半導體封裝用鍵合絲的挺度試驗方法范圍本文件描述了半導體封裝用鍵合絲挺度試驗的原理、試驗設備、試驗要求、試驗步驟、試驗數據處理、精密度及試驗報告等內容。本文件適用于半導體分立器件和集成電路封裝用金、銀、銅及其合金鍵合絲挺度的試驗。規范性引用文件下列文件中的內容通過文中的規范性引用而構成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T8170數值修約規則與極限數值的表示和判定術語和定義下列術語和定義適用于本文件。挺度resistancetobending鍵合絲在封裝過程中抵抗彎曲變形的能力。伸出長度bendinglength絲線一端加持、另一端懸空時，絲線伸出平臺的實際長度。下垂高度deflectionHeight絲線自由端因重力作用而下垂的垂直距離。原理絲線試樣放置在水平平臺上，長度方向與平臺長軸平行。用鑷子夾緊絲線一端，將絲線向桌面外拉出至設定的伸出長度L，使其伸出平臺并在自重下彎曲（見圖1）。通過測量端部下垂高度H，計算伸出長度與下垂高度的比值，從而評估絲線的挺度。試驗設備5.1切線裝置：具備張力調節系統，張力控制精度不小于0.1gf。5.2平臺：寬度不小于50mm，長度不小于250mm，支撐在距桌面至少150mm的高度，表面應涂覆一層聚四氟乙烯(PTFE)。5.3導向槽：槽內平滑，無劃痕或凸起缺陷。應涂有適當涂層（如聚四氟乙烯涂層）。5.4導向線：位于導向槽右端，垂直于平臺右側邊緣。5.5鋼尺：單位毫米。5.6砝碼：方形，與導向槽匹配，右平面設有鉤子，推薦質量10g不銹鋼材質。5.7壓塊：方形，推薦質量20g不銹鋼材質。標引序號說明：1——平臺；2——導向槽；3——砝碼；4——壓塊；5——鋼尺；6——絲線試樣。圖1試驗裝置示意圖試驗要求試驗環境應提供充足照明，確保操作人員清晰觀察待測絲線及測量結果。試驗應在無風環境中進行操作，避免對試驗結果穩定性的影響。試驗應在無塵環境中進行操作，避免灰塵和其他污染物對絲線試樣的影響。試驗區域應采取有效的防靜電措施，確保試驗結果不受靜電干擾。在操作試樣時，操作人員應佩戴橡膠手套或指套。試驗過程中，確保所有操作平穩，避免突然施加的力量或不必要的震動。試驗步驟調節平臺水平，確保試驗環境穩定。用切線裝置從取樣的線軸上截取適當長度的絲線。將絲線放在平臺上，絲線的一端系于砝碼，砝碼置于導向槽中，絲線另一端與平臺的前緣重合，并保證絲線處于平直狀態。將鋼尺固定在絲線旁邊，鋼尺前端伸出桌面邊緣至少80mm。使用鑷子夾緊絲線的一端，沿水平方向以均勻速度緩慢向桌面外拉出設定的伸出長度L（見表1）松開鑷子，使絲線在自重作用下自然彎曲并下垂。用壓塊將待測絲線壓在平臺上，固定絲線，防止桌面部分絲線翹起；壓塊右端面應與平臺右端面平齊。使用鋼尺測量絲線在伸出長度L時端部下垂的高度H（見圖2）。平行做三份試驗，取其平均值。

表1伸出長度選擇牌號線徑/mm伸出長度/mm鍵合金絲0.015～0.030350.031～0.050500.061～0.08070鍵合銀絲0.015～0.030350.031～0.050500.061～0.08070鍵合銅絲0.015～0.030400.031～0.050600.061～0.08080圖2檢測參數試驗數據處理挺度以T計，數值以比值表示，按公式（1）計算：（1）式中：L—絲線伸出桌面的長度，單位為毫米（mm）；H—絲線下垂的高度，單位為毫米（mm）。計算結果表示至小數點后一位。數值修約按照GB/T8170的規定進行。精密度重復性在重復性條件下獲得的三次獨立測試結果的測定值，在表2給出的平均值范圍內，這三次測試結果的最大絕對差值不超過重復性限（r），超過重復性限（r）的情況不超過5%，重復性（r）按表2數據采用線性內插法或外延法求得。表2重復性限T2.153.044.015.16r0.150.230.280.3再現性在再現性條件下獲得的三次獨立測試結果的測定值，在表3給出的平均值范圍內，這三次測試結果的最大絕對差值不超過再現性限（R），超過重復性限（R）的情況不超過5%，重復性（R）按表3數據采用線性內插法或外延法求得。表3再現性限T2.153.044.015.16R0.20.3