1、微機原理與接口技術(樓順天第二版)習題解答第6章總線及其形成6.1答：內存儲器按其工作方式的不同，可以分為隨機存取存儲器(簡稱隨機存儲器或RAM和只讀存儲器(簡稱 ROM。隨機存儲器。隨機存儲器允許隨機的按任意指定地址向內存單元存入或從該單元取出信 息，對任一地址的存取時間都是相同的。由于信息是通過電信號寫入存儲器的，所以斷電時RAM中的信息就會消失。計算機工作時使用的程序和數據等都存儲在RAM中，如果對程序或數據進行了修改之后，應該將它存儲到外存儲器中，否那么關機后信息將喪失。通常所說的內 存大小就是指RAM的大小，一般以KB或MB為單位。只讀存儲器。只讀存儲器是只能讀出而不能隨意寫入信息的

2、存儲器。ROM中的內容是由廠家制造時用特殊方法寫入的，或者要利用特殊的寫入器才能寫入。當計算機斷電后，ROM中的信息不會喪失。當計算機重新被加電后， 其中的信息保持原來的不變，仍可被讀出。ROM適宜存放計算機啟動的引導程序、啟動后的檢測程序、 系統最根本的輸入輸出程序、時鐘控制程序以及計算機的系統配置和磁盤參數等重要信息。6.2答：存儲器的主要技術指標有：存儲容量、讀寫速度、非易失性、可靠性等。6.3答：在選擇存儲器芯片時應注意是否與微處理器的總線周期時序匹配。作為一種保守的 估計，在存儲器芯片的手冊中可以查得最小讀出周期t cyc(R)(Read Cycle Time) 和最小寫周期tcyc

3、(W)(Write Cycle Time)。如果根據計算，微處理器對存儲器的讀寫周期都比存儲器芯 片手冊中的最小讀寫周期大，那么我們認為該存儲器芯片是符合要求的，否那么要另選速度更高的存儲器芯片。8086CPU對存儲器的讀寫周期需要 4個時鐘周期(一個根本的總線周期)。因此，作為一 種保守的工程估計，存儲器芯片的最小讀出時間應滿足如下表達式：tcyc(R) V 4T tda tD T其中：T為8086微處理器的時鐘周期；tda為8086微處理器的地址總線延時時間；tD為各種因素引起的總線附加延時。這里的tD應該認為是總線長度、附加邏輯電路、總線驅動器等引起的延時時間總和。同理，存儲器芯片的最小

4、寫入時間應滿足如下表達式：tcyc(W) V 4T 一 tda tD T6.4答：全地址譯碼、局部地址譯碼和線選。全地址譯碼方式下CPU地址總線的所有地址均參與存儲單元的地址譯碼，存儲單元地址唯一；局部地址譯碼方式和線選方式下CPU地址總線的有一些地址信號沒有參與譯碼，那么取0或取1均可，所以存儲器的存儲單元地址不唯一，有重復。6.5答：數據總線的低 8位接偶存儲體，高8位接奇存儲體；地址總線的 A19A1同時對奇 偶存儲體尋址，地址總線的 A0只與偶地址存儲體連接，BHE與奇地址存儲體連接。32 K 86.6答：(1)1k x 1256片，片內尋址： : A，共10位；片選控制信號：1K 1

5、AI0 : AI5，共 6 位。32 K 8(2) 1k x 464片，片內尋址：A0 : A9，共10位；片選控制信號：1K 4AI0 : AI5，共 6 位。32 k 8(3) 4k x 88片，片內尋址： A0 : An，共12位；片選控制信號：4K 8AI2 ： AI5，共 4 位。32 k 8(4) 16k X 44片，片內尋址：A0 :人3，共14位；片選控制信號：16K 4Ai4 AI5，共 2 位。256K 86.7答：(1)1k X 12048片，片內尋址：Ao : A，共10位；片選控制信1K 1號: A10 : A19，共 10位。256K 8(2) 1k X 4512片

6、，片內尋址：Ao : A9，共10位；片選控制信號：1K 4Ai0 : Ai9，共 10 位。256K8(3) 4k X 864片，片內尋址：A。： Aii，共12位；片選控制信號：4K 8AI2 ： AI9，共 8 位。256K 8(4) 16k X 432片，片內尋址：A。： A13,共14位；片選控制信號：16K 4A|4 : A|9 ,共 6 位。156.8答：32K=2 =8000H,所以，最高地址為：4000H+8000H-仁BFFFH貝嘰可用的最高地址為 0BFFFH.14一6.9 答：7FFFH-4000H+1=4000H=2 =16KB,內存容量為 16KB6.10答：因為6

7、264的片容量為8KBo RAM存儲區域的總容量為 03FFFH-00000H+1=4000H=16KB 故需要2片6264芯片。連接圖如圖 6.10所示。MEMRMEMW5V74LS138A13A14A15ArMEMRA 18A 19MEMWABCD7A nDA2DOEWECS2CSi6264AqA2DoeWECS2CSi圖6.10與8088系統總線的連接圖檢測程序段：MOV AX,0000HMOV DS,AXMOV SI,0MOV CX,16*1024MOV AL,55H CMPL: MOV SI,ALMOV BL,SI CMP BL,AL JNE ERROR INC SILOOP CMP

8、LMOV DL,0EEH JMP NEXT ERROR: MOV DL,01H NEXT:6.11答：EPROM芯片的編程有兩種方式：標準編程和快速編程。在標準編程方式下，每給出一個編程負脈沖就寫入一個字節的數據。Vpp上加編程電壓，地址線、數據線上給出要編程單元的地址及其數據，并使CE =0, OE =1。上述信號穩定后，在PGM端加上寬度為50ms± 5ms的負脈沖，就可將數據逐一寫入。寫入一個單元后將OE變低，可以對剛寫入的數據讀出進行檢驗。快速編程使用100 s的編程脈沖依次寫完所有要編程的單元，然后從頭開始檢驗每個 寫入的字節。假設寫的不正確，那么重寫此單元。寫完再檢驗，不

9、正確可重寫。EEPRO編程時不需要加高電壓，也不需要專門的擦除過程。并口線EEPROMI作與SRAS目似，寫入時間約 5ms串行EEPROIW操作按時序進行，分為字節寫方式和頁寫方式。6.12答：8088最大方式系統與存儲器讀寫操作有關的信號線有：地址總線Ao : A9 ,數據總線：Do : D7，控制信號： MEMR ,MEMW。根據題目條件和 74LS138譯碼器的功能，設計的板內數據總線驅動電路如圖 6.12 (a)所示，板內存儲器電路的連接電路圖如圖6.12 (b)所示。D0-D7MEMR74LS245 A0B0 XD0-XD7lZ A7B7 TDIR EMEMW74LS138的 Y0

10、74LS138的 Y1 74LS138的 Y2 74LS138的 Y3圖6.12 (a)板內數據總線驅動電路4, O心誦 一彌一在Ur!.MECS, .住圖6.12( b)板內存儲器電路的連接圖6.13答：In tel 2764的片容量為8KB,而題目給出的地址共 32KB,說明有4個地址區重疊, 即采用局部地址譯碼時，有2條高位地址線不參加譯碼(即A13,A14不參加譯碼)。地址譯碼電路及2764與總線的連接如圖 6.13所示。ASA12MEMRA15A16A17A18A19-A0A12D0D7OEVPPPGMCE2764+5VDSD7圖6.13地址譯碼電路及2764與總線的連接6.14答：

11、2K X 8的In tel 6116SRAM芯片有11個地址引腳，8個數據引腳，現形成 4KB的 存儲器，那么需要兩塊6116的芯片進行字節擴展。2000H3FFFH有8KB，所以必定有地址重 疊，應該采用局部地址譯碼方式。根據地址范圍，A15A13必為001 , A12與A11使用一個進行片選譯碼。Pg 15U1曲 312 3 ABC E F t74LS138AQ 1$ *U2P兇OD"1 Ij ' "TTdj4CM1 ©R1QIl|fJCECE 皿在圖中Aii沒有參與譯碼，當Ai5Aii為00100或00101時會選中上面的 6116芯片，所 以上面6

12、116芯片的地址范圍為：2000H2FFFH ;當A15A11為00110或00111時會選中下 面的6116芯片，所以下面 6116芯片的地址范圍為： 3000H3FFFH。6.15 答：(1) 00000H0仆FFH 為 8KB , 03000H03FFFH 為 4KB，所以需要 6 個 4K X 4 的ROM芯片，共3組。(2)ROM3A? 'IP 3ROMiTOEC5*0 11如3ROMOE6.16答：(1) 70000H7BFFFH 有0C000H字節，即48KB，根據題圖，給出的 SRAM芯片為16K X &所以需要3片存儲芯片;(2) 3 個芯片的地址范圍分別為：

13、 70000H73FFFH , 74000H77FFFH , 78000H7BFFFH ;6.17答：程序如下：STARTADDR = 2000HCHECKNUM = 9000HCODE SEGMENTASSUME CS:CODESTART: MOV AX,0；將數據段段地址存放器 DS設為0000HMOV DS,AXMOV BX,STARTADDRMOV CX,CHECKNUMMOV DX,0MOV SI,1000HXH:MOV AL,55HMOV BX,ALCMP BX,ALJNZ ERROR;用DX來計出錯內存單元的個數;用SI進行出錯字節單元地址存儲尋址;寫入;讀出，比擬MOV AL,

14、0AAHMOV BX,ALCMP BX,ALJNZ ERRORJMP RIGHTERROR: INC DXMOV SI,BX;出錯字節單元數增1;將出錯字節單元的地址存入1000H開始的緩沖區INC SIINC SIRIGHT:INC BXLOOP XHHLTCODE ENDSEND START 6.18 答：73FFFH-70000H+仁4000H=16K ntel 6264 的片容量為 8KB, RAM存儲區總容量為16KB,故需要2片6264。8086最小方式系統與存儲器讀寫操作有關的信號線有：地址總線 代：A9，數據總線： Do： d15，控制信號：m/7O,RD,WR,BHE。此SRAM電路與8086系統總線的連接圖如圖6.18所示。6264D8 D15圖6.18 SRAM電路與8086系統