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文檔簡介

1、 潘華勇潘華勇1）介紹等離子體刻蝕在刻蝕方法中的位置）介紹等離子體刻蝕在刻蝕方法中的位置2）刻蝕參數）刻蝕參數3）刻蝕的微觀機理）刻蝕的微觀機理4）具體的儀器原理介紹（）具體的儀器原理介紹（RIE、ICP和和ECR）5）具體實驗參數對刻蝕的影響）具體實驗參數對刻蝕的影響6）本實驗室刻蝕儀器的介紹（）本實驗室刻蝕儀器的介紹（TRION TECHNOLOGY MINILOCK IIIICP）（1）外觀，結構，實驗參數，一些材料的刻蝕工藝參數，）外觀，結構，實驗參數，一些材料的刻蝕工藝參數，廠家提供的一些刻蝕材料的情況；（廠家提供的一些刻蝕材料的情況；（2）實驗步驟；）實驗步驟；7）作業）作業8)

2、參考文獻參考文獻1.干法刻蝕的定義：除濕法以外的刻蝕方法。濕法是指使用液體物質刻蝕目標。 狹義的干法： 等離子放電產生的物理和化學過程對材料的加工； 廣義的干法：除濕法以外的刻蝕方法，如等離子刻蝕、 激光加工、火花放電加工、化學蒸汽加工以及噴粉加工等。ICP MatchingNetworkRIE MatchingNetworkHelium Coolant InletVacuum PortChuckProcess Gas InletChamber BlockView Port WindowICP CeramicTube and CoilFigure 2. - Overall Process Ch

3、amber w/ICPPlaten PowerPlasma DensityICPRIEIon Density (x 1010 /cm3) versus coil power. Probe is located at the centre of the chamber. Pressure = 5 mTorr, Bias = 100V硅的高深寬比刻蝕成為可能的工藝的兩個技術，一個是ICP，另一個是 “Bosch”工藝。Bosch 工藝就是在反應離子刻蝕過程中不斷在邊壁上沉積抗刻蝕層，或邊壁鈍化（side wall passivation）。刻蝕氣體是SF6，鈍化氣體為C4F8，C4F8在等離子體中能夠形成氟化碳類高分子聚合物，它沉積在硅表面能夠阻止氟離子與硅反應。刻蝕與鈍化5-15s轉換一個周期。各向同性刻蝕通過離子轟擊去除底部鈍化各向同性刻蝕最后形成的刻蝕剖面側壁鈍化“Bosch” 工藝過程反應室結構圖反應室結構圖下面是廠家提供的一些材料的刻蝕情況 45464748 4950 Gases: CF/O2/He ICP / DC bias Etch rate: 800 2000 A/min Selectivity to PR:

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