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文檔簡介

位錯理論VI

——實際晶體中的位錯朱旻昊材料先進技術教育部重點實驗室2006年4月1

目錄

晶體中的全位錯堆垛層錯不全位錯位錯反應和擴展位錯2位錯穩(wěn)定存在的條件晶體中位錯可穩(wěn)定存在的條件：幾何條件位錯組態(tài)必須是原子受力平衡的狀態(tài)，晶體的原子必須處于晶格結點上。能量條件位錯的能態(tài)應最低取決于位錯線的取向、類型、幾何組態(tài)、柏氏矢量、各向異性、應變能起主要作用的是——彈性應變能因為應變能正比于b2

位錯要盡量取最小柏氏矢量的組態(tài)3Perfectandimperfectdislocation全位錯：柏氏矢量為單位點陣矢量或點陣矢量的整數(shù)倍的位錯。（完整位錯Perfectdislocation）柏氏矢量正好等于單位點陣矢量的位錯——單位位錯（Unitdislocation）不全位錯（Imperfectdislocation）（不完整位錯）：柏氏矢量不等于單位點陣矢量整數(shù)倍的位錯。不同位錯組態(tài)可相互轉化：全位錯若干個不全位錯若干個不全位錯全位錯4Perfectdislocation金屬晶體中的全位錯：鄰近原子的點陣矢量：從能量的角度：面心立方晶體——全位錯：5Perfectdislocation金屬晶體中的全位錯：體心立方晶體——全位錯：密排六方晶體——全位錯：6

目錄

晶體中的全位錯堆垛層錯不全位錯位錯反應和擴展位錯7Stackingfault堆垛層錯——一種面缺陷定義：在密排晶體結構中，存在著密排晶面的堆垛順序錯排的晶體缺陷。已知FCC晶體的正常堆垛順序為：……CABCABCA……已知HCP晶體的正常堆垛順序為：……ABABABA……8Stackingfault正常堆垛——Frank符號表示若用▲代表AB、BC、CA的面間堆垛順序而用▼代表相反的面間堆垛順序91011Stackingfault形成堆垛層錯若FCC晶體中某一區(qū)域的(111)面按......ABCBCA……的順序堆垛用Frank符號表示：

......▲▲▼▲▲......形成堆垛層錯12StackingfaultFCC晶體的堆垛層錯形成方式使任一層(111)晶面滑移1/6<112>，移至其相鄰(111)晶面相應位置

AA’滑移矢量：1/2[－211]——一步1/6[－211]A層原子滑移1/6[－211]后正好滑移到B層原子位置的投影位置13StackingfaultFCC晶體的堆垛層錯形成方式14StackingfaultFCC晶體的堆垛層錯形成方式15

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