建立了豐富完整的產品生產線，配備了行業先進的設備，形成了門類齊全、品種豐富的工藝，可為客戶提供一體化綜合服務。（二）節能環保和清潔生產優勢公司圍繞清潔生產、綠色環保的生產理念，依托科技創新，注重從產品結構和工藝技術的優化來減少三廢排放，實現污染的源頭和過程控制，通過引進智能化設備和采用自動化管理系統保障清潔生產，提高三廢末端治理水平，保障環境績效。經過持續加大環保投入，公司已在節能減排和清潔生產方面形成了較為明顯的競爭優勢。（三）智能生產優勢近年來，公司著重打造“智慧工廠”，通過建立生產信息化管理系統和自動輸送系統，將企業的決策管理層、生產執行層和設備運作層進行有機整合，搭建完整的現代化生產平臺，智能系統的建設有利于公司的訂單管理和工藝流程的優化，在確保滿足客戶的各類功能性需求的同時縮短了產品交付期，提高了公司的競爭力，增強了對客戶的服務能力。（四）區位優勢公司地處產業集聚區，在集中供氣、供電、供熱、供水以及廢水集中處理方面積累了豐富的經驗，能源配套優勢明顯。產業集群效應和配套資源優勢使公司在市場拓展、技術創新以及環保治理等方面具有獨特的競爭優勢。（五）經營管理優勢公司擁有一支敬業務實的經營管理團隊，主要高級管理人員長期專注于印染行業，對行業具有深刻的洞察和理解，對行業的發展動態有著較為準確的把握，對產品趨勢具有良好的市場前瞻能力。公司通過自主培養和外部引進等方式，建立了一支團結進取的核心管理團隊，形成了穩定高效的核心管理架構。公司管理團隊對公司的品牌建設、營銷網絡管理、人才管理等均有深入的理解，能夠及時根據客戶需求和市場變化對公司戰略和業務進行調整，為公司穩健、快速發展提供了有力保障。公司主要財務數據公司合并資產負債表主要數據項目2020年12月2019年12月2018年12月資產總額7987.166389.735990.37負債總額3980.323184.262985.24股東權益合計4006.843205.473005.13公司合并利潤表主要數據項目2020年度2019年度2018年度營業收入35274.4128219.5326455.81營業利潤6724.695379.755043.52利潤總額5705.304564.244278.98凈利潤4278.983337.603080.87歸屬于母公司所有者的凈利潤4278.983337.603080.87核心人員介紹1、黎xx，1957年出生，大專學歷。1994年5月至2002年6月就職于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限責任公司董事。2018年3月至今任公司董事。2、孫xx，中國國籍，無永久境外居留權，1959年出生，大專學歷，高級工程師職稱。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技術顧問；2004年8月至2011年3月任xxx有限責任公司總工程師。2018年3月至今任公司董事、副總經理、總工程師。3、白xx，中國國籍，無永久境外居留權，1961年出生，本科學歷，高級工程師。2002年11月至今任xxx總經理。2017年8月至今任公司獨立董事。4、陳xx，中國國籍，1976年出生，本科學歷。2003年5月至2011年9月任xxx有限責任公司執行董事、總經理；2003年11月至2011年3月任xxx有限責任公司執行董事、總經理；2004年4月至2011年9月任xxx有限責任公司執行董事、總經理。2018年3月起至今任公司董事長、總經理。5、羅xx，中國國籍，1978年出生，本科學歷，中國注冊會計師。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司獨立董事。6、謝xx，1974年出生，研究生學歷。2002年6月至2006年8月就職于xxx有限責任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限責任公司銷售部副經理。2011年3月至今歷任公司監事、銷售部副部長、部長；2019年8月至今任公司監事會主席。7、江xx，中國國籍，無永久境外居留權，1971年出生，本科學歷，中級會計師職稱。2002年6月至2011年4月任xxx有限責任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限責任公司財務經理。2017年3月至今任公司董事、副總經理、財務總監。8、尹xx，中國國籍，1977年出生，本科學歷。2018年9月至今歷任公司辦公室主任，2017年8月至今任公司監事。經營宗旨根據國家法律、法規及其他有關規定，依照誠實信用、勤勉盡責的原則，充分運用經濟組織形式的優良運行機制，為公司股東謀求最大利益，取得更好的社會效益和經濟效益。公司發展規劃根據公司的發展規劃，未來幾年內公司的資產規模、業務規模、人員規模、資金運用規模都將有較大幅度的增長。隨著業務和規模的快速發展，公司的管理水平將面臨較大的考驗，尤其在公司迅速擴大經營規模后，公司的組織結構和管理體系將進一步復雜化，在戰略規劃、組織設計、資源配置、營銷策略、資金管理和內部控制等問題上都將面對新的挑戰。另外，公司未來的迅速擴張將對高級管理人才、營銷人才、服務人才的引進和培養提出更高要求，公司需進一步提高管理應對能力，才能保持持續發展，實現業務發展目標。公司將采取多元化的融資方式，來滿足各項發展規劃的資金需求。在未來融資方面，公司將根據資金、市場的具體情況，擇時通過銀行貸款、配股、增發和發行可轉換債券等方式合理安排制定融資方案，進一步優化資本結構，籌集推動公司發展所需資金。公司將加快對各方面優秀人才的引進和培養，同時加大對人才的資金投入并建立有效的激勵機制，確保公司發展規劃和目標的實現。一方面，公司將繼續加強員工培訓，加快培育一批素質高、業務強的營銷人才、服務人才、管理人才；對營銷人員進行溝通與營銷技巧方面的培訓，對管理人員進行現代企業管理方法的教育。另一方面，不斷引進外部人才。對于行業管理經驗杰出的高端人才，要加大引進力度，保持核心人才的競爭力。其三，逐步建立、完善包括直接物質獎勵、職業生涯規劃、長期股權激勵等多層次的激勵機制，充分調動員工的積極性、創造性，提升員工對企業的忠誠度。公司將嚴格按照《公司法》等法律法規對公司的要求規范運作，持續完善公司的法人治理結構，建立適應現代企業制度要求的決策和用人機制，充分發揮董事會在重大決策、選擇經理人員等方面的作用。公司將進一步完善內部決策程序和內部控制制度，強化各項決策的科學性和透明度，保證財務運作合理、合法、有效。公司將根據客觀條件和自身業務的變化，及時調整組織結構和促進公司的機制創新。項目緒論項目概述（一）項目基本情況1、項目名稱：電子氣體項目2、承辦單位名稱：xxx（集團）有限公司3、項目性質：新建4、項目建設地點：xxx5、項目聯系人：黎xx（二）主辦單位基本情況公司在“政府引導、市場主導、社會參與”的總體原則基礎上，堅持優化結構，提質增效。不斷促進企業改變粗放型發展模式和管理方式，補齊生態環境保護不足和區域發展不協調的短板，走綠色、協調和可持續發展道路，不斷優化供給結構，提高發展質量和效益。牢固樹立并切實貫徹創新、協調、綠色、開放、共享的發展理念，以提質增效為中心，以提升創新能力為主線，降成本、補短板，推進供給側結構性改革。公司始終堅持“人本、誠信、創新、共贏”的經營理念，以“市場為導向、顧客為中心”的企業服務宗旨，竭誠為國內外客戶提供優質產品和一流服務，歡迎各界人士光臨指導和洽談業務。展望未來，公司將圍繞企業發展目標的實現，在“夢想、責任、忠誠、一流”核心價值觀的指引下，圍繞業務體系、管控體系和人才隊伍體系重塑，推動體制機制改革和管理及業務模式的創新，加強團隊能力建設，提升核心競爭力，努力把公司打造成為國內一流的供應鏈管理平臺。經過多年的發展，公司擁有雄厚的技術實力，豐富的生產經營管理經驗和可靠的產品質量保證體系，綜合實力進一步增強。公司將繼續提升供應鏈構建與管理、新技術新工藝新材料應用研發。集團成立至今，始終堅持以人為本、質量第一、自主創新、持續改進，以技術領先求發展的方針。（三）項目建設選址及用地規模本期項目選址位于xxx，占地面積約56.00畝。項目擬定建設區域地理位置優越，交通便利，規劃電力、給排水、通訊等公用設施條件完備，非常適宜本期項目建設。（四）產品規劃方案根據項目建設規劃，達產年產品規劃設計方案為：xx立方米電子氣體/年。項目提出的理由傳統的IC封裝采用引線框架作為IC導通線路與支撐IC的載體，連接引腳于導線框架的兩旁或四周，如四側引腳扁平封裝（QuadFlatPackage，簡稱QFP）、方形扁平無引腳封裝（QuadFlatNo-leads，簡稱QFN）等。隨著技術發展，IC的線寬不斷縮小，集成度穩步提高，IC封裝逐步向著超多引腳、窄節距、超小型化方向發展。20世紀90年代中期，一種以球柵陣列封裝（BallGridArray，簡稱BGA）、芯片尺寸封裝（ChipScalePackage，簡稱CSP）為代表的新型IC高密度封裝形式問世，從而產生了一種新的封裝載體——封裝基板。在高階封裝領域，封裝基板已取代傳統引線框架，成為芯片封裝中不可或缺的一部分，不僅為芯片提供支撐、散熱和保護作用，同時為芯片與PCB母板之間提供電子連接，起著“承上啟下”的作用；甚至可埋入無源、有源器件以實現一定系統功能。封裝基板在HDI板的基礎上發展而來，是適應電子封裝技術快速發展而向高端技術的延伸，作為一種高端的PCB，封裝基板具有高密度、高精度、高性能、小型化及薄型化等特點。根據Prismark數據，2021年全球PCB行業產值為804.49億美元，同比增長23.4%，預計2021-2026年全球PCB行業的復合增長率為4.8%。下游應用中，通訊占比32%，計算機占比24%，消費電子占比15%，汽車電子占比10%，服務器占比10%。從產品結構來看，IC封裝基板和HDI板雖然占比不高，分別占比17.6%和14.7%，但卻是主要的增長驅動因素。2021年全球IC封裝基板行業整體規模達141.98億美元、同比增長39.4%，已超過柔性板成為印制電路板行業中增速最快的細分子行業。2021年中國IC封裝基板（含外資廠商在國內工廠）市場規模為23.17億美元、同比增長56.4%，仍維持快速增長的發展態勢。項目總投資及資金構成本期項目總投資包括建設投資、建設期利息和流動資金。根據謹慎財務估算，項目總投資24628.86萬元，其中：建設投資18846.58萬元，占項目總投資的76.52%；建設期利息206.51萬元，占項目總投資的0.84%；流動資金5575.77萬元，占項目總投資的22.64%。資金籌措方案（一）項目資本金籌措方案項目總投資24628.86萬元，根據資金籌措方案，xxx（集團）有限公司計劃自籌資金（資本金）16199.93萬元。（二）申請銀行借款方案根據謹慎財務測算，本期工程項目申請銀行借款總額8428.93萬元。項目預期經濟效益規劃目標1、項目達產年預期營業收入（SP）：47100.00萬元。2、年綜合總成本費用（TC）：37964.69萬元。3、項目達產年凈利潤（NP）：6683.90萬元。4、財務內部收益率（FIRR）：20.24%。5、全部投資回收期（Pt）：5.72年（含建設期12個月）。6、達產年盈虧平衡點（BEP）：16264.47萬元（產值）。項目建設進度規劃項目計劃從可行性研究報告的編制到工程竣工驗收、投產運營共需12個月的時間。環境影響本期工程項目設計中采用了清潔生產工藝，應用清潔原材料，生產清潔產品，同時采取完善和有效的清潔生產措施，能夠切實起到消除和減少污染的作用；因此，本期工程項目建成投產后，各項環境指標均符合國家和地方清潔生產的標準要求。報告編制依據和原則（一）編制依據1、國家和地方關于促進產業結構調整的有關政策決定；2、《建設項目經濟評價方法與參數》；3、《投資項目可行性研究指南》；4、項目建設地國民經濟發展規劃；5、其他相關資料。（二）編制原則1、項目建設必須遵循國家的各項政策、法規和法令，符合國家產業政策、投資方向及行業和地區的規劃。2、采用的工藝技術要先進適用、操作運行穩定可靠、能耗低、三廢排放少、產品質量好、安全衛生。3、以市場為導向，以提高競爭力為出發點，產品無論在質量性能上，還是在價格上均應具有較強的競爭力。4、項目建設必須高度重視環境保護、工業衛生和安全生產。環保、消防、安全設施和勞動保護措施必須與主體裝置同時設計，同時建設，同時投入使用。污染物的排放必須達到國家規定標準，并保證工廠安全運行和操作人員的健康。5、將節能減排與企業發展有機結合起來，正確處理企業發展與節能減排的關系，以企業發展提高節能減排水平，以節能減排促進企業更好更快發展。6、按照現代企業的管理理念和全新的建設模式進行規劃建設，要統籌考慮未來的發展，為今后企業規模擴大留有一定的空間。7、以經濟救益為中心，加強項目的市場調研。按照少投入、多產出、快速發展的原則和項目設計模式改革要求，盡可能地節省項目建設投資。在穩定可靠的前提下，實事求是地優化各成本要素，最大限度地降低項目的目標成本，提高項目的經濟效益，增強項目的市場競爭力。8、以科學、實事求是的態度，公正、客觀的反映本項目建設的實際情況，工程投資堅持“求是、客觀”的原則。研究范圍投資必要性：主要根據市場調查及分析預測的結果，以及有關的產業政策等因素，論證項目投資建設的必要性；技術的可行性：主要從事項目實施的技術角度，合理設計技術方案，并進行比選和評價；財務可行性：主要從項目及投資者的角度,設計合理財務方案,從企業理財的角度進行資本預算，評價項目的財務盈利能力，進行投資決策，并從融資主體的角度評價股東投資收益、現金流量計劃及債務清償能力；組織可行性：制定合理的項目實施進度計劃、設計合理組織機構、選擇經驗豐富的管理人員、建立良好的協作關系、制定合適的培訓計劃等，保證項目順利執行；經濟可行性：主要是從資源配置的角度衡量項目的價值，評價項目在實現區域經濟發展目標、有效配置經濟資源、增加供應、創造就業、改善環境、提高人民生活等方面的效益；風險因素及對策：主要是對項目的市場風險、技術風險、財務風險、組織風險、法律風險、經濟及社會風險等因素進行評價，制定規避風險的對策，為項目全過程的風險管理提供依據。研究結論本項目生產所需的原輔材料來源廣泛，產品市場需求旺盛，潛力巨大；本項目產品生產技術先進，產品質量、成本具有較強的競爭力，三廢排放少，能夠達到國家排放標準；本項目場地及周邊環境經考察適合本項目建設；項目產品暢銷，經濟效益好，抗風險能力強，社會效益顯著，符合國家的產業政策。主要經濟指標一覽表主要經濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積㎡37333.00約56.00畝1.1總建筑面積㎡55870.821.2基底面積㎡20906.481.3投資強度萬元/畝317.402總投資萬元24628.862.1建設投資萬元18846.582.1.1工程費用萬元15967.032.1.2其他費用萬元2348.792.1.3預備費萬元530.762.2建設期利息萬元206.512.3流動資金萬元5575.773資金籌措萬元24628.863.1自籌資金萬元16199.933.2銀行貸款萬元8428.934營業收入萬元47100.00正常運營年份5總成本費用萬元37964.69""6利潤總額萬元8911.87""7凈利潤萬元6683.90""8所得稅萬元2227.97""9增值稅萬元1861.99""10稅金及附加萬元223.44""11納稅總額萬元4313.40""12工業增加值萬元14763.01""13盈虧平衡點萬元16264.47產值14回收期年5.7215內部收益率20.24%所得稅后16財務凈現值萬元10235.15所得稅后項目背景分析硅片硅基半導體材料是目前產量最大、應用最廣的半導體材料，通常將95-99%純度的硅稱為工業硅。沙子、礦石中的二氧化硅經過純化，可制成純度98%以上的硅；高純度硅經過進一步提純變為純度達99.9999999%至99.999999999%（9-11個9）的超純多晶硅；超純多晶硅在石英坩堝中熔化，并摻入硼（P）、磷（B）等元素改變其導電能力，放入籽晶確定晶向，經過單晶生長，便生長出具有特定電性功能的單晶硅錠。單晶硅的制備方法通常有直拉法（CZ）和區熔法（FZ），直拉法硅片主要用在邏輯、存儲芯片中，市占率約95%，區熔法硅片主要用在部分功率芯片中，市占率約4%。熔體的溫度、提拉速度和籽晶/石英坩堝的旋轉速度決定了單晶硅錠的尺寸和晶體質量，摻雜的硼（P）、磷（B）等雜質元素濃度決定了單晶硅錠的電特性。單晶硅錠制備好后，再經過切段、滾磨、切片、倒角、拋光、激光刻、包裝后，便成為硅片。根據純度不同，分為半導體硅片和光伏硅片，半導體硅片要求硅含量為9N（99.9999999%）-11N（99.999999999%），而光伏用硅片一般在4N-6N之間即可，下游應用主要包括消費電子、通信、汽車、航空航天、醫療、太陽能等領域。硅片制備好之后，再經過一列熱處理、光刻、刻蝕、薄膜沉積、清洗、CMP、測試等環節，便可成功制得硅晶圓，具體分為幾部分：1）晶圓：制作半導體集成電路的核心原料板；2）Die：晶圓上有很多小方塊，每一個正方形是一個集成電路芯片；3）劃線：這些芯片之間實際上有間隙，這個間距叫做劃線，劃線的目的是在晶圓加工后將每個芯片切割出來并組裝成一個芯片；4）平區：引入平區是為了識別晶圓結構，并作為晶圓加工的參考線。由于晶圓片的結構太小，肉眼無法看到，所以晶圓片的方向就是根據這個平面區域來確定的；5）切口：帶有切口的晶圓最近已經取代了平面區域，因為切口晶圓比平區晶圓效率更高，可以生產更多的芯片。半導體硅片通?？梢园凑粘叽?、工藝兩種方式進行分類。按照尺寸分類，半導體硅片的尺寸（以直徑計算）主要包括23mm、25mm、28mm、50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、125mm（5英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）與300mm（12英寸）等規格。自1960年生產出23mm的硅片之后，硅片尺寸就越來越大，到2002年已經可以量產300mm（12英寸）硅片，厚度則達到了歷史新高775μm。當硅片尺寸越大，單個硅片上的芯片數量就越多，從而能夠提高生產效率、降低生產成本。300mm硅片是200mm硅片面積的2.25倍，生產芯片數量方面，根據SiliconCrystalStructureandGrowth數據，以1.5cm×1.5cm的芯片為例，300mm硅片芯片數量232顆，200mm硅片芯片數量88顆，300mm硅片是200mm硅片芯片數量的2.64倍。根據應用領域的不同，越先進的工藝制程往往使用更大尺寸的硅片生產。因此，在摩爾定律的驅動下，工藝制程越先進，生產用的半導體硅片尺寸就越大。目前全球半導體硅片以12英寸為主，根據SEMI數據，2020年全球硅片12英寸占比69%，8英寸占比24%，6英寸及以下占比7%。未來隨著新增12英寸晶圓廠不斷投產，未來較長的時間內，12英寸仍將是半導體硅片的主流品種，小尺寸硅片將逐漸被淘汰，但是8英寸短期仍不會被12英寸替代。目前量產硅片止步300mm，而450mm硅片遲遲未商用量產，主要原因是制備450mm硅片需要大幅增加設備及制造成本，但是SEMI曾預測每個450mm晶圓廠單位面積芯片成本只下降8%，此時晶圓尺寸不再是降低成本的主要途徑，因此廠商難以有動力投入450mm量產。全球8英寸和12英寸硅片下游應用側重有所不同，根據SUMCO數據，2020年8英寸半導體硅片下游應用中，汽車/工業/智能手機分列前3名，占比分別為33%/27%/19%；2020年12英寸半導體硅片下游應用中，智能手機/服務器/PC或平板分列前3名，占比分別為32%/24%/20%。按照制造工藝分類，半導體硅片分為拋光片、外延片以及SOI硅片。單晶硅錠經過切割、研磨和拋光處理后，便得到拋光片。拋光片本身可直接用于制作半導體器件，廣泛應用于存儲芯片與功率器件等，此外也可作為外延片、SOI硅片的襯底材料。外延是通過CVD的方式在拋光面上生長一層或多層摻雜類型、電阻率、厚度和晶格結構都符合特定器件要求的新硅單晶層。因此外延片是拋光片經過外延生長形成的，外延技術可以減少硅片中因單晶生長產生的缺陷，具有更低的缺陷密度、含碳量和含氧量，能夠改善溝道漏電現象，提高IC可靠性，被廣泛應用于制作通用處理器芯片、圖形處理器芯片。如果生長一層高電阻率的外延層，還可以提高器件的擊穿電壓，用于制作二極管、IGBT等功率器件，廣泛應用于汽車電子、工業用電子領域。SOI是絕緣層上硅，核心特征是在頂層硅和支撐襯底之間引入了一層氧化物絕緣埋層，能夠實現全介質隔離，大幅減少了硅片的寄生電容以及漏電現象，并消除了閂鎖效應。SOI硅片是拋光片經過氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成的，特點是寄生電容小、短溝道效應小、低壓低功耗、集成密度高、速度快、工藝簡單、抗宇宙射線粒子的能力強，因此適用于制造耐高壓、耐惡劣環境、低功耗、集成度高的芯片，如射頻前端芯片、功率器件、汽車電子、傳感器以及星載芯片等，尤以射頻應用最為廣泛。SOI硅片價格高于一般硅片4至5倍，主要應用中，5G射頻前端（RF-SOI）占比60%，Power-SOI和PD-SOI各占20%。市場規模方面，根據SEMI數據，全球半導體硅片（不含SOI硅片）市場規模在經歷了2015-2016年低谷之后，開始穩步上升，到2021年已達到126.2億美元。受益于中國大陸晶圓廠擴產的拉動，中國大陸半導體硅片（不含SOI硅片）市場規模2012年為5億美元，2017開始迅速增長，2021年已達到為16.6億美元。出貨面積方面，根據SEMI數據，全球半導體硅片（不含SOI硅片）2012年出貨面積為90億平方英寸，2020年為122.6億平方英寸，2021年為141.7億平方英寸。單位面積硅片價格2009年為1美元/平方英寸，2016年下降到0.68美元/平方英寸，2021年回暖至0.99美元/平方英寸。SOI硅片方面，由于應用場景規模較小，整體行業規模小于拋光片和外延片，根據SEMI及ResearchandMarkets數據，2013年全球市場規模為4億美元，2021年為13.7億美元，預計到2025年將達到22億美元。中國大陸SOI硅片市場規模2016年為0.02億美元，2018年增長至0.11億美元。根據Soitec數據，隨著通信技術從3G向4G、5G升級過程中，單部智能手機SOI硅片需求面積亦隨之增加，3G時為2mm2，4GLTE-A為20mm2，5Gsub-6GHz為52mm2，5Gsub-6GHz&mmW為130mm2。在射頻前端模組領域，在4G/5G（sub-6G）中，RF-SOI用于低噪聲放大器、開關以及天線調諧器等，FD-SOI用于追蹤器；在毫米波中，RF-SOI用于功放、低噪聲放大器、開關以及移相器，FD-SOI可用于移相器、SoC等；而在WiFi和UWB中，RF-SOI用于功放、低噪聲放大器以及開關，FD-SOI用于移相器、SoC等。產能方面，根據ICInsights數據，2018年全球半導體硅片2.23億片，2020年增長至2.6億片，保持穩步增長態勢。在目前芯片供不應求的背景下，晶圓廠擴產將進一步推升硅片產能。2020年全球硅片主要廠商中，前7大廠商合計占比94.5%，其中日本信越化學占比27.5%，排名第1；日本勝高占比21.5%，排名第2；中國臺灣環球晶圓占比14.8%，排名第3；德國世創占比11.5%，排名第4；韓國SKSiltron占比11.3%，排名第5；法國Soitec占比5.7%，排名第6；中國大陸廠商滬硅產業占比2.2%，排名第7，也是唯一進入全球前7的中國大陸廠商。引線框架引線框架是一種集成電路芯片載體，并借助于鍵合絲使芯片內部電路引出端（鍵合點）通過內引線實現與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關鍵結構件。主要作用包括穩固芯片、傳導信號、傳輸熱量等，核心性能指標有強度、彎曲、導電性、導熱性、耐熱性、熱匹配、耐腐蝕、步進性、共面形、應力釋放等，均需要達到較高標準。根據所應用半導體產品的不同，引線框架可以分為應用于集成電路的引線框架和應用于分立器件的引線框架兩大類。集成電路應用范圍廣，有DIP、SOP、QFP、BGA、CSP等多種封裝方式；分立器件主要是各種晶體管，封裝上大都采用TO、SOT這兩種封裝方式。根據生產工藝不同，引線框架分為沖壓型和蝕刻型兩種。按照國際生產經驗，100腳位以上主要采用蝕刻型生產工藝，100腳位以下主要采用沖壓型生產工藝。沖壓引線框架通過使用模具靠機械力作用對金屬材料進行沖切，形成復雜電路圖案，生產成本較低，但加工精度有限，無法滿足高密度封裝要求，因此，對于微細線寬與間距所用的引線框架通常只能通過蝕刻方法加工而成，主要采用光刻及溶解金屬的化學試劑從金屬條帶上蝕刻出圖案。蝕刻引線框架是通用集成電路封裝材料，此外還有一種柔性引線框架。蝕刻引線框架和柔性引線框架均屬于引線框架，不同的是蝕刻引線框架是通用集成電路封裝材料（是集成電路QFN/DFN封裝形式中的關鍵材料，下游應用領域較廣），柔性引線框架是智能卡芯片的專用封裝材料（有國際規范標準），主要起到保護安全芯片及作為芯片和外界刷卡設備之間的通訊接口的作用，二者的相同之處是生產工藝類似。柔性引線框架正面為接觸面，為了實現接觸面與外部讀卡設備的穩定通信，因此要保證產品表面導電性好、光潔無劃痕，同時要能在復雜環境中長期使用，不生銹，耐腐蝕，經常插拔后仍然正常工作。背面是焊接面，安全芯片貼合在柔性引線框架背面，然后通過金屬絲（通常是金絲或者金銀合金絲）鍵合，將芯片的通訊觸點與柔性引線框架的焊盤一一對應鍵合在一起，因此焊盤要具備極好的可焊接性和潔凈度。芯片在引線框架內與環氧樹脂接觸置于引線框架上，通過鍵合絲與引線框架引腳連接，外部加蓋模塑料進行保護。根據華經產業研究院數據，引線框架上游原材料成本占比中，銅帶占46%，化學材料占27%，白銀占2%，銅帶是引線框架最重要的上游原材料。根據SEMI數據，全球引線框架市場規模常年保持穩定，2020年為31.95億美元，同比增長3.5%。市場格局方面，在中國臺灣廠商并購部分日本廠商之后，目前由日本和中國臺灣廠商占據主導地位，日本三井高排名第1，占比12%；中國臺灣長華科技（收購日本住友金屬引線框架部門）排名第2，占比11%；日本新光電氣排名第3，占比9%；韓國HDS（2014年由三星Techwin剝離）、中國臺灣順德工業、新加坡ASM、中國臺灣界霖科技分列第4-7位，占比分別為8%/7%/7%/4%；中國大陸康強電子排名第8，占比4%，也是唯一進入全球前10的中國大陸廠商。全球前8大引線框架企業掌握了62%的市場份額。中國市場方面，根據SEMI數據，2015年市場規模為66.8億元，2019年為84.5億元，受益于下游需求拉動，預計2024年將達到120億元。但是在國產化率方面仍有較大提升空間，根據集微咨詢數據，2019年中國本土廠商引線框架市場規模為34.2億元，占中國引線框架市場的40%，其余60%仍然由外資廠商供應。中國廠商數量不少，但是大部分廠商以生產沖壓引線框架為主，包括華龍電子、永紅科技、豐江微電子、華晶利達、晶恒精密、金灣電子、三鑫電子、東田電子等。而在更為高端的蝕刻引線框架方面，僅有康強電子、華洋科技、新恒匯、立德半導體、芯恒創半導體等少數廠商可以生產，與外資廠商相比產能也有所不足，目前中國蝕刻引線框架主要從日韓等進口，自給率較低。引線框架也將伴隨著芯片行業發展而不斷技術進步，根據三井高（MitsuiHigh-tec）預測，未來將會向著更小、更薄的封裝方向演進，引線框架性能方面則將向著更高可靠性、更低成本去發展，具體包括金線削減、金線品種更新、高密度以及膠帶材質/形狀的更新。半導體材料半導體材料是制作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件的重要材料。按照工藝的不同，可分為晶圓制造材料和封裝材料。其中，晶圓制造材料主要包括硅片、特種氣體、掩膜版、光刻膠、光刻膠配套材料、（通用）濕電子化學品、靶材、CMP拋光材料等。封裝材料主要有封裝基板、引線框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、芯片粘接材料等。按照代際，可分為第一代、第二代和第三代。1）第一代半導體材料主要是指硅（Si）、鍺元素（Ge）半導體材料。主要用于制造集成電路，并廣泛應用于手機、電腦、平板、可穿戴、電視、航空航天以及新能源車、光伏等產業。2）第二代半導體材料主要是指化合物半導體材料，如砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）；三元化合物半導體，如GaAsAl、GaAsP；還有一些固溶體半導體，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半導體（又稱非晶態半導體），如非晶硅、玻璃態氧化物半導體；有機半導體，如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。主要用于制作高速、高頻、大功率以及發光電子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及發光器件的優良材料，廣泛應用于衛星通訊、移動通訊、光通信和GPS導航等領域。3）第三代半導體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶（Eg>2.3eV）半導體材料。主要應用于半導體照明、電力電子器件、激光器和探測器等。相比于第一代、第二代半導體材料，第三代半導體材料禁帶寬度更寬，擊穿電場更高、熱導率更高、電子飽和速率更高、抗輻射能力更強，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導體材料，也稱為高溫半導體材料。整體而言，全球半導體依然以硅材料為主，目前95%以上的半導體器件和99%以上的集成電路都是由硅材料制作。在半導體產業鏈中，半導體材料位于制造環節上游，和半導體設備一起構成了制造環節的核心上游供應鏈，不同于其他行業材料，半導體材料是電子級材料，對精度純度等都有更為嚴格的要求，因此，芯片能否成功流片，對工藝制備過程中半導體材料的選取及合理使用尤為關鍵。晶圓制造材料中，硅片為晶圓制造基底材料；光刻膠用于圖形轉移；電子特氣用于氧化、還原、除雜；拋光材料用于實現平坦化。封裝材料中，封裝基板與引線框架起到保護芯片、支撐芯片、連接芯片與PCB的作用，封裝基板還具有散熱功能；鍵合絲則用于連接芯片和引線框架。根據SEMI數據，2020年全球晶圓制造材料中，硅片占比最高，為35%；電子氣體排名第2，占比13%；掩膜版排名第3，占比12%，光刻膠占比6%；光刻膠配套材料占比8%；濕電子化學品占比7%；CMP拋光材料占比6%；靶材占比2%。2019年全球封裝材料中，封裝基板占比最高，為48%；引線框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、芯片粘接材料分列第2-6名，占比分別為15%、15%、10%、6%和3%。加快城鄉融合發展，全面提升城市能級深度融入長三角一體化、上海大都市圈協同和蘇州市域一體化發展等區域戰略，全面優化空間發展戰略導向和城鄉全域空間功能格局，勾勒一幅集約高效的空間美圖。提升城市能級和資源要素吸引力，強化城鄉基礎設施綜合服務和保障能力，打造一座功能完備的時尚美城。（一）全面優化城鄉空間格局對接國家和區域發展戰略，明確新形勢下的空間發展戰略導向，優化全域國土空間資源布局，落實“一圖一表一方案”，推動各板塊均衡、協調、差異化發展，提升城鄉空間資源的綜合利用效率。（二）切實改善城鄉人居環境優化城鄉生產生活空間布局，補齊基本公共服務和基礎設施短板，傾心打造靚麗城區，悉心呵護美麗鄉愁。（三）優化綜合交通運輸體系積極打造“空鐵水公”等形式多樣、空間協調、功能融合的現代綜合交