擴散工藝基礎試題姓名1同樣的基區離子注入量，擴散結深做得較深時，R□值將變。2同樣的擴散結深，離子注入量減小時，R□值將變。3某NPN產品，基區擴散時H2未通進，其余條件正常，所造成的后果是和。4基區離子注入量發生了較大變化，其余工序正常加工，流程到哪幾步可以根據哪三個參數的什么現象判別出注入量發生了如何的變化？5其余條件不變，發射區再擴散條件如何變化造成hFE增大？6發射區再擴散條件不變，其余哪些條件變化對hFE構成影響？什么樣的影響？7控溫電偶處于溫度更高的位置時（如緊靠加熱爐絲），整體爐溫將。8控溫電偶斷開，將出現的現象是，后果是。9控溫電偶在某處短路，將出現的現象是，后果是。10有哪些現象（含儀表顯示和其他外觀）可以確認加熱爐絲斷開了？11某管擴散爐一端保溫石棉未包裹嚴密，后果是。12磷預擴散爐管出氣口常出現少量液體，這是為什么？當發生石英帽被粘住取不下來時該怎么辦？。13PBF(乳膠硼源)的主要成分是什么？。14畫出一幅POCl3源瓶的氣路圖。15您所知道的幾種P型擴散雜質元素：。N型擴散雜質元素：。16您所知道的哪些擴散雜質元素的擴散系數大？。17您所知道的擴散結深跟雜質元素的什么性質、工藝條件的哪些參數有怎樣的關系？（定性也行，能定量更好！）。18擴散工序哪些情況會引入沾污？沾污會造成哪些后果？。19在工作實踐中你對所遇到的某問題作出了正確判斷并解決,舉一事例。這兩題為公共題20在工作實踐中遇到的某問題至今尚未認識清楚，舉一事例。光刻、腐蝕工藝基礎試題姓名說出某產品從頭到尾流程順序：（著重與光刻相鄰的工程）根據光刻膠照光后的不同性質分為性膠和性膠。膠的標號越大，表示，在同樣的勻膠條件下膠膜越。同一標號的膠，勻膠轉速越快，膜越。膠膜較厚的膠，曝光條件應較。一定厚度的性膠，曝光過度將造成；曝光不足則造成。前烘條件過弱，會造成，前烘條件過強，會造成。顯影機排風不暢會引起，顯影噴頭噴完后又有顯影液滴落會引起，顯影過度會引起。“打底膜”的目的是，打底膜條件過強將造成。刻SiO2的腐蝕液成分是，主要化學反應是；刻Al的腐蝕液成分是，主要化學反應是。刻SiO2后可以用等離子去膠嗎？，刻Al后可以用H2SO4去膠嗎？。請分別說明理由。畫出某一型號晶體管芯片的平面圖、剖面圖。發射區光刻有幾片圖形不好（已腐蝕），請說出返工步驟，，返工的副作用是。光刻的缺陷有稱為“小島”“針孔”。它們的定義分別是：，。舉出兩個典型案例，說明在第幾次光刻“小島”“針孔”在什么位置會對產品的什么參數造成什么影響。有那些因素會引起“小島”“針孔”？。若要刻出更細的線條，工程中要調節那些工藝參數？從光刻的角度看，163和160相比有什么區別，由此來看光刻、腐蝕應有哪些注意點。平面圖剖面圖金屬化工藝基礎試題姓名1金屬化的目的是，通常管芯正面金屬是，背面金屬是，或。2本公司用于正面金屬化有兩類設備：和。分別說明二者的優缺點。3金屬化要在一定的真空度條件下進行，舉例說明某一項工程應達到真空度為多少。若真空度不符合要求，會造成。4什么情況時背面蒸金要摻砷？應摻砷的片子未摻是什么結果？背面能不能直接蒸銀而不用鈦鎳？什么情況時背面蒸鈦鎳銀要加做離子注入？5分別說明對蒸發源有什么要求，要是哪方面未達到要求會有什么后果？6蒸發過程中設備發生問題，能否將尚未完成的片子鐘罩內保留，破真空打開鐘罩排除故障后繼續蒸發？為什么？7背面金屬化前的清洗工藝是什么？背面金屬化前的清洗時有殘液濺落到正面會引起什么后果？8擴散泵或冷泵是不能在大氣壓下工作的，若因操作失誤，泵內腔暴露在大氣壓下，會造成什么后果？9擋板被熔化了一些！是由哪幾個可能的原因造成？會造成什么后果？當班怎么處理？事后怎么處理？10從金屬化的角度看，163和160相比有什么區別，由此來看金屬化應有哪些注意點。11在工作實踐中你對所遇到的某問題作出了正確判斷并解決,舉一事例。12在工作實踐中遇到的某問題至今尚未認識清楚，舉一事例。離子注入工藝基礎試題姓名1和擴散相比，離子注入的優點是：；缺點是：。2在離子注入前硅片表面做一層薄氧化層的作用是。3光刻膠可以用來掩蔽離子注入嗎？光刻膠可以用來掩蔽預淀積擴散嗎（如B2O3、POCl3預擴）？為什么？4離子注入后片子不進爐加工，能用四探針測出R□嗎？為什么？5同樣的基區離子注入量，擴散結深做得較深時R□值將變。6同樣的擴散結深，離子注入量減小時，R□值將變。7基區離子注入量發生了較大變化，其余工序正常加工，流程到哪幾步可以根據哪三個參數的什么現象判別出注入量發生了如何的變化？8當離子注入設備發生故障時，什么情況會使注入量偏離設定值？如何判別、處理？9做過硼離子注入和GS126片狀硼源做過預淀積的硅片用同一條件做再擴散，是什么后果？CVD工藝基礎試題姓名1CVD所形成的薄膜和擴散形成的熱氧化層相比，其優點是：，缺點是：。2LPCVD和PECVD系統在工作時，反應腔內的氣壓一般為。3為控制反應腔內的氣壓，LPCVD和PECVD有一組控制系統，簡述控制過程。4同樣是抽真空，LPCVD系統和蒸發、濺射系統有什么不同，為此工藝處理周期、處理內容又有什么不同？（著重敘述CVD的）5淀積PSG時，通入反應室的氣體是；淀積Si3N4時，通入反應室的氣體是。6APCVD或LPCVD在淀積PSG時，通過什么方法控制PSG中的磷含量？通過什么方法評價PSG中的磷含量？7在工作實踐中你對所遇到的某問題作出了正確判斷并解決,舉一事例。8在工作實踐中遇到的某問題至今尚未認識清楚，舉一事例。測試工藝基礎試題姓名1用適當的方式描述出PN結電壓-電流特性。2用適當的方式描述出PN結硬擊穿和軟擊穿的區別。3用圖示方式描述出晶體管的輸入、輸出特性。4晶體管的測試條件對測試結果有什么影響？舉例說明對某一參數基本沒有影響，對另一參數有一定程度影響。5現場測試一只晶體管，PNP或NPN型號未知，三根引線的電極也未知。要求判別出PNP還是NPN型、測出BVEBO、BVCBO、BVCEO、hFE（IC=200mA）、VCES（IC=2A）、VBES（IC=2A）。題中未給出的測試條件自行給出，并記錄。晶體管未損壞且測出極性、hFE和另外至少一個參數為通過；測出全部參數且方法正確為良好；測出全部參數且方法正確并說明判斷的理由為優秀。6附加題：某客戶在考核晶體管BVEBO時，將C、E兩極接到儀器上，加正向電壓時測BVCEO，加反向電壓時測BVEBO。這樣是否可行？有什么問題？腐槽和鈍化工藝基礎試題姓名1臺面結構和平面的晶體管相比，有哪些優缺點？臺面腐蝕液的成分是什么？寫出腐硅的化學反應方程式。2畫出一幅臺面結構的晶體管管芯的剖面圖。3玻璃鈍化所用玻粉的主要成分是什么？4玻璃鈍化除了用玻粉，還用什么材料？它們各起什么作用？5說明某型號玻粉的工藝條件。用料配比、主要操作過程、時間、溫度、氣體等。6玻粉對別的工序造成沾污有哪些途徑？要避免玻粉的沾污，應注意哪些環節？平面工藝和臺面工藝的優缺點及流程區別考試題姓名得分選擇填空或自述填空：（每空格5分）1深結較深的產品適合用（平面臺面）工藝生產。2平面工藝更適合生產線條更（粗細）的產品。3某產品必須用鎵擴散，那只能用（平面臺面）工藝生產；另一款產品準備用網格狀發射區的版圖，那只能用（平面臺面）工藝生產。4目前國內批量供應的可控硅類產品都是（平面臺面）結構的產品。5為了使產品耐高電壓，平面結構的產品一般用作保護；臺面結構的產品一般用作保護。6從電性能上看，平面產品的優點是；臺面產品的優點是。7從機械應力方面看，（平面臺面）結構產品應力大，易造成和。8從對生產環境的要求方面看，（平面臺面）工藝對凈化要求更嚴。9同樣的廠房條件，（平面臺面）工藝容易造成光刻針孔密度大。10蒸鋁以前的清洗，（平面臺面）產品可以用1#、2#液，（平面臺面）產品不可以用2#液。敘述題：（每題10分）1從工藝過程看，平面產品比臺面產品多做那些工序？2臺面產品比平面產品多做那些工序？晶體管制造技術人員提高考試根據關聯的緊密性，定性地將左欄的產品指標同右欄的設計結構連線：擊穿電壓芯片面積最大電流擴金與否特征頻率材料電阻率與厚度開關時間擴散結深□某擴散工藝晶體管成管，PNP或NPN型號未知，三根引線的電極也未知。用JT-1或QT-2如何判別出極性和三根引線？（已知擴散工藝晶體管是對合金工藝晶體管而言，因合金工藝晶體管判別三個電極無法給出充要條件，如無特別說明，本文不討論合金工藝晶體管）□以單向可控硅和NPN晶體管為例進行比較，說明結構的區別，畫出典型的剖面圖；分別說明兩者在擴散和光刻過程中的區別。常規摻雜濃度高了造成擊穿電壓降低，雜質原子多了引起R□值變小。解釋為什么同樣的基區注入，加強條件多推結深，R□值變小了，EB擊穿電壓卻變高了？□給出不同注入劑量～R□的定量關系。（缺已知條件的可以假定）□某只晶體管生產過程中基區離子注入未進行，其余正常加工，問最終測試是什么現象？PNP和NPN應分別回答。□N+襯底擴散所用P型控片電阻率相差較大時，定量給出Xj測試結果的關系。□光刻引線孔時發生鉆蝕，分別說明鉆蝕到什么程度會對哪一個參數造成什么影響？□平面結構產品，光刻缺陷（孔或島）在哪塊版什么位置對什么參數有什么影響？□臺面結構和平面結構的晶體管相比，有哪些優缺點？臺面保護所用的玻璃粉主要成分是什么？玻璃粉造成沾污的主要途徑有哪些？金擴散起什么作用？金元素沾污了產品會有什么后果？如何避免金沾污？玻璃粉殘留在硅片表面對后續加工有什么影響?□設想一下，用光刻法涂玻璃粉應該怎么做？畫出達林頓產品的內部電路結構，畫出達林頓典型的版圖示意圖，指出電阻的位置。假定電阻阻值和集電極電流，說明單管hFE和達林頓hFE的定量關系。□用幾句話描述蒸發臺擋板的正確位置。通常晶體管封裝形式有哪幾種？對應消耗功率為多少？什么叫環境額定、管殼額定？什么叫A組試驗、B組試驗、C組試驗？晶體管工作時會發熱，為什么對結溫要作出限制？理論最高結溫的確定依據什么？□芯片背面金屬有金有銀，各有何特點？可否用同一種工藝和引線（框架）焊接？晶體管制造技術人員提高考試（續）