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IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微電子概論》（第3版）郝躍賈新章史江一目錄1.“場效應晶體管”FET的含義2.5.1場效應晶體管概述2.FET器件結構類型1.“場效應晶體管”FET的含義FET全稱為FieldEffectTransistor(1)FET基本原理包含兩個要點：(a)FET實質上是通過一個阻值受控的導電通道傳輸電流。導電通道稱為“溝道”（Channel

）(b)利用與溝道垂直方向上的“電場”來“調制”導電通道，稱為“場效應”任何一類FET的工作原理都是基于“場效應”。1.“場效應晶體管”FET的含義(2)FET基本結構FET器件包括三個電極(a)柵：施加電場的電極稱為“控制柵”，簡稱“柵（Gate）”(b)源與漏：導電溝道兩端的電極分別稱為源（Source）和漏（Drain）器件工作時，載流子從“源”流出，經過溝道，流入“漏”。1.“場效應晶體管”FET的含義(3)FET基本原理器件工作時，通常源為公共端，柵為輸入端，漏為輸出端。通過柵源電壓VGS調制溝道在漏源電壓VDS作用下，流過可變電阻溝道的電流，即IDS，與VDS之間呈現出一種不同于常規電阻I-V的特殊關系，使得場效應晶體管在電路中可以起到開關、放大等有源器件的作用。2.FET器件結構類型(1)按照調制方式劃分(a)JFETpn-JFET：通過pn結調制溝道MESFET(MEtalSemiconductorFET)：通過金屬-半導體肖特基結調制溝道2.FET器件結構類型(1)按照調制方式劃分說明隨著工藝技術的發展，MOS電容結構中Metal從金屬鋁改為可實現自對準的多晶硅（Poly-Si），進而采用硅化物（Silicide）Oxide也發展為高k介質但是描述器件類型的名稱還保留采用MOSFET。有時，也根據其結構特點稱為IGFET：Insulated-GateFET。(b)MOSFET：MetalOxideSemiconductorFET通過金屬-二氧化硅-半導體電容結構調制溝道2.FET器件結構類型(2)按照導電通道（溝道）類型劃分(a)n溝：溝道以電子導電為主(b)p溝：溝道以空穴導電為主說明由于電子遷移率大于空穴遷移率，使得n溝器件特性優于p溝因此集成電路中優先使用n溝場效應晶體管。2.FET器件結構類型(3)按照柵壓零偏時是否存在導電溝道劃分(a)增強型（Enhancementmode）：零偏時不存在溝道(b)耗盡型（Depletionmode）：零偏時存在溝道目前電路中采用較多的是

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