1、PHOTO流程?答：上光阻f曝光f顯影f顯影後檢查f CD量測f Overlay量測|何為光阻？其功能為何？其分為哪兩種？答：Photoresist（ 光阻）.是一種感光的物質，其作用是將Pattern 從光罩（Reticle）上傳遞到Wafer上的一種介質。其分為正光阻和負光阻。何為正光阻？答：正光阻，是光阻的一種，這種光阻的特性是將其曝光之后，感光部分的性質會改變，并在之后的顯影過程中被曝光的部分被去除。何為負光阻？答：負光阻也是光阻的一種類型，將其曝光之后，感光部分的性質被改變，但是 這種光阻的特性與正光阻的特性剛好相反，其感光部分在將來的顯影過程中會被留下，而沒有被感光的部分則被顯影過

2、程去除。什幺是曝光？什幺是顯影？|答：曝光就是通過光照射光阻，使其感光；顯影就是將曝光完成后的圖形處理，以將圖形清晰的顯現出來的過程。何謂Photo?答：Photo=Photolithgraphy,光刻，將圖形從光罩上成象到光阻上的過程。Photo主要流程為何？答：Photo的流程分為前處理，上光阻，Soft Bake,曝光，PEB顯影，Hard Bake等。何謂PHOT區之前處理？答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先對Wafer表面進行一系列的處理工作，以 使光阻能在后面的涂布過程中能夠被更可靠的涂布。前處理主要包括Bake，HDMS等過程。其中通過Bake將Wafer表面吸收的水分去除，

3、然后進行HDM工作，以 使Wafer表面更容易與光阻結合。何謂上光阻？答：上光阻是為了在 Wafer表面得到厚度均勻的光阻薄膜。光阻通過噴嘴（Nozzle） 被噴涂在高速旋轉的 Wafer表面，并在離心力的作用下被均勻的涂布在 Wafer 的表面。何謂 Soft Bake?答：上完光阻之后，要進行 Soft Bake，其主要目的是通過Soft Bake將光阻中 的溶劑蒸發，并控制光阻的敏感度和將來的線寬，同時也將光阻中的殘余內應力 釋放。何謂曝光？答：曝光是將涂布在 Wafer表面的光阻感光的過程，同時將光罩上的圖形傳遞到Wafer上的過程。何謂 PEB(Post Exposure Bake)

4、?答：PEB是在曝光結束后對光阻進行控制精密的Bake的過程。其目的在于使被曝光的光阻進行充分的化學反應，以使被曝光的圖形均勻化。何謂顯影？答：顯影類似于洗照片，是將曝光完成的Wafer進行成象的過程，通過這個過程， 成象在光阻上的圖形被顯現出來。何謂 Hard Bake?答：Hard Bake是通過烘烤使顯影完成后殘留在 Wafer上的顯影液蒸發，并且固 化顯影完成之后的光阻的圖形的過程。何為BARC何為TARC它們分別的作用是什幺？答：BARC=BottonA nti Reflective Coati ng, TARC=ToA nti Reflective Coat ing.BARC是被涂

5、布在光阻下面的一層減少光的反射的物質，TARC®是被涂布在光阻上表面的一層減少光的反射的物質。他們的作用分別是減少曝光過程中光在光阻 的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。何謂Ili ne ?答：曝光過程中用到的光，由 Mercury Lamp(汞燈)產生，其波長為365nm,其波 長較長，因此曝光完成后圖形的分辨率較差，可應用在次重要的層次。何謂DUV?答：曝光過程中用到的光，其波長為 248nm其波長較短，因此曝光完成后的圖 形分辨率較好，用于較為重要的制程中。I-line 與DUV主要不同處為何？1-Line主要用在較落后的答：光源不同，波長不同，因此應用的場合也

6、不同制程（0.35微米以上）或者較先進制程（0.35微米以下）的Non-Criticallayer。DUV則用在先進制程的Critical layer 上。何為 Exposure Field?答：曝光區域，一次曝光所能覆蓋的區域何謂Stepper?其功能為何？答：一種曝光機，其曝光動作為Step by step形式,一次曝整個exposure field,一個一個曝過去|何謂Scanner?其功能為何？答：一種曝光機，其曝光動作為 Scanning and step形式,在一個exposure field 曝光時,先Scan完整個field, Scan完後再移到下一個field.何為象差？答：

7、代表透鏡成象的能力，越小越好.Scanner比Stepper優點為何？答：Exposure Field 大，象差較小曝光最重要的兩個參數是什幺？答: Energy（ 曝光量）, Focus（焦距）。如果能量和焦距調整的不好，就不能得到 要求的分辨率和要求大小的圖形，主要表現在圖形的CD值超出要求的范圍。因此要求在生產時要時刻維持最佳的能量和焦距，這兩個參數對于不同的產品會有 不同。何為 Reticle?答：Reticle也稱為Mask翻譯做光掩模板或者光罩，曝光過程中的原始圖形的 載體，通過曝光過程，這些圖形的信息將被傳遞到芯片上。何為 Pellicle?答：Pellicle 是Reticle

8、 上為了防止灰塵（dust）或者微塵粒子（Particle） 落在 光罩的圖形面上的一層保護膜。何為OPC光罩？答：OPqOptical Proximity Correction）為了增加曝光圖案的真實性，做了一 些修正的光罩，例如，0.18微米以下的Poly, Metal layer 就是OPC光罩。 何為PSM光罩？答：PSM (Phase Shift Mask)不同于Cr mask,利用相位干涉原理成象，目前大 都應用在 con tact layer 以及較小 CD 的 Critical layer (如 AA POL YM ETAL) 以增加圖形的分辨率。何為 CR Masi？答：傳統

9、的鉻膜光罩,只是利用光訊0與1干涉成像,主要應用在較不Critical的 layer光罩編號各位代碼都代表什幺？答：例如 003700-156AA-1DA, 0037 代表產品號，00 代表 Special code,156 代 表layer,A 代表客戶版本，后一個A代表SMIC版本，1代表FAB1, D代表DUV如 果是J,則代表I-line),A 代表ASM機臺(如果是C,則代表Canon機臺) 光罩室同時不能超過多少人在其中？答：2人，為了避免產生更多的Particle和靜電而損壞光罩。存取光罩的基本原則是什幺？答：(1)光罩盒打開的情況下，不準進出MaskRoom最多只準保持2個人(

10、2)戴 上手套(3)輕拿輕放如何避免靜電破壞Mask？答：光罩夾子上連一導線到金屬桌面，可以將產生的靜電導出。光罩POD和FOUPIE放在一起嗎？它們之間至少應該保持多遠距離？答：不能放在一起，之間至少要有 30公分的距離，防止搬動 FOUF時碰撞光罩Pod而損壞光罩。何謂Track?答：Photo制程中一系列步驟的組合，其包括：Wafer的前、后處理，Coating(上光阻)，和Develop(顯影)等過程。In-line Track機臺有幾個 Coater 槽，幾個 Developer 槽？答：均為4個機臺上亮紅燈的處理流程？答：機臺上紅燈亮起的時候表明機臺處于異常狀態，此時已經不能RUN

11、貨，因此應該及時Call E.E進行處理。若EE現在無法立即解決，則將機臺掛 DOWN 何謂WEE?其功能為何？答：Wafer Edge Exposure。由于 Wafer邊緣的光阻通常會涂布的不均勻，因此 一般不能得到較好的圖形，而且有時還會因此造成光阻peeling而影響其它部分 的圖形，因此 將Wafer Edge的光阻曝光，進而在顯影的時候將其去除，這樣便 可以消除影響。何為PEB其功能為何？答: Post Exposure Bake,其功能在于可以得到質量較好的圖形。（消除standing waves）PHOTO POLYIMID所用的光阻是正光阻還是負光阻答：目前正負光阻都有，SM

12、IC FAB內用的為負光阻。RUN貨結束后如何判斷是否有wafer被reject ？答：查看RUN之前lot里有多少 Wafer,再看Run之后lot里的WAFE是否有少掉，如果有少，則進一步查看機臺是否有 Reject記錄。何謂Overlay?其功能為何？答：迭對測量儀。由于集成電路是由很多層電路重迭組成的， 因此必須保證每一 層與前面或者后面的層的對準精度，如果對準精度超出要求范圍內，則可能造成 整個電路不能完成設計的工作。因此在每一層的制作的過程中，要對其與前層的 對準精度進行測量，如果測量值超出要求，則必須采取相應措施調整processcon diti on.何謂ADI CD?答：Cr

13、itical Dimension，光罩圖案中最小的線寬。曝光過后，它的圖形也被復 制在Wafer 上,通常如果這些最小的線寬能夠成功的成象，同時曝光的其它的圖形也能夠成功的成象。因此通常測量CD的值來確定process的條件是否合適。何謂CD-SEM?其功能為何？答：掃描電子顯微鏡。是一種測量用的儀器，通常可以用于測量CD以及觀察圖案。PRS的制程目的為何？答：PRS （Process Release Standard） 通過選擇不同的條件（能量和焦距）對 Wafer曝光，以選擇最佳的 process condition 。何為ADI？ ADI需檢查的項目有哪些？答：After Develop

14、 Inspection，曝光和顯影完成之后，通過 ADI機臺對所產生 的圖形的定性檢查，看其是否正常，其檢查項目包括：Layer ID,Lock ingCorn er,Ver ni er,Photo Macro Defect何為 OOC, OOS OCAP答：OOC=out)f control,OOS=Out of Spec,OCAP=outof control action plan當需要追貨的時候，是否需要將 ETCHS有下機臺的貨追回來？答：需要。因為通常是process出現了異常，而且影響到了一些貨，因此為了減 少損失，必須把還沒有ETCH勺貨追回來，否則ETCH之后就無法挽回損失。P

15、HOTO AD檢查的SITE是每片幾個點？答：5點，Wafer中間一點，周圍四點。PHOTO OVERLAY查的SITE是每片幾個點？答：20PHOTO AD檢查的片數一般是哪幾片？答：#1，#6, #15, #24;統計隨機的考量何謂RTMS其主要功能是什幺？答：RTMS (Reticle Ma nageme nt System)光罩管理系統用于trace 光罩的History,Status,Locatio n,and In formatio n以便于光罩管理PHOT(區的主機臺進行PM的周期？答：一周一次PHOT(區的控片主要有幾種類型答：Particle : 作為Particle mon

16、itor 用的芯片，使用前測前需小於10顆 Chuck Particle :作為Scanner測試Chuck平坦度的專用芯片,其平坦度要求非常高 Focus :作為 Scanner Daily monitor best 的 wafer CD :做為 photo區daily monitor CD 穩定度的 waferPR thickness : 做為光阻厚度測 量的 wafer PDM :做為 photo defect monitor 的 wafer當TRACK剛顯示光阻用完時，其實機臺中還有光阻嗎？答：有少量光阻當TRACK剛顯示光阻用完時，其實機臺中還有光阻嗎？答：有少量光阻WAFER SO

17、RT有讀WAFE刻號的功能嗎？答：有光刻部的主要機臺是什幺？它們的作用是什幺？答：光刻部的主要機臺是：TRACK（涂膠顯影機）,Sanner（掃描曝光機）為什幺說光刻技術最象日常生活中的照相技術答：Track把光刻膠涂附到芯片上就等同于底片,而曝光機就是一臺最高級的照 相機.光罩上的電路圖形就是"人物".通過對準，對焦,打開快門，讓一定量的 光照過光罩，其圖像呈現在芯片的光刻膠上，曝光后的芯片被送回Track的顯 影槽，被顯影液浸泡，曝光的光刻膠被洗掉，圖形就顯現出來了 光刻技術的英文是什幺答: Photo Lithography常聽說的.18或點13技術是指什幺？答：它是

18、指某個產品,它的最小"CD"的大小為0.18um or 0.13um.越小集成度 可以越高，每個芯片上可做的芯片數量越多，難度也越大它是代表工藝水平的 重要參數從點18工藝到點13工藝到點零9.難度在哪里？答：難度在光刻部，因為圖形越來越小，曝光機分辨率有限.曝光機的NA是什幺？答：NA是曝光機的透鏡的數值孔徑；是光罩對透鏡張開的角度的正玹值.最大是1;先進的曝光機的NA在0.5 -0.85 之間.曝光機分辨率是由哪些參數決定的？答：分辨率=k1*Lamda/NA. Lamda是用于曝光的光波長;NA是曝光機的透鏡的數值孔徑;k1是標志工藝水準的參數,通常在0.4-0.7之

19、間.如何提高曝光機的分辨率呢？答：減短曝光的光波長，選擇新的光源；把透鏡做大，提高NA.現在的生產線上，曝光機的光源有幾種，波長多少？答：有三種：高壓汞燈光譜中的365nm譜線,我們也稱其為l-line; KrF激光器,產生248 nm的光；ArF 激光器,產生193 nm的光；下一代曝光機光源是什幺？答：F2激光器.波長157nm我們可否一直把波長縮短，以提高分辨率？困難在哪里？答：不可以.困難在透鏡材料能透過157nm的材料是CaF2,其晶體很難生長. 還未發現能透過更短波長的材料為什幺光刻區采用黃光照明？答：因為白光中包含365nm成份會使光阻曝光，所以采用黃光；就象洗像的暗房 采用暗紅

20、光照明.什幺是SEM答：掃描電子顯微鏡（Sean Electronic Microscope）光刻部常用的也稱道 CDSEM. 用它來測量CD如何做Overlay測量呢？答：芯片（Wafer）被送進Overlay機臺中.先確定 Wafer的位置從而找到OverlayMARK.這個MARK是一個方塊IN方塊的結構.大方塊是前層，小方塊是當層； 通過小方塊是否在大方塊中心來確定 Overlay的好壞.生產線上最貴的機器是什幺答：曝光機;5-15百萬美金/臺曝光機貴在哪里？ |答：曝光機貴在它的光學成像系統 （它的成像系統由15到20個直徑在200 300MM的透鏡組成.波面相位差只有最好象機的 5

21、%.它有精密的定位系統（使用 激光工作臺）激光工作臺的定位精度有多高？答：現用的曝光機的激光工作臺定位的重復精度小于10nm曝光機是如何保證Overlay<50nm答：曝光機要保證每層的圖形之間對準精度 <50nm.它首先要有一個精準的激光 工作臺，它把wafer移動到準確的位置.再就是成像系統，它帶來的圖像變形<35 nm.在 WAFERk,什幺叫一個Field?答：光罩上圖形成象在 WAFER!,最大只有26X33mm-塊（這一塊就叫一個 Field）,激光工作臺把 WAFER移動一個Field的位置，再曝一次光，再移動再曝光。直到覆蓋整片 WAFER所以，一片 WAFE

22、Rt有約100左右Field.什幺叫一個Die?答：一個Die也叫一個Chip;它是一個功能完整的芯片。一個Field可包含多個 Die;為什幺曝光機的綽號是“印鈔機”答：曝光機 很貴；一天的折舊有3萬-9萬人民幣之多；所以必須充份利用它的產能,它一天可產出1600片 WAFERTrack和Seanner內主要使用什幺手段傳遞 Wafer:答：機器人手臂（robot）. Seanner的ROBOTt真空（VACCUM來吸住WAFER.TRACK勺ROBOT設計獨特,用邊緣HOLD WAFER.可否用肉眼直接觀察測量 Seanner曝光光源輸出的光答：絕對禁止；強光對眼睛會有傷害為什幺黃光區內只

23、有 Scanner應用Foundation（底座）答：Scanner曝光對穩定性有極高要求（減震）近代光刻技術分哪幾個階段？答：從80' S至今可分 4階段：它是由曝光光源波長劃分的；高壓水銀燈的G-li ne（438nm）,I-li ne（365nm）;excimer laser KrF（248nm）, ArFlaser（193 nm）I-line scanner的工作范圍是多少？答：CD >0.35um以上的圖層（LAYER）KrF scanner的工作范圍是多少？答：CD >0.13um以上的圖層（LAYER）ArF scanner的工作范圍是多少？答：CD >

24、0.08um以上的圖層（LAYER）什幺是 DUV SCANNER答：DUVSCANNER是 指所用光源為D eep Ultra Voliet,超紫外線.即現用的248nm,193 nm Sca nnerScanner在曝光中可以達到精確度宏觀理解：答：Seanner是一個集機，光，電為一體的高精密機器；為控制iverlay<40nm,在曝光過程中，光罩和 Wafer的運動要保持很高的同步性.在 250nm秒的掃描 曝光時，兩者同步位置<10nm相當于兩架時速1000公里/小時的波音747飛機 前后飛行，相距小于10微米光罩的結構如何？答：光罩是一塊石英玻璃，它的一面鍍有一層鉻膜(

25、不透光).在制造光罩時，用電子束或激光在鉻膜上寫上電路圖形(把部分鉻膜刻掉，透光).在距鉻膜5mm的地方覆蓋一極薄的透明膜(叫 pellicle )，保護鉻膜不受外界污染.在超凈室(cleanroom )為什幺不能攜帶普通紙答：普通紙張是由大量短纖維壓制而成，磨擦或撕割都會產生大量微小塵埃(particle ). 進 cleanroom 要帶專用的 Cleanroom Paper.如何做CD測量呢？答：芯片(Wafer)被送進CD SEM中.電子束掃過光阻圖形(Pattern).有光阻的 地方和無光阻的地方產生的二次電子數量不同；處理此信號可的圖像.對圖像進 行測量得CD.什幺是DOF答：DO

26、F也叫Depth Of Focus,與照相中所說的景深相似.光罩上圖形會在透 鏡的另一側的某個平面成像，我們稱之為像平面(Image Plan), 只有將像平面 與光阻平面重合(In Focus)才能印出清晰圖形.當離開一段距離后，圖像模糊. 這一可清晰成像的距離叫DOF曝光顯影后產生的光阻圖形(Pattern )的作用是什幺？答：曝光顯影后產生的光阻圖形有兩個作用：一是作刻蝕的模板，未蓋有光阻的 地方與刻蝕氣體反應，被吃掉.去除光阻后，就會有電路圖形留在芯片上.另一 作用是充當例子注入的模板.光阻種類有多少？答：光阻種類有很多.可根據它所適用的曝光波長分為I-line 光阻,KrF光阻和Ar

27、F光阻光阻層的厚度大約為多少？答：光阻層的厚度與光阻種類有關.l-line 光阻最厚，0.7um to 3um. KrF光阻 0.4-0.9um. ArF 光阻 0.2-0.5um.哪些因素影響光阻厚度？答：光阻厚度與芯片（WAFER ）的旋轉速度有關，越快越薄，與光阻粘稠度 有關.哪些因素影響光阻厚度的均勻度？答：光阻厚度均勻度與芯片（WAFER）的旋轉加速度有關，越快越均勻，與 旋轉加減速的時間點有關.當顯影液或光阻不慎濺入眼睛中如何處理答：大量清水沖洗眼睛，并查閱顯影液的CSDS （Chemical Safety Data Sheet）,把它提供給醫生，以協助治療FAC根據工藝需求排氣分

28、幾個系統？答：分為一般排氣（Ge neral）、酸性排氣（Scrubbers ）、堿性排氣（Ammo nia 和有機排氣（Solve nt ）四個系統。高架地板分有孔和無孔作用？答：使循環空氣能流通，不起塵，保證潔凈房內的潔凈度；防靜電；便于HOOK-UP離子發射系統作用答：離子發射系統，防止靜電SMIC潔凈等級區域劃分答：Mask Shop class 1 & 100Fab1 & Fab2 Photo and process area: Class100Cu-line Al-Line OS1 L3 OS1 L4 testing Class 1000什幺是制程工藝真空系統（PV

29、）答：是提供廠區無塵室生產及測試機臺在制造過程中所需的工藝真空 ；如真空吸 筆、光阻液涂布、吸芯片用真空源等。該系統提供一定的真空壓力（真空度大于80 kpa）和流量，每天24小時運行什幺是MAU（Make Up Air Un it）,新風空調機組作用答：提供潔凈室所需之新風，對新風濕度，溫度，及潔凈度進行控制，維持潔凈室正壓和濕度要求。House Vacuum System 作用答：HV(HouseVacuum系統提供潔凈室制程區及回風區清潔吸取微塵粒子之真空 源，其真空度較低。使用方法為利用軟管連接事先已安裝在高架地板下或柱子內 的真空吸孔，打開運轉電源。此系統之運用可減低清潔時的污染。F

30、ilter Fan Unit System(FFU) 作用答:FFU系統保證潔凈室內一定的風速和潔凈度，由Fan和Filter(ULPA)組成。什幺是Clean Room潔凈室系統答：潔凈室系統供應給制程及機臺設備所需之潔凈度、溫度、濕度、正壓、氣流 條件等環境要求。Clean room spec: 標準答：Temperature 23 ° C ± 1 ° C(Photo:23 ° C ± 0.5 ° C)Humidity 45% ± 5%(Photo:45%± 3% )Class 1000verpressure

31、+15paAir velocity 0.4m/s±0.08m/sFab內的safety shower的日常維護及使用監督由誰來負責答：Fab內的Area Owner(若出現無水或大量漏水等可請廠務水課(19105)協 助)工程師在正常跑貨用純水做rinse或做機臺維護時，要注意不能有酸或有機溶劑(如IPA等)進入純水回收系統中，這是因為：答：酸會導致conductivity(導電率)升高，有機溶劑會導致 TOC升高。兩者均 會影響并降低純水回收率。若在Fab內發現地面有水滴或殘留水等，應如何處理或通報答：先檢查是否為機臺漏水或做PM所致，若為廠務系統則通知廠務中控室(12222)機臺

32、若因做PM或其它異常，而要大量排放廢溶劑或廢酸等應首先如何通報答：通知廠務主系統水課的值班(19105)廢水排放管路中酸堿廢水/濃硫酸/廢溶劑等使用何種材質的管路？答：酸堿廢水/高密度聚乙烯(HDPE濃硫酸/鋼管內襯鐵福龍(CS-PTFE)廢溶劑/ 不琇鋼管(SUS)若機臺內的drain管有接錯或排放成分分類有誤，將會導致后端的主系統出現什 幺問題？答：將會導致后端處理的主系統相關指標處理不合格，從而可能導致公司排放口超標排放的事故。公司做水回收的意義如何？答：（1）節約用水，降低成本。重在環保。（2）符合ISO可持續發展的精神和 公司環境保護暨安全衛生政策。何種氣體歸類為特氣（Special

33、ty Gas）?答: SiH2Cl2何種氣體由VMB Stick點供到機臺？答：H2何種氣體有自燃性？答：SiH4何種氣體具有腐蝕性？答：CIF3當機臺用到何種氣體時，須安裝氣體偵測器 ？答: PH3名詞解釋 GC, VMB, VMP答：GC- Gas Cabinet氣瓶柜 VMB- Valve Manifold Box 閥箱，適用于危險性 氣體。VMP- Valve Manifold Panel閥件盤面，適用于惰性氣體。標準大氣環境中氧氣濃度為多少？工作環靜氧氣濃度低于多少時人體會感覺不適？答：21%什幺是氣體的LEL? H2的LEL為多少？答：LEL- Low Explosive Leve

34、l氣體爆炸下限 H2 LEL- 4%.當FAB內氣體發生泄漏二級警報（既 Leak HiHi），氣體警報燈（LAU會如何動 作？ FAB內工作人員應如何應變？答：LAU紅、黃燈閃爍、蜂鳴器叫聽從 ERC廣播命令，立刻疏散。化學供應系統中的化學物質特性為何？答： Acid/Caustic 酸性/腐蝕性(2) Solve nt有機溶劑(3) Slurry 研磨液有機溶劑柜的安用保護裝置為何？答： Gas/Temp. detector;氣體 / 溫度偵測器 CO2 extinguisher;二氧化碳滅火器中芯有那幾類研磨液(slurry)系統？答： Oxide (Si02) Tungsten (W)

35、 鵭設備機臺總電源是幾伏特？答：208V OR 380V欲從事生產/測試/維護時，如無法就近取得電源供給，可以無限制使用延長線嗎？答：不可以如何選用電器器材？答：使用電器器材需采用通過認證之正規品牌機臺開關可以任意分/合嗎？答：未經確認不可隨意分/合任何機臺開關，以免造成生產損失及人員傷害.欲從事生產/測試/維護時,如無法就近取得電源供給，也不能無限制使用延長線， 對嗎？答：對假設斷路器啟斷容量為16安培導線線徑2.5mm2,電源供應電壓單相220伏特,若 使用單相5000W電器設備會產生何種情況？答：斷路器跳閘當供電局供電中斷時，人員仍可安心待在FAB中嗎？答：當供電局供電中斷時，本廠因有緊

36、急發電機設備，配合各相關監視系統，仍然 能保持FAB之 Safety,所以人員仍可安心待在FAB中.ETCH何謂蝕刻(Etch)?答：將形成在晶圓表面上的薄膜全部，或特定處所去除至必要厚度的制程。蝕刻種類：答：(1)干蝕刻 濕蝕刻蝕刻對象依薄膜種類可分為：答：poly,oxide, metal半導體中一般金屬導線材質為何？答：鵭線（W）/鋁線（Al）/銅線（Cu）何謂dielectric蝕刻（介電質蝕刻）？答: Oxide etch and nitride etch半導體中一般介電質材質為何？答：氧化硅/氮化硅何謂濕式蝕刻答：利用液相的酸液或溶劑；將不要的薄膜去除何謂電漿Plasma?答：電漿

37、是物質的第四狀態.帶有正，負電荷及中性粒子之總和；其中包含電子， 正離子，負離子，中性分子，活性基及發散光子等，產生電漿的方法可使用高溫或 咼電壓.何謂干式蝕刻？答：利用plasma將不要的薄膜去除何謂Under-etching（蝕刻不足）?答：系指被蝕刻材料，在被蝕刻途中停止造成應被去除的薄膜仍有殘留何謂Over-etching（過蝕刻）答：蝕刻過多造成底層被破壞何謂Etch rate（蝕刻速率）答：單位時間內可去除的蝕刻材料厚度或深度何謂Seasoning（陳化處理）答：是在蝕刻室的清凈或更換零件后，為要穩定制程條件，使用仿真（dummy晶 圓進行數次的蝕刻循環。Asher的主要用途：答：

38、光阻去除Wet bench dryer 功用為何？答：將晶圓表面的水份去除列舉目前Wet bench dry方法：答： Spin Dryer (2) Marangoni dry IPA Vapor Dry何謂 Spi n Dryer答：利用離心力將晶圓表面的水份去除何謂 Marag oni Dryer答：利用表面張力將晶圓表面的水份去除何謂 IPA Vapor Dryer答：利用IPA(異丙醇)和水共溶原理將晶圓表面的水份去除測Particle 時，使用何種測量儀器？答: Ten cor Surfsca n測蝕刻速率時，使用何者量測儀器？答：膜厚計，測量膜厚差值何謂AEI答：After Etc

39、hing Inspection蝕刻后的檢查AEI目檢Wafer須檢查哪些項目：答：(1)正面顏色是否異常及刮傷(2)有無缺角及Particle (3)刻號是否正確金屬蝕刻機臺轉非金屬蝕刻機臺時應如何處理？答：清機防止金屬污染問題金屬蝕刻機臺asher的功用為何？答：去光阻及防止腐蝕金屬蝕刻后為何不可使用一般硫酸槽進行清洗？答：因為金屬線會溶于硫酸中"Hot Plate" 機臺是什幺用途？答：烘烤Hot Plate 烘烤溫度為何？答：90120 度 C何種氣體為Poly ETCH主要使用氣體？答: CI2, HBr, HCl用于Al金屬蝕刻的主要氣體為答：CI2, BCI3用于W金屬蝕刻的主要氣體為答：SF6何種氣體為oxide vai/contact ETCH 主要使用氣體？答：