本文件按照GB/T1.1—2020《標準化工作導則第1部分：標準化文件的結構和起草規則》的規定請注意本文件的某些內容可能涉及專利。本文件的發布機構不承擔識別專利的責任。本文件由全國有色金屬標準化技術委員會(SAC/TC243)、全國半導體設備和材料標準化技術委員本文件起草單位：山東有研國晶輝新材料有限公司、云南馳宏國際鍺業有限公司、國合通用測試評價認證股份有限公司、廣東先導稀材股份有限公司、廈門萬明電子有限公司、有研國晶輝新材料有限公司、云南臨滄鑫圓鍺業股份有限公司。1下列文件中的內容通過文中的規范性引用而構成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文GB/T2828.1計數抽樣檢驗程序第1部分：按接收質量限(AQL)檢索的逐批檢驗抽樣計劃GB/T6040紅外光譜分析方法通則GB/T6569精細陶瓷彎曲強度試驗方法JC/T185光學石英玻璃4牌號及分類4.1牌號4.2分類化學氣相沉積硫化鋅晶體按透射性能分為標準CVD硫化鋅和多光譜CVD硫化鋅。5技術要求5.1.1透過率5.1.1.1溫度為20℃~25℃時，標準CVD硫化鋅在8μm~10μm光譜范圍內的透過率不小于70%;25.1.1.2溫度為20℃~25℃時，多光譜CVD硫化鋅在1064nm處的透過率不小于70%,1064nm處多光譜CVD硫化鋅透過率曲線見圖2。在3μm~5μm光譜范圍內的透過率不小于69%,且透過率曲圖21064nm處多光譜CVD硫化鋅透過率曲線3溫度為20℃~25℃時化學氣相沉積硫化鋅晶體的折射率應符合表1的規定。多光譜CVD硫化鋅折射率允許偏差5.2彎曲強度5.2.1標準CVD硫化鋅的彎曲強度應大于100MPa。5.2.2多光譜CVD硫化鋅的彎曲強度應大于70MPa。化學氣相沉積硫化鋅的尺寸及允許偏差應符合表2的規定。允許偏差厚度t允許偏差5.4外觀質量光譜CVD硫化鋅呈無色透明。46試驗方法6.1化學氣相沉積硫化鋅晶體透過率的檢驗按GB/T6040的規定進行。6.2化學氣相沉積硫化鋅晶體折射率的檢驗按附錄A的規定進行。6.3化學氣相沉積硫化鋅晶體折射率不均勻性的檢驗按JC/T185的規定進行。6.5化學氣相沉積硫化鋅晶體的尺寸及允許偏差的測量用精度6.6化學氣相沉積硫化鋅晶體外觀質量用目視檢驗。7.1.1產品應由供方技術監督部門或第三方進行檢驗，保證產品質量符合本文件和訂貨單(或合同)的化學氣相沉積硫化鋅晶體的檢驗項目及取樣應符合表3的規定。檢驗項目每爐至少抽取3件彎曲強度按GB/T2828.1的一般檢驗水平Ⅱ一次正常抽樣方案進行58.1標志b)產品批號；c)產品數量或凈重；b)需方名稱；f)出廠日期a)供方名稱；b)產品名稱；d)產品數量；e)各項技術參數檢驗結果；g)本文件編號；a)產品名稱；6b)產品技術要求；f)其他。7(規范性附錄)化學氣相沉積硫化鋅晶體折射率測試方法本方法采用任意偏向角法測定化學氣相沉積硫化鋅晶體材料的紅外折射率。A.2測試原理光線在兩種媒質光滑分界面上折射時遵守折射定律，折射率測量原理圖見圖A.1。圖A.1折射率測量原理圖折射率按公式(A.1)進行計算：式中：入射角i和折射角φ分別由式(A.2)和式(A.3)計算：8標引序號說明：2——碳化硅紅外光源；3——振蕩狹縫；4——單色儀；5——探測器；6——聚焦離軸拋物鏡；7——平面反射鏡；8——鎖相放大器；9——計算機處理系統；10——測角儀；11——被測樣塊；12——平面反射鏡；13——準直離軸拋物鏡。A.4樣品9A.5試驗步驟A.5.2將樣品固定于測角儀樣品臺上。A.5.4根據測試要求選擇單色儀工作波長。A.5.6記錄計算機自動給出的折射率。A.5.8在相同的測試條件下，共測試3次取平均值作為樣品折射率n。A.6試驗數據處理A.6.1記錄測量時的溫度T,用公式(A.4)進行溫度修正：T?——樣品實際溫度，單位為攝氏度(℃A.6.2記錄測試時的氣壓p,用公式(A.5