1、SMT 高級工程師教案6PCB素材PCB 素材一. 前言二. 玻璃紗.玻璃席.玻璃布三. 膠- 酚醛樹脂.單官能基樹脂.環氧樹脂.雙官能基樹脂.多官能基樹脂四. 銅箔 電鍍銅箔.輥壓銅箔.高密度壓延銅箔.超密度壓延銅箔低粗躁輪廓面銅箔.超低粗躁輪廓面銅箔.雙面特殊處理銅箔五. 銅箔基板- 調膠 (Varnish Compounding) 垂直幾(Horizontal Treater) 迭置(Ply-up & Lay-up) 壓合(Press) 裁切(Trimming)六. 印刷電路板-單面板.雙面板.多面板七. 結論一. 前言：印刷電路板為電子業、汽車業、通訊業、航天科技必需之基本材料

2、，其發展過程分尿素板.酚醛樹脂板、紙質及玻璃席環氧樹脂板，玻璃布多官能基樹脂板及耐熱、耐化、耐燃、玻璃轉化溫度Tg之氰酸脂樹脂諸類多功能板.自從1994年3月PCMCIA卡至1997年MICROVIA問市，其發展策略要求節約能源，高記憶容量，超薄短小，線路細致化BGA封裝技術不斷更新，成本逐漸降低，高Tg膠系開發,SMT表面黏著REFLOW技術要求.PCB素材為其演變過程不可缺乏之原料.PCB線路/線距/ 要求2mil/2mil,超薄板設計制造因應而生.究竟其素材如何組成，將逐一加以介紹.并于制造過程會影響道SMT組裝事先應加以預防之基本要項深入探討SMT(Surface Mount Tech

3、nology)即表面組裝技術是一種高密度微電子組裝技術，它與傳統插件技術相對應，具有體積小，重量輕，密度高。速度快.可靠性高等優點，廣為應用，SMT組裝被為將SMT黏著于印制錫膏之PCB上，經由紅外線/熱風再回焊設備，PCB于爐膛內必須充份預熱，使PCB溫度逐漸上升攝氏150度，并保持60120秒以使錫膏內助焊劑充份發揮，而不會影響焊劑飛濺，此時使印刷電路板溫度均勻，迅速提高加熱溫度使PCB板面溫度達到焊料合金潤濕溫度，其錫膏量與SMD及PCB線路接觸面大小等因素，控制PCB最高峰值溫度下受熱均勻，且焊料再回流同時，盡可能使SMD內部保持低溫，以防組件劣化，因此于PCB素材選擇對于SMT高級工

4、程師不得不更深入研究其該選用材質，以符合市場需求及客戶質量.緊接著詳細介紹PCB速材PCB素材采用 IPC-TM-650 1998,9,30版 MIL-STD-105D不用二. 玻璃紗.玻璃席.玻璃布玻璃紗系二氧化硅原料經超高溫熔爐熔化成液態狀流體，再經漏斗式篩器形成聚合扭結合分子互相連結玻璃粒子，儲放于攝式2000度高溫熔爐，此玻璃分子經導管潰送至高速離心機內極細孔徑口，經霧化后速冷凝形成玻璃絲后經捻紐即是俱彈性且脆單股紗，聚合多束單股紗再經整型機卷取后為玻璃紗原料.玻璃席系玻璃紗不規則排列散布于經熔化又互相揪集再冷凝之二氧化硅糊漿原料上并于上表層涂模耦合劑如(Epoxy Binder or

5、 PVA Binder)經烘烤去漿料，依客戶需求卷成捆是為玻璃席.玻璃紗經準備部.整紗機.漿紗機.整漿機.并紗機.織造部在經后處理部之連續性去漿料，整丕去漿料及參入耦合劑烘烤卷取圓筒狀即為玻璃布玻璃布專用術語(Glass Cloth Nomenclature)經紗：Warp Yarn為縱向紗緯紗：Weft (Fill) Yarn為橫向紗或纖入紗鉗合劑：Silane (F002，A-1128 silane) n-B(n-benzylamino)ethy1-8-aminopropy1 trimethoxy silane.Hc1 0 CH2NH (CH2)2NH(CH2)3 Si(OCH3)3.Hc

6、l漿料：Sizing Agent PVA+Starch+Additives整紗機：Warper.漿紗機：Sizer 整漿機：Warping Sizer并紗機：Beamer.織造部：Loom玻 璃 布 規 范布種 基重 紗類 經向x緯向 厚度7628RN 220+/5 ECG 67 0.7 42X33 87628NBW 210+/3 ECG 75 0.7 44x33.5 77628LBW 203+/3 ECG 75 0.7 44x32 6.82116 106+/2 ECE225 1.0 61x59 41080 47.5+/1 ECD450 1.0 61x47 2.31652 137+/6 ECG

7、150 1.0 52x52 5 玻 璃 布 主 要 缺 點 斷紗(Broker filament)纏紗(Loop & Kinks)臟布(Dirt pick) 緊捆(Tight end)，拉松(Pull thread)，注記(Set mark). 毛羽(Fuzz)，魚眼(Fish eye)，邊裂(Broken Edge) 編織失真(Weave Distortion)玻 璃 布 織 造 主 要 物 件 準備部：紗錠(Yarn Bobbin)，分紗悍，漿料 織造部：鋼扣(Reed)，綜框(Shed or Hairness Fiame) 織布機：主/副噴嘴(Main / Sub nozzle)

8、 測長鼓(Measuring Drum) 左右剪刀(Left / Right cutter) 平綜角度(Shedding) 棄邊紗(Selveage yarn) 羽邊(Feather edge) 整修部：透氣管(Porous Tube)，紙管(Paper Tube) 分離及移上裝備(Let-off & Take-up Device)玻 璃 布 測 試 要 項 燒漿料損失率：(% of LOI：Lost on Ignition) 發生區域：上將及后處理過程(Sizing & Finishing) 張力/剪力強度：(Tensile / Tear strengthen) 發生區域：陰

9、暗及光滑玻璃布 水份含量：(Moisture content) 發生區域：上將料及曝露儲藏庫 氣密度：(Air permeability) 發生區域：每卷成品布 紗重：(Yarn weight) 測試平均200碼有機磅重(視不同紗錠而有不同基重)全 球 電 子 產 品 的 發 展過去,現在與未來過去現在未來產品視訊.信息.通訊各自獨力視訊.信息.與通訊產品逐步整合信息.視訊.及通訊完全整合依人性發展多樣化產品IC各式模擬零組件單功能 IC整合各種功能的IC PCB承載主動組件，一般訊號連接承載主動組件，電源分配，傳輸線承載主動組件，電源分配，傳輸線被動組件集成 大體積 科技人性化 經、薄、短、

10、小 低速，單一功能 高速，多功能整合PCB 市場發展趨勢Product Offering/Low Signal LossFor High FrequencyGigaverTg 190 Low LossAPPE LaminateFriendly PWBFor EnvironmentLaminate & Ecofoil RCCFHalogen FreeGreen Material For HDI Build-UpIsofoil & GlassLaser FriendlyMaterial MultilayerE-679*Reinfoced LaserpregTg 180 HighRe

11、liability Laminate Substrate & Telecom PWBFor Thermal Reliable IC& G200 Signal Integrity ElectronicsFor High Signal Speed/FR408Tg 180 Low Dk & Df Laminate Stable Back PanelsFor High Layer Count/DimensionalFR406Tg 170 DimensionStable Laminate For Medium to HighFR405Tg 150 MultifunctionLam

12、inate Layer Count MultilayerIS610Tg 145 LowDk & Df Laminate Count MultilayerFor High Speed/Impedance *a licensed technology ofCount MultilayerFor Low to Medium LayerMLF21FR402 &Tg 140 MultifunctionLaminate Hitachi Chemical Co.,Ltd.Rigid BoardFor Double SideDE104KFDE104ED130UVTg 130 FR-4Rigid

13、 LaminateMultilayer Build UpSolder MaskEtchStripVia FormationDevelopLaminate RccImageProcessing of MicroVia Pattern Plate-Cu Ni Au Microvia FormationTechnologies：Laser AblationLaser Ablation TechniquesConformal Mask Ablation：Used with UV & CO2 LasersDirect Focused Ablation：Used with UV Lasers on

14、lyMicrovia Formation Technologies：Laser AblationVia Diameter(top)Conformal Mask Hole Direct Focused Ablationlimit：2 mil limit：1 miltyical：3 mil typical：<3 miltarget padTarget pad SizeConformal mask ablation：usually 8-10x mask holeDirect focused ablation：usually 2x-3x via sizeMicrovia Formation Te

15、chnologies：Plasma Etchinglimit：2 milMask Holetypical：3 miltarget padUsually 5-10x mask holeTarget PadTypically 15-30 mil7 mil via5 mils1.7 mildielectric12 mil capture padSource：Hewleft Packanl (HPDYCO strate Technology)using RCC高頻之問題正時 高頻訊號保存時間短訊號時序圖 高頻訊號設置時間短周期訊號質量Clock 高頻訊號工作電壓低 高頻訊號噪聲容忍度小Driver 高

16、頻訊號產生噪聲較大電磁輻射干擾Receiver 高頻訊號容易產生輻設 高頻訊號受輻射干擾計算機產品設計的展驅勢ServerNotebookPentiumPerformance PCNetworkBasic PC今日的Server，明日的Basic PC產品生命周期的縮短ISA Bus系統的組成JumpersISA BusSlot1PCI BusAGPAGP BusSlotPCI slotIDEChipsetDRAM BusISA SlotsSpeakerParallel/Audio/MidiModule SoltsDRAMKeyboard/MouseUSBSerial桌上型與筆記型計算機發展趨

17、勢針對PCB素材而言200020012002桌上型筆記型桌上型筆記型桌上型筆記型單位層數466126861268612層數線寬464545344534Mil阻抗控制5075+/-15%/5075+/-15%/5075+/-15%/5075+/-10%/6075+/-10%6075+/-10%Ohm最小鉆孔徑13.811.813.811.813.811.8Mil板厚623050623050623050Mil注：1.上述PCB發展趨勢不包含增層法之制程 2.上述材料以FR-4為主似服器的發展趨勢針對PCB素材200020012002單位層數614814814層數線寬453434Mil阻抗控制507

18、5+/-10%5075+/-7.5%5075+/-5%Ohm最小鉆孔徑13.81613.81613.816Mil板厚621106212562125Mil注：1.上述PCB發展趨勢，不包含增層法制程 2.通常服務器在材料上會有較特殊需求高頻高速對現有制程需求1. 小孔徑2. 細線寬 / 大間距3. 介質層變薄4. 細線路及精致化5. 電磁干擾(EMI)的控制6. 介質系數的均一性PCB制程由傳統加工至增層法發展趨勢A. 細線路B. 小孔徑C. 線路短D. 薄介質層厚度PCB素材常見外觀缺點分析對策及業界常用術語1.PND (Pits and Dents)凹點及凹陷 發生原因：任何顆粒魚膠片邊緣因

19、靜電所吸附之粉屑，鋼板上殘膠，水洉空氣 中掉落之粉塵及銅箔屑附著鋼板。 對策：立刻找出問題鋼板加于重新研磨，清洗后再上線最根本解決辦法為減少 人員接觸及暴露空氣時間，于無塵室內完成迭置，組合，裁切及自動加 裝消除靜電設備。2.SLP (Slippage)滑移 發生原因：膠片之膠含量R/C偏高及膠流量R/F過大于壓合時易產生，又每鍋 內溫差過大造成流膠不均及每鍋基板膠片定位不良即會產生滑移 對策：膠片R/C，R/F偏高于垂直機(或水平機)改變上膠條件亦可于壓合CYCLE作修正如降低升溫速率，延后上壓，降低壓力，若每鍋間溫差較大可以減張降產克服，定位不佳則操作時多加注意改善。3.Dry(Dried

20、 Laminate)板干 原因分析：玻璃布耦合劑與樹脂兼容性不佳導致濕潤性不良。 或膠片過度硬化以致壓合時樹脂流動性不好若發現膠流量有偏低 即會產生板干，此狀況于焊錫性測試時易產生分層。 對策：如玻璃布表面光潔度問題請材料廠商改善，膠流量偏低可降低凡立水之 膠化時間或提高膠片膠化時間及膠流量，若Dry不嚴重亦可修正壓合條 件如提高升溫速率，提前上壓，加大壓力等。4.WAC/WAE白邊白角 原因析：膠片膠流量偏高或儲存條件不良而吸收水氣，在鴨合時易產生流膠增 大，由于膠片受熱后樹脂是以異向性方式從中央向外圍擴散，因此邊緣流膠大 ，膠含量亦隨之偏低于此情況不能完全避免時就出現織紋狀的白邊白角，另壓

21、 合溫太快每鍋外層溫差大且流膠不均而產生輕微滑移而形成，亦膠片微小氣泡 及膠洞當膠流量偏低氣泡無法逸出亦會產生。對策：膠流量較高可藉提高凡立水膠化時間(S/G)或降低膠片膠化時間(P/G)，且流膠大者亦可由壓合條件加以修正如降低升溫速率延后上壓，如因R/F低造成白邊白角改變膠片所走TREATING SPEC(提高R/C，P/G)或壓合條件(加大壓力，提前上壓，增大升溫速率)等方式解決。5.MCB (Microblister) 微氣泡 原因分析：由于微小氣泡沒有完全逸出而殘留于板上所造成，當采用非真空壓 合機壓合時，MCB呈現隨機分布，如使用真空系統MCB發生于邊角，亦曾會顯 現條狀，如區域過大

22、無法切除將成為WAC/WAE，如真空系統漏氣或壓合條件不 當其產生流膠過低也會形成MCB。 對策：調整TREATING條件提高R/C，P/G從增加如流膠上進行改善亦可從PRESS CYCLE加壓大，提前上壓，提高升溫速率。6.DEL(Delamination)分層 原因分析：膠片硬化不足或儲存不良，吸收過多空氣水份而壓合，易產生流膠甚大，造成R/C偏低而降低玻璃布與樹脂之結合力，膠片一硬化過度，壓合時流膠性低皆會產生分層，對策：如流膠過大造成DEL可藉壓合條件加以調整天如減低壓力，延遲上壓，降低升溫速 率，至于硬化過度產生分層則必須藉由改變R/C，S/G等方向進行改善。7.MSL(Measli

23、ng)白點原因分析：因壓合中膠片內氣泡未能提出，而出現不透明白點，此外若膠片膠含量R/C 偏低，或玻璃布本身沾膠性不良，在經緯紗交錯結點上容易產生缺點現象， 另膠片硬化不足亦會產生。對策：加強玻璃布沾膠力(wettability)，并提高膠含量，如因硬化不足產生白點可增 長硬化時間解決。8.WEP/RSV(Weave Exposure/Resin Starvation)織紋顯露/缺膠原因分析：素材出現于表層則為玻璃布未得到完整覆蓋而呈現織紋現顯露，若發生于 中層之內部則形成局部缺膠現象。對策：因R/F偏高使壓合時流膠過大形成者可藉壓合條件來調整如降低升溫速率，延 后上壓，減小壓力等，至于沾膠性

24、不良或R/C偏低造成則須由上膠條件著手如 增高R/C，P/G等。9.WKL(Wrinkles)銅箔皺紋 原因分析：發生在1OZ以下銅玻，只要鋪設不平整，膠流量R/F偏高壓合時造成WKL 對策：加強鋪設人員操作訓練，或改成自動化，至于膠片R/F偏高或流膠太大可由 treating spec及壓合條件press cycle調整。10.THK(Thickness)厚度偏離 原因分析：通常基板因壓合流膠關系往往出現中央厚而板邊薄情形，不過平均厚度 則仍需處于規格中，厚度偏離常因膠片Resin Flow高，壓合時流膠大， 使膠含量降低，因而形成厚度偏低，另外膠片組合方式對厚度有相當程 度影響，欲達其固定

25、厚度，膠片張數及布種可有數種不同選擇R/C亦有 差異，一旦組合不當便易造成厚度偏移。 對策：因流膠過大造成厚度偏低，可經由上膠條件及壓合操作周期予以調整，至于組合 不當則需經DOE實驗及經驗加以修正。11.W/T(Warp & Twist)板彎板翹 原因分析：升溫或降低溫速率太快造成基板產生內應力，此內應力無法釋放下易形成 W/T，當采用非真壓合時為將氣泡能完全趕出，通常所使用壓力較大，較易 產生W/T，于薄基板尤其顯著，若膠片經緯向迭錯或使用變形鋼板，蓋板， 襯墊皆會產生W/T。 對策：升，降溫太快所產生之W/T，可由降低其溫度變化速率，及另行加做” 更進烘烤”(Rost Bake)

26、等進行，至于組合不當或鋼板變形所造成的W/T， 則須依其發生狀況予以改善。12.DEM(Dirty Foreign Meterial)外物雜質 原因分析：對于使用熱風式上膠機DFM無法完全根絕，因為在傳動烘烤過程中，殘膠 常易吸附于烤箱壁，熱風出口噴嘴及風管，成為黑色小黑點狀之碳化物， 只要沒完全清除，便會隨著熱風點落在膠片上，此外調膠區之任何異物如 蚊蟲，粉屑，玻璃纖維絲及玻璃布廠織造成污染皆會產生DFM 對策：DFM防止主要在于烤箱清潔包括烤箱壁，噴嘴，風管，任何死角都要徹底注意， 迭置區人員要配合以小尖刀挑出小黑顆粒，粉屑，纖維絲及其它異物之膠片。 IPC 預設規格性能要求性能項目未預設

27、代為選擇規路1.性能級別第二級Class 22.板材環氧樹脂與玻纖織基板3.電鍍(銅)制程Process 3(硫酸銅)4.最終表面處理Final FinishFinish X(x：指電鍍錫鉛，噴錫，滾錫-單面板)5.啟制銅箔除單面板用1 oz外，其它各內外層均可用0.5 oz6.銅箔型式電鍍銅箔7.孔徑公差： 有鍍銅孔壁零件腳孔 有鍍銅孔壁僅做導通用之通孔 無鍍銅孔壁之非通孔+/-100 um (4mil)+ 80 un (3mil)，無-要求者可全部或部份塞孔+/- 80 um (3mil)8.線寬公差主圖未明訂線寬下限以底片上線寬80%計算9.間距公差Class 1 and Class 2

28、：線邊粗糙與突出等造成間距縮減低于下限30%可允收Class 3：線邊粗糙與突出等造成間距縮減低于下限20%可允收10.介質層厚度90 um (3.5mil)以上。11.截面之線路間距100 um (4mil)以上12.標記油墨須與背景形成強烈對比之顏色，并非導電體13.防焊綠漆未指定時可以不印綠漆14.綠漆之指定未明確定時可按IPC-SM-840 Class T之規定附注：Class C：不檢查，Class 1：綠漆可見即可 Class 2：0.4 mil，Class 3：0.7 mil Class T：Telecommunication，Class H：High reliability15

29、.焊錫性試驗按J-STD-003第二類辦理16.隔絕質量之測試電壓40 Volts17.資格認可時未指明級別者依IPC-6011辦理最終皮膜與表面鍍層之各種要求表面處理(Finish)Class 1Class 2Class 3僅用于金手指而不用于和焊接之金層0.8 um (30 u in)0.8 um (30 u in)1.3 um (50 u in)化鎳金2u焊接的金層0.8 um (30 u in)0.8 um (30 u in)0.8 um (30 u in)板邊接點用之鎳層2.0 um (80 u in)2.5 um (100 u in)2.5 um (100 u in)預防形成銅錫界

30、面合金共化物之鎳層1.0 um (40 u in)1.3 um (50 u in)1.3 um (50 u in)未熔合之錫鉛層8.0 um (300 u in)8.0 um (300 u in)8.0 um (50 u in)熔合錫鉛或焊錫皮膜須蓋滿，須可錫焊須蓋滿，須可錫焊須蓋滿，須可錫焊銅面焊錫皮膜(指噴錫，滾錫)須蓋滿，須可錫焊須蓋滿，須可錫焊須蓋滿，須可錫焊有機保焊劑OSP須可錫焊須可錫焊須可錫焊板面及孔壁 Surface and Hole板面及孔壁平均銅厚20 um (0.8mil)20 um (0.8mil)25 um (1.0mil)局部區域啟碼銅厚18 um (0.7mil)

31、18 um (0.7mil)20 um (0.8mil)盲導孔Blind Vias平均孔銅厚度20 un (0.8mil)20 um (0.8mil)25 um (1.0mil)局部區域起碼銅厚18 um (0.7mil)18 um (0.7mil)20 um (0.8mil)埋導孔Buried Vias平均孔銅厚度13 um (0.5mil)15 um (0.6mil)15 um (0.6mil)局部區域起碼銅厚11 um (0.45mil)13 um (0.5mil)13 um (0.5mil)內外孔環境要求特性類別Class 1Class 2Class 3鍍通孔(破環與環寬縮減程度)孔自

32、環中允許破出180度就外環而言，于其導線與孔環接合區,當主要圖或生產標示圖已訂有下限寬度時，則所發生縮減不得超出下限30%孔自環中允破出90度就外環而言，于其導線與孔環接合所發生所減，由于線邊粗糙與突刺等造成間距縮減尚低于下陷30%可允收，即該導線寬度不得低于50um(2mil).或最低線寬，此二者中取決于較小者。外環最低寬度不可低于50um(2mil)，最窄內區外環，由于凹點，凹陷，缺口，針孔。斜孔，等造成孔環縮減，均不得超出下陷環寬的20%非鍍通孔線與環接合區不可破環不可破環最低環寬不得低于150um(6mil)孤立區外環由于凹點，凹陷，缺口，斜孔等缺點造成環寬縮減時，不可超出下陷環寬的2

33、0%熱壓力試驗后通孔完整性出現缺點Class 1Class 2Class3孔銅壁破洞(voids)每孔允許3個破洞，兩邊孔壁不可出現同平面的破洞.不許出現整圈性破洞每個試樣切片中只允許1個破洞每個試樣切片中只允許1個破洞折鍍與夾雜物Plating Folds/Inclusions必須被后銅層所包圍必須被后銅層所包圍必須被后銅層所包圍玻纖突出Class Fiber Protrusion允許出現但須符合下陷孔徑的要求允許出現但須符合下陷孔徑的要求允許出現但須符合下陷孔徑的要求燈芯效應(Wicking)上限125um(5mil)上限100um(4mil)上限80um(3mil)層間夾雜物(Inter

34、plane)環與銅孔壁互連處的夾雜物只允許切片單邊孔壁與各孔環間出現20%環厚之夾雜物不許出現不須出現內環銅箔破裂(Type Corack)只許切片單邊孔壁上出現C型裂箔，且不可裂透全箔不許出現不許出現外環銅箔破裂(A,B,D型crack)不許D型裂，允許A型與B型裂不許D型，B型裂，允許A型裂不許D型，B型裂，允許A型裂孔壁/孔角破裂(E，F型crack)不許出現不許出現不許出現層間分離(Interplace Separation)只內環與孔壁互連處的分離切片單邊孔壁與各內環互連處只允許20%環厚之分離不許分離不許分離兩外環銅箔側緣與孔壁處之分離如其分離尚未超過外環銅箔之直立側銅緣時，允許其

35、出現如其分離尚未超過外環銅箔之直立側銅緣時，允許其出現如其分離尚未超過外環銅箔之直立側銅緣時，允許其出現鍍層分離膝部允許分離到上限125um不許分離不許分離孔銅自基材壁面處分離如尺寸與鍍層要求均符合可允收如尺寸與鍍層要求均符合可允收如尺寸與鍍層要求均符合可允收熱應力或模擬重工后板面外焊環浮離如符合目視檢驗及格標準者則可允收如符合目視檢驗及格標準者則可允收如符合目視檢驗及格標準者則可允收A裂：外環上銅箔破裂 B裂：外環上電鍍銅層之破裂C裂：內環銅箔破裂 D裂：外環銅箔與鍍銅層之裂E裂：只孔銅壁之破裂 C裂：孔角只有鍍層的破裂 制程后內層銅箔厚度 鍍銅后層線厚銅箔類別最小厚度銅箔類別最小厚度1/8

36、 oz3.5 um (0.00014 in)1/8 oz20 um (0.0008 in)1/4 oz6.0 um (0.00024 in)1/4 oz22.0 um (0.0009 in)3/8 oz8.0 um (0.00032 in)3/8 oz25.0 um (0.0010 in)1/2 oz12.0 um (0.00050 in)1/2 oz33.0 um (0.0013 in)1 oz25.0 um (0.0010 in)1 oz46.0 um (0.0018 in)2 oz56.0 um (0.0022 in)2 oz76.0 um (0.0030 in)3 oz91.0 um

37、(0.0036 in)3 oz107.0 um(0.0042 in)4 oz122.0 um(0.0048 in)4 oz137.0 um(0.0054 in)電路板制程常發生問題總表 制程工作站檢驗項目 缺點原板材裁板文字印刷清洗壓干膜曝光顯像蝕刻剝膜黑氧化膠片準備多層板壓合鉆孔通孔準備化學銅一次銅二銅錫鉛清洗壓干膜曝光顯像鍍二銅鍍錫鉛剝干膜蝕刻錫鉛熔合清洗綠漆印刷曝光顯像硬化噴錫切外形打印記號品檢事項發現缺點12345678910111213141516171819202122232425262728293031323334板邊X表面暇疵缺膠X表面暇疵外來銅粒XXXXXX表面暇疵刮痕,凹點，凹陷XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX外來夾雜物X次表面暇疵起泡X次表面暇疵分離XXXXXXX次表面暇疵粉紅圈XXXX孔銅破洞標記X焊錫性XXXXXXXXXX鍍層附著力XXXXXXXX金手指X工藝水平XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX尺度要求周圍情況尺度要求板厚XXX尺度要求孔位準度XXX尺度要求前后對準X尺度要求內層對準xxxXXX尺度要求孔環對準X尺度要求板彎板翹XXX導線邊緣線寬xxxx導線邊緣間距x