1、電子電路基礎習題冊參考答案（第三版）全國中等職業技術第一章常用半導體器件§ 1-1晶體二極管一、 填空題1、物質按導電能力得強弱可分為導體、絕緣體 與半導體 三大類，最常用得半導體材料就是根與錯 。2、根據在純凈得半導體中摻入得雜質元素不同，可形成小型半導體與 P 型半導體。3、純凈半導體又稱本征 半導體，其內部空穴與自由電子數相等 。N型半導體又稱電子 型半導體，其內部少數載流子就是空穴 ；P型半導體又稱空穴型半導體，其內部少數載流子就是電子 。4、晶體二極管具有單向導電性，即加正向電壓時，二極管通，加反向電壓時，二極管截止。一般硅二極管得開啟電壓約為0、5 V,錯二極管得開啟電壓

2、約為 0、1 V;二極管導通后，一般 硅二極管得正向壓降約為0、7V,錯二極管得正向壓降約為0、3 V。5、錯二極管開啟電壓小，通常用于 檢波電路，硅二極管反向電流 小，在整流電路及電工設備中常使用硅二極管。6、穩壓二極管工作于反向擊穿區，穩壓二極管得動態電阻越小,其穩壓性能好 。7在穩壓電路中，必須串接 限流 電阻，防止 反向擊穿電流 超過 極限值而發生熱擊穿損壞穩壓管。8二極管按制造工藝不同，分為點接觸型、 面接觸 型與平面型。9、二極管按用途不同可分為普通二極管、整流二極管、穩壓二極管 、開關、熱敏、 發光 與 光電二極管 等二極管。10、二極管得主要參數有最大整流電流、最高反向工作電壓

3、、反向飽與電流與最高工作頻率 。11、穩壓二極管得主要參數有 穩定電壓 、 穩定電流 與 動 態電阻 。12、圖1-1-1所示電路中，二極管VI、V2均為硅管，當開關S與M相 接時,A點得電位為無法確定 V,當開關S與N相接時,A點得電位為 0 V、13圖1-1-2所示電路中，二極管均為理想二極管，當開關S打開時,A點得電位為 10V、流過電阻得電流就是 4mA :當開關S閉合時,A點得電位為0V,流過電阻得電流為2mA 。14、圖1-1-3所示電路中，二極管就是理想器件，則流過二極管V1得電 流為 0、25mA ，流過V2得電流為 0、25mA ，輸出電壓 U0為 +5VO15、光電二極管得

4、功能就是將光脈沖 信號轉換為 電信號，發光二極管得功能就是將電信號轉換為光 信號。16、用數字式萬用表測量二極管，應將功能開關置于 二極管 擋，將 黑表筆插入插孔，接二極管得負極;紅表筆才f入 V, Q 插孔，接二極管得正極，其顯示得讀數為二極管得正向壓降。一、 判斷題1、在外電場作用下，半導體中同時出現電子電流與空穴電流。(V )2、P型半導體中，多數載流子就是電子，少數載流子就是空穴。(X )3、晶體二極管有一個PN結,所以有單向導電性。(V )4、晶體二極管得正向特性也有穩壓作用。(， )5、硅穩壓管得動態電阻小，則穩壓管得穩壓性能愈好。（，）6、 將 P 型半導體與N 型半導體用一定得

5、工藝制作在一起,其交界處形成PN結。（，）7、穩壓二極管按材料分有硅管與錯管。（X ）8、用萬用表歐姆擋得不同量程去測二極管得正向電阻,其數值就是相同得。（X ）9、二極管兩端得反向電壓一旦超過最高反向電壓,PN 結就會擊穿。 （ ）10、二極管得反向電阻越大，其單向導電Ti能越好。（X ）11、用500型萬用表測試發光二極管，應選RX10K擋。（，）三、選擇題1、當環境溫度升高時,晶體二極管得反向電流將（A ） 。A.增大 B、減小C、不變2 、測量小功率晶體二極管性能好壞時, 應把萬用表歐姆檔撥到（ A ）。A、RX100 或 RX1KB、 R X1C、RX10K3 、半導體中得空穴與自由

6、電子數目相等, 這樣得半導體稱為（ B ）。B 、 本征半導體C、N 型半導A 、 P 型半導體4、穩壓管得穩壓性能就是利用( B)實現得。A.PN 結得單向導電性B 、 PN 結得反向擊穿特性C.PN 結得正向導通特性5、 電路如圖1-1-4 所示 ,已知兩個穩壓管得 UZ1=7V,UZ2=5V 它們得正向壓降均為0、7V,則輸出電壓U0為(C )A 、 12VB 、 5、 7V C、 7、 7V D 、 7V6、 在圖1-1-5所示得電路中,流過二極管得電流I1、 I2 分別就是( D )。A、 I1=8mA , I2=0 B、 I1=2mA C、 I1=0, I2=6mAD、 I1=0,

7、 I2=8mA7、二極管得正向電阻(B )反向電阻。A、大于 B、小于C、等于 D、不確定8、電路如圖1-1-6 所示 ,V 為理想二極管,則二極管得狀態為(A )。A、導通B、截止 C、擊穿9、上題中,A、B兩端得電壓為(C )。A、 3VB、 -3VC、 6VD、 -6V10、某二極管反向擊穿電壓為140V,則它得最高反向工作電壓為( C )。A、 280VB、 140V C、 70VD、 40V11、二極管電路如圖 1-1-7 所示 ,(1)處于導通狀態得二極管就是( A )。A.只有V1導通 B.只有V2導通 C.V1、V2均導通 D.V1、V2 均不導通(2)考慮二極管正向壓降為 0

8、、 7V 時,輸出電壓 U0 為( B )。A.-14、 3V B.-0、 7V C.-12VD.-15V12、 P 型半導體中多數載流子就是( D ),N 型半導體中多數載流子就是 ( C )。A.正離子B.負離子C.自由電子 D、空穴13、用萬用表RX10與RX1K擋分別測量二極管得正向電阻，測量結果就是( C ) 。A.相同 B.RX 10擋得測試值較小C.RX1K擋得測試值較小14、用萬用表不同歐姆檔測量二極管得正向電阻值時,測得得阻值不相同,其原因就是( c )。A.二極管得質量差B.萬用表不同歐姆檔有不同得內阻C.二極管有非線性得伏安特性簡答題1、什么就是本征半導體？ N 型半導體

9、？ PN 結？答: 本征半導體即純凈得單晶半導體,其內部存在數量相等得兩種載流子,一種就是負電得自由電子,另一種就是帶正電空穴。N型半導體又稱電子型半導體其內部自由電子數多于空穴 數量,P型半導體又稱空穴型半導體其內部空穴多數載流子自由電子 少數載流子。PN結就是采用摻雜工藝便硅與錯晶體得一邊形成P型區，一邊形成N型半導體。五.分析、計算、作圖題1、判斷圖1-1-8中,理想二極管導通還就是截止，若導通,則流過 二極管得電流就是多少？.R . X乙 ,A ._.,1<1_a)垃c)解:圖a) V導通,I=5mA圖b) V截止,I=0圖 c) V 導通,I=10mA2、在圖1-1-9所示電路

10、中，二極管為理想二極管，ui=10sin(otV,試畫出輸出電壓波形3、在圖1-1-10所示電路中，二極管為硅管，求A點電位與流過二極管得電流。設參考為0點Ur. - " 乂10= 2K.工.-= 4mA入 0.5 + 2' 1 0.52000UA0 =X1O = 8V2500u 8L = = = 4mA22工¥=1尸1 產4：4 =。圖1口一104、在圖1-1-11所示電路中，二極管就是導通還就是截止，輸出電壓U0就是多少?圖 1-1-11解:a)V 導通,U0=11、3Vb)V 導通,IO=15-12/3=2mAUr=1 X 3=3V Uo=Ur-15=-12V

11、c)V 導通，Uo=0、7V§ 1-2 晶體三極管一、填空題1、三極管有兩個PN結,分別為 發射結、集電結，三個電極分別為發射極 、基極 與 基極,三極管按內部結構不同可分為NPN與 PNP型。2、晶體三極管實現電流放大作用得偏置條件就是發射結正偏與集電結反偏,電流分配關系就是Ie=Ic+Ib。3、在模擬電子電路中，晶體管通常被用作 電流捽制 元件，工作在輸出特性曲線上得 放大 區;在數字電子電路中，晶 體三極管通常被用作開關元件，工作在輸出特性曲線上 區或飽與區或截止區。4、在一塊正常放大電路板上，測得三極管1、2、3腳對地電壓分 別為-10V、-10、2V、-14V,則該管為PN

12、P 型 錯 材料三極管,1 腳就是 發射 極,2腳就是 基 極,3腳就是 集電 極。5、NPN型三極管，擋Ube>0、5V,Ube>Uce時,工作在 飽與 狀 態;當 Ube >0、5V,Ube<Uce時,工作在 放大 狀態;當Ube<0時，工作在 截止 狀 態。6、當溫度升高時，三極管得電流放大系數(3將升高，穿透電流ICEO將增加 ,發射結電壓Ube將 增大 。7、衡量晶體三極管放大能力得參數就是共射電流放大系數,三極管得主要極限參數有集電極最大允許電流、集-發反向擊穿電壓、集電極最大允許耗散功率。8、因為晶體三極管得穿透電流隨溫度得升高增大，而錯管得穿透電流

13、比硅管a,所以玉三極管得熱穩定性好。9、三極管得輸出特性可分為三個區域，即截止區與放大區，當三極管工作在飽與區時，Ic= (3 Ib才成立；當三極管工作在包河區時UCE=Uces ；當三極管工作在截止區時,IC= O(ICEO)。10、ICEO稱為三極管得 穿透電流，它反映三極管得溫度穩定憶,ICEO就是ICBO得1+ B 倍,先詵用管子時，希望ICEO盡量11、測量晶體三極管 3AX31得電流，當Ib=20uA時,Ic=2mA;當lB=60uA 時，IC=5、4mA,則該管得 B 為 85,Iceo= 0、3mA,I cbo = 3、5uA 。12、設三極管得 PcM=150mW,Icm =

14、 100 mA,U（br）ceo=30V,若Uce=10V,I c允許得最大值為15mA;Uce=1V, Ic允許得最大值為 100mA; Ic=3A,Uce允許得最大值為30v 。13、復合管就是由 兩個 以上得三極管按一定方式連接而成，用 復合管提高輸出級得電流 放大倍數。14、有二只三極管構成得復合管得類型，取決于輸入管 三極管 得類型，其電流放大系數B =6 1X62。二、判斷題1、晶體三極管得發射區與集電區就是由同一類半導體 （N型或P型）構成得，所以發射極與集電極可以相互調換使用。（X ）2、晶體三極管得放大作用具體體現在 Ic=BIb。（ V ）3、晶體三極管具有能量放大作用。（

15、X ）4、硅三極管得Icbo值要比錯三極管得小。（，）5、如果集電極電流IC大于集電極最大允許電流ICM時，晶體三極 管肯定損壞。（，）6、晶體二極管與晶體三極管都就是非線性器件。（，）7、3CG21管工作在飽與狀態時，一定就是UBE<UCE。（ X ）8、某晶體三極管得 Ib=10uA 時,Ic=0、44mA;I b=20u 時,Ic=0、89mA, 則它得電流放大系數B =45。（，）9、因為三極管有兩個PN結,二極管有一個PN結，所以用兩個二極 管可以連接成一個三極管。（X ）10、判斷圖1-2-1所示各三極管得工作狀態（NPN型為硅管，PNP型為錯管）5V-0.2v6V-7va)

16、 ) : b) ) : c)(截止)： d) (財)11、復合管得共發射極電流放大倍數B等于兩管得B1、B 2之與12、晶體三極管得主要性能就是具有電壓與電流放大作用。(V )三、選擇題1、三極管得發射結正偏 ,集電結反偏時 ,三極管處于 (A )A、放大狀態 B、飽與狀態 C、截止狀態2、三極管在飽與狀態時，它得IC將(C )。A、隨Ib得增加而增加B、隨Ib得增加而減小C、與Ib無關3、三極管得特性曲線就是指它得 (C )。A 、輸入特性曲線B 、輸出特性曲線C、輸入特性與輸出特性曲線4、在三極管得輸出特性曲線中 ,每一條曲線與(C )對應。A、輸入電壓 B、基極電壓C、基極電流5、當溫度

17、升高時 ,晶體三極管得參數將發生(C )變化。A、Ube增大，3增大，Icbo增大B、Ube減小，B增大,Icbo增大C、ube增大,B減小，Icbo增大6、用萬用表測得電子線路中得晶體管UE=-3V,UcE=6V,UBc=-5、 4V,則該晶體管就是( c ) 。A、PNP型,處于放大狀態B、PNP型,處于截止狀態c、 NPN 型,處于放大狀態D、 NPN 型,處于截止狀態7、已知某晶體管得PcM=100mW IcM=20mA U(BR)=15V 在下列工作條件下,正常工作得就是(B ) 。A、UcE=2V,Ic=40mAB、UcE=3V,Ic=10mAC、UcE=4V,Ic=30mAD、U

18、cE=6V,Ic=20mA8、3DG6型晶體管就是（A ）。A、高頻小功率硅NPN型三極管管C、高頻小功率錯PNP型三極管B、高頻小功率錯NPN型三極9、在三極管得輸出特性曲線中，當舊=0時,IC就是（C ）。A、IcmB、 IcboC、Iceo10、某晶體三極管得發射極電流等于1ma基極電流等于20uA,正常工作時它得集電極電流等于（A ）。A、0、98mAB、1、02mAC、0、8mA11、圖1-2-2所示電路中，三極管處于（A ）狀態（V為硅管）。A、截止 B、飽與C、放大12、在圖1-2-3所示各復合管中，連接不正確得就是（C ）。1jECIKIX 幻+03V印b）0m-22四、簡答題

19、1、什么就是三極管得輸出特性？畫出硅三極管在共發射極組態時得輸出特性曲線，并標出它得三個工作區。答:它就是指三極管基極電流IB 一定時，三極管得集電極電流IC與集電極與發射極之間得電壓UCE之間得關系曲線。icto國I 22、三極管有哪三種連接方式？畫出示意圖答:共發射極接法，共集電極接法，共基極接法共發射電其重即極三基汾3、三極管有哪三種工作狀態？其外部條件(偏執條件)就是什么？ 答:放大狀態、截止狀態、飽與狀態。其外部條件(1)放大狀態時，三極管發射結正偏，集電結反偏時，ic受ib控制，具有 電流放大作用。同時ic得大小與uce基本無關。記住三極管放大 狀態時得硅管Ube約為0、7V,錯管

20、得Ube約為0、3V。截止狀態時：一般把Ib=0時,這時得三極管發射結與集電結均反 偏,三極管處于截止狀態，相當于開關斷開。這時只有很小得集電極 電流穿透電流存在。(3)飽與狀態時：三極管得Uce<Ube時，在發射結與集電結均正偏 時，此時ic不受ib控制,卻隨著Uce得增大而增大，這時處于飽與狀 態，相當于開關閉合。這時得只剩下三極管得飽與壓降存在。5、標出下列復合管得等效管型與管腳。6、三極管得集電極最大允許電流就是怎樣定義得?答:三極管集電極最大允許電流Icm,集電極電流過大時，三極管得B值要降低，一般規定B下降到其正常值得三分之二時得集電極電流。五、分析、計算、畫圖題1、一個晶體

21、三極管在工作時，測得其發射極電流lE=10mA,基極電流 Ib=400uA,求其基極電流IC與直流電流放大系數(3。解：7 , - Iu - 10- 0.4 - 9.6mA9.6 二24 042、用萬用表測量三極管各級間電壓得到下列三組數值(1)UBE=0、7V, UCE=0、3V; (2)UBE=0、7V,UCE=4V;(3)UBE=-0、2V,UCE=-0、3V。試分析每只管子得類型，就是硅管 還就是錯管，并說明工作狀態。答：(1) UBE=0、7V就是硅管，UCE=0、3V工作在飽與狀態。(2) UBE=0、7V就是硅管,UCE=4V工作在放大狀態。(3)UBE=-0、2V就是錯管，UC

22、E=-0、3V工作在飽與狀態。3、畫出PNP管與NPN管得符號，并標出放大狀態時各極電流方向 與各極間電壓得極性。PNP正NIPNSl-2-4-1§ 1-3場效應管一、填空題1、晶體三極管就是電流 控制器件，就是通過較小得基極電流 變化去控制較大得 集電極電流 得變化。2、場效應管就是一種電壓控制器件，就是用柵源電壓捽制漏極電流，具有 轉移特性 與 輸出特性 特點。3、場效應管按其結構不同分為一結型與絕緣柵型兩大類, 每類有 P 溝道與N溝道兩種，絕緣柵場效應管按其工作狀 態又可分為增強型與耗盡一型兩種。4、場效應管得三個電極分別就是 柵極 、源極、與漏極 。5、場效應管得輸出特性曲

23、線就是 UGS為岸侑時 漏極電流iD與 漏源電壓 UDS得關系曲線，輸出特性曲線分為 可變電阻區、放大飽與區與擊穿區6、某耗盡型 MOS管得轉移特性曲線如圖 1-3-1所示由圖可知時，該管得ID= 2、6mA 。8、用N溝道增強型與P溝道增強型MOS管組成互補電路，稱S管，該管輸入電流 小、功耗 小 與工作電源范圍寬，目前廣泛應用于 集成電路中。9、VMOS管與UMOS管得最大特點就是耗散功率大、工作 諫度快、耐壓 高與轉移特性 得線性度好，就是理想得大功率器 件。10、場效應管用于放大時，工作在 放大 區三極管用于放大時，工 作在 放大 區。11、場效應管得主要參數有 開啟電壓UT 、夾斷電

24、壓UP 、 飽與漏極電流IDSS 、 跨導gm與 漏極擊穿電壓U（BR）DS 。二、判斷題1、晶體三極管就是單極型器件，場效應管就是雙極型器件。（x ）2、通常場效應管得性能用轉移特性曲線、 輸出特性曲線與跨到表 示。（x ）3、場效應管得源極與漏極均可以互換使用。（x ）4、場效應管具有電流放大與電壓放大能力。（X ）5、跨到就是表征輸入電壓對輸出電流控制作用得一個參數。（V ）6、結型場效應管有增強型與耗盡型。（x ）7、絕緣柵場效應管通常稱為MOS管。（，）8、P溝道增強型絕緣柵場效應管正常工作時 UDS與UGS都必須 為負。（V ）9、絕緣柵場效應管可以用萬用表檢測。（X ）10、存放絕緣柵場效應管應將三個電極短路。（V ）三、選擇題1、絕緣柵場效應管有（B ）jPN結。A、3B、2C、1D