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《微電子概論（第3版）IntroductiontoMicroelectronics郝躍賈新章史江一》SecondEdition1.基區串聯電阻2.4.5BJT功率特性2.基區橫向壓降與發射極電流集邊效應3.功率BJT的交叉梳狀結構版圖設計目錄4.外延結構晶體管2.基區橫向壓降與發射極電流集邊效應

(1)基區橫向壓降與自偏壓效應

發射結可以等效為多個pn結的并聯。

發射區重摻雜，可視為等電位，因此并聯的多個pn結n區連在一起。

由于RB1的影響，并聯的多個pn結p區之間存在電阻。

圖示為四個pn結并聯實例。考慮RB影響的BE結等效電路：

A處：(Vbe)aA=(Vbe)app-[(RCon)B+RB2)]上壓降

B處：(Vbe)aB=(Vbe)aA-(RB1)A上壓降

C處：(Vbe)aC=(Vbe)aB-(RB1)B上壓降

D處：(Vbe)aD=(Vbe)aC-(RB1)C上壓降

距基極條越遠，結電壓(Vbe)a越小。

這一現象稱為基區自偏壓效應。

由于RB上壓降的影響，

不但結上電壓小于(Vbe)app，而且結面上不同位置處結電壓不同。結論顯然：(Vbe)aD<(Vbe)aC<(Vbe)aB<(Vbe)aA<(Vbe)app2.基區橫向壓降與發射極電流集邊效應

(2)發射極電流集邊效應

由于基區自偏壓效應，距基極條越遠，結電壓(Vbe)a越小。

發射結電流密度與結電壓呈指數關系，因此，發射結面上距基極條越遠，發射結電流密度越小。

對雙基極條結構，發射結面上中心位置處JE最小，距兩側基極條最近的發射極條邊緣處JE最大。稱為發射極電流集邊效應。2.基區橫向壓降與發射極電流集邊效應

(3)發射極電流集邊效應的影響

①IE并不與BE結面積成正比。②發射極條邊緣處電流密度最大，則該處容易出現大注入效應，導致電流放大系數下降，特征頻率下降。

③發射結面積AE中心處對IE貢獻很小，但是

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