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文檔簡介

《微電子概論（第3版）IntroductiontoMicroelectronics郝躍賈新章史江一》SecondEdition1.基區串聯電阻2.4.5BJT功率特性2.基區橫向壓降與發射極電流集邊效應3.功率BJT的交叉梳狀結構版圖設計目錄4.外延結構晶體管1.基區串聯電阻RB

基區串聯電阻RB對BJT特性特別是大電流特性有重大影響，在設計晶體管時需要考慮如何減小RB。為此應該分析了解平面工藝BJT中基區串聯電阻的組成特點。1.基區串聯電阻RB(1)平面工藝BJT中RB的組成

包括三個區域的電阻：RB1：在發射區正下方，稱為有源基區（或者內基區）電阻。RB2：稱為無源基區（或者外基區）

電阻。(Rcon)B：基極引出端處的金屬-半導體接觸電阻。1.基區串聯電阻RB(2)基區串聯電阻RB的影響

①

基區電阻產生的自偏壓效應將嚴重影響BJT的大電流特性；

②導致輸入電阻增大，影響功率放大特性，使得最高震蕩頻率下降；

因此，RB只有負面影響，應盡量減小基區串聯電阻

。1.基區串聯電阻RB(3)減小RB的主要技術途徑

從原理上講，增加基區摻雜濃度、增加基區寬度均可以減小基區串聯電阻。

但是這兩項措施均與提高晶體管電流放大系數的要求相矛盾。

目前集成電路制造工藝中，主要通過無源基區重摻雜、采用雙基極條結構這兩種措施減少基區串聯電阻。1.基區串聯電阻RB(3)減小RB的主要技術途徑

從原理上講，增加基區摻雜濃度、增加基區寬度均可以減小基區串聯電阻。

但是這兩項措施均與提高晶體管電流放大系數的要求相矛盾。目前集成電路制造工藝中，主要通過無源基區重摻雜、采用雙基極條結構這兩種措施減少基區串聯電阻。(a)無源基區重摻雜基區中影響晶體管電流放大系數的主要是有源基區，這部分摻雜濃度不能太高。常規基區摻雜后，可以在無源基區部分再進行一次p+摻雜，減小RB2

。現代雙極集成電路制造過程中都包含有無源基區重摻雜工藝。1.基區串聯電阻RB(3)減小RB的主要技術途徑

(b)采用雙基極條結構

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