技術規范 前 范 技術要 檢驗規 B（資料性附錄）1000kV高壓交流試驗示范工程線路復合絕緣子尺寸參數‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐8C（規范性附錄）120%24h耐受試驗方法‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐8凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單〉適用于本標準。GB/T311.1GB/T775.2絕緣子試驗方法第2部分:電氣試驗方法；GB/T775.33GB/T2900.5[GB/T2900.5-2002IEC60050(212)1990;EQVGB1T2900.8[GB/T2900.8-2009IEC6005-4712007IDTGB/T2900.19電工術語高電壓試驗技術和絕緣配合[GB/T2900.19-1994，IEC60071-1:1993NEQ]；GB/T4056GB/T4056-2008IEC60120:1984,IDT]GB/T4585GB/T4585-2004IEC60507:1991IDTGB/T6553評定在嚴酷環境條件下使用的電氣絕緣材料耐電痕化和蝕損的試驗方法[GB/T6553-2003,IEC60587:1984,IDT]GB/T19519--2004標稱電壓高于1000V的交流架空線路用復合絕緣 GB/T19519-2004IEC61109:1992MODGB/T22079-20081000V使用的戶內和戶外聚合物絕緣子一般定義、試驗方法和接收準則[GB/T22079-2008，IEC62217:2005MOD]；GB/T24623GB/T24623-2009IEC604371997MODGB/T25318GB/T25318-2010，IEC60372:1984,IEC60372/AM2:2003,MOD]；DL/T376DL/T810±500kV及以上電壓等級直流棒形懸式復合絕緣子技術條件；DL/T859高壓交流系統用復合絕緣子人工污穢試驗；DL/T1000V交流架空線路用復合絕緣子使用導則；DL/T1122架空輸電線路外絕緣配置技術導則；JB/T8177JB/T8178懸式絕緣子鐵帽技術條件；JB/T9673絕緣子產品包裝；JBIT9677GB/T2900.5GB/T2900.8GB/T2900.19GB/T19519-2004GB/T19519-2004要求，但公稱爬電距離L的制造允許正偏差不超過+0.01L，不允許負偏差。屬附件的連接尺寸應符合GB/T4056的規定。金屬附件應符合JB/T8178和JB/T9677的有關規定。除不銹鋼外的金屬附件都應按照用JB/T符合GB/T25318規定。的均壓屏蔽裝置。現有相關特高壓交流輸電工程線路復合絕緣子均壓裝置技術參數參見附錄A(資能，并按DL/T810的相關要求通過耐應力腐蝕試驗。DL/T864l100MPa，GB/T19519-2004D5.415.4.2條的規定，泄漏電流應不超過O.lmA(r.m.s)。6mm。護套與芯棒之間以及傘裙與護套之間的粘接強度應大于JB/T8177中的相關規定，且壓接部位(包括壓與未壓30min干工頻電壓試驗后，復合絕緣子傘套的溫升不超過10K電壓1MHz頻率下（峰值（峰值1MHz頻率下μlOOOm復合絕緣子的無線電干擾電壓應不大于500μV。試驗方法參見GB/T復合絕緣子應滿足多應力試驗的要求，試驗方法參見GB/T22079-2008GB/T4585、DL/T859，或供需雙方協1的要求時，均認為定型試驗不合格。定型試驗中的抽樣試驗項目見表1中的16至18項的免試條件與GB/T19519-2004設計試驗的免試條件相同。第抽驗試驗分工廠試驗（由工廠自行完成抽樣試驗），GB/T19519-2004地7.74GB/T19519-2004的規定。如果發現有不符33(abGB/T19519-20041m251m干工80300kV/m30min試驗后的溫升應不大10K套間界面的滲透GB/T19519-200474將"滲透結為束"后5min整為“調在環境溫度下，滲透開始后5nin參考GB/T19519-2004驗要求同本表試驗項目4的b參考GB/T19519-2004120荷24h本標準4.12另本標準第4.12條及本標準附錄2個護足本標準第4.76只參考GB/T19519-2004表5驗應滿足本標準第4.7電蝕損性試驗GB/T19519-2004第5.6GB/T19519-2004、GB/T6553進行。試品50mm35mm5mm，于TMA4.5級且蝕痕深度不超過E1本標準第4.6E2本標準第4.6條及GB/T19519-2004第8.2GB/T19519-2004第8.3應符合JB/T9673的規定，且必須能保證在運輸中不會因包裝不良而損壞，同時，在包裝外面應標A100