1、石墨烯的研究進展(姓名：陳飛虎 學號：SA12231016)摘要：石墨烯是目前唯一的二維自由態原子晶體，具有其獨特而優異的導電性、導熱性及機械性能，因而受到全世界科學家的廣泛關注。就在這八年的研究發展中，石墨烯的性質、制備及其驚人廣泛的應用前景都取得了豐碩的成果。本文主要介紹近幾年石墨烯的研究成果，較系統的闡述石墨烯的特性、制備方法及其主要應用。最后，本文還根據石墨烯的發展趨勢簡要地展望未來石墨烯研究熱點及其應用前景。關鍵詞：石墨烯 性質 制備 主要應用引言自 2004 年英國曼徹斯特大學 Geim 教授1首次制備出石墨烯( Graphene) 以來，其獨特的性質備受科學家們的關注，激起了各領

2、域科學家的極大興趣，由此有關石墨烯的研究報道如雨后春筍般涌現,在Science、Nature上相關報道就有400余篇。因此，石墨烯是繼納米碳管、富勒烯球后的又一重大發現。石墨是三維（或立體）的層狀結構，是以范德華力結合起來的，即層與層之間屬于分子晶體。但是，由于同一平面層上的碳原子間結合很強，極難破壞，所以石墨的溶點也很高，化學性質也穩定，其中一層就是石墨烯（如圖一）,石墨烯是由單層碳原子組成的六方蜂巢狀二維結構。純凈的石墨烯是一種只有一個原子厚的結晶體，具有超薄、超堅固和超強導電性能等特性，石墨烯具有優異的電學、熱學和力學性能，因而可望在高性能納電子器件、復合材料、場發射材料、氣體傳感器及能

3、量存儲等領域獲得廣泛應用。 圖一 石墨烯結構 圖二 (a)石墨烯、（b）富勒烯、（c）納米碳管、（d）石墨1.石墨烯的性質石墨烯是單層碳原子緊密堆積而形成的炭質新材料，厚度只有0.335 nm，是目前世界上最薄的二維材料，其CC鍵長約為 0.142 nm2。石墨烯是構建其他維數碳質材料的基本結構單元，它可以包裹起來形成零維富勒烯 C60、一維碳納米管 CNT和三維石墨等（如圖二）。石墨烯具有優異的力學、熱學和電學性能:強度達130 GPa，比世界上最好的鋼高100倍，是目前強度最高的材料3; 熱導率可達 5 000 W·m 1·k 1，是金剛石的3倍4; 石墨烯載流子遷移率

4、高達15 000 cm2·V 1·S 1，是商用硅片的10倍以上5-6。 石墨烯還有超大的比表面積( 2 630 m2/ g)7、室溫量子霍爾效應8和良好的鐵磁性9，是目前已知的在常溫下導電性能最好的材料，電子在其中的運動速度遠超過一般導體，達到了光速的 1/300。此外,單層石墨烯（SLG）表現出獨特的電子構架，能帶在第一布里淵區出現兩個不等價的的錐點K和K '（如圖三），并且因為它只有連續的單層原子晶體，所以它的理論光學透射率可高達97.7%。基于它的這種特殊結構,還表現出了異常的整數量子霍爾行為。其霍爾電導等于 2e2/h，6e2/h，10e2/h，為量子電導

5、的奇數倍，且可以在室溫下觀測到。使因其具有分數的量子霍爾效應、永不消失的電導率等一系列奇特性質1013,因而備受關注。圖三 SLG的電子能帶結構示意圖2.石墨烯的制備制備納米材料的實驗表明了這種結構的物理特性與其制備方法和合成條件極其相關，這種特性同時也是石墨烯所極具有的固有屬性。也就是說，如果對同一樣品用不同的合成條件，它的熱傳導系數具有相當大分布范圍，約2-3個數量級。本篇論文詳細地概括了合成石墨烯的主要制備方法，因此，在制備納米樣品之前，應該考慮到制備樣品所帶來的技術性問題。自從首次制備和研究石墨烯以來，在隨后幾年里就闡述了許多不同的合成這種材料的方法，由此我們便會覺得驚奇，為什么在之前

6、的許多年里沒有發現石墨烯？其實合成石墨烯最困難的階段不是其制作樣品的本身，而是識別和建立它們的主要參數（如尺寸，層數等）。根據石墨烯開創性研究的作者所著，單個石墨烯樣品能夠成功得以制備和觀察，是由于其石墨烯是在覆蓋有合適厚度SiO2層的Si襯底上得到的，故此時石墨烯在光學顯微鏡得以觀察，與沒有襯底時所得的干涉圖像不同。襯底上氧層的厚度相當嚴格這個參數改變5%，石墨烯就變得完全不可見。以下主要介紹幾種石墨烯的制備方法：2.1 機械剝離法Manchester 大學 Geim 領導的研究組 2004 年在 Science 上發表論文, 報道了他們用機械剝離法(mechanical exfoliati

7、on)制備得到了最大寬度可達 10m 的石墨烯片。 其方法主要是用氧等離子束在高取向熱解石墨(HOPG)表面刻蝕出寬 20 m-2mm、深 5 m 的槽面, 并將其壓制在附有光致抗蝕劑的 SiO2/Si 基底上, 焙燒后, 用透明膠帶反復剝離出多余的石墨片, 剩余在 Si 晶片上的石墨薄片浸泡于丙酮中, 并在大量的水與丙醇中超聲清洗, 去除大多數的較厚片層后得到厚度小于 10 nm 的片層, 這些薄的片層主要依靠范德華力或毛細作用力(capillary forces)與 SiO2緊密結合, 最后在原子力顯微鏡下挑選出厚度僅有幾個單原子層厚的石墨烯片層。此方法可以得到寬度達微米尺寸的石墨烯片,

8、但不易得到獨立的單原子層厚的石墨烯片, 產率也很低, 因此, 不適合大規模的生產及應用。2.2 氧化石墨-還原法石墨先經化學氧化得到邊緣含有羧基、羥基,層間含有環氧及羰基等含氧基團的石墨氧化物(graphite oxide), 此過程可使石墨層間距離從 0.34nm擴大到約 0.78 nm, 再通過外力剝離(如超聲剝離)得到單原子層厚度的石墨烯氧化物(grapheme oxide),進一步還原可制備得到石墨烯。 這種方法制備的石墨烯為獨立的單層石墨烯片, 產量高, 應用廣泛。石墨的氧化方法主要有 Hummers、Brodie和 Staudenmaier三種方法, 它們都是用無機強質子酸(如濃硫

9、酸、發煙 HNO3或它們的混合物)處理原始石墨, 將強酸小分子插入石墨層間, 再用強氧化劑(如 KMnO4、KClO4等)對其進行氧化. Hummers 氧化法的優點是安全性較高; 與 Hummers 法及 Brodie法相比, Staudemaier 法由于使用濃硫酸和發煙硝酸混合酸處理石墨, 對石墨層結構的破壞較為嚴重. 氧化劑的濃度和氧化時間對制備的石墨烯片的大小及厚度有很大影響14,因此, 氧化劑濃度及氧化時間需經過仔細篩選, 才能得到大小合適的單層氧化石墨烯片。2.3 化學氣相沉積法化學氣相沉積(CVD)法提供了一種可控制備石墨烯的有效方法, 與制備 CNTs 不同, 用 CVD 法

10、制備石墨烯時不需顆粒狀催化劑,它是將平面基底(如金屬薄膜、金屬單晶等)置于高溫可分解的前驅體(如甲烷、乙烯等)氣氛中, 通過高溫退火使碳原子沉積在基底表面形成石墨烯, 最后用化學腐蝕法去除金屬基底后即可得到獨立的石墨烯片. 通過選擇基底的類型、生長的溫度、前驅體的流量等參數可調控石墨烯的生長(如生長速率、厚度、面積等), 此方法已能成功地制備出面積達平方厘米級的單層或多層石墨烯, 其最大的優點在于可制備出面積較大的石墨烯片15。該方法已成功地用于在多種金屬基底表面(如Ru(0001)16, Pt(111)17, Ir(111)18等)制備石墨烯。最近, Kong19和 Kim20研究組分別用

11、CVD 法在多晶Ni 薄膜表面制備了尺寸可達到厘米數量級的石墨烯; Ruoff 研究組21在 Cu 箔基底表面上采用 CVD法成功地制備了大面積、高質量石墨烯, 而且所獲得的石墨烯主要為單層結構。2.4 外延生長法該方法一般是通過加熱 6H-SiC 單晶表面, 脫附 Si(0001 面)原子制備出石墨烯22-26。先將 6H-SiC單晶表面進行氧化或 H2刻蝕預處理, 在超高真空下(1.33×10-8Pa)加熱至 1000 去除表面氧化物, 通過俄歇電子能譜(Auger electron spectroscopy)確認氧化物已完全去除后, 樣品再加熱至 1250-1450 并恒溫 1

12、0-20 min, 所制得的石墨烯片層厚度主要由這一步驟的溫度所決定, 這種方法能夠制備出 1-2碳原子層厚的石墨烯, 但由于 SiC 晶體表面結構較為復雜, 難以獲得大面積、厚度均一的石墨烯27。Berger等利用該方法分別制備出了單層28和多層29石墨烯并研究了其性能。與機械剝離法得到的石墨烯相比,外延生長法制備的石墨烯表現出較高的載流子遷移率等特性, 但觀測不到量子霍爾效應。2.5電化學方法Liu等30通過電化學氧化石墨棒的方法制備了石墨烯. 他們將兩個高純的石墨棒平行地插入含有離子液體的水溶液中, 控制電壓在 10-20 V, 30 min后陽極石墨棒被腐蝕, 離子液體中的陽離子在陰極

13、還原形成自由基, 與石墨烯片中的 電子結合, 形成離子液體功能化的石墨烯片, 最后用無水乙醇洗滌電解槽中的黑色沉淀物, 60 下干燥 2 h 即可得到石墨烯. 此方法可一步制備出離子液體功能化的石墨烯, 但制備的石墨烯片層大于單原子層厚度。2.6 電弧法石墨烯還可以通過電弧放電的方法制備, 在維持高電壓、大電流、氫氣氣氛下, 當兩個石墨電極靠近到一定程度時會產生電弧放電, 在陰極附近可收集到 CNTs 以及其它形式的碳物質, 而在反應室內壁區域可得到石墨烯, 這可能是氫氣的存在減少了CNTs及其它閉合碳結構的形成. Rao 等31通過電弧放電過程制備了 2-4 單原子層厚的石墨烯. 此法也為制

14、備 p 型、n 型摻雜石墨烯提供了一條可行途徑。2.7有機合成法Qian等32運用有機合成法制備了具有確定結構而且無缺陷的石墨烯納米帶。他們選用四溴 酰亞胺(tetrabromo-perylene bisimides)作為單體, 該化合物在碘化亞銅和 L-脯氨酸的活化下可以發生多分子間的偶聯反應, 得到了不同尺度的并苝酰亞胺，實現了含酰亞胺基團的石墨烯納米帶的高效化學合成; 他們還通過高效液相分離出了兩種三并 酰亞胺異構體, 并結合理論計算進一步闡明了它們的結構。2.8 其它方法石墨烯的制備方法除了上面介紹的外，還有高溫還原、光照還原、微波法等。如何綜合運用各種石墨烯制備方法的優勢，取長補短，

15、解決石墨烯的難溶解性和不穩定性的問題，完善結構和電性能等是今后研究的熱點和難點，也為今后石墨烯的合成開辟了新的道路。另外， 如 Hamilton 等33將石墨在鄰二氯苯(ODCB)中超聲分離得到了石墨烯. ODCB 作為分散劑, 具有沸點高, 與石墨烯之間存在的 -相互作用使其表面張力(36.6×10-3J·m-2)與石墨剝離時所需的張力(40-50)×10-3J·m-2)相近等優點, 在超聲的輔助下, 可以很容易地從微晶人造石墨、熱膨脹石墨以及高取向熱解石墨等表面剝離開石墨烯片,但該法很難制備出單層的石墨烯.Chakraborty 等34在成熟的石墨

16、鉀金屬復合物基礎上制備了聚乙二醇修飾的石墨納米片, 在有機溶劑及水中均溶解性較好. Wang 等35利用 Fe2+在聚丙烯酸陽離子交換樹脂中的配位 摻碳作用, 發展了一種新型的、大規模制備石墨烯的方法: 原位自生模板法(in situself-generating template), 該法具有產率高、產品晶型好的特點, 制備的石墨烯能作為甲醇燃料電池 Pt催化劑的優良載體. 最近, 復旦大學 Feng首先采用Li 方法36制備石墨烯溶液后, 然后通過高真空(P20Pa)低溫冷凍干燥制備了高度疏松的粉體石墨烯,該粉狀物只需經簡單的超聲就能在 DMF 等有機溶劑中重新形成穩定的膠體分散體系37,

17、 該法提供了快速簡便地大規模制備固態單層石墨烯的途徑,克服了傳統方法只能制備分散、穩定石墨烯溶液的缺點, 為石墨烯商業化應用打下了良好基礎.3.石墨烯的主要應用由于石墨烯具有比表面積大、電導率高等優點,因而可以作為電極材料、傳感器、儲氫材料等。3.1傳感器3.1.1pH傳感器石墨烯表面的含氧基團可與水及OH-形成氫鍵,晶體外延型的12層石墨烯可靈敏地感知表面的離子密度,從而可以作為很好的pH傳感器。這也預示著石墨烯有可能在合成超快、低噪聲的生物傳感器和化學傳感器方面有很好的發展前景。3.1.2氣體分子傳感器石墨烯的表面可吸附氣體分子,而不同的氣體分子可以作為電子給體或受體,從而引起電導率的變化

18、,這與固態氣體傳感器的作用機制相似。Novoselov等對NO2、NH3、H2O、CO在石墨烯表面的吸附做了研究,檢測限可降低到1ppm,并且在1min內電導率即可發生明顯變化。其中,NO2的檢測最為迅速,幾乎是瞬間完成。檢測后,石墨烯在150真空條件下退火,可還原到初始狀態,且這種反復的“退火-檢測”操作不會引起化學品的失活。Kern等通過電化學的方法將金屬顆粒沉積在石墨烯表面得到的金屬Pd摻雜的石墨烯對H2有很好的靈敏性,可作為H2傳感器。3.1.3分子傳感器Robinson和Snow等報道了石墨烯可以作為分子傳感器。對HCN、甲基膦酸二甲酯(DMMP)、氯乙基乙基硫醚( CEES)、2,

19、4-二硝基甲苯(DNT)的檢測限分別為70ppb、5ppb、0·5ppb、0·1ppb,其中后兩者與碳納米管(CNT)作為傳感器時的檢測限相當;但碳納米管對于HCN, CNT無法檢測(檢測限>4 000ppb),而石墨烯可將檢測限降低到70 ppb,低于JCAD(the joint chemical agent detector)和CDC(center for disease control)的檢測限要求(兩者分別為2×106ppb和5×104ppb)。3.2儲氫材料在儲氫材料方面,合金如LaNi5、TiFe、MgNi等都有儲氫能力。其中,La和T

20、i合金為低溫(<150)儲氫材料,但其儲氫能力低(<2wt%);Mg合金為高溫儲氫材料,雖然理論儲氫量很高,但它的吸附/解吸動力學不穩定。此外,合金不僅價格昂貴而且比重大,因而在很大程度上限制了其實際應用。在新型儲氫材料的開發研究中,人們發現碳納米管以及石墨烯等都有很好的儲氫能力,而且這些材料的價格低廉,能夠大幅度降低成本。Rao等研究了石墨烯(34層)對氫氣和二氧化碳的吸附性能。對H2而言,在100bar,298K條件下,最高可達3·1wt%;對于CO2,在1bar,195K條件下,其吸附量為2135 wt%。理論計算表明,如果采用單層石墨烯,其H2吸附量可達7

21、3;7wt%,完全能滿足美國能源部(MOE)對汽車所需氫能的要求(6wt%)。因而,在儲氫材料方面,石墨烯具有很好的發展前景,有待科學家進一步研究。3.3藥物控制釋放Dai等利用石墨烯與喜樹堿類同系物SN38之間的疏水相互作用及-堆積,制備了NGO-PEGSN38復合物,有很好的水溶性,在體內可以緩慢釋放SN38,從而實現藥物的控制釋放。Yang等研究了氧化石墨(GO)對阿霉素(DXR)的藥物控制釋放作用。兩者之間通過-堆積作用,吸附量與DXR的初始濃度以及pH值有關,隨DXR初始濃度的增大呈線性增加,中性條件下DXR濃度為0.47mg/ml時最大吸附量達到2.35mg/mg,遠遠高于其他藥物

22、載體(如碳毫微角(carbon nanohorn)、聚合物囊泡(polymer vesicles)等,其最大吸附量均低于1mg/mg)。3.4離子篩分子動力學研究表明:碳納米管可以用來傳輸氣體、液體;水合離子也可以通過較大半徑的碳納米管。那么,石墨烯是否也具有這樣的性質呢?Krl等通過離子刻蝕的方法得到兩種含不同孔徑大小的石墨烯,孔洞邊緣分別為F-N和H,F-N型,可以選擇性通過Li+、Na+、K+,速率比為91433;H型可以選擇性地通過Cl-、Br-,速率比為17:33。3.5石墨烯作為電極材料石墨烯有很好的導電性,與有機材料的接觸電阻小(石墨烯/并五苯:0·160·1

23、8M;銀/并五苯:1·56M;銅/并五苯:1·8M),可與有機材料兼容,因而是很好的電極材料。劉云圻等在并五苯制備的OFET(有機場效應晶體管)中,對石墨烯作為電極材料的性能進行了詳細研究。他們用石墨烯/銅、石墨烯/銀作電極時,遷移率可達0·470·53cm2·V-1·s-1,而用金屬電極時無法達到這么高的遷移率。Chhowalla等通過真空過濾技術得到的GO薄膜還原后可制作薄膜晶體管(厚度為2 nm)。常壓下測得薄膜電阻率最低為43k/m,空穴遷移率為1cm2·V-1·s-1,電子遷移率為0.2cm2·

24、V-1·s-1。Yang等40在制備石墨烯的過程中用純肼還原,得到了目前報道的尺寸最大的石墨烯片(20×40m)。制成FET后,測定電流是已報道化學合成石墨烯的103倍,當源漏電壓為-1V時,ISD仍大于5mA,優于已報道的結果(VSD= - 5V時,ISD=25A)。陳永勝等75用溶液法加工的石墨烯薄膜厚度<20nm,光透過率>80%,可以用于有機太陽能電池陰極。隨后,他們用石墨烯作為太陽能電池的受體材料時,石墨烯在160退火20 min后能量轉換率達到1·4%。Müllen等制備的石墨烯,厚度為10 nm時透過率為70.7%,將其應用于染

25、料敏化太陽能電池的陰極,短路電流密度(Isc)、開路電壓(Voc)、填充因子(FF)、光電轉換效率分別為1.01mA/cm2、0.7V、0.36、0.26%。與氟摻雜氧化錫薄膜(FTO)作為陰極相比,光電轉換效率低于FTO(0·84%),可能與薄膜的透過率不如FTO有關。3.6其他方面石墨烯薄膜是經過石墨烯的氧化物還原得到的,它能通過非共價功能化,可用于制造大面積的薄膜材料,具有優于其他材料的特性,如可控滲透性、離子導電體各向異性、超電容性等。石墨烯薄膜用在透射電鏡(TEM)上,首次實現了H原子的檢測,并且成功拓展到其他輕原子(如He等),以及開展這些輕原子的動力學研究。Wallac

26、e等在對石墨烯紙的研究中發現,適當的退火溫度可提高石墨烯紙的機械性能及導電性,退火溫度為220、500時電導率分別為118S/cm、351S/cm;220退火后,平均楊氏模量和拉伸強度分別為41.8GPa和293.3 MPa,比氧化石墨烯紙高,是石墨箔片的10倍。此外,用L-929細胞測試其生物兼容性好,可用作生物醫用材料38。4.研究現狀及展望在短短的幾年間, 石墨烯以其具有的優異性能及各種潛在的應用前景, 得到快速發掘和開發。與此同時, 人們需要大量高質量、結構完整的石墨烯材料。這就要求提高或進一步完善現有制備工藝的水平, 探索新的制備路徑。微機械法顯然不能滿足未來工業化的要求, 直接剝離

27、法能制備高質量的石墨烯, 但產率太低、耗時太長; 化學氣相沉積法可以制備出大面積且性能優異的石墨烯薄膜材料, 但現有的工藝不成熟以及成本較高都限制了其大規模應用, 因此還需進一步探索、完善。氧化 還原法雖然能夠以相對較低的成本制備出大量的石墨烯, 但即使被強還原劑還原后, 石墨烯的原始結構也并不能完全恢復(特別是經過共價修飾后的石墨烯), 而使其電子結構及晶體的完整性均受到嚴重的破壞,一定程度上限制了其在某些領域(如精密的微電子領域)中的應用。因此, 如何大量、低成本制備出高質量的石墨烯材料仍是未來研究的一個重點。此外, 由于表面修飾能改善或豐富石墨烯的各種性能, 也應該關注如何更好的修飾,

28、特別是非共價修飾,進一步提高石墨烯各方面性能, 促進其器件化、工業化、商品化的進程。參考文獻1 NovoselovKS, GeimAK, FirsovAA. Science, 2004, 306: 6666692 Geim A K,Novoselov K S.The rise of graphemeJ.Nature Mater,2007,6:1833 Lee, C. G.; Wei, X. D.; Kysar, J. W.; Hone, J. Science, 2008, 321(5887): 3854 Balandin, A. A.; Ghosh, S.; Bao, W. Z.; Caliz

29、o, I.; Teweldebrhan,D.; Miao, F.; Lau, C. N. Nano Lett., 2008, 8(3): 9025 Chen, J. H.; Jang, C.; Xiao, S. D.; Ishigami, M.; Fuhrer, M. S. Nat.Nanotechnol., 2008, 3: 2066 Service, R. F. Science, 2009, 324(5929): 8757 Chae H K, SiberioPerez D Y, Kim J. Nature, 2004, 427:5238 Novoselov K S，Jiang Z，Zhan

30、g Y，et al Room temperature quantum hall effect in grapheneJ Science，2007，315: 13799 Wang Y，Huang Y，Song Y，et al Room temperature ferromagnetism of graphJ Nano Lett，2009，9: 220 22410 Novoselov KS, GeimAK, MorozovSV, et al. Nature, 2005, 438:19720011 Novoselov K S, McCamE, Mbrozov SV, et a1. Nat. Phys

31、., 2006,2: 17718012 KatsneIson M I, Novoselov K S, Geim A K. Nat. Phys., 2006, 2(9): 62062513 Katsnelson M I, Novoselov K S. Solid State Commun., 2007, 143:31314 Zhang, L.; Liang, J. J.; Huang, Y.; Ma, Y. F.; Wang, Y.; Chen, Y.S. Carbon, 2009, 47(14): 336515 Obraztsov, A. N. Nat. Nanotechnol., 2009,

32、 4: 21216 de Parga, A. L. V.; Calleja, F.; Borca, B.; Passeggi Jr., M. C. G.;Hinarejos, J. J.; Guinea, F.; Miranda, R. Phys. Rev. Lett., 2008,100(5): 05680717 Land, T. A.; Michely, T.; Behm, R. J.; Hemminger, J. C.; Comsa,G. Surf. Sci., 1992, 264(3): 26118 Coraux, J.; NDiaye, A. T.; Busse, C.; Miche

33、ly, T. Nano Lett.,2008, 8(2): 56519 Reina, A.; Jia, X. T.; Ho, J.; Nezich, D.; Son, H.; Bulovic, V.;Dresselhaus, M. S.; Kong, J. Nano Lett., 2009, 9(1): 3020 Kim, K. S.; Zhao, Y.; Jang, H.; Lee, S. Y.; Kim, J. M.; Kim, K. S.;Ahn, J. H.; Kim, P.; Choi, J. Y.; Hong, B. H. Nature, 2009, 457:70621 Li, X

34、. S.; Cai, W. W.; An, J. H.; Kim, S. Y.; Nah, J.; Yang, D. X.;Piner, R.; Velamakanni, A.; Jung, I.; Tutuc, E.; Banerjee, S. K.;Colombo, L.; Ruoff, R. S. Science, 2009, 324(5932): 131222 Forbeaux, I.; Themlin, J. M.; Charrier,A.; Thibaudau, F.; Debever,J. M. Appl. Surf. Sci., 2000, 162-163(1): 40623

35、Borovikov, V.; Zangwill, A. Phys. Rev. B, 2009, 80(12): 12140624 Charrier, A.; Coati, A.; Argunova, T.; Thibaudau, F.; Garreau, Y.;Pinchaux, R.; Forbeaux, I.; Debever, J. M.; Sauvage-Simkin, M.;Themlin, J. M. J. Appl. Phys., 2002, 92(5): 247925 de Heer, W. A.; Berger, C.; Wu, X.; First, P. N.; Conra

36、d, E. H.; Li,X.; Li, T.; Sprinkle, M.; Hass, J.; Sadowski, M. L.; Potemski, M.;Martinez, G. Solid State Commun., 2007,143(1-2): 9226 Sprinkle, M.; Soukiassian, P.; de Heer, W. A.; Berger, C.; Conrad,E. H. Phys. Status Solidi RRL, 2009, 3(6): A9127 Hannon, J. B.; Tromp, R. M. Phys. Rev. B, 2008, 77(2

37、4): 24140428 Berger, C.; Song, Z.; Li, T.; Li, X.; Ogbazghi, A. Y.; Feng, R.; Dai,Z. T.; Marchenkov, A. N.; Conrad, E. H.; First, P. N.; de Heer, W.A. J. Phys. Chem. B, 2004, 108(52): 1991229 Berger, C.; Song, Z.; Li, X.; Wu, X.; Brown, N.; Naud, C.; Mayou,D.; Li, T.; Hass, J.; Marchenkov, A. N.; Conrad, E. H.;