試卷第=page11頁(yè)，共=sectionpages33頁(yè)試卷第=page11頁(yè)，共=sectionpages33頁(yè)3.2離子鍵離子晶體課時(shí)訓(xùn)練高二下學(xué)期化學(xué)蘇教版（2019）選擇性必修2一、單選題1．MgO、、CaO、BaO四種離子晶體熔點(diǎn)的高低順序是A． B．C． D．2．氟在自然界中常以CaF2的形式存在，下列表述正確的是A．Ca2+與F-間只存在靜電吸引作用B．F-的離子半徑小于Cl-，則CaF2的熔點(diǎn)低于CaCl2C．CaF2晶體中的化學(xué)鍵為離子鍵，因此CaF2在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電D．正、負(fù)離子數(shù)目比為1：2的離子晶體，一定具有與CaF2相同的晶胞結(jié)構(gòu)3．能說(shuō)明某晶體屬于離子晶體的是A．易溶于水B．固態(tài)不導(dǎo)電，水溶液能導(dǎo)電C．有較高的熔點(diǎn)D．固態(tài)不導(dǎo)電，熔融時(shí)能導(dǎo)電4．下列說(shuō)法正確的是A．含有金屬元素的化合物一定是離子化合物B．完全由非金屬元素組成的化合物可能是離子化合物C．IA族和VIIA族元素原子間只能形成離子鍵D．金屬鍵只存在于金屬單質(zhì)中5．在中，沸點(diǎn)最低的是A． B． C． D．6．金屬原子在二維空間里的放置有下圖所示的兩種方式,下列說(shuō)法中正確的是(

)A．圖(a)為非密置層,配位數(shù)為6B．圖(b)為密置層,配位數(shù)為4C．圖(a)在三維空間里堆積可得六方密堆積和面心立方密堆積D．圖(b)在三維空間里堆積僅得簡(jiǎn)單立方堆積7．下列有關(guān)離子晶體的數(shù)據(jù)大小比較不正確的是A．離子鍵：NaF＞NaCl＞NaBrB．硬度：MgO＞CaO＞BaOC．熔點(diǎn)：NaF＞MgF2＞AlF3D．1個(gè)陰離子周圍等距離且最近的陽(yáng)離子數(shù)：CsCl＞NaCl＞CaF28．MgO的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，下列有關(guān)說(shuō)法正確的是A．該晶體的晶胞結(jié)構(gòu)與CsCl相似B．與每個(gè)距離相等且最近的共有8個(gè)C．一個(gè)晶胞中含有4個(gè)MgOD．晶體的熔點(diǎn)：CaO>MgO9．下列說(shuō)法正確的是A．形成離子鍵的陰、陽(yáng)離子間只存在靜電吸引力B．第ⅠA族元素與第ⅦA族元素形成的化合物一定是離子化合物C．離子化合物的熔點(diǎn)一定比共價(jià)化合物的熔點(diǎn)高D．金屬元素與非金屬元素化合時(shí)，不一定形成離子鍵10．下列表征正確的是A．乙烯的球棍模型：

B．氯氣的共價(jià)鍵電子云輪廓圖：

C．用電子式表示的形成過(guò)程：

D．的結(jié)構(gòu)式：11．將SiCl4與過(guò)量的液氨反應(yīng)可生成化合物Si(NH2)4。將該化合物在無(wú)氧條件下高溫灼燒，可得到氮化硅(Si3N4)固體，氮化硅是一種新型耐高溫、耐磨材料，在工業(yè)上有廣泛的應(yīng)用。下列推斷可能正確的是A．SiCl4、Si3N4的晶體類型相同B．Si3N4晶體是立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)C．原子晶體C3N4的熔點(diǎn)比Si3N4的低D．SiCl4晶體在熔化過(guò)程中化學(xué)鍵斷裂12．在金屬晶體中，金屬原子的價(jià)電子數(shù)越多，原子半徑越小，金屬鍵越強(qiáng)，金屬的熔、沸點(diǎn)越高。由此判斷下列各組金屬熔、沸點(diǎn)高低順序，其中正確的是A．Mg>Al>Ca B．Al>Na>LiC．Al>Mg>Ca D．Mg>Ba>Al13．下圖為晶胞結(jié)構(gòu)和截面圖。假設(shè)晶胞邊長(zhǎng)為dpm，則下列關(guān)于晶胞的描述錯(cuò)誤的是A．每個(gè)晶胞中含有的數(shù)目為4B．與距離最近且相等的有4個(gè)C．與距離最近且相等的有12個(gè)D．該晶胞中兩個(gè)距離最近的和的核間距的計(jì)算表達(dá)式為pm14．下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．晶格能：NaF＞NaCl＞NaBrB．某原子的質(zhì)量數(shù)是52，中子數(shù)是28，則其基態(tài)原子中，未成對(duì)電子數(shù)為6C．已知金屬銅的晶胞為面心立方最密堆積，則銅原子的配位數(shù)為12D．某元素基態(tài)原子4s軌道上有2個(gè)電子，則該基態(tài)原子價(jià)電子排布可能是3d94s215．下列有關(guān)物質(zhì)性質(zhì)的比較，結(jié)論正確的是A．溶解度：Na2CO3＜NaHCO3 B．熱穩(wěn)定性：HCl＜PH3C．沸點(diǎn)：C2H6＜C4H10 D．堿性：LiOH＜Be(OH)216．銅及其化合物的轉(zhuǎn)化具有廣泛應(yīng)用。下列說(shuō)法正確的是A．銅粉和硫粉混合加熱可得CuSB．晶胞(如圖所示)中的配位數(shù)為4C．離子半徑：D．新制的懸濁液可用于尿液中葡萄糖的檢驗(yàn)17．《神農(nóng)本草經(jīng)》是我國(guó)現(xiàn)存最早的藥物專籍，下列對(duì)其相關(guān)記載的分析錯(cuò)誤的是A．“鉛丹……煉化還成九光，久服通神明。”，“九光”指鉛在煉制過(guò)程中的焰色反應(yīng)B．“近山生石，青白色，作灶燒竟，以水沃之，即熱蒸而解?！痹撨^(guò)程涉及到分解反應(yīng)和化合反應(yīng)C．“光明鹽，大者如升，皆正方光澈?！斌w現(xiàn)了晶體的自范性D．“石硫磺，能化金銀銅鐵，奇物?！斌w現(xiàn)了硫的氧化性18．下列物質(zhì)的熔沸點(diǎn)高低順序正確的是A．金剛石＞晶體硅＞二氧化碳＞碳化硅 B．C． D．金剛石＞生鐵＞鈉＞純鐵19．實(shí)驗(yàn)室以磷石膏[主要成分為CaSO4，含少量SiO2、Ca3(PO4)2等雜質(zhì)]為原料制備輕質(zhì)CaCO3，流程如下圖。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．“轉(zhuǎn)化”中，包含反應(yīng)CaSO4+CO=SO+CaCO3B．“濾液”的pH約為6.5，陰離子主要是SO和COC．“高溫煅燒”需要的儀器有酒精噴燈、坩堝、坩堝鉗、泥三角、三腳架等D．“浸取”時(shí)，適當(dāng)升高溫度有利于Ca2+的浸出20．短周期主族元素X、Y、Z、W的原子序數(shù)依次增大，X和W位于同一主族，X和Z能組成兩種常見(jiàn)的離子化合物Z2X、Z2X2。下列敘述正確的是A．簡(jiǎn)單離子半徑：W＜X＜Y＜Z B．晶體熔點(diǎn)：Z2X＜WX2C．Z2WX3溶于水后，溶液呈堿性 D．WY6分子中每個(gè)原子最外層都達(dá)到8電子結(jié)構(gòu)21．下圖為幾種常見(jiàn)的晶體結(jié)構(gòu)或晶胞，下列描述中不正確的是A．石墨為層狀結(jié)構(gòu)，其晶體在各個(gè)方向上的導(dǎo)電能力相同B．MgO的晶體結(jié)構(gòu)與NaCl類似，但其離子鍵更強(qiáng)，熔點(diǎn)更高C．中的配位數(shù)為8，的配位數(shù)為4D．干冰晶胞中共有4種空間取向不同的分子22．原子序數(shù)依次增大的三種前四周期元素X、Y、Z組成的某天然礦石的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示。其中Y元素的一種氧化物具有磁性，Z元素的價(jià)電子數(shù)為11，下列說(shuō)法正確的是A．Y、Z均位于元素周期表的d區(qū) B．第三電離能C．電負(fù)性： D．鍵角：23．四種短周期元素的性質(zhì)或結(jié)構(gòu)信息如下表所示，請(qǐng)回答下列問(wèn)題。元素ABCD性質(zhì)或結(jié)構(gòu)信息單質(zhì)在常溫下為固體，難溶于水，易溶于CS2。能形成兩種二元含氧酸原子的M層有1個(gè)未成對(duì)的p電子，核外p電子總數(shù)大于7單質(zhì)曾被稱為“銀色的金子”與鋰形成的合金常用于制造航天飛行器。單質(zhì)能溶于強(qiáng)酸和強(qiáng)堿溶液原子核外電子層上s電子總數(shù)比p電子總數(shù)少2。單質(zhì)和氧化物均為空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，具有很高的熔、沸點(diǎn)(1)A原子的最外層電子排布式為，D原子核外共有個(gè)電子。(2)寫出C的單質(zhì)與強(qiáng)堿溶液反應(yīng)的離子方程式：。(3)A、B兩元素的氫化物分子中鍵能較小的是（填分子式）；分子較穩(wěn)定的是（填分子式）。(4)E、D同主族，均為短周期元素。它們的最高價(jià)氧化物晶體中熔點(diǎn)較高的是。(5)已知D的單質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)與SiC的晶體結(jié)構(gòu)相似，其中C原子的雜化方式為。SiC與D的單質(zhì)的晶體的熔、沸點(diǎn)高低順序是。24．春節(jié)過(guò)后，一場(chǎng)大雪給交通帶來(lái)不便，融雪劑扮演重要角色。融雪劑的成分有、、、等。下列說(shuō)法正確的是A．融雪過(guò)程發(fā)生化學(xué)變化 B．堿性：C．離子半徑： D．熔點(diǎn)：25．紅砷鎳晶體結(jié)構(gòu)如圖所示，下列敘述正確的是A．和均為過(guò)渡元素B．原子的配位數(shù)為4C．下方原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，則上方原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為D．已知晶體密度為，晶胞參數(shù)為，則阿伏加德羅常數(shù)可表示為二、填空題26．1mol固體NaHSO4含有陰陽(yáng)離子總數(shù)為3NA27．晶胞是晶體中最小的重復(fù)單位，數(shù)目巨大的晶胞無(wú)隙并置構(gòu)成晶體。NaCl晶體是一個(gè)正六面體(如圖一)。我們把陰、陽(yáng)離子看成不等徑的圓球，并彼此相切(已知a為常數(shù))。請(qǐng)計(jì)算下列問(wèn)題：(1)每個(gè)晶胞平均分?jǐn)倐€(gè)Na+，個(gè)Cl-。(2)NaCl晶體中陰、陽(yáng)離子的最短距離為(用a表示)。(3)NaCl晶體為“巨分子”，在高溫下(≥1413℃時(shí))晶體轉(zhuǎn)變成氣態(tài)團(tuán)簇分子?，F(xiàn)有1molNaCl晶體，加強(qiáng)熱使其變?yōu)闅鈶B(tài)團(tuán)簇分子，測(cè)得氣體體積為11.2L(已折算為標(biāo)準(zhǔn)狀況)。則此時(shí)氯化鈉氣體的分子式為。28．X、Y、Z、W為元素周期表前四周期的元素，原子序數(shù)依次增大，X原子核外有6種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子；Y原子基態(tài)時(shí)2p原子軌道上有3個(gè)未成對(duì)的電子；Z有多種氧化物，其中一種紅棕色氧化物可作涂料；W位于第四周期，其原子最外層只有1個(gè)電子，且內(nèi)層都處于全充滿狀態(tài)?；卮鹣铝袉?wèn)題：Fe、Co、Ni是三種重要的金屬元素，三種元素二價(jià)氧化物的晶胞類型相同，其熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)?。CoO的面心立方晶胞如圖，設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則CoO晶體的密度為g·cm-3。答案第=page11頁(yè)，共=sectionpages22頁(yè)答案第=page11頁(yè)，共=sectionpages22頁(yè)參考答案：1．B【詳解】四種離子晶體所含陰離子相同，所含陽(yáng)離子不同。對(duì)、、、進(jìn)行比較，所帶電荷數(shù)最少，半徑最大，其與形成的離子鍵最弱，故的熔點(diǎn)最低。對(duì)、、、進(jìn)行比較，它們所帶電荷數(shù)一樣多，半徑，與形成的離子鍵由強(qiáng)到弱的順序是，相應(yīng)離子晶體的熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)?。綜上所述，四種離子晶體熔點(diǎn)的高低順序是，故B正確；故選：B。2．C【詳解】A．陰陽(yáng)離子之間有靜電吸引還有排斥，A項(xiàng)錯(cuò)誤；B．氯化鈣和氟化鈣都為離子晶體，氟離子半徑比氯離子半徑小，故氟化鈣的熔點(diǎn)比氯化鈣的高，B項(xiàng)錯(cuò)誤；C．氟化鈣含有離子鍵，為離子晶體，在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電，C項(xiàng)正確；D．正、負(fù)離子數(shù)目比為1：2的離子晶體，不一定具有與CaF2相同的晶胞結(jié)構(gòu)，D項(xiàng)錯(cuò)誤。故選C。3．D【詳解】A．離子晶體在固態(tài)時(shí)不導(dǎo)電，在水溶液里或熔融后可以導(dǎo)電，但并非所有的離子晶體都易溶于水，如，A錯(cuò)誤；B．易溶于水的也不一定是離子晶體，如。在水溶液里能導(dǎo)電的化合物不一定是離子晶體，如，B錯(cuò)誤；C．不能根據(jù)熔點(diǎn)高低判斷晶體類型，C錯(cuò)誤；D．判斷一種晶體是否為離子晶體的方法大多看它在固態(tài)時(shí)不導(dǎo)電，熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電，D正確；故答案選D。4．B【詳解】A．含有金屬元素的化合物不一定是離子化合物，如是共價(jià)化合物，故A錯(cuò)誤；B．完全由非金屬元素組成的化合物可能是離子化合物，如，故B正確；C．IA族和VIIA族元素原子間可能形成離子鍵也可能形成共價(jià)鍵，如中只含共價(jià)鍵，中只含離子鍵，故C錯(cuò)誤；D．金屬鍵存在于金屬單質(zhì)或合金中，故D錯(cuò)誤。故選：B。5．A【詳解】均為分子晶體，分子晶體的熔沸點(diǎn)與其相對(duì)分子質(zhì)量成正比，所以沸點(diǎn)<<<，故選A；答案選A。6．C【分析】金屬原子在二維空間里有兩種排列方式，一種是密置層排列，一種是非密置層排列，圖1為密置層，圖2為非密置層，據(jù)此可分析解答?！驹斀狻緼．據(jù)上述分析，圖1為密置層，原子的配位數(shù)為6，A選項(xiàng)錯(cuò)誤；B．2為非密置層，非密置層的配位數(shù)較密置層小，配位數(shù)為4，B選項(xiàng)錯(cuò)誤；C．1為密置層，密置層在三維空間堆積可得到六方最密堆積和面心立方最密堆積兩種堆積模型，C選項(xiàng)正確；D．2為非密置層，非密置層在三維空間堆積可得簡(jiǎn)單立方堆積和體心立方堆積兩種堆積模型，D選項(xiàng)錯(cuò)誤；答案選C。7．C【詳解】A.離子半徑Br－＞Cl－＞F－，離子半徑越小，所帶電荷數(shù)越大，離子鍵越強(qiáng)，故A正確；B.原子半徑Ba＞Ca＞Mg，原子半徑越大，鍵能越小，硬度越小，故B正確；C.離子半徑Na＋＞Mg2＋＞Al3＋，離子半徑越小，電荷越多，則熔點(diǎn)越高，故C錯(cuò)誤；D.CsCl晶胞中1個(gè)Cl－周圍有8個(gè)Cs＋；CaF2晶胞中1個(gè)F－周圍有4個(gè)Ca2＋；NaCl晶胞中1個(gè)Cl－周圍有6個(gè)Na＋，故D正確。8．C【分析】MgO晶胞中頂點(diǎn)和面心是Mg2+，晶胞中Mg2+擁有個(gè)，晶胞中棱上和體心是O2-，晶胞O2-擁有個(gè)，晶胞類型應(yīng)與NaCl晶體晶胞類型相似；【詳解】A．根據(jù)分析，該晶體的晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相似，描述錯(cuò)誤，不符題意；B．與每個(gè)Mg2+距離相等且最近的Mg2+共有12個(gè)，描述錯(cuò)誤，不符題意；C．根據(jù)分析可知，一個(gè)晶胞中含有4個(gè)Mg2+和4個(gè)O2-，相當(dāng)于一個(gè)晶胞中有4個(gè)MgO，描述正確，符合題意；D．離子晶體的熔點(diǎn)大小與晶格能有關(guān)，而晶格能大小與晶體中離子所帶電荷量，離子大小有關(guān)，CaO與MgO陰陽(yáng)離子所帶電荷對(duì)應(yīng)相同，只有Mg2+半徑小于Ca2+，所以MgO的晶格能大于CaO的晶格能，所以晶體熔點(diǎn)：MgO>CaO，描述錯(cuò)誤，不符題意；綜上，本題選C。9．D【詳解】A．形成離子鍵的陰、陽(yáng)離子之間不但存在陰、陽(yáng)離子之間的相互吸引，也存在著電子之間和原子核之間的相互排斥，A項(xiàng)錯(cuò)誤；B．氫是第ⅠA族元素，與第ⅦA族元素形成的化合物HX都是共價(jià)化合物，B項(xiàng)錯(cuò)誤：C．是離子化合物，是共價(jià)化合物，但的熔點(diǎn)低于的熔點(diǎn)，C項(xiàng)錯(cuò)誤；D．金屬元素與非金屬元素的電負(fù)性之差小于1.7時(shí)往往形成共價(jià)鍵，如Al與Cl，Be與Cl(、均是共價(jià)化合物)等，D項(xiàng)正確；故選：D。10．B【詳解】A．乙烯球棍模型中碳的原子半徑大于氫的原子半徑，故A錯(cuò)誤；B．氯氣分子中兩個(gè)氯原子形成p-pσ鍵，共價(jià)鍵電子云輪廓圖正確，故B正確；C．用電子式表示的形成過(guò)程中箭頭由鎂指向氯，故C錯(cuò)誤；D．的結(jié)構(gòu)式為，故D錯(cuò)誤；故選B。11．B【詳解】SiCl4是分子晶體，在熔化過(guò)程中克服的是分子間作用力，化學(xué)鍵不斷裂。Si3N4是原子晶體，其晶體為立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。根據(jù)C、Si的原子半徑推知C—N鍵的鍵能比Si—N鍵的鍵能大，故C3N4的熔點(diǎn)比Si3N4的高。答案選Ｂ。12．C【分析】電荷數(shù)：Al3+>Mg2+＝Ca2+>Li+＝Na+；而金屬陽(yáng)離子半徑：r(Ba2+)>r(Ca2+)>r(Na+)>r(Mg2+)>r(Al3+)>r(Li+)，原子半徑越小，金屬鍵越強(qiáng)，金屬的熔、沸點(diǎn)越高。【詳解】A．通過(guò)分析可知，選項(xiàng)中熔、沸點(diǎn)：Al>Mg，A錯(cuò)誤；B．通過(guò)分析可知，選項(xiàng)中熔、沸點(diǎn)：Li>Na，B錯(cuò)誤；C．通過(guò)分析可知，C正確；D．通過(guò)分析可知，選項(xiàng)中熔、沸點(diǎn)：Al>Mg>Ba，D錯(cuò)誤；答案選C。13．C【詳解】A．根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知，位于晶胞的頂點(diǎn)和面心，則個(gè)數(shù)為，A正確；B．根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)和截面圖可知，位于立方晶胞體對(duì)角線四分之一處，每個(gè)周圍有4個(gè)距離最近且相等的，分別位于對(duì)應(yīng)最近距離的頂點(diǎn)及該頂點(diǎn)所在三個(gè)面的面心，B正確；C．該晶胞中含有8個(gè)，兩個(gè)距離最近的之間距離為晶胞邊長(zhǎng)的一半，與距離最近且相等的有6個(gè)，分別位于該的上、下、前、后、左、右六個(gè)方向，C錯(cuò)誤；D．該晶胞中兩個(gè)距離最近的和的核間距為晶胞體對(duì)角線的，已知晶胞邊長(zhǎng)為dpm，則計(jì)算表達(dá)式為pm，D正確；答案選C。14．D【詳解】A．離子半徑：Br－＞Cl－＞F－，離子半徑越小，晶格能越大，因此晶格能：NaF＞NaCl＞NaBr，故A正確；B．某原子的質(zhì)量數(shù)是52，中子數(shù)是28，則質(zhì)子數(shù)=52-28=24，該元素為Cr，基態(tài)Cr原子的價(jià)電子排布式為3d54s1，軌道表達(dá)式為，未成對(duì)電子數(shù)為6，故B正確；C．面心立方堆積，這樣看，先取一個(gè)面，與之相鄰且等距的有8個(gè)面，每個(gè)面的面心到取的標(biāo)準(zhǔn)面的面心的距離是(把棱長(zhǎng)看成1)，同時(shí)，面心這一點(diǎn)倒頂點(diǎn)最近且等距的有4個(gè)，距離也是，所以配位數(shù)是12，故C正確；D．3d94s2不滿足洪特規(guī)則特例，正確排布式為3d104s1，故D錯(cuò)誤；綜上所述，說(shuō)法錯(cuò)誤的是D項(xiàng)，故答案為D。15．C【詳解】A．飽和Na2CO3溶液中通入CO2，可生成NaHCO3沉淀，則溶解度：Na2CO3>NaHCO3，A不正確；B．Cl與P為同周期元素，非金屬性Cl比P強(qiáng)，則熱穩(wěn)定性：HCl＞PH3，B不正確；C．C2H6、C4H10都能形成分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量前者小于后者，則分子間作用力前者小于后者，所以沸點(diǎn)：C2H6＜C4H10，C正確；D．Li和Be為同周期元素，Li在Be的左邊，金屬性Li比Be強(qiáng)，則堿性：LiOH＞Be(OH)2，D不正確；故選C。16．D【詳解】A．硫單質(zhì)氧化性較弱，與變價(jià)金屬反應(yīng)，將變價(jià)金屬氧化成較高價(jià)態(tài)，即銅粉和硫粉混合加熱生成Cu2S，故A錯(cuò)誤；B．Cu2S晶胞中黑球表示Cu+，根據(jù)離子晶體配位數(shù)的定義，推出Cu+配位數(shù)為2，故B錯(cuò)誤；C．三種離子核外電子層數(shù)相同，因此離子半徑隨著原子序數(shù)的遞增而降低，離子半徑：Cu2+＜Cl-＜S2-，故C錯(cuò)誤；D．葡萄糖中含有醛基，能與新制氫氧化銅懸濁液反應(yīng)，得到磚紅色沉淀，故D正確；答案為D。17．A【詳解】A．“鉛丹……煉化還成九光，久服通神明?！?，“九光”指五光十色，形容光芒色彩絢爛。四射的光芒，故A錯(cuò)誤；B．“近山生石，青白色，作灶燒竟，以水沃之，即熱蒸而解?！鼻喟咨闹饕煞质鞘軣崮馨l(fā)生分解反應(yīng)生成氧化鈣的碳酸鈣，作灶燒竟的過(guò)程為碳酸鈣受熱發(fā)生分解反應(yīng)生成氧化鈣和二氧化碳，以水沃之的過(guò)程為氧化鈣與水反應(yīng)生成氫氧化鈣，反應(yīng)中會(huì)放出大量的熱，該過(guò)程涉及到分解反應(yīng)和化合反應(yīng)，故B正確；C．“光明鹽，大者如升，皆正方光澈?！斌w現(xiàn)了晶體的自范性，物質(zhì)自覺(jué)形成規(guī)則的幾何外形，故C正確；D．“石硫磺，能化金銀銅鐵，奇物。”中S元素的化合價(jià)降低，被還原，體現(xiàn)了硫的氧化性，故D正確；故選A。18．B【詳解】A．金剛石、晶體硅、碳化硅三種物質(zhì)為共價(jià)晶體，由于鍵長(zhǎng)Si-Si>Si-C>C-C，故鍵能C-C>Si-C>Si-Si，二氧化碳為分子晶體，共價(jià)晶體的熔沸點(diǎn)大于分子晶體的熔沸點(diǎn)，，所以晶體硅的熔、沸點(diǎn)的順序?yàn)榻饎偸?gt;碳化硅>晶體硅>二氧化碳，A錯(cuò)誤；B．四種物質(zhì)為結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔、沸點(diǎn)越高，B正確；C．MgO為離子晶體，固態(tài)CO2、固態(tài)H2O均為分子晶體，且常溫常壓下H2O呈液態(tài)，CO2呈氣態(tài)，故熔、沸點(diǎn)：MgO>H2O>CO2，C錯(cuò)誤；D．合金的熔、沸點(diǎn)比純金屬的低，熔、沸點(diǎn)高低順序?yàn)榻饎偸?gt;純鐵>生鐵>鈉，D錯(cuò)誤；故選B。19．B【詳解】A．“轉(zhuǎn)化”時(shí)，通入二氧化碳，生成碳酸根離子，將硫酸鈣轉(zhuǎn)化為碳酸鈣，A項(xiàng)正確；B．pH約為6.5，呈酸性，碳酸根不可能大量存在，B項(xiàng)錯(cuò)誤；C．“高溫煅燒”需要的儀器有酒精噴燈、坩堝、坩堝鉗、泥三角、三腳架等，C項(xiàng)正確；D．碳酸鈣的溶解度隨著溫度的升高而降低，所以適當(dāng)升高溫度有利于Ca2+的浸出，D項(xiàng)正確；答案選B。20．C【分析】短周期主族元素X、Y、Z、W的原子序數(shù)依次增大，X和Z能組成兩種常見(jiàn)的離子化合物Z2X、Z2X2，則X為O元素，Z為Na元素，形成離子化合物Na2O、Na2O2，Y是原子序數(shù)介于O和Na之間的主族元素，Y為F元素，X和W位于同一主族，則W為S元素，【詳解】A．一般來(lái)說(shuō)，簡(jiǎn)單離子，電子層數(shù)越多，離子半徑越大，電子層排布相同的簡(jiǎn)單離子，原子序數(shù)越大，離子半徑越小，則簡(jiǎn)單離子半徑:S2->O2->F->Na+，W>X>Y>Z，A錯(cuò)誤；B．Na2O是離子晶體，熔化時(shí)破壞離子鍵，SO2是分子晶體，熔化時(shí)破壞范德華力，離子鍵遠(yuǎn)大于強(qiáng)于范德華力，故熔點(diǎn)：Na2O>SO2，B錯(cuò)誤；C．Na2SO3溶于水后，由于發(fā)生SO水解而使溶液中c(OH)>c(H+)，溶液呈堿性，C正確；D．SF6中一個(gè)S原子形成6個(gè)S一F鍵，則S原子最外層不是8電子結(jié)構(gòu)，D錯(cuò)誤；故答案選C。21．A【詳解】A．石墨層間存在分子間作用力、層內(nèi)存在金屬鍵，說(shuō)明其晶體在各個(gè)方向上的導(dǎo)電能力不同，A錯(cuò)誤；B．電荷越多、半徑越小，離子鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高，晶體的熔點(diǎn)：MgO>NaCl，B正確；C．在氯化鈣晶胞中，每個(gè)鈣離子連接8個(gè)氯離子，鈣離子的配位數(shù)為8，每個(gè)氯離子連接4個(gè)鈣離子，氯離子的配位數(shù)為4，C正確；D．干冰晶胞中頂點(diǎn)的8個(gè)二氧化碳分子空間取向相同，上下兩面心的2個(gè)二氧化碳分子空間取向相同，左右兩面心的2個(gè)二氧化碳分子空間取向相同，前后兩面心的2個(gè)二氧化碳分子空間取向相同，共有4種空間取向不同的二氧化碳分子，D正確；答案選A。22．B【分析】Y元素的一種氧化物具有磁性，則Y為Fe，Z元素的價(jià)電子數(shù)為11，Z為Cu，根據(jù)Z在8個(gè)頂點(diǎn)和4個(gè)面心、1個(gè)體心，則均攤為=4個(gè)，Y有6個(gè)在面心，4個(gè)在棱心，均攤為，X在內(nèi)部，有8個(gè)，則X的化合價(jià)為-2價(jià)，則天然礦石為黃銅礦，X為S，化學(xué)式為CuFeS2，據(jù)此回答?！驹斀狻緼．Y位于元素周期表的d區(qū)，Z位于元素周期表的ds區(qū)，A錯(cuò)誤；B．Fe2+價(jià)電子為3d6，Cu2+價(jià)電子為3d9，F(xiàn)e2+再失去1個(gè)電子容易，所以第三電離能：Z>Y，B正確；C．X為S，非金屬的電負(fù)性大于Fe，所以電負(fù)性：X＞Y，C錯(cuò)誤；D．H2S價(jià)層電子數(shù)為4，孤電子對(duì)數(shù)為2，為V形，SO2價(jià)層電子數(shù)為3，孤電子數(shù)為1，為V形，但是H2S的孤電子對(duì)數(shù)多，對(duì)成鍵電子排斥力大，所以鍵角：H2S＜SO2，D錯(cuò)誤；故選B。23．3s23p414H2SHClSiO2（或二氧化硅）sp3雜化SiC>Si【分析】A單質(zhì)在常溫下為固體，難溶于水，易溶于CS2，能形成二元含氧酸的元素是硫；B原子的M層有1個(gè)未成對(duì)的p電子，核外p電子總數(shù)大于7，電子排布式應(yīng)是1s22s22p63s23p5，據(jù)此推斷應(yīng)為Cl；C單質(zhì)能溶于強(qiáng)酸和強(qiáng)堿的短周期元素應(yīng)為鋁；D原子核外電子層上s電子總數(shù)比p電子總數(shù)少2，單質(zhì)和氧化物均為空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，具有很高的熔、沸點(diǎn)，可知電子排布式應(yīng)是1s22s22p63s23p2，為硅；以此分析?！驹斀狻緼單質(zhì)在常溫下為固體，難溶于水，易溶于CS2，能形成二元含氧酸的元素是硫；B原子的M層有1個(gè)未成對(duì)的p電子，核外p電子總數(shù)大于7，電子排布式應(yīng)是1s22s22p63s23p5，據(jù)此推斷應(yīng)為Cl；C單質(zhì)能溶于強(qiáng)酸和強(qiáng)堿的短周期元素應(yīng)為鋁；D原子核外電子層上s電子總數(shù)比p電子總數(shù)少2，單質(zhì)和氧化物均為空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，具有很高的熔、沸點(diǎn)，可知電子排布式應(yīng)是1s22s22p63s23p2，為硅；（1）S元素最外層有6個(gè)電子，其最外層電子排布式為3s23p4；Si原子核外有14個(gè)電子，每個(gè)電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)都不相同，故答案為：3s23p4；14；（2）單質(zhì)鋁與強(qiáng)堿溶液反應(yīng)生成偏鋁酸根和氫氣，離子方程式為，故答案為：；（3）在氫化物中，HCl分子的鍵能較大，分子較穩(wěn)定；H2S分子的鍵能較小，分子穩(wěn)定性差，故答案為：H2S；HCl；（4）CO2是分子晶體，常溫下是氣態(tài)，熔點(diǎn)較低；SiO2是原子晶體，常溫下是固態(tài)，熔點(diǎn)較高，故答案為：SiO2（或二氧化硅）；（5）晶體硅中1個(gè)硅原子與4個(gè)硅原子相連，呈正四面體結(jié)構(gòu)，所以其雜化方式是sp3雜化，SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅相似，故C原子的雜化方式也是sp3雜化；因?yàn)镾i-C鍵的鍵長(zhǎng)小于Si-Si鍵，所以熔沸點(diǎn)：碳化硅＞晶體硅，故答案為：sp3雜化；SiC>Si?！军c(diǎn)睛】晶體硅中1個(gè)硅原子與4個(gè)硅原子相連，呈正四面體結(jié)構(gòu)，所以其雜化方式是sp3雜化。24．C【詳解】A．融雪過(guò)程發(fā)生物理變化，A錯(cuò)誤；B．同