拉扎維模擬CMOS集成電路設計第二章作業答案詳解完整版中文拉扎維模擬CMOS集成電路設計第二章作業答案詳解完整版中文拉扎維模擬CMOS集成電路設計第二章作業答案詳解完整版中文2.1、50/0.5，假設3V，當從0上升到3V時，畫出和的漏電流變化曲線解：管：假設閾值電壓0.7V,不考慮亞閾值導電當<0.7V時，管工作在截止區，則0當>0.7V時，管工作在飽和區，管的有效溝道長度0.5-2，則2021/1/422.1、50/0.5，假設3V，當從0上升到3V時，畫出和的漏電流變化曲線解：管：假設閾值電壓0.7V,不考慮亞閾值導電當<0.7V時，管工作在截止區，則0當>0.7V時，管工作在飽和區，管的有效溝道長度0.5-2，則2021/1/42管：假設閾值電壓-0.8V,不考慮亞閾值導電當||<0.8V時，管工作在截止區，則0當||≥0.8V時，管工作在飽和區，管的有效溝道長度0.5-2，則2021/1/432.250/0.5,0.5，計算和的跨導和輸出阻抗，以及本證增益解：本題忽略側向擴散1）2）2021/1/442.3導出用和表示的的表達式。畫出以L為參數的的曲線。注意λ∝L解：2021/1/452.4分別畫出晶體管的曲線。a)以作為參數；b)以為參數，并在特性曲線中標出夾斷點解：以為例當<時，截止，則0當<<時，工作在飽和區當>時，工作在三極管區（線性區）2021/1/462.5對于圖2.42的每個電路，畫出和晶體管跨導關于的函數曲線草圖，從0變化到。在(a)中，假設從0變化到1.5V。（3V）(a)上式有效的條件為即2021/1/47(a)綜合以上分析>1.97V時，M1工作在截止區，則0,0<1.97V時，M1工作飽和區，則2021/1/48(b)λ=γ=0,0.7V當0<<1V時，管的源-漏交換工作在線性區，則當1V<<1.2V時管工作在線性區2021/1/49當≥1.2V時管工作在飽和區2021/1/410(C)λ=γ=0,0.7V當<0.3V時，管的源-漏交換，工作在飽和區當≥0.3V時，管工作截止區2021/1/411(d)λ=γ=0,0.8V當0<≤1.8V時，管上端為漏極，下端為源極，管工作在飽和區當1.8V<≤1.9V時，管工作在線性區2021/1/412當>1.9V時，管S與D交換管工作線性區2021/1/413(e)λ=0,當0時0.893V，此時工作在飽和區隨著增加，降低，降低，此時管的過驅動電壓增加，管工作在飽和區；直到過驅動上升到等于0.5V時，管將進入線性區，則有2021/1/414當>1.82V時，管工作在線性區？？？？2021/1/4152.7對于圖2.44的每個電路，畫出關于的函數曲線草圖。從0變化到3V。解：(a)λ=γ=0,0.7V右圖中，管源-漏極交換當<0.7V時，M1工作在截止區，0當0.7<≤1.7V時，M1工作在飽和區，則當1.7V<<3V時，M1工作在線性區，則2021/1/4162.7(b)λ=γ=0,0.7V當0<<1.3V時，M1工作在線性區，則當≥1.3V時，M1工作在飽和區，則2021/1/4172.7(c)λ=γ=0,0.7V當0<<2.3V時，M1工作在線性區，則當≥2.3V時，M1工作在飽和區，則2021/1/4182.7(d)λ=γ=0,0.8V當0<<1.8V時，M1工作在截止區，則M1工作在飽和區邊緣的條件為1.8V，此時假設1，因而當1.8V<<1時，M1工作在飽和區當1<時，M1工作在線性區2021/1/4192.9對于圖2.46的每個電路，畫出和關于時間的函數曲線圖。C1的初始電壓等于3V。(a)λ=γ=0,0.7V，>當0.7≤≤3V時，M1工作在飽和區當<0.7時，M1工作在線性區，則2021/1/420當<0.7時，M1工作在線性區，則K2021/1/4212.9(b)λ=γ=0,0.7V當初始電壓為3V，M1工作在飽和區0時,3V,2021/1/4222.9(c)λ=γ=0,0.7V當初始電壓為3V，0V，M1工作在深線性區2021/1/4232.9(d)λ=γ=0,0.7V12021/1/4242.9(e)λ=γ=0,0.7V電容C1的初始電壓為3V初始狀態（時間0），如右圖所示，電容C1的充電電流1=0，此時M1的漏電流1；同時1+3當時間0+時，如右圖所示，M1的一部分漏電流將對電容C1的進行充電，此時11=>當1時，I1=0若電流源I1為理想電流源，則-∞,實際上不可能低于0.6V，若低于0.6V，則結正向導通若電流源I1不是理想電流源，則0，電容C1開始放電2021/1/4252.13的特征頻率()，定義為源和漏端交流接地時，器件的小信號增益下降為1的頻率。證明注意：不包含結電容的影響節點1，有輸出：2021/1/4262.13(b)假設柵電阻比較大，且器件等效為n個晶體管的排列，其中每個晶體管的柵電阻等于。證明器件的與無關，其特征頻率仍為2021/1/4272021/1/4282.13(c)對于給定的偏置電流，同過增加晶體管的寬度（因此晶體管的電容也增加）使工作在飽和區所需的漏-源電壓最小。利用平方率特性證明這個關系表明：當所設計的器件工作于較低時，速度是如何被限制的。2021/1/4292.16考慮如圖2.50所示的結構，求關于和的函數關系，并證明這一結構可看作寬長比等于(2L)的晶體管。假設λ=γ=0第一種情況：M1、M2均工作在線性區相當于(2L)工作在線性區2021/1/4302.16第二種情況：M1工作在線性區，M2工作在飽和區相當于(2L)工作在飽和區注意：M1始終工作在線性區，因為M2的過驅動電壓大于0線性區2021/1/4312.16上面討論，可知：(1)M2工作在飽和區，則電流滿足平方關系(2)M2工作在線性區，則電流滿足線性關系2021/1/4322.17已知器件工作在飽和區。如果(a)恒定，(b)恒定，畫出對于的函數曲線。飽和區：2021/1/4332.18如圖2.15所示的晶體管，盡管處在在飽和區，解釋不能作為電流源使用的原因。以上電路的電流與管的源極電壓有關，而電流源的電流是與其源極電壓無關的。2021/1/4342.27已知器件工作于亞閾值區，ξ為1.5，求引起變化一個數量級所需的的變化量。如果10μA，求的值2021/1/4352.28考慮1.5V且0的器件