ICS27.120.01Cerium-dopedyttriumoxyorthosilicatescinti2020-08-03發布I請注意本文件的某些內容有可能涉及專利。本文件的發布本標準由中國材料與試驗團體標準委員會建筑材料領域委員會（FC01鈰摻雜硅酸釔閃爍晶體用的鈰摻雜硅酸釔閃爍晶體產品，其它核輻射探測領域使用的鈰摻雜硅酸釔閃爍晶體產品也可參照使下列文件對于本文件的應用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅所注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T191包裝儲運圖示標志GB/T4960.6-2008核科學技術術語：核儀器儀表GB/T7896-2008人造光學石英晶體試驗方法GB/T13181-2002閃爍體性能測量方法GB/T13376-2008塑料閃爍體GB/T32642-2016平板顯示器基板玻璃表面粗糙度的測量方法JB/T9495.3-1999光學晶體透過率測量方法JC/T2018-2010高能粒子探測用摻鉈碘化銫晶體T/CSTM00033-2020核輻射探測用無機光學單晶術語GB/T4960.6-2008、GB/T13181-2002、GB/T13376-2008、JB/T9495.3-1999、JC/T2018-2010和T/CSTM00033-2020界定的以及下列術語和定義適用于本文件。將高能射線/粒子能量轉換為紫外或可見熒光脈沖的媒介。組成具有長程有序周期性排列的特征的閃爍鈰摻雜硅酸釔閃爍晶體cerium-dopedyttriumoxyorthosilicatescintillation鈰摻雜硅酸釔閃爍晶體由釔、硅、氧為主體元素、鈰為摻雜元素組成的具有單斜相結構的一類單晶材料，屬C2/c空間群，化學式為Y2SiO5:Ce，簡稱YSO:Ce晶體。2晶體中出現的組分或者結構異于基質的生長缺陷（生長條紋除外），通常可以分為固態包裹體和氣態包[JC/T2018-2010定義3.5]當平行光通過均勻介質傳播時，透射光輻射強度與入射光輻射強度的百分比值，按公式（1）進行計算：T-x100%?-(1)I——透射光輻射強度，單位為坎（cdI0——入射光輻射強度，單位為坎（cd）；[JB/T9495.3-1999，原理3]核輻射探測用無機光學單晶吸收單位入射輻射能量所產生的光子數，用LY來表示：LY——光產額，核輻射激發源為γ射線時，單位為光子每兆電子伏（ph./MeV）；ΔE——核輻射在閃爍體中所損失的能量，單位為兆電子伏（MeVN——閃爍體在吸收核輻射能量后所產生的光子數，單位為光子（photons）。[T/CSTM00033-2020，定義3.31]核輻射探測用無機光學單晶吸收單位入射輻射能量后，所產生的光子中能夠被探測器有效接收的數量，屬于測量值，單位為光電子每兆電子伏（p.e./MeV）。[T/CSTM00033-2020，定義3.32]閃爍體光輸出相對參考樣品光輸出的比值。[GB/T13181-2002，定義3.10]3閃爍體參考樣品referencesamplesofs用來校正測試系統或標定其他閃爍體性能的閃爍體。[GB/T13376-2008，定義3.4]表征探測系統能夠區分不同能量輻射的能力，數值上可以表達為：R——閃爍體能量分辨率；ΔE——全能峰分布譜的半高全寬，單位為兆電子伏（MeVΔP——全能峰分布譜的半高全寬，單位為道（channel）；E——全能峰分布譜峰值位置對應的能量，單位為兆電子伏（MeV）；P——全能峰分布譜峰值位置對應的道數，單位為道（channel）；[T/CSTM00033-2020，定義3.40]閃爍體受單次核輻射激發停止后，閃爍光強度從最大值下降到1/e所需的時間。[GB/T4960.6-2008，定義2.3.18]4技術要求4.1外觀應滿足表1規定。無無4.2尺寸公差不大于±0.1mm。4.3粗糙度4不大于0.2μm。4.4透過率應滿足表2中的規定。4.5光產額不小于27000光子每兆電子伏（photons/MeV）。不大于12%。不大于85ns。5.1外觀5.2尺寸公差5.3粗糙度粗糙度的測試按GB/T32642-2016的方法進行，粗糙度儀精度不低于0.02μm。5.4透過率環境溫度為10℃~30℃。紫外-可見雙光束全自動分光光度計，檢測波長范圍為350nm～600nm。用無水乙醇、脫脂棉或無塵紙將產品端面擦拭干凈。5調節光窗大小與產品放置位置，使光路垂直晶體表面全部沿長軸方向通過并進入光窗，記錄420nm波長處的透過率值。5.5光產額與相對光輸出按照附錄B.6.2的規定進行計算。使用137Cs作為激發源，按GB/T13181-2002中10.2的規定測試，記錄閃爍體發光的時間脈沖譜，擬合確定衰減時間。分出廠檢驗和型式檢驗，檢驗項目見表3。1√√2√√3√—4√√5√√6√√7√—b)正式投產后，原材料、工藝有較大改變時；c)工藝技術無改變情況下，每二十四個月至少進行6若一批產品的各項宏觀質量、加工指標與性能檢驗結果全部符合型式檢驗要求時，則判定型式檢驗合格；當一批產品的檢驗結果有不符合型式檢驗要求時，應從同一批產品中抽取雙倍數量的試樣進行復驗，復驗合格時，仍判定型式檢驗合格；復驗結果仍不符合規定時，則判定型式檢驗不合格。每批產品應由同一批原料、相同工藝條件下連續生產、同時提交驗收的一組產品組成。（每50根晶體產品為一批，不足50根晶體產品仍可作為一批）從每批產品中用隨機抽樣方法抽取5%（不足100件時抽取5件）。一批產品的各項宏觀質量、加工指標與性能檢驗結果全部符合出廠檢驗要求時，則判定該批產品合格；當一批產品的檢驗結果有不符合出廠檢驗要求項時，應從同一批產品中抽取雙倍數量的試樣進行復驗，復驗合格時，仍判定該批產品合格；復驗結果仍不符合規定時，則判定這批產品不合格。產品檢驗合格后，用無水乙醇將表面擦凈，用電容紙或珍珠紙包覆產品裝入包裝箱內，箱內縫隙需裝滿輕質、柔軟、防震材料（如聚苯乙烯泡沫）作填充物，防止產品松動。每批產品應有產品質量檢測報告，寫明：供需雙方名稱、產品名稱及規格、產品批號、產品數量、出廠檢驗結果、本標準編號、出廠日期。產品在運輸過程中應輕裝輕卸，勿擠勿壓，并采取防震措施。產品應貯存在清潔、干燥的環境中。7A.1參考樣品的選擇從批量硅酸釔閃爍晶體中，挑選出外觀質量合格的晶體，按照表A.1的規定外觀要求加工制備參考樣品，并避光存放。A.2參考樣品性能指標應滿足表A.1中的性能指標。27mm×15mm×2.4mm，尺寸公差為±0.2mm27mm×2.4mm的兩個側面拋光，其余4個表面A.3參考樣品的測試參考樣品應按照附錄B的規定進行測試。8光產額的檢測按照GB/T13181-2002中的規定。按照GB/T13181-2002中的規定，具體要求見表B.1。123應符合表B.2的規定。123測試室應具有適當的避光條件，使用白熾燈照明，室內溫度為25℃±5℃。參考樣品的選擇按照附錄A中規定。測試樣品尺寸為27mm×15mm×2.4mm，27mm×2.4mm的兩個側面拋光，其余4個表面細磨砂。用無水酒精、無塵紙或脫脂棉把產品端面擦拭干凈。采用單層雙面鍍銀反射膜（ESR）包裹除出光面以外的所有晶體表面，樣品出光面與光電倍增管之間采用空氣耦合，耦合面為27mm×15mm尺寸面。樣品在暗室中靜置12h后，再進行測試。主要步驟如下：c)樣品的待耦合面與光電倍增管光窗e)137Cs放射源放置在鉛準直器內，根據計數率來調整放射源與樣品的距離，使得計數率在100f)先測量參考樣品的多道能譜，確定參考樣品的全能峰峰值對應的道數P0，并與標準值進行一B.6分別測量每個樣品的脈沖幅度譜，確定全能峰峰值對應的按照本標準3.5中計算光產額的方法及所使用的光電倍增管相應參數，分別計算出每個樣品的光產額，并按本標準