ICS31200

CCSL.55

中華人民共和國國家標準

GB/T44791—2024

集成電路三維封裝帶凸點圓片減薄工藝

過程和評價要求

Integratedcircuit3Dpackaging—Requirementforbumping-wafer-thining

processandevaluation

2024-10-26發(fā)布2025-05-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T44791—2024

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術語定義和縮略語

3、………………………1

術語和定義

3.1…………………………1

縮略語

3.2………………2

一般要求

4…………………2

設備儀器和工裝夾具

4.1、………………2

材料

4.2…………………3

注意事項

4.3……………3

詳細要求

5…………………3

環(huán)境

5.1…………………3

典型工藝流程

5.2………………………3

工藝準備

5.3……………4

貼保護膜

5.4……………5

粗磨

5.5…………………5

細磨

5.6…………………5

拋光必要時

5.7()………………………6

清洗

5.8…………………6

紫外解膠必要時

5.9()…………………6

揭膜

5.10…………………6

標識貯存和轉運

5.11、…………………6

包裝

5.12…………………7

記錄

5.13…………………7

評價要求

6…………………7

貼膜的評價要求

6.1……………………7

減薄的評價要求

6.2……………………7

清洗的評價要求

6.3……………………8

解膠及揭膜的評價要求

6.4……………8

Ⅰ

GB/T44791—2024

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國集成電路標準化技術委員會歸口

(SAC/TC599)。

本文件起草單位中國電子科技集團公司第五十八研究所神州龍芯智能科技有限公司

:、。

本文件主要起草人袁世偉王波肖漢武王燕婷黃海林肖隆騰陳明敏

:、、、、、、。

Ⅲ

GB/T44791—2024

集成電路三維封裝帶凸點圓片減薄工藝

過程和評價要求

1范圍

本文件規(guī)定了及以下尺寸集成電路三維封裝帶凸點圓片的減薄工藝以下簡稱減薄工藝過

12in()

程和評價要求

。

本文件適用于及以下尺寸需減薄的帶凸點圓片

12in。

注

:1in=2.54cm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

潔凈室及相關受控環(huán)境第部分按粒子濃度劃分空氣潔凈度等級

GB/T25915.1—20211:

3術語定義和縮略語

、

31術語和定義

.

下列術語和定義適用于本文件