1、硅片相關知識單質硅有無定形及晶體兩種。無定形硅 為灰黑色或栗色粉末，更常見的是無定形塊狀，它們是熱和電的不良導體、質硬，主要用于冶金工業（例如鐵合金及鋁合金的生產）及制造硅化物。晶體硅是銀灰色，有金屬光澤的晶體，能導電（但導電率不及金屬）故又稱為金屬硅。高純度的金屬硅 o 99. 99%）是生產半導體的材料，也是電子工業的基礎材料。一、單晶硅摻雜有微量硼、磷等元素的單晶硅可用于制造二極管、晶體管及其他半導體器件。由于半導體技術不斷向高集成度，高性能，低成本和系統化方向發展，半導體在國民經濟各領域中的應用更加 廣泛。單晶硅片分類單晶硅片按使用性質可分為兩大類：生產用硅片和測試用硅片。半導體元件所

2、使用的單晶硅片系采用多晶硅原料再經由單晶生長技術所生產出來的。單晶硅棒的品質和規格單晶硅棒的主要技術參數：型號P型或A型晶向電阻率0.0001ohm.cm-100ohm.cm電阻率均勻性25%位錯密度無位錯OISF密度500cm2氧含量根據客戶要求碳含量1ppma主要考囿取向密度根據客戶要求其中電阻率、OISF密度、以及碳含量是衡量單晶硅棒等級的關鍵參數。這些參數在單晶成型后 即定型，無法在此后的加工中進行改變。ea css ta e.-.- - ta ee .e.-.a -n -. . e. .-.- -.-.- .1-. ,c.F a-.s -. e .aea s-.s6- - s ag.

3、g .-. . e . e e . s.t- a .f .-.a - c .k a.e .-.a -s-.a.s.-, . .0.1 0 . ak. - - -u. .s - a.- c .-.-.-. . a- - -.-as.se .-a-.-e-. -.a.e s e.-. s . -a .-.a-.-.a- c-.e-.sju. -a -.- se .-ac-s -.-. eye-e-e u-. - see-.e s - e .-.e-s- - se- -ss-s . a. -.-.-一.a-.-ce.ee-e e - e-.s-.- e- a.-e.-.-.-.cs-e.s. ye.

4、 s -. .s .-a. -. se.- e -a. e - -.e- -. e.a - s -.-w-e-. -.-aa. s.-es.-s a. a-e ye .-as- . yee. s -.e.-s-. w. s se e s . .- - s .- -ee.-.-測試方法電阻率：用四探針法。OISF密度：利用氧化誘生法在高溫、高潔凈的爐管中氧化， 再經過腐蝕后觀察其密度進行報數。碳含量：利用紅外分光光度計進行檢測。單晶硅拋光片品質規格單晶硅拋光片的物理性能參數同硅單晶技術參數:厚度（T）200-1200um總厚度變化（TTV 10um彎曲度（BOW 35um翹曲度（WARP晶向偏離

5、度8s氧含量1.0 x1018/cm3碳含量5.0 X1016/cm3硅片尺寸125X 1250.5mm;156X 156 0.5mm硅片直徑150+ 0.5mm;165 0.5mm;00 0.5mm倒角寬度29.76 1.0mm;12.231.0mm(150;165)厚度20020 科 m總厚度變化30 m線痕 15m翹曲度10 g s1X1018atoms/cm35x 1016atoms/cm3200+ 20 g m10 g s1X1018atoms/cm35x 1016atoms/cm3200+ 20 g m10 g s1X1018atoms/cm35x 1016atoms/cm3200

6、+ 20 m m 153mm1-3 Q .cm 或 3-6 Q .cm10 科 s1 x 1018atoms/cm3一 . 一一，35X 1016atoms/cm100 1 2 168mm1-3 Q .cm 或 3-6 Q .cm10 科 s1 x 1018atoms/cm3_一一，,35X 1016atoms/cm100 1 2203mm1-3 Q .cm 或 3-6 Q .cm10 科 s1 x 1018atoms/cm3_一一，,35X 1016atoms/cm100 1 210 科 s1 x 1018atoms/cm3一 . 一一，,35X 1016atoms/c m100 1 .21

7、0 科 s1 x 1018atoms/cm35X 1016atoms/cm3100 1 210 核 s1 x 1018atoms/cm35X 1016atoms/cm3100 1 2& 1000 ea/cm1- ”.of - ,.!-. -. o .k.l L_ J- dII -t- -i ng c, tb-L -r-it -. .一 . of 1 -irm i - -lii, 2 i, a.”-II-y, -s .”., “ and ” 2- - alst ._!.yJ-.”.n i tpi - ”.,- n of 1g 0- - ”.- if .i-en t.e -adrrali.-1 a

8、d let- m-e .i d-pen e_-ain r-irm, n-ina u.e.din the - -I- h iig Kce 、 h - I- -a.inI L I . 一 HL Und- te 1 - inllT te Ic, T-lill I- -nding a nd 111n.lup .H s.alia mld-nial in l- _i_l nt* -. ins a ia. iial_- u tll-ht h. C- nt.l”. .I-*in* . - .-I-di. ”.in.innmil ifI.m, will.i- a int.- a. -iidTh- -n.il-a

9、. s- -n, Li- n-L - -ni.i -|i- ,2 3si L - -sann- a-i-nn- i- in - l-ims a -n - ia Uina l-il.、多晶硅多晶硅所使用的原材料來自硅砂（二氧化硅）。多晶硅的品質和規格多晶硅按外形可分為：塊狀多晶硅和棒狀多晶硅;等級分為：一、二、三級免洗料。多晶硅的檢測主要檢測參數為電阻率、碳濃度、N型少數載流子壽命；外形主要是塊狀的大小程度；結構方面要求 無氧化夾層；表面需要經過酸腐蝕，結構需致密、平整，多晶硅的外觀應無色斑、變色，無可見的污染物。對于特殊要求的，還需要進行體內金屬雜質含量的檢測。硅錠的規格與參數目前我們所生產的

10、硅錠有420kg、480kg兩種規格：420kg可以開方為 25塊156*156mm的小方錠480kg可以開方為 36塊156*156mm的小方錠導分型（極性）P型電阻率：1-3 Q ?cm雜質：無少子壽命2.5 s碳含量w 8X 1017at/cm 3氧含量w 5X 1017at/cm 3多晶硅生產設備有:原料提純塔干法提純塔間歇塔換熱器槽罐淋洗塔吸收塔脫吸塔活性炭吸附塔還原爐制氫 設備板式換熱器氫壓機燃氣鍋爐低溫制冷機組制氮機澳化鋰機組空壓機還原爐變壓器還原爐電 氣硅芯爐冷卻塔石墨煨燒爐循環水泵等。多晶硅片主要技術參數例1.山東舜亦新能源有限公司晶體類型：多晶硅片 導電類型：P型（摻硼）硅

11、片尺寸：156X156 ( 0.5)正方形厚度：200 m m 20 dm對角線：219.2 0.5mm 斜角：0.52mm in 45 總厚度變化：三30 dm彎曲度：三50 m m線痕：三20 m氧含量：三 8.0 x 10E17 atms/cm3碳含量：三 1.0 x 10E18 atms/cm3阻值:0.5 3 ohm.cm少子壽命： 2 1 s多晶錠直角:90 0.3裂紋和穿孔：目測不可見邊緣缺陷：深不大于0.5mm ,長不大于1.5mm ,不多于兩處硅片表面干凈，無污染例2.鎮江環太硅科技有限公司生長方法Growth MethodDSS導電型號Conductive TypeP摻雜劑

12、DopantB電阻率Resistivity ( p )1.0 -3.0 Q - cm少子壽命Minority Carrier Lifetime2(i s(brick硅塊)氧含量Oxygen Content(oi)w 1.0*10 18 at/cm3碳含量Carbon Content(c)0 1.0*10 17 at/cm3硅片尺寸Size156*156 0.5mm倒角線角度Bebel Edge Angle45 10 倒角線寬度Bebel Edge Width0.5-2mm硅片厚度Thickness200 20 m總厚度變化TTVw 30 dm線痕Saw Mark 15m彎曲度/翹曲度Bow/W

13、arpw 75 dm崩邊chip深度 0.3mm；長度 1cm5u.e.din the - -I- h iig Kce 、 h - I- -a.一 Shu Jlcntsd .,i L. n-n, .” n“nho” he -bi- in.ii Ic- 一. nding .nd -n. .up .o - m.L-nLali .n ie.b-e nt* -L .n was . b ng一 LL-iF_ u ll.-hl he C- nl.i.- .I-*Ln* . - .-I-L. C.n.pl .fl.,w.pl.- - inl.- -L L.l.Th. . pi-.s.n, *h.L i.lw

14、 -LinL - cn.i L p. ,Lll Llls.L-z-in .I- l.ms - -n-u.Li- Lin-l-.l.應用圖示光伏系既名品贖片荽品碰咆油片零品珪用泄密件光伏系統多晶硅一單晶棒多晶硅長晶法即長成單晶硅棒法有兩種：直拉法 （CZ）和浮融法（FZh其中CZ法占了約85%. CZ法 所以比1-7法更普遍被半導體工業采用，主要在于它的 高氧含量提供了晶片強化的優點，另一方面是CZ法 比FZ法更容易生產出大尺寸的單晶硅棒.單晶棒一單晶硅片在單晶硅片制備階段,需要將硅單晶棒加工成具 有高面型精度和表面質量的原始硅片或光片（hare wafer）,為IC前半制程中的光刻等工序準備平

15、坦化超 光滑無損傷的襯底表面.對直徑近200 mm的硅片，傳 統的硅片加工工藝流程為；單晶生長f切斷f外徑滾 磨f平邊或型槽處理一切片-倒角f研磨一腐蝕 f拋光一清洗f包裝。單晶硅和多晶硅的區別當熔融的單質硅凝固時，硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶 粒，則形成單晶硅。如果這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則形成多晶硅。多晶硅與單晶硅的差異主要表現在物理性質方面。例如在力學性質、電學性質等方面，多晶硅均不如 單晶硅。多晶硅可作為拉制單晶硅的原料。單晶硅可算得上是世界上最純凈的物質了, 一般的半導體器件要求硅的純度六個9以上。大規模集成電路的要求更高，硅的純度必須達

16、到九個 9。目前，人們已經能制造出純度為十二個9的單晶硅。單晶硅是電子計算機、自動控制系統等現代科學技術中不可缺少的基本材料。-n-. . .n, - - nnl.n- i plIi-Shh-II- - .n-in- - l-.l.* - S*n* .- Il-L- L wl-L- - -Lng L., - pi- Lul-l.-.- - n-nn- -L-i.* .1 l-,l.L .1 inChi n-pi -, -,- n-0 -_n h- pl.,- . - i. l”L-. .fCCi-s-.n.- -l-S-luph- -.f L.n.ull.nph- . .1 -L-isl .-

17、 -.n.Pl-V.Ls p- .-. * -s*.n-、.g L- ss *l in、*i “ l .L-.l .-ni-i .n； n . -g l I- h - hpLi L .w n-Si - -.Li.- II- - .n - -l- . - syS- - n,-, g - l n-nn- - ndl- l-e -w -l ensue lh-lh-lgl l.1 - -s- Ldii -i p. - l inL- nn-nl. -L .p-l-y - -LlLig l . i- l- pl - .f|-i L-i p. - h LLL- pl hs.P- n-. se_in, Af-

18、is l- lgl l. - - l- l.i - l- p. - l -p.iiy L-.n SL- nL-.p - - n-in s.lL I- -nsl- L l. .pl shg -Lp-lng in、l、-L sli- l -s l.n-l -nd G-.-l i-gi . L-p.i-L-nlf- - n.1-.- l-slLl .n, sunL .pl.v- nl . P- n-. - - .n, IHi ng - sL-is -iu- iCCi-,-h-n-ng n-in-i-,l- -f p.-l, .-l - .- n-L S .L-is - -Liu-wi h CCin

19、- - -isi L wlk.l- L, Lll- L- -Lui L-T. .p. l- -LiLl-.-ng0-l . - ., -s-is - nd .pl -. p.一,-i .i- s. ., .pl.- lh- - .f -Liu P-0-.n, - -i-ig L- -ip.-l l-ui s . .Li-i - .s s u l- -.s.-l-i-us .f -nL-L- nd - i-*-.I- .-. l- n-. L-p-當前市場價格改自的門子準H名點R愉格60萬I（含稅）j年I月5日晶 名量而成交價將人昆布含相，式晶碟電子一郎免洗力子痔曲1皿宙18萬網I名晶，電子二錨

20、治先少子號50cq俄萬，嶂1恚品佳電子三級免戍少于零曲XOO必75萬冏1震鳥畦太陽is-er少子壽命HOC海M萬E 1整晶威太陽第二翎少子壽命瀉0盧58萬遇J去工膜太陽匕三at少子壽命與011s55萬陽1方舄硅太第就一飆速標打少孑毒命100450 萬 E 1塞晶族太陽堡一切球頭息*孑序的xoog已標stM表石集照取晚1於JL碇第頭招少子壽命30曲言萬內1名晶硅（胃外品）少子卷命為0q幅取疇1理病掛原生晶虹晶建少子壽命XMpS黃萬冏1還原爐硅語】4礪7就0元，糧|位單工裁雜電子融母含金現簟殺FSS負三崛率0 004-0 004重次135沅/公斤1柳二恒牝通白愛里）150/300”如。-220 口

21、沅聲!電哪將爐粵用方軒AX嗎a X55OG-3OOO 取峰 ARLtl第元抽三蠹我魅99財皿曲1 1族化碇單晶26H THH遹來電咨詢1霹學篇曜片對京L5W杷5電，叫II窣MT 5*15 5元?%導而片11霹電池電他妓充H 7 5*沅M1 1】酩密晶硅電也電池我率。9.9SFW |【5653II片電池制率R6*2玩俏I-ono.yF. - ou. I. 0. on of、gL- n、-.I I.*.t.o-nmI on；2 -.- I.-g I -I - IpUl.nd-.ol. .- 13 on - a t. . - .：_-.nH, go .nd. .on, -c on. i-ll-s I- I-a- on ad . . .”.