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文檔簡介
參數(shù)計算Na
lRa
=
pO
式中Na
為繞組的總導(dǎo)體數(shù);lc
為線圈的平均半匝長;Ac
為導(dǎo)體截面積;2a為并聯(lián)支路數(shù);pO基準工作溫度時導(dǎo)體的電阻率.Rf
=
p式中WB
為繞組匝數(shù);lB
為一匝平均長;
參數(shù)計算§5-1
繞組電阻的計算一、直流電機1、電樞繞組電阻2、勵磁繞組電阻
參數(shù)計算§5-1
繞組電阻的計算二、感應(yīng)電機1、定子繞組每相電阻R1
=K
p式中N1為繞組的每相串聯(lián)匝數(shù);lc
為線圈的平均半匝長;Ac1為導(dǎo)體截面積;a1為并聯(lián)支路數(shù);K
為電阻增大系數(shù),散下線時K=12、轉(zhuǎn)子電阻計算①繞線式轉(zhuǎn)子電阻:計算公式同上,但系數(shù)KF’取1(額定運行時)因為在正常運行時,轉(zhuǎn)子電流的頻率很低集膚效應(yīng)忽略不計。F'F'F'
參數(shù)計算§5-1
繞組電阻的計算②籠型轉(zhuǎn)子繞組電阻:(先將端環(huán)等效到導(dǎo)條上)指折算到定子方面的轉(zhuǎn)子每相電阻由于對稱,各導(dǎo)條內(nèi)電流有效值IB相等,相差α電角度=
2
p端環(huán)各段中電流有效值IR也相等,相差α電角度,由向量圖可知:Q2冗IB
=
2IR
sin
則
,
IB
=
2sin
必
2
.
=
=
2冗p2
IR
22
Q2
參數(shù)計算§5-1
繞組電阻的計算②籠型轉(zhuǎn)子繞組電阻:(先將端環(huán)等效到導(dǎo)條上)導(dǎo)體與端環(huán)的截面積和電流都不同,電阻等效需從損耗等效觀點進行:Q2I
R2
=Q2I
RB
+2Q2I
RR則每相等效電阻:R
=
R
+
Q
R22R2B2B2lR
=
Rav 2R'
=
KR
=
m1(W1Kdp1)
R
2
2
m2
(W2
Kdp
2)2
222③轉(zhuǎn)子電阻折算至定子邊:三、同步電機電樞繞組電阻同感應(yīng)電機定子;勵磁繞組電阻同直流電機勵磁電阻。2
B
2
2
p2
RRR
=
pR
SRB
=
pB
S
D
lR
lB
QllRB§5-2
主電抗的計算1.對應(yīng)的磁通—主磁通中的基波2.假定:1)電流連續(xù)均勻地集中在槽中心線上;
2)鐵心不飽和(μ→∞);
3)槽開口的影響用氣隙系數(shù)來計及。3.推導(dǎo)過程:以感應(yīng)電機為例求其激磁電抗
Xm一相基波磁勢幅值(I為相電流有效值)F
=
m
N
K
I
=
1.35
N1Kdp1I1
冗
p
1
dp1
p基本磁密幅值(H1
為基波磁場幅值)
參數(shù)計算B61
=
0
H1
=
0
6ef
=k6
.6
參數(shù)計算基波磁通幅值C1
=儀B61lef
T
(基波時儀=
)基波磁鏈幅值
2m
2
2
T基波電感
Lm
=
激磁電抗
Xm
=OLm整理得:為主磁路的比磁導(dǎo)4.冗2p,p,適用范圍:異步電機的激磁電抗和隱極同步電機的電樞反應(yīng)電抗凸極同步電機采用雙反應(yīng)理論:直軸電樞反應(yīng)電抗和交軸電樞反應(yīng)電抗系數(shù)v1
=
C1Kdp1N1
=
仍0
冗p
(N1Kdp1)
I
冗
lef
6efefXm
=
4冗f
仍0
lef
m入m
冗2
dp1
6ef式中,入=K
m
2
qT入m
參數(shù)計算§5-3
漏電抗的計算一、槽漏抗1.假定:1)電流在導(dǎo)體截面上(槽內(nèi))均勻分布;2)鐵心不飽和;
3)槽內(nèi)磁力線平行于槽底;(1)單層繞組時:槽漏磁分為兩部分計算:1)通過槽口處h0高度上的漏磁通和槽內(nèi)全部導(dǎo)體匝鏈;2)通過槽身h1高度上的漏磁通和部分
導(dǎo)體匝鏈。
參數(shù)計算a.槽口處(h0
高度)處漏磁鏈(匝鏈全部導(dǎo)體)槽口漏磁鏈:s1
=
Ns
s1
=
Ns
1
s1b.槽身處(h1高度)處漏磁鏈(匝鏈不同導(dǎo)體)sF槽身漏磁鏈:s
2
=j0
d
sx
=N
I
0
1hh1s2d.每相槽漏抗Xs
=
x
=
4冗f
0
N
lef
式中
入
=
h1
+
h0
為矩形開口槽的槽比漏磁導(dǎo)s
3bs
bs因槽型不同而不同,推導(dǎo)方法相同s入s入12s"
參數(shù)計算c.一個槽的漏磁鏈s
=s1
+s
2a
pq將雙層繞組的槽視為兩個單層繞組的槽,用上面相同的方法分別求出上、下層邊的自電感:La
=
(Ns
/
2)2
0
lef
(
h0
+
h1
)
=
(
Ns
)2
0
lef
bs
3bs
2Lb
=
(Ns
/
2)2
0
lef
(
h0
+
h1
+
h2
+
h3
)
=
(
Ns
)2
0
lef
入bbs
3bs
2再求出兩層導(dǎo)體之間的互感(下層導(dǎo)體電流產(chǎn)a入生的漏磁匝鏈上層導(dǎo)體Mab
,和反之Mba
)Mab
=()2
0
lef
入ba
參數(shù)計算(2)雙層整距繞組槽漏抗:可以證明Mab
=Mba由于是整距繞組,所以上下層線圈邊屬于同一相,其電流也屬同一相,不存在時間上的相位差,故每槽漏感:L's
=La
+Lb
+2Mab
=()2
0
lef
(+入b
+2入ab
)Xs
=4f
0
1
lef
假定h1
=h3,
h2
0,
此時
,
=
+
h=h1
+h2
+h3s入s入a入
參數(shù)計算可推得每相漏電抗為:
N
22pq
參數(shù)計算(3)雙層短距繞組的槽漏抗:此時,由于一個槽內(nèi)的上下層電流可能不同相,因此不能只考慮一個槽的情況再推廣到一相??梢钥紤]一個極下一相的情況,而后推廣到一相。且由于槽內(nèi)電流可能不同相,因此使用相量磁鏈。以A相為例
分四種情況分別推導(dǎo)、相加。具體有多少個槽的上下層線圈電流不屬于同一相,
則要看線圈的節(jié)距比β=y/τ的值,
前提2/3<β<1。左圖中:Z=18,β=7/9,
m=3,2p=2,
q=3第四章
參數(shù)計算(3)雙層短距繞組的槽漏抗:通用公式:矢量磁鏈=匝鏈的匝數(shù)*磁勢*自感磁導(dǎo)*槽數(shù)+匝鏈的匝數(shù)*磁勢*互感磁導(dǎo)*槽數(shù)
約定:λa為上層邊的自感比磁導(dǎo),λb為下層邊的自感比磁導(dǎo),λab為下層邊電流產(chǎn)生的漏磁匝鏈上層邊的互感比磁導(dǎo),λba為上層邊電流產(chǎn)生的漏磁匝鏈下層邊的互感比磁導(dǎo)。(注:λab=λba
)a.與同槽下層線圈電流不同相的(1-β)3q個上層線圈處的自感和互感磁鏈:N
N
N
N
A1
=
2s
(
2s
2Ia
)(
0
lef
)(1
)3q
+
2s
(
2sa入下層線圈對上層線圈互感磁鏈上層線圈自感磁鏈2I)(0
lef
入ab
)(1)3qb'上層線
圈磁勢上層線
圈磁導(dǎo)槽數(shù)第四章
參數(shù)計算(3)雙層短距繞組的槽漏抗:b.與同槽下層線圈電流同相的(3β-2)q個上層線圈處的自感和互感磁鏈:N
N
N
N
A2
=
2s
(
2s
2Ia
)(
0
lef
)(3
2)q
+
2s
(
2s
2Ia
)(
0
lef
入ab
)(3
2)qa入N
N
N
N
A4
=
2s
(
2s
2Ia
)(
0
lef
入b
)(3
2)q
+
2s
(
2s
2Ia
)(
0
lef
入ba
)(3
2)q
A3
=2s
(2s
2Ia
)(0
lef
入b
)(1)3q
+2s
(
2s
2I)(0lef
入ba
)(1)3qc'c.與同槽上層線圈電流不同相的(1-β)3q個下層線圈處的自感和互感磁鏈:d.與同槽上層線圈電流同相的(3β-2)q個下層線圈處的自感和互感磁鏈:一個極下A相總磁鏈為上述四項之和:A
=A1+A2
+
A3
+A4N
N
N
N得出每相槽漏抗與上面具有相同的形式:
=ku
+kl
入l
=h0
/bs
為槽口比漏磁導(dǎo)入l
=h/(3bs
)為安放導(dǎo)體的槽下部比漏磁導(dǎo)u入u入s入Xs
=
OLs
=
4冗f
0
lef
其中:s入
參數(shù)計算根據(jù)矢量圖可知B相和C相電流與A相電流的關(guān)系。冗冗j
jI
=Ia
e
3
,I
=Ia
e
3則A
可以表示為標量形式。一個極下每相的槽漏電感為:L's
=A
/(2IA
)c'b'二、諧波漏抗X6多相對稱交流繞組(例如感應(yīng)電機定子繞組)通多相對稱電流時,在氣隙中產(chǎn)生的旋轉(zhuǎn)磁場,除了基波磁場外,還有各次諧波磁場。但是諧波磁場一般不產(chǎn)生有
用的轉(zhuǎn)矩。所以一般把諧波磁場所感應(yīng)的基頻電勢看作漏抗壓降,
相應(yīng)的電抗稱之為諧波漏抗,也可稱之為差別漏抗。1.假定:1)電流集中在槽中心線上;2)磁路不飽和;3)氣隙諧波磁場只有徑向分量,槽口對各次諧波的影響計入氣隙系數(shù);4)忽略各次諧波磁場在對方繞組中所感生的電流對它本身的削弱作用。
參數(shù)計算3.總的諧波漏抗(所有各次諧波漏抗之和):X6
=
xXv
=4爪f
山0
lef
入6
式中
入6
=
m2爪
x(
)2
=
m2爪
xs
為諧波比漏磁導(dǎo)對諧波比漏磁導(dǎo)λδ
的計算可以采用查曲線的方法。
=
mN1KdpvI|
爪pv|
1
1 〈|Bv
=
山0
Hv
=
山0
K66
=
山0
6|
2
T|Cv
=
lef
BvefefvFvFvF
參數(shù)計算2.v次諧波漏抗推導(dǎo)與基波電抗相同:
_
_Bv
_
_Qv
_
_vv
_
_Lv
_
_xvvFKdpv為v次諧波繞組系數(shù)|l
爪
v
參數(shù)計算4.上式的適用范圍:感應(yīng)電機和隱極同步電機定子繞組及繞線式轉(zhuǎn)子繞組;凸極同步電機,因氣隙不均勻,用雙反應(yīng)理論,引入兩個系數(shù)(同主電抗)。5.特例:籠型轉(zhuǎn)子繞組諧波漏電抗X62諧波磁場次數(shù)v
=k2
1(k2
=1,2,3,)1
1其繞組系數(shù)Kdpv
=1,及N2
=2,pq
=2,代入定子繞組諧波漏抗計算式得:X62
=
2
f
0
lef
入62
(
k
1)
=
2p
26ef
R2222222222222222入62
=
()2
=
1
Z
式中三、端部漏抗Xe
對應(yīng)于繞組端部匝鏈的漏抗1.計算公式:對于不分組的單層同心式繞組,
其端部比漏磁導(dǎo)為:入E
=
0.67
l
(lE
0.64T)efef
參數(shù)計算Xe
=
4冗f
0
lef
入E入E
為端部比漏磁導(dǎo),與繞組形式有關(guān)
q
參數(shù)計算對于分組的單層同心式繞組,其端部比漏磁導(dǎo)為:入E
=
0.47
(lE
0.64T)lE
半匝線圈的端部長度.
ef
q
對于雙層疊繞組,其端部比漏磁導(dǎo)為:
入
=
0.57
q
T(
3
1)ef對于籠型轉(zhuǎn)子繞組,其端環(huán)比漏磁導(dǎo)為:0.2523Z2
D
l
'
Z2p
轉(zhuǎn)子每極槽數(shù);l
'
導(dǎo)條伸出鐵心的長度(兩端).如果端環(huán)緊貼鐵心,則l'
=0計算時往往將轉(zhuǎn)子端環(huán)比磁導(dǎo)歸算到定子邊,對于三相感應(yīng)電機,它等于入'E
=
(
+
)對于單層鏈式繞組,其端部比漏磁導(dǎo)為:入E
=
0.2
lef
lE入E
=p
(
R
+)lef
2p1.13E
l
2
q
l四、斜槽漏抗Xsk
——籠型轉(zhuǎn)子1.來源:在感應(yīng)電機里,為了消弱由齒諧波磁場引起的附加轉(zhuǎn)矩及噪聲,一般在籠型轉(zhuǎn)子常采用斜槽,即把轉(zhuǎn)子槽相對定子槽沿著軸向扭斜一個角度。由此而減小了定、轉(zhuǎn)子間的互感電抗,增加了定、轉(zhuǎn)子的漏抗。斜槽轉(zhuǎn)子直槽轉(zhuǎn)子
參數(shù)計算bsk扭斜度2t
參數(shù)計算2.計算:將單個斜導(dǎo)條視為無限多個分布的小直導(dǎo)條,求出分布系數(shù)b
=
2p冗
.
bsk
t2
為轉(zhuǎn)子齒距Q2
t2則斜槽系數(shù)為:Ksk
=
t
)2skskbQ2p冗Q2根p冗根2sktbsin(K
=
lim
sin
q
=
sin
q
→
∞
qsinqa→b
2
2每相鄰兩個小導(dǎo)條間夾角為ask
a→0a
b
參數(shù)計算考慮斜槽漏抗時的T形等效電路為Xsk
=
0.5(bsk
)2
X
26'
Ksk
)Xm
'sk
XmXs2'
+X62'
+XE
2'Xs2'
+X62'
+XE
2'Xs1
+
X61
+
XE1Xs1
+
X61
+
XE1(1Ksk
)Xm(1K's'sX
m2
2
2
RRRRt11五、齒頂漏抗Xt1
——存在于凸極電機1.來源:氣隙大,主磁通未完全穿過氣隙,部分磁力線由一個齒頂進入另一個齒頂形成閉合,漏磁—漏抗。
參數(shù)計算0δb
參數(shù)計算2.計算:根據(jù)許克變換,當槽口面對極靴時,相應(yīng)于齒頂漏磁場的比漏磁導(dǎo)為:入=0.2284+0.07960.250
(1G)式中:G
=[tan
1
ln(1+)]當槽口面對極間區(qū)域時,齒頂比漏磁導(dǎo)的計算式為:
=0.2164+0.3184()0.5
式中:b
齒頂寬度齒頂總的比漏磁導(dǎo)為:
入t
=p
入td
+(1p
)齒頂漏抗為:Xt1
=4f
0
N1
lef
入t
=4f
0
N
lef
(p
入td
+(1p
)入tq
)t
td222222222222222222222222222tq入t'tq入pq
pq對于隱極式同步電機,由于氣隙是均勻的,則有:入
=
入td
b0
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