《微電子概論（第3版）IntroductiontoMicroelectronics郝躍賈新章史江一》SecondEdition1.實際晶體管放大特性與理想情況的偏離2.4.2影響BJT直流β的其他因素2.導致β0隨VCE增大的基區寬變效應3.β0

隨IC變化的物理原因分析目錄1.實際晶體管放大特性與理想情況的偏離(1)理想BJT輸出特性曲線

理想情況β0的大小只與晶體管本身參數有關，而與偏置電壓VCE以及直流工作點電流IC無關。特性曲線為水平線對應不同IB的特性曲線之間為等間距由此解釋理想情況BJT放大區輸出特性曲線特點：理想BJT1.實際晶體管放大特性與理想情況的偏離(1)理想BJT輸出特性曲線對一定的IB，IC隨之確定，與VCE無關；由因此特性曲線為水平線；對相同的IB增量，IC的變化量相同；因此特性曲線之間為等間距。理想BJT實際BJT的IC-VCE特性曲線形態與理想模型不同。1.實際晶體管放大特性與理想情況的偏離(2)實際BJT放大特性的特點理想BJT

①實際BJT的IC-VCE特性曲線不再是水平線，而是隨著VCE增加略有上翹。這就意味著隨著VCE增加，β0隨之增大。實際BJT1.實際晶體管放大特性與理想情況的偏離(2)實際BJT放大特性的特點

②實際BJT的β0與IC的關系

在工作點電流IC較小以及IC較大的范圍，β0均下降，顯然這是不希望的。思考題

對實際BJT，β0隨工作點電流IC變化的現象導致IC-VCE特性曲線的放大區曲線形態呈現什么特點？2.導致β0隨VCE增大的基區寬變效應(1)基區寬變效應及其對β0的影響共射極連接BJT，VCE=VCB+VBE，因此，VCB=VCE–VBE。正向放大偏置下，BE結正偏，VBE≈0.7V，VCB隨著VCE增大而增大。VCE>0→VCB>0→CB結反偏。VCE增大→VCB增大→CB結勢壘寬度增大→基區寬度WB減小。稱為基區寬度調制效應（基區寬變效應）2.導致β0隨VCE增大的基區寬變效應(1)基區寬變效應及其對β0的影響WB減小導致基區輸運系數αT0增加使得有源基區摻雜總數減少，即方塊電阻增大，導致注入效率γ0增加。總效果使得β0隨著VCE的增加而增加。2.導致β0隨VCE增大的基區寬變效應(2)厄利電壓VA

在考慮基區寬變效應的IC~VCE特性曲線上，將不同IB對應的特性曲線上反向延長，與水平軸基本交于一點。交點與原點距離記為VA。稱為厄利電壓。2.導致β0隨VCE增大的基區寬變效應(2)厄利電壓VA記BJT工作點為Q(VCEQ，ICQ)。即如果偏置電壓為VCEQ，輸入電流為IB4。則集電極電流為ICQ若不考慮基區寬變效應，集電極電流應該為：2.導致β0隨VCE增大的基區寬變效應由相似三角形，得：即兩邊同時除以IB4，得：一般情況下：2.導致β0隨VCE增大的基區寬變效應(2)厄利電壓VA參數VA描述了VCE對β0的影響程度VA越大，VCE對β0的影響越??；若VA→∞，則因此希望VA越大越好。通常BJT的VA為100多伏。2.導致β0隨VCE增大的基區寬變效應(3)提高VA的技術途徑參數VA描述了VCE對β0的影響程度，也就描述了基區寬變效應的影響程度。希望VA越大越好，也就是希望VCE對基區寬變的影響越小越好。①增加基區摻雜濃度NB，使得BC勢壘區寬度盡量向集電區一側擴展；②增加基區寬度