1、 8/8半導體二極管及其基本電路 第二章半導體二極管及其基本電路 本章內容簡介 半導體二極管是由一個PN結構成的半導體器件,在電子電路有廣泛的應用。本章在簡要地介紹半導體的基本知識后，主要討論了半導體器件的核心環節PN 結。在此基礎上，還將介紹半導體二極管的結構、工作原理,特性曲線、主要參數以及二極管基本電路及其分析方法與應用。最后對齊納二極管、變容二極管和光電子器件的特性與應用也給予簡要的介紹。（一）主要內容: ?半導體的基本知識 ?PN結的形成及特點，半導體二極管的結構、特性、參數、模型及應用電路 （二）基本要求: ?了解半導體材料的基本結構及PN結的形成 ?掌握PN結的單向導電工作原理

2、?了解二極管（包括穩壓管）的V-I特性及主要性能指標 （三）教學要點： ?從半導體材料的基本結構及PN結的形成入手，重點介紹PN結的單向導電工作原理、 ?二極管的V-I特性及主要性能指標 2.1 半導體的基本知識 2.1.1 半導體材料 根據物體導電能力(電阻率)的不同，來劃分導體、絕緣體和半導體。導電性能介于導體與絕緣體之間材料，我們稱之為半導體。在電子器件中，常用的半導體材料有：元素半導體，如硅（Si）、鍺（Ge）等；化合物半導體，如砷化鎵（GaAs）等；以及摻雜或制成其它化合物半導體材料，如硼（B）、磷（P）、錮（In）和銻（Sb）等。其中硅是最常用的一種半導體材料。 半導體有以下特點：

3、 1半導體的導電能力介于導體與絕緣體之間 2半導體受外界光和熱的刺激時，其導電能力將會有顯著變化。 3在純凈半導體中，加入微量的雜質，其導電能力會急劇增強。 2.1.2 半導體的共價鍵結構 在電子器件中，用得最多的半導體材料是硅和鍺，它們的簡化原子模型如下所示。硅和鍺都是四價元素，在其最外層原子軌道上具有四個電子，稱為價電子。由于原子呈中性，故在圖中原子核用帶圓圈的+4符號表示。半導體與金屬和許多絕緣體一樣，均具有晶體結構，它們的原子形成有排列，鄰近原子之間由共價鍵聯結，其晶體結構示意圖如下所示。圖中表示的是晶體的二維結構，實際上半導體晶體結構是三維的。 硅和鍺的原子結構簡化模型及晶體結構 2

4、.1.3 本征半導體 本征半導體化學成分純凈的半導體。它在物理結構上呈單晶體形態。 空穴共價鍵中的空位。 電子空穴對由熱激發而產生的自由電子和空穴對。 空穴的移動空穴的運動是靠相鄰共價鍵中的價電子依次充填空穴來實現的。 本征激發 在室溫下，本征半導體共價鍵中的價電子獲得足夠的能量，掙脫共價鍵的束縛進入導帶，成為自由電子，在晶體中產生電子-空穴對的現象稱為本征激發. 由于共價鍵出現了空穴，在外加電場或其他的作用下，鄰近價電子就可填補到這個空位上，而在這個電子原來的位置上又留下新的空位，以后其他電子雙可轉移到這個新的空位。這樣就使共價鍵中出現一定的電荷遷移。空穴的移動方向和電子移動的方向是相反的。

5、 本征半導體中的自由電子和空穴數總是相等的。 2.1.4 雜質半導體 在本征半導體中摻入某些微量元素作為雜質，可使半導體的導電性發生顯著變化。摻入的雜質主要是三價或五價元素。摻入雜質的本征半導體稱為雜質半導體。 N型半導體摻入五價雜質元素（如磷）的半導體。 P型半導體摻入三價雜質元素（如硼）的半導體。 1. N型半導體 因五價雜質原子中只有四個價電子能與周圍四個半導體原子中的價電子形成共價鍵，而多余的一個價電子因無共價鍵束縛而很容易形成自由電子。 在N型半導體中自由電子是多數載流子，它主要由雜質原子提供；空穴是少數載流子, 由熱激發形成。提供自由電子的五價雜質原子因帶正電荷而成為正離子，因此五

6、價雜質原子也稱為施主雜質。 2. P型半導體 因三價雜質原子在與硅原子形成共價鍵時，缺少一個價電子而在共價鍵中留下一個空穴。 在P型半導體中空穴是多數載流子，它主要由摻雜形成；自由電子是少數載流子，由熱激發形成?？昭ê苋菀追@電子，使雜質原子成為負離子。三價雜質因而也稱為受主雜質。 3. 雜質對半導體導電性的影響 摻入雜質對本征半導體的導電性有很大的影響，一些典型的數據如下: T=300 K室溫下, 本征硅的電子和空穴濃度：n = p= 1.41010/cm3 摻雜后 N 型半導體中的自由電子濃度：n = 51016/cm3 本征硅的原子濃度：4.961022/cm3 以上三個濃度基本上依次相

7、差106/cm3。 小結：本節主要介紹了半導體、本征半導體和雜志半導體的基本知識。 2.2 PN結的形成及特性 2.2.1 PN結的形成： 在P型半導體和N型半導體結合后，由于N型區內電子很多而空穴很少，而P型區內空穴很多電子很少，在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差別。這樣，電子和空穴都要從濃度高的地方向濃度低的地方擴散。于是，有一些電子要從N型區向P型區擴散，也有一些空穴要從P型區向N型區擴散。它們擴散的結果就使P區一邊失去空穴，留下了帶負電的雜質離子,N區一邊失去電子，留下了帶正電的雜質離子。半導體中的離子不能任意移動，因此不參與導電。這些不能移動的帶電粒子在P和N區交界面附近，形成

8、了一個很薄的空間電荷區，就是所謂的PN結。擴散越強，空間電荷區越寬。在空間電荷區，由于缺少多子，所以也稱耗盡層。在出現了空間電荷區以后，由于正負電荷之間的相互作用，在空間電荷區就形成了一個內電場，其方向是從帶正電的N區指向帶負電的P區。顯然，這個電場的方向與載流子擴散運動的方向相反它是阻止擴散的。另一方面，這個電場將使N區的少數載流子空穴向P區漂移，使P區的少數載流子電子向N區漂移，漂移運動的方向正好與擴散運動的方向相反。從N區漂移到P區的空穴補充了原來交界面上P區所失去的空穴，從P區漂移到N區的電子補充了原來交界面上N區所失去的電子，這就使空間電荷減少，因此，漂移運動的結果是使空間電荷區變窄

9、。當漂移運動達到和擴散運動相等時，PN結便處于動態平衡狀態。內電場促使少子漂移，阻止多子擴散。最后,多子的擴散和少子的漂移達到動態平衡。 2.2.2 PN結的單向導電性 當外加電壓使PN結中P區的電位高于N區的電位，稱為加正向電壓，簡稱正偏；反之稱為加反向電壓，簡稱反偏。 (1) PN結加正向電壓時： 在正向電壓的作用下，PN結的平衡狀態被打破，P區中的多數載流子空穴和N區中的多數載流子電子都要向PN結移動，當P區空穴進入PN結后，就要和原來的一部分負離子中和，使P區的空間電荷量減少。同樣，當N區電子進入PN結時，中和了部分正離子，使N區的空間電荷量減少，結果使PN結變窄，即耗盡區厚變薄，由于

10、這時耗盡區中載流子增加，因而電阻減小。勢壘降低使P區和N區中能越過這個勢壘的多數載流子大大增加，形成擴散電流。在這種情況下，由少數載流了形成的漂移電流，其方向與擴散電流相反，和正向電流比較，其數值很小，可忽略不計。這時PN結內的電流由起支配地位的擴散電流所決定。在外電路上形成一個流入P區的電流，稱為正向電流IF。當外加電壓VF稍有變化（如O.1V），便能引起電流的顯著變化，因此電流IF是隨外加電壓急速上升的。這時，正向的PN結表現為一個很小的電阻。在一定的溫度條件下，由本征激發決定的少子濃度是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的大小無關，這個電流也稱為反向飽和電流。 (

11、2) PN結加反向電壓時： 在反向電壓的作用下，P區中的空穴和N 區中的電子都將進一步離開PN結，使耗 盡區厚度加寬，PN結的內電場加強。這 V 26m q kT V T = 一結果，一方面使P 區和N 區中的多數 載流子就很難越過勢壘，擴散電流趨近 于零。另一方面，由于內電場的加強，使 得N 區和P 區中的少數載流子更容易產生漂移運動。這樣，此時流過PN 結的電流由起支配地位的漂移電流所決定。漂移電流表現在外電路上有一個流入N 區的反向電流IR 。由于少數載流子是由本征激發產生的其濃度很小，所以IR 是很微弱的，一般為微安數量級。當管子制成后，IR 數值決定于溫度，而幾乎與外加電壓VR 無關

12、。IR 受溫度的影響較大，在某些實際應用中，還必須予以考慮。PN 結在反向偏置時，IR 很小，PN 結呈現一個很大的電阻，可認為它基本是不導電的。這時，反向的PN 結表現為一個很大的電阻。 PN 結加正向電壓時，呈現低電阻，具有較大的正向擴散電流； PN 結加反向電壓時，呈現高電阻，具有很小的反向漂移電流。 由此可以得出結論：PN 結具有單向導電性。 (3) PN 結V - I 特性表達式 在常溫下（T =300K ） 2.2.3 PN 結的反向擊穿 當PN 結的反向電壓增加到一定數值時，反向電流突然快速增加，此現象稱為PN 結的反向擊穿。反向擊穿分為電擊穿和熱擊穿，電擊穿包括雪崩擊穿和齊納擊

13、穿。PN 結熱擊穿后電流很大，電壓又很高，消耗在結上的功率很大，容易使PN 結發熱,把PN 結燒毀。 熱擊穿不可逆；電擊穿可逆 當PN 結反向電壓增加時，空間電荷區中的電場隨著增強。這樣，通過空間電荷區的電子和空穴，就會在電場作用下獲得的能量增大，在晶體中運動的電子和空六將不斷地與晶體原 ) 1(-=T D V V S D e I i 子又發生碰撞，當電子和空穴的能量足夠大時，通過這樣的碰撞的可使共價鍵中的電子激發形成自由電子空穴對。新產生的電子和空穴也向相反的方向運動，重新獲得能量，又可通過碰撞，再產生電子空穴對，這就是 載流子的倍增效應。當反向電壓增大到某一數值后，載流子的倍增情況就像在陡

14、峻的積雪山坡上發生雪崩一樣，載流子增加得多而快，這樣，反向電流劇增， PN結就發生雪崩擊穿。 在加有較高的反向電壓下，PN結空間電荷區中存一個強電場，它能夠破壞共價鍵，將束縛電子分離出來造成電子空穴對，形成較大的反向電流。發生齊納擊穿需要的電場強度約為210V/cm，這只有在雜質濃度特別大的PN結中才能達到，因為雜質濃度大，空間電荷區內電荷密度（即雜質離子）也大，因而空間電荷區很窄，電場強度可能很高。 電擊穿可被利用（如穩壓管），而熱擊穿須盡量避免。 2.2.4 PN結的電容效應 (1) 勢壘電容C B：用來描述二極管勢壘區的空間電荷隨電壓變化而產生的電容效應的。PN結的空間電荷隨外加電壓的變

15、化而變化，當外加正向電壓升高時，N區的電子和P區空穴進入耗盡區，相當于電子和空穴分別向CB“充電”，如圖（a)所示。當外加電壓降低時，又有電子和空穴離開耗盡區，好像電子和空穴從CB放電，如圖（b)所示。CB是非線性電容，電路上CB與結電阻并聯，在PN結反偏時其作用不能忽視，特別是在高頻時，對電路的影響更大。 (2) 擴散電容C D：二極管正向導電時，多子擴散到對方區域后，在PN結邊界上積累，并有一定的濃度分布。積累的電荷量隨外加電壓的變化而變化，當PN結正向電壓加大時，正向電流隨著加大，這就要有更多的載流子積累起來以滿足電流加大的要求；而當正向電壓減小時，正向電流減小，積累在P區的電子或N區的

16、空穴就要相對減小，這樣，就相應地要有載流子的“充入”和“放出”。因此，積累在P區的電子或N區的空穴隨外加電壓的變化就可PN結的擴散電容CD描述。擴散電容反映了在外加電壓作用下載流子在擴散過程中積累的情況。 (3) PN結的高頻等效電路：由于PN結結電容（CB和CD）的存在，使其在高頻運用時，必須考慮結電容的影響.PN結高頻等效電路如下圖所示，圖中r表示電阻，C表示結電容，它包括勢壘電容和擴散電容，其大小除了與本身結構和工藝有關外，還與外加電壓有關。當PN結處于正向偏置時，r為正向電阻，數值很小，而結電容較大（主要決定于擴散電容CD）。當PN 結處于反向偏置時，r為反向電阻，其數值較大。 結電容

17、較?。ㄖ饕獩Q定于勢壘電容CB）。 小結：本節主要介紹了PN結的形成及基本特性。 2.3 半導體二極管 2.3.1 半導體二極管的結構 在PN結上加上引線和封裝，就成為一個二極管。二極管按結構分有點接觸型、面接觸型和平面型三大類。 (1) 點接觸型二極管：PN結面積小，結電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。 (2) 面接觸型二極管：PN結面積大，用于工頻大電流整流電路。 (3) 平面型二極管：往往用于集成電路制造藝中。PN結面積可大可小，用于高頻整流和開關 電路中。 (4) 二極管的代表符號 2.3.2 二極管的伏安特性 (1) 正向特性：正向特性表現為圖中的段。當正向電壓較小，正向電流幾乎為零。

18、此工作 區域稱為死區。V 稱為門坎電壓或死區電壓（該電壓硅管約為0.5V，鍺管為0.2V)。當正向th 時，內電場削弱，電流因而迅速增長,呈現的很小正向電阻。 電壓大于V th (2) 反向特性：反向特性表現為如圖中的段。 由于是少數載流形成反向飽和電流，所以其數值很小，當溫度升高時，反向電流將隨之急劇增加。 (3) 反向擊穿特性：反向擊穿特性對應于圖中 段，當反向電壓增加到一定大小時，反向電流劇增，二極管的反向擊穿。其原因和PN擊穿 相同。 2.3.3 二極管的參數 (1) 最大整流電流I F； (2) 反向擊穿電壓V BR和最大反向工作電壓V RM (3) 反向電流I R；(4) 正向壓降

19、V F；(5) 極間電容C B 小結：本節主要介紹了二極管的結構和伏安特性。 2.4 二極管基本電路及其分析方法 2.4.1 二極管V - I 特性的建模 在小信號模型中： 2.4.2 應用舉例1. 二極管的靜態工作情況分析 （1）V DD =10V 時（R=10KW ） （2）V DD =1V 時（R=10KW ？）10K 1. 理想模型 2. 恒壓源模型 4. 小信號模型 3. 折線模型 ) ()(26mA I mV I V r D D T d = = 解：（1）V DD =10V 使用理想模型得 使用恒壓降模型得 使用折線模型得 (2) V DD =1V 使用理想模型得 使用恒壓降模型得 使用折線模型得 2. 限幅電路：例2.4.2 已知： =K R 1mA R V I V v DD D D 10=mA R V V I V v D