1、E EMMC C-4 -41 電磁屏蔽技術電磁屏蔽技術研究生學位課電磁兼容研究生學位課電磁兼容（4 4）E EMMC C-4 -42 主要內容主要內容 p 概概 述述p 電場屏蔽電場屏蔽p 低頻磁場屏蔽低頻磁場屏蔽p 高頻磁場屏蔽高頻磁場屏蔽n 電磁屏蔽電磁屏蔽p 孔洞的屏蔽效能孔洞的屏蔽效能 E EMMC C-4 -43 概概 述述p 屏蔽類型屏蔽類型：p 屏蔽是用導電或導磁材料將需要防護區域封閉起來，以抑制和屏蔽是用導電或導磁材料將需要防護區域封閉起來，以抑制和 控制電場、磁場和電磁波由一個區域對另一個區域的控制電場、磁場和電磁波由一個區域對另一個區域的感應感應和和輻輻 射射；屏蔽技術用來

2、抑制電磁噪聲沿著空間的傳播，即切斷電磁；屏蔽技術用來抑制電磁噪聲沿著空間的傳播，即切斷電磁 波輻射（和場耦合）的傳輸途徑波輻射（和場耦合）的傳輸途徑。p 主動屏蔽：屏蔽干擾源，被動屏蔽：屏蔽敏感體。主動屏蔽：屏蔽干擾源，被動屏蔽：屏蔽敏感體。波波 電磁電磁波波屏屏蔽蔽低低頻頻近近場場E EMMC C-4 -44靜電場屏蔽靜電場屏蔽p 靜電場的屏蔽靜電場的屏蔽 空空腔腔E EMMC C-4 -45 交變電場的屏蔽交變電場的屏蔽 因為低頻交變電場的騷擾源與接受器之間的電場感應耦合因為低頻交變電場的騷擾源與接受器之間的電場感應耦合可以用它們之間的可以用它們之間的耦合電容耦合電容進行描述，低頻交變電場

3、的屏蔽進行描述，低頻交變電場的屏蔽可采用可采用電路理論電路理論加以解釋。加以解釋。直觀、方便直觀、方便。屏蔽低頻屏蔽低頻交變電場的關鍵。交變電場的關鍵。增多騷擾源與接受器之間距離，或利用增多騷擾源與接受器之間距離，或利用E EMMC C-4 -46p 利用利用1,23CC1100ZU1,23CC接地金屬接地金屬屏蔽體屏蔽體11000,sZUUE EMMC C-4 -47n 靜磁場屏蔽靜磁場屏蔽例例 無限長磁性材料圓柱腔的靜磁屏蔽效能無限長磁性材料圓柱腔的靜磁屏蔽效能 01102112rrbaHHabHHba E EMMC C-4 -48p低頻：低頻：100 kHz100 kHz以下以下p屏蔽原

4、理：屏蔽原理：利用高磁導率的鐵磁材料利用高磁導率的鐵磁材料( (例如鐵、硅鋼片，其磁例如鐵、硅鋼片，其磁 導率約為導率約為 ）對騷擾磁場進行分路，把磁力線集中在）對騷擾磁場進行分路，把磁力線集中在其內部通過，限制在空氣中大量發散。其內部通過，限制在空氣中大量發散。 3401010,mmmURRl s 低頻磁場屏蔽低頻磁場屏蔽H1R0RmH0H0RmH1R0p 磁路方程磁路方程磁力線集中在其內部磁力線集中在其內部 (Rm)通過通過H2H2E EMMC C-4 -49n 用鐵磁材料作的屏蔽罩，在垂直磁力線方向不應開口或有用鐵磁材料作的屏蔽罩，在垂直磁力線方向不應開口或有縫隙縫隙。因為若縫隙垂直于磁

5、力線，則會切斷磁力線，使磁。因為若縫隙垂直于磁力線，則會切斷磁力線，使磁阻增大，屏蔽效果變差阻增大，屏蔽效果變差。 (主動屏蔽主動屏蔽) (被動屏蔽被動屏蔽) E EMMC C-4 -410n法拉第電磁感應定律，楞次定律，法拉第電磁感應定律，楞次定律，u高頻磁場的屏蔽采用的是低電阻率的良導體高頻磁場的屏蔽采用的是低電阻率的良導體（銅、鋁）（銅、鋁）u屏蔽原理屏蔽原理: :利用電磁感應現象在屏蔽體表面所產生的渦流的反磁場來達利用電磁感應現象在屏蔽體表面所產生的渦流的反磁場來達到屏蔽的目的，即利用了渦流反向磁場對于原騷擾磁場的排斥作用，抑到屏蔽的目的，即利用了渦流反向磁場對于原騷擾磁場的排斥作用，

6、抑制或抵消屏蔽體外的磁場。制或抵消屏蔽體外的磁場。 高頻磁場屏蔽高頻磁場屏蔽渦流產生的反向磁場增強了金屬板側面的磁場使磁力線在金屬板側面繞行而過。渦流產生的反向磁場增強了金屬板側面的磁場使磁力線在金屬板側面繞行而過。H0E EMMC C-4 -411n 屏蔽是利用感應渦流的反磁場排斥原騷擾磁場而達到屏蔽屏蔽是利用感應渦流的反磁場排斥原騷擾磁場而達到屏蔽 的目的，渦電流的大小直接影響屏蔽效果。屏蔽體電阻越小的目的，渦電流的大小直接影響屏蔽效果。屏蔽體電阻越小 產生的感應渦流越大而且屏蔽體自身的損耗也越小。產生的感應渦流越大而且屏蔽體自身的損耗也越小。 所以高頻磁屏蔽材料需用良導體所以高頻磁屏蔽材

7、料需用良導體。p 注：因為高頻時鐵磁材料的磁性損耗注：因為高頻時鐵磁材料的磁性損耗( (包括磁滯損耗和渦流包括磁滯損耗和渦流 損耗損耗) )很大很大，導磁率明顯下降。導磁率明顯下降。 鐵磁材料的屏蔽不適用于高頻磁場屏蔽鐵磁材料的屏蔽不適用于高頻磁場屏蔽。n 屏蔽盒上縫的方向必須順著渦流方向并且要盡可能地縮小縫屏蔽盒上縫的方向必須順著渦流方向并且要盡可能地縮小縫 的寬度。如果開縫切斷了渦流的通路則將大大影響金屬盒的的寬度。如果開縫切斷了渦流的通路則將大大影響金屬盒的 屏蔽效果。屏蔽效果。另一種解釋，趨膚效應熱損耗另一種解釋，趨膚效應熱損耗2E EMMC C-4 -412p屏蔽體和線圈的等效電路屏

8、蔽體和線圈的等效電路 渦流渦流 當當 （高頻）時，（高頻）時， 當當 （低頻）時（低頻）時 sssj Miij LRssLRssMiiLssLRssj MiiRn 低頻時渦流很小，渦流的反磁場不足以完全低頻時渦流很小，渦流的反磁場不足以完全 排斥原干擾磁場，此法不適用于低頻磁場屏蔽排斥原干擾磁場，此法不適用于低頻磁場屏蔽n 一定頻率后渦流不再隨著頻率升高，說明渦流一定頻率后渦流不再隨著頻率升高，說明渦流 產生的反磁場已足以排斥原有的干擾磁場，從產生的反磁場已足以排斥原有的干擾磁場，從 而起到屏蔽作用。而起到屏蔽作用。is頻率頻率M/ /LRs/LRs屏屏蔽蔽體體電電阻阻E EMMC C-4 -

9、413電磁屏蔽電磁屏蔽p時變電磁場中，電場和磁場總是同時存在的，通常時變電磁場中，電場和磁場總是同時存在的，通常所說的屏蔽，多指電磁屏蔽。所說的屏蔽，多指電磁屏蔽。電磁屏蔽是指同時抑電磁屏蔽是指同時抑制或削弱電場和磁場制或削弱電場和磁場。p電磁屏蔽一般也是指高頻交變電磁屏蔽電磁屏蔽一般也是指高頻交變電磁屏蔽(10kHz 40GHz)。p隨著頻率增高，電磁輻射能力增加，產生輻射電磁隨著頻率增高，電磁輻射能力增加，產生輻射電磁場，并趨向于遠場騷擾。場，并趨向于遠場騷擾。遠場騷擾遠場騷擾中的電場騷擾和中的電場騷擾和磁場騷擾都不可忽略，因此需要將磁場騷擾都不可忽略，因此需要將電場和磁場同時電場和磁場同

10、時屏蔽，即電磁屏蔽屏蔽，即電磁屏蔽。E EMMC C-4 -414 電磁屏蔽電磁屏蔽p在頻率較低（近場區，近場隨著騷擾源的性質不在頻率較低（近場區，近場隨著騷擾源的性質不同，電場和磁場的大小有很大差別。同，電場和磁場的大小有很大差別。 高電壓小電流高電壓小電流騷擾源以電場為主騷擾源以電場為主（電準穩態（電準穩態場忽略了感應電壓場忽略了感應電壓），磁場騷擾較小（有時可），磁場騷擾較小（有時可忽略）。忽略）。 低電壓高電流低電壓高電流騷騷 擾擾 源源 以以 磁磁 場場 騷騷 擾擾 為為 主主（磁準穩態場忽略了位移電流（磁準穩態場忽略了位移電流），電場騷擾較），電場騷擾較小。小。E EMMC C-4

11、 -415 屏 蔽 效 能屏蔽前場強屏蔽前場強 E1, H1屏蔽后場強 E2，H2p 對電、磁對電、磁場和電磁場和電磁波產生衰減的作用就是波產生衰減的作用就是電磁波電磁波屏蔽屏蔽, 屏蔽作用的大小用屏蔽作用的大小用屏蔽效能屏蔽效能度量度量: SE = 20 lg ( E1/ E2 ) , SH = 20 lg ( H1/ H2 ) dBp 衰減量與屏蔽效能的關系衰減量與屏蔽效能的關系例：例：40dB, 衰減比衰減比1/100 GJB151A的機箱：的機箱：60dB一般商業一般商業的機箱：的機箱： 40dB 軍用屏蔽室：軍用屏蔽室： 100dB 1E2E E EMMC C-4 -416屏蔽機理屏

12、蔽機理p設金屬平板左右兩側均為空氣，因而在左右兩個界面上出現波阻抗突變，入射電磁波在界面上就產生反射和透射。p 電磁能（波）的反射，是屏蔽體對電磁波衰減的第一種機理，稱為反射損耗反射損耗，用R表示。p 透射入金屬板內繼續傳播，其場量 振幅要按指數規律衰減。場量的衰 減反映了金屬板對透射入的電磁能 量的吸收，電磁波衰減的第二種機 理稱為吸收損耗吸收損耗，用A表示p 在金屬板內尚未衰減掉的剩余能量達到金屬右邊界面上時，又要發生反射，并在金屬板的兩個界面之間來回多次反射。只有剩余的一小部分電磁能量透過屏蔽的空間。電磁波衷減的第三種機理，稱為多次反射修正因子多次反射修正因子，用B表示。tRABE EM

13、MC C-4 -417p屏蔽效能的第一種機理電磁能的反射是因為空氣金屬界面上阻屏蔽效能的第一種機理電磁能的反射是因為空氣金屬界面上阻抗不匹配而發生的。反射系數為抗不匹配而發生的。反射系數為sWsWZZZZWZsZ輻射場的波阻抗輻射場的波阻抗 金屬板的波阻抗金屬板的波阻抗p 吸收損耗吸收損耗0 xj xEE ee2p 第三種機理，稱為多次反射修正因子：第三種機理，稱為多次反射修正因子：32(1)(1)(1)(1)ttmaammaammaee 三次反射三次反射( (吸收過程吸收過程) ) 五次反射五次反射( (吸收過程吸收過程) ) E EMMC C-4 -418 實心材料屏蔽效能 R AB入射入

14、射場強場強距離距離吸收損耗吸收損耗AR1R2SE R1 R2 ABB透射透射泄漏泄漏R 反射損耗反射損耗A吸收吸收損耗損耗B多次反射修正因子多次反射修正因子n 實心材料對電磁波的實心材料對電磁波的反射反射和和吸收吸收損耗使電磁能量被大大衰減，將電損耗使電磁能量被大大衰減，將電場和磁場同時屏蔽，即電磁屏蔽。場和磁場同時屏蔽，即電磁屏蔽。反射反射AR1R2E EMMC C-4 -419波阻抗的概念（前述）377波波阻阻抗抗電場為主電場為主 E 1/ r3 H 1 / r2磁場為主磁場為主 H 1/ r3 E 1/ r2平面波平面波 E 1/ r H 1/ r/ 2到觀測點距離到觀測點距離 rE/H

15、p 距離小于距離小于 /時，稱為時，稱為近場區近場區，大于，大于 /時稱為時稱為遠場區遠場區。n 近場區中，波阻抗小于近場區中，波阻抗小于377，稱為低阻抗波（磁場波）；波阻抗大，稱為低阻抗波（磁場波）；波阻抗大 377， 稱為高阻抗波（電場波）。波阻抗隨距離而變化稱為高阻抗波（電場波）。波阻抗隨距離而變化 。p 遠場區，波阻抗僅與電場波傳播介質有關，空氣為遠場區，波阻抗僅與電場波傳播介質有關，空氣為377 。 E EMMC C-4 -420 反 射 損 耗 R 20 lgp 反射損耗與波阻抗有關反射損耗與波阻抗有關u 屏蔽材料的阻抗屏蔽材料的阻抗 Zs 磁場反射損耗磁場反射損耗, 當頻率升高

16、時，電場和磁場損耗趨向于一致，匯合當頻率升高時，電場和磁場損耗趨向于一致，匯合 在平面波的反射損耗數值上。在平面波的反射損耗數值上。 p 距離電偶極源越近，則反射損耗越大（波阻抗越高）。磁偶極源，則正好相反。距離電偶極源越近，則反射損耗越大（波阻抗越高）。磁偶極源，則正好相反。p 頻率影響：頻率升高時，電場的波阻抗變低，磁場波的波阻抗變高。同時屏蔽材頻率影響：頻率升高時，電場的波阻抗變低，磁場波的波阻抗變高。同時屏蔽材 料的阻抗發生變化（變大）。對于平面波，由于波阻抗一定（料的阻抗發生變化（變大）。對于平面波，由于波阻抗一定（377 ），因此），因此隨隨 著頻率升高，反射損耗降低著頻率升高，反

17、射損耗降低。E EMMC C-4 -423 吸收損耗入射電磁波E1剩余電磁波E2E2 = E1e-t/ A 20 lg ( E1 / E2 ) = 20 lg ( e t / )t0.37E0 3.34 t f rr dB10.066rrf p 材料越厚材料越厚t ，吸收損耗越大，吸收損耗越大， 每增加一個趨膚深度，吸收損耗增加約每增加一個趨膚深度，吸收損耗增加約20dB；p 趨膚深度越小（磁導率、電導率和頻率越高），吸收損耗越大。趨膚深度越小（磁導率、電導率和頻率越高），吸收損耗越大。 E EMMC C-4 -424 趨膚深度舉例p 相對（電導率，磁導率）：相對（電導率，磁導率）：銅銅 （1

18、, 1), 鋁鋁 （0.6, 1), 鋼鋼 ( 0.16, 200);p 吸收損耗與吸收損耗與入射入射電磁場電磁場（波）波）的種類（波阻抗）的種類（波阻抗）無關。無關。E EMMC C-4 -425多次反射修正因子的計算電磁波在屏蔽體內多次反射，會引起附加的電磁泄漏，因此要對前面的計算進行修正。B = 20 lg ( 1 - e -2 t / )說明：說明： B為負值，其作用是減小屏蔽效能為負值，其作用是減小屏蔽效能 當趨膚深度與屏蔽體的厚度相當時，可以忽略當趨膚深度與屏蔽體的厚度相當時，可以忽略 對于電場波，可以忽略對于電場波，可以忽略 對于電場波，反射損耗已很大了，進入屏蔽體的能量已經很小

19、了，對于電場波，反射損耗已很大了，進入屏蔽體的能量已經很小了， 所以可以忽略。所以可以忽略。E EMMC C-4 -426綜合屏蔽效能 (0.5mm鋁板)高頻時高頻時電磁波種類電磁波種類的影響很小的影響很小150250平面波平面波00 0.1k 1k 10k 100k 1M 10M電場電場D = 0.5 m磁場磁場 D = 0.5 m屏蔽效能屏蔽效能（dB）頻率頻率p 低頻低頻：趨膚深度大，吸收損耗小，：趨膚深度大，吸收損耗小，屏蔽決于反射損耗屏蔽決于反射損耗。電場。電場電磁波電磁波磁場。磁場。p 高頻高頻：電場的反射損耗降低，磁場的反射損耗增加；：電場的反射損耗降低，磁場的反射損耗增加； 頻

20、率升高頻率升高，吸收損耗增加，頻率高到一定程度時，屏蔽，吸收損耗增加，頻率高到一定程度時，屏蔽主要由吸收損耗決定主要由吸收損耗決定。p 屏蔽的難度按電場波、平面波、磁場波的順序依次增加。屏蔽的難度按電場波、平面波、磁場波的順序依次增加。p 特別是特別是頻率較低的磁場，很難屏蔽頻率較低的磁場，很難屏蔽。E EMMC C-4 -427怎樣屏蔽低頻磁場？低頻磁場低頻磁場低頻低頻磁場磁場吸收損耗小吸收損耗小（趨膚深度大（趨膚深度大）反射損耗小反射損耗小( (低阻抗低阻抗）高導電材料高導電材料高導磁材料高導磁材料高導電材料高導電材料方法方法1：高導磁率材料的表面：高導磁率材料的表面增加一層高導電率材料，

21、增加增加一層高導電率材料，增加電場波在屏蔽材料與空氣界面電場波在屏蔽材料與空氣界面上的反射損耗。上的反射損耗。方法方法2 ：低磁阻通路旁路。低磁阻通路旁路。 關關 鍵：鍵：采用高導磁率材料，采用高導磁率材料， 減少減少磁阻。磁阻。H1E EMMC C-4 -428 磁屏蔽材料的頻率特性151015坡莫合金坡莫合金 金屬金屬鎳鋼鎳鋼冷軋鋼冷軋鋼 0.01 0.1 1.0 10 100 kHzr 103n 磁屏蔽材料手冊上給出的導磁率數據大多是直流情況下的，隨著磁屏蔽材料手冊上給出的導磁率數據大多是直流情況下的，隨著 頻率增加，導磁率會下降頻率增加，導磁率會下降 ，當頻率大于，當頻率大于 時，時，

22、導磁率更低導磁率更低。10kHzE EMMC C-4 -429 磁導率隨場強的變化磁導率隨場強的變化磁場強度 H磁通密度 B 飽和起始磁導率最大磁導率 = B / Hp 一對矛盾一對矛盾：當要屏蔽的磁場很強時，即為了獲得較高的屏蔽性能，當要屏蔽的磁場很強時，即為了獲得較高的屏蔽性能，需要使用導磁率較高的材料，但這種材料容易飽和。如用比較不容易需要使用導磁率較高的材料，但這種材料容易飽和。如用比較不容易飽和的材料，往往由于飽和的材料，往往由于 =較低，較低，屏蔽性能又達不到要求屏蔽性能又達不到要求。E EMMC C-4 -430 強磁場的屏蔽強磁場的屏蔽高導磁率材料：飽和飽和低導磁率材料：屏效不

23、夠屏效不夠低導磁率材料低導磁率材料高導磁率材料n 解決方法：采用雙層屏蔽，先用不容易發生飽和的磁導解決方法：采用雙層屏蔽，先用不容易發生飽和的磁導率較低的材料將磁場衰減到一定程度，然后用高導磁率材率較低的材料將磁場衰減到一定程度，然后用高導磁率材料將磁場衰減到滿足要求。料將磁場衰減到滿足要求。n 成本高、實施困難。成本高、實施困難。 E EMMC C-4 -431 良好電磁屏蔽的關鍵因素良好電磁屏蔽的關鍵因素屏蔽體的屏蔽體的導電連續導電連續有無穿過屏有無穿過屏蔽體的導體蔽體的導體屏蔽效能高的屏蔽體屏蔽效能高的屏蔽體不要忘記：不要忘記：選擇適當的屏蔽材料你知道嗎：與屏蔽體接地與否無關屏蔽體的完整

24、性（完整、封閉）屏蔽體的完整性（完整、封閉）+導電的連續性是屏蔽的關鍵導電的連續性是屏蔽的關鍵E EMMC C-4 -432實際屏蔽體的問題實際屏蔽體的問題p 實際機箱上有許多泄漏源：不同部分結合處的縫隙實際機箱上有許多泄漏源：不同部分結合處的縫隙通風口、顯示窗、按鍵、指示燈和通風口、顯示窗、按鍵、指示燈和電纜線、電源線電纜線、電源線等等p 影響屏蔽效能的兩個因素：影響屏蔽效能的兩個因素：屏蔽體的導電連續性和屏蔽體的導電連續性和穿過穿過屏蔽機箱的導線屏蔽機箱的導線（危害更大輻射傳導危害更大輻射傳導）。通風口顯示窗鍵盤指示燈電纜插座調節旋鈕電源線電源線縫隙縫隙電電纜纜線線E EMMC C-4 -

25、433 遠場遠場區孔洞的屏蔽效能區孔洞的屏蔽效能l lSE = 100 20lgl 20lg f + 20lg（1 + 2.3lg(l/h) = 0 dB Hn 當電磁波入射到一個縫隙孔洞時，其作用相當于一個偶極天線當電磁波入射到一個縫隙孔洞時，其作用相當于一個偶極天線(第二章已講述）第二章已講述）n 當縫隙的長度達到當縫隙的長度達到l = /2時，其輻射效率最高時，其輻射效率最高（與縫隙的寬度無（與縫隙的寬度無關），它幾乎可將激勵縫隙的全部能量輻射出去。關），它幾乎可將激勵縫隙的全部能量輻射出去。n 若若 l / 2 h5002fMHzlE EMMC C-4 -434 孔洞在孔洞在近場區近場

26、區的屏蔽效能的屏蔽效能p 在近場區，孔洞的泄漏還與輻射源的特性有關在近場區，孔洞的泄漏還與輻射源的特性有關 若若 ZC （7.9/Df）（電場源）：）（電場源）： SE = 48 + 20lg ZC 20lg l f + 20lg ( 1 + 2.3lg (l/h) ) 若若 ZC （7.9/Df）（磁場源）（磁場源） SE = 20lg ( D/l) + 20lg (1 + 2.3lg (l/h) )u ZC = 輻射源的阻抗（輻射源的阻抗（ ），），D = 孔到源的距離（孔到源的距離（m），）， l，h = 孔，洞孔，洞(mm），），f = 電磁波的頻率（電磁波的頻率（MHz）p 當電場源

27、時，孔洞的泄漏比遠場時小（屏蔽效能較高），而當電場源時，孔洞的泄漏比遠場時小（屏蔽效能較高），而當當磁場源時，孔洞磁場源時，孔洞 的泄漏比遠場時要大的泄漏比遠場時要大（屏蔽效能較低）（屏蔽效能較低）.（注意：對于磁場源，屏效與頻率無關！危害更大！）注意：對于磁場源，屏效與頻率無關！危害更大！） DlhE EMMC C-4 -435 縫隙的泄漏縫隙的泄漏高頻起主要作用高頻起主要作用低頻起主要作用低頻起主要作用屏屏蔽蔽體體的的導導電電連連續續問問題題影響電阻，影響電阻，電容電容的因素：的因素：p 接觸面積（接觸點數）、接觸面的材料、接觸面的清潔程度、接觸面上的壓接觸面積（接觸點數）、接觸面的材料、

28、接觸面的清潔程度、接觸面上的壓 力、氧化腐蝕等力、氧化腐蝕等。n 兩個表面之間的距離越近，相對的面積越大，則電容越大兩個表面之間的距離越近，相對的面積越大，則電容越大 。 縫隙的阻抗越小，電磁泄漏越小，屏蔽效能越高（電容變小）作用可能相反，整體上，（電容變小）作用可能相反，整體上，高頻時高頻時電磁泄漏較大電磁泄漏較大h=0 的情況的情況縫隙E EMMC C-4 -436縫隙的處理縫隙的處理電磁密封襯墊縫隙n 減小減小縫隙電磁泄漏的基本思路：縫隙電磁泄漏的基本思路：減小減小縫隙的阻抗（增加導電接觸點、加縫隙的阻抗（增加導電接觸點、加大兩塊金屬板之間的重疊面積、減小縫隙的寬度）大兩塊金屬板之間的重

29、疊面積、減小縫隙的寬度）。方法：增加接觸面的平整度，增加緊固件（螺釘、鉚釘）的密度，方法：增加接觸面的平整度，增加緊固件（螺釘、鉚釘）的密度，方法：方法：使用電磁密封襯墊，電磁密封襯墊是一種彈性的導電材料。使用電磁密封襯墊，電磁密封襯墊是一種彈性的導電材料。E EMMC C-4 -437電磁密封襯墊的種類n 金屬絲網襯墊n 導電橡膠n 指形簧片n 螺旋管襯墊E EMMC C-4 -438襯墊種類襯墊種類優點優點缺點缺點適用場合適用場合導電橡膠導電橡膠同時具有環境密封同時具有環境密封和電磁密封作用，和電磁密封作用，高頻屏蔽效能高高頻屏蔽效能高需要的壓力大，需要的壓力大，價格高價格高需要環境密封和

30、較高屏需要環境密封和較高屏蔽效能的場合蔽效能的場合金屬絲網金屬絲網條條成本低，不易損壞成本低，不易損壞 高頻屏蔽效能，高頻屏蔽效能，適合適合1GHz以上以上的場合沒有環境的場合沒有環境密封作用密封作用干擾頻率為干擾頻率為1GHz以下以下的場合的場合指形簧片指形簧片屏蔽效能高允許滑屏蔽效能高允許滑動接觸形變范圍大動接觸形變范圍大 價格高沒有環境價格高沒有環境密封作用密封作用有滑動接觸的場合屏蔽有滑動接觸的場合屏蔽性能要求較高的場合性能要求較高的場合p 導電橡膠：導電橡膠：在硅橡膠內填充占總重量在硅橡膠內填充占總重量70 80比例的金屬顆粒，如銀粉、比例的金屬顆粒，如銀粉、銅粉、鋁粉、鍍銀銅粉、鍍

31、銀鋁粉、鍍銀玻璃球等。這種材料保留一部分硅銅粉、鋁粉、鍍銀銅粉、鍍銀鋁粉、鍍銀玻璃球等。這種材料保留一部分硅橡膠良好彈性的特性，同時具有較好的導電性。橡膠良好彈性的特性，同時具有較好的導電性。 E EMMC C-4 -439螺旋管螺旋管屏蔽效能高，屏蔽效能高，價格低價格低, 復合型復合型能同時提供環能同時提供環境密封和電磁境密封和電磁密封密封 過量壓縮時容易過量壓縮時容易損壞損壞屏蔽性能要求高的場合屏蔽性能要求高的場合有良好壓縮限位的場合有良好壓縮限位的場合需要環境密封和很高屏蔽需要環境密封和很高屏蔽效能的場合效能的場合多重導電橡多重導電橡膠膠彈性好彈性好 ，價格，價格低，低， 可以提供可以提

32、供環境密封環境密封 表層導電層較薄，表層導電層較薄，在反復磨擦的場在反復磨擦的場合容易脫落合容易脫落需要環境密封和一般屏蔽需要環境密封和一般屏蔽性能的場合不能提供較大性能的場合不能提供較大壓力的場合壓力的場合導電布襯墊導電布襯墊柔軟，需要壓柔軟，需要壓力小力小 價格低價格低 濕熱環境中容易濕熱環境中容易損壞損壞不能提供較大壓力的場合不能提供較大壓力的場合E EMMC C-4 -440 電磁密封襯墊的主要參數電磁密封襯墊的主要參數 屏蔽效能 (關系到總體屏蔽效能) 回彈力（關系到蓋板的剛度和螺釘間距） 最小密封壓力（關系到最小壓縮量）最大形變量（關系到最大壓縮量） 壓縮永久形變（關系到允許蓋板開

33、關次數） 電化學相容性（關系到屏蔽效能的穩定性）E EMMC C-4 -441 電磁密封襯墊的安裝方法絕緣漆環境密封E EMMC C-4 -442截止波導管截止波導管損損耗耗頻率fc截止頻率截止頻率頻率高的電磁波能通過波導管，頻率低的電磁波損頻率高的電磁波能通過波導管，頻率低的電磁波損耗很大！工作在截止區的波導管叫截止波導。耗很大！工作在截止區的波導管叫截止波導。截止區E EMMC C-4 -443 截止波導管的屏效截止波導管的屏效截止波導管 屏蔽效能=反射損耗：遠場區計算公式,近場區計算公式+吸收損耗：吸收損耗：與截止頻率有關孔洞計算屏蔽效能公式，孔洞計算屏蔽效能公式，前述前述波導壁面吸收損失波導壁面吸收損失 屏蔽效能明顯屏蔽效能明顯E EMMC C-4 -444 截止波導管的損耗截止波導管的損耗 不同金屬的截止波導管的損耗。不同金屬的截止波導管的損耗。 同樣情況下，波導越長，壁面吸收損失越大，屏蔽效能越好同樣情