43.040.15GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016道路車輛局域互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)(LIN)Part7:ElectricalPhysicalLayer(EPL)conformancetestspecification(ISO17987-7:2016,IDT)國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016 Ⅲ 1 1 13.1術(shù)語(yǔ)和定義 1 13.3縮略語(yǔ) 3 45具有RX和TX接入的12VLIN設(shè)備電氣物理層 45.1測(cè)試規(guī)范通則 45.2工作條件——校準(zhǔn) 65.3工作模式終端 5.4靜態(tài)測(cè)試用例 6不具有RX和TX接入的12VLIN設(shè)備電氣物理層 6.1測(cè)試規(guī)范概述 6.2通信方案 6.3測(cè)試用例組織 6.4測(cè)量和信號(hào)生成——要求 6.5工作條件——校準(zhǔn) 6.6工作模式終端 6.7靜態(tài)測(cè)試用例 7具有RX和TX接入的24VLIN設(shè)備電氣物理層 7.1測(cè)試規(guī)范通則 7.2工作條件——校準(zhǔn) 7.3工作模式終端 7.4靜態(tài)測(cè)試用例 8不具有RX和TX接入的24VLIN設(shè)備電氣物理層 8.1測(cè)試規(guī)范概述 8.2通信方案 8.3測(cè)試用例組成 8.4測(cè)量和信號(hào)生成——要求 8.5工作條件——校準(zhǔn) IGB/T42691.7—2023/ISO17987-7:20168.6工作模式終端 8.7靜態(tài)測(cè)試用例 ⅢGB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。本文件為GB/T42691《道路車輛局域互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)(LIN)》的第7部分。GB/T42691已經(jīng)發(fā)布了以下部分：——第2部分：傳輸層協(xié)議和網(wǎng)絡(luò)層服務(wù)；——第3部分：協(xié)議規(guī)范；——第4部分：12V/24V電氣物理層規(guī) 第5部分：應(yīng)用程序接口：——第6部分：協(xié)議一致性測(cè)試規(guī)范；——第7部分：電氣物理層(EPL)一致性測(cè)試規(guī)范；本文件等同采用ISO17987-7:2016《道路車輛局域互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)(LIN)第7部分：電氣物理層請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任。本文件由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出。本文件由全國(guó)汽車標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC114)歸口。GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016——比特率支持1kbit/s～20kbit/s;GB/T42691基于ISO/IEC7498-1規(guī)定的開發(fā)系統(tǒng)互連基本參考模型，該模型將通信系統(tǒng)架構(gòu)分些層的子集都應(yīng)用在GB/T42691中。本文件描述了LIN總線的電氣物理層一致性測(cè)試要求和測(cè)試GB/T42691區(qū)分了由一層提供給它上面一層的服務(wù)和該層用來在它的對(duì)等實(shí)體之間發(fā)送消息的協(xié)議。這種區(qū)分的原因主要是為了服務(wù)，尤其是應(yīng)用層服務(wù)和傳輸層服務(wù)，也用于除LIN以外的其他類型的網(wǎng)絡(luò)。因此，協(xié)議對(duì)服務(wù)的使用者是隱藏的，并且如果有特殊的系統(tǒng)需求，可以修改協(xié)議。——第2部分：傳輸層協(xié)議和網(wǎng)絡(luò)層服務(wù)。旨在定義LIN節(jié)點(diǎn)之間傳輸報(bào)文的PDU傳輸協(xié)議網(wǎng) 第6部分：協(xié)議一致性測(cè)試規(guī)范。根據(jù)第2部分和第3部分檢查L(zhǎng)IN協(xié)議實(shí)現(xiàn)的一致性，旨GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016——第7部分：電氣物理層(EPL)一致性測(cè)試規(guī)范。根據(jù)第4部分檢查L(zhǎng)IN電氣物理層實(shí)現(xiàn)(抽——第8部分：電氣物理層(EPL)規(guī)范：直流電源線上的局域互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)(DC-LIN)。旨在定義LINV1道路車輛局域互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)(LIN)一致性測(cè)試規(guī)范ISO9646和ISO17987-4。同來源的LIN總線驅(qū)動(dòng)器的互操作性。本文件提供了所有必要的技術(shù)信息，以確保即使在不同的測(cè)試系統(tǒng)上，測(cè)試結(jié)果也是一致的，前提是特定的測(cè)試套件和測(cè)試系統(tǒng)符合本文件的規(guī)定。2規(guī)范性引用文件下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅所注日期的版本適用于本(ISO17987-4:2016,IDT)ISO17987-6道路車輛局域互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)第6部分：協(xié)議一致性測(cè)試規(guī)范(Roadvehicles—LocalInterconnectNetwork—Part6:Protocolconformancetestspecification)IDT)ISO17987-4和ISO17987-6界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。%:百分比C1/2:電容CREF:參考電容2GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016CRxp:RXD電容(LIN接收器，RXD電容負(fù)載條件)d2V/dt2:電壓的二階導(dǎo)數(shù)(V2/s2)di/dt:瞬時(shí)電流變化率(A/s)D1/2:二極管Din:收發(fā)器IC內(nèi)部串聯(lián)二極管Dmse:主節(jié)點(diǎn)串聯(lián)二極管Frs:測(cè)試系統(tǒng)位速率Igus:進(jìn)入ECU總線中的電流器：Vmus=0V和VBAr=12V;24VLIN驅(qū)動(dòng)器：Vmus=0V和VBAr=236V;16V<Vsus<36V;VBus≥VBAt)GNDpvic:ECU的GND(地)kΩ:千歐kbit/s:千比特每秒LENgus:LIN總線線束總長(zhǎng)度LINHus:LIN網(wǎng)絡(luò)ms:毫秒nF:納法pF:皮法pF/m:皮法每米(負(fù)載電容)R1/2:電阻Rstr:主節(jié)點(diǎn)電阻Rpllup:上拉電阻R:從節(jié)點(diǎn)電阻tpes:字節(jié)場(chǎng)同步時(shí)間tBr:基礎(chǔ)位時(shí)間trxd:接收方的傳播延時(shí)tLps:最后位采樣時(shí)間trxpdk1):接收節(jié)點(diǎn)1在LIN總線下降沿(隱性位到顯性位)的傳播延時(shí)時(shí)間trxpdf2):接收節(jié)點(diǎn)2在LIN總線下降沿(隱性位到顯性位)的傳播延時(shí)時(shí)間trxpdr(1):接收節(jié)點(diǎn)1在LIN總線上升沿(顯性位到隱性位)的傳播延時(shí)時(shí)間3GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016trxpdr(2):接收節(jié)點(diǎn)2在LIN總線上升沿(顯性位到隱性位)的傳播延時(shí)時(shí)間tsk:采樣窗口重復(fù)時(shí)間THge(min):接收節(jié)點(diǎn)最小隱性閾值(電壓)V:電壓VBAr:ECU電源連接器上的電壓車輛蓄電池連接器上的電壓VHsi/2:電源偏移電壓VBus:LIN總線上的電壓Vnuse:接收方隱性電壓Vcc?/2:電源正極供電電壓(例如5V)蓄電池接地電壓Viur:IUT供電引腳電壓Vpsi/2:遠(yuǎn)程電壓1或遠(yuǎn)程電壓2VR:隱性電壓Vsup:收發(fā)器電源引腳上的電壓Vdom:接收方隱性到顯性LIN總線邊沿閾值電壓Vtrec:接收方顯性到隱性LIN總線邊沿閾值電壓△F/Fxom:相比于標(biāo)準(zhǔn)位速率偏差t:時(shí)間常數(shù)Q:歐姆3.3縮略語(yǔ)下列縮略語(yǔ)適用于本文件。AC:交流(alternatecurrent)API:應(yīng)用程序接口(applicationprogrammersinterface)ASIC:專用集成電路(applicationspecificintegratedcircuit)BFS:字節(jié)場(chǎng)同步(bytefieldsynchronization)4GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016EBS:最早位采樣(earliestbitsample)EMC:電磁兼容(electromagneticcompatibility)EMI:電磁干擾(electromagneticinterference)EPL:電氣物理層(electricalphysicallayer)ESD:靜電放電(electrostaticdischarge)IUT:被測(cè)對(duì)象(implementationundertest)LBS:最新位采樣(latestbitsample)Max.:最大(maximum)Min.:最小(minimum)no.:序號(hào)(number)OSI:開放系統(tǒng)互聯(lián)(opensystemsinterconnection)PDU:協(xié)議數(shù)據(jù)單元(protocoldataunit)RX:收發(fā)器的RX引腳(RXpinofthetransceiver)SBC:系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片(systembasischip)SR:采樣窗口重復(fù)(samplewindowrepetition)TRX:收發(fā)器(transceiver)TX:收發(fā)器的TX引腳(TXpinofthetransceiver)Typ:典型的(typical)UART:通用異步收發(fā)器(universalasynchronousreceivertransmitter)4約定5具有RX和TX接入的12VLIN設(shè)備電氣物理層本章適用于A類和B類設(shè)備。5.1測(cè)試規(guī)范通則每個(gè)測(cè)試用例的測(cè)試過程和響應(yīng)以圖表的形式描述。表1是一個(gè)典型測(cè)試描述，定義了測(cè)試用例5GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016IUT節(jié)點(diǎn)作為A/B/C類設(shè)備作為主節(jié)點(diǎn)或者從節(jié)點(diǎn)或者主從節(jié)點(diǎn)相應(yīng)的測(cè)試序號(hào)TCx.TCy,其中x和y是測(cè)試用例序號(hào)初始狀態(tài)參數(shù)：節(jié)點(diǎn)數(shù)量執(zhí)行測(cè)試的節(jié)點(diǎn)數(shù)量總線負(fù)載用來仿真一個(gè)LIN網(wǎng)絡(luò)工作條件：IUT模式IUT的工作模式(例如正常模式、低功耗模式……)開始測(cè)試時(shí)TX引腳的狀態(tài)RX信號(hào)與LIN引腳的隱性/顯性電平相對(duì)應(yīng)的Rx引腳的邏輯輸出電壓，取自IUT的數(shù)據(jù)手冊(cè)VHAT、Vsup、Vwr、Vc、Vpst/2、Vaus電壓值失效為了將故障設(shè)置為電壓值測(cè)試步驟描述測(cè)試過程響應(yīng)描述預(yù)期的結(jié)果，以決定測(cè)試是通過還是失敗參考對(duì)應(yīng)GB/T42691.4—2023相應(yīng)序號(hào)訪問RX/TX執(zhí)行測(cè)試(見第6章)。根據(jù)IUT類型的不同，ECU的供電電壓是VBAr,芯片的供電電壓是Vsup,在本文中均描述為VuT。表2定義了測(cè)量和信號(hào)生成的要求。信號(hào)生成：上升/下降時(shí)間<20ns(方波)、<40ns(三角)頻率20×10-6抖動(dòng)信號(hào)測(cè)量：動(dòng)態(tài)信號(hào)示波器100MHz上升時(shí)間≤3.5ns靜態(tài)信號(hào)直流電壓直流電流阻抗電源(VnAr、Vstp、VuT、Vcc、Vpsi2、Vpus)分辨率精度值的0.2%6GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016這里定義了每個(gè)測(cè)試用例的初始配置，每個(gè)測(cè)試用例中都指定了單個(gè)測(cè)試的任何要求。表3定義了電氣輸入/輸出的初始狀態(tài)。表3電氣輸入/輸出的初始狀態(tài)初始狀態(tài)參數(shù)：節(jié)點(diǎn)數(shù)量1總線負(fù)載工作條件：設(shè)置為正常/激活模式隱性VhAT、Vsup、Vur、Vcc、Vpst2、VBus每次測(cè)試單獨(dú)定義失效無失效該測(cè)試應(yīng)通過正確接收顯性位來確保在有效的電源電壓范圍內(nèi)的正確操作。因此，具有遞增/遞減電壓斜率的IUT被提供。Fu:[sn/Ya]LINGNDRX表4定義了測(cè)試系統(tǒng)“RX和TX接入的工作電壓范圍”。7GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016IUT節(jié)點(diǎn)作為B類設(shè)備作為主節(jié)點(diǎn)或者從節(jié)點(diǎn)A類設(shè)備初始狀態(tài)工作條件Vur:[Vsup/Vhat]表5測(cè)試步驟如表5中定義，在Vsup/VaAT上設(shè)置電壓斜率。LIN信號(hào)由10kHz占空比為50%的方波信號(hào)驅(qū)動(dòng)，電壓擺幅為18V。IUT應(yīng)處于工作/激活模式響應(yīng)IUT的RX引腳應(yīng)出現(xiàn)10kHz的信號(hào)。允許的最大偏差為10%(時(shí)間、電壓),見圖2參考GB/T42691.4—2023中表10的參數(shù)9、參數(shù)10EPL-CT-TCVu-范圍：[Vsup范圍/VBxr范圍]信號(hào)斜率[7.0V,18V]/[8.0V,18V]0.1V/s[18V,7.0V]/[18V,8.0V]0.1V/s本組測(cè)試用于檢查IUT的接收器閾值電壓是否在整個(gè)指定的工作電源電壓范圍內(nèi)正確實(shí)現(xiàn)。LIN總線電壓通過緩升/降電壓驅(qū)動(dòng)，檢查整個(gè)顯性和隱性信號(hào)區(qū)域相對(duì)于施加的電源電壓。在出轉(zhuǎn)換。圖3顯示了LIN總線上的三角信號(hào)。8GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016周期周期T=1/f幅度對(duì)稱性：50%圖3LIN總線上的三角信號(hào)圖4表示了測(cè)試系統(tǒng)“IUT作為接收器在Vsup時(shí)測(cè)試VBUsdm(LIN電壓下降)”的測(cè)試配置。sYsRXLINIUT節(jié)點(diǎn)作為A類設(shè)備[EPL-CT2].1,[EPL-CT2].2.初始狀態(tài)工作條件：Viur:[Vsup]表79GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016測(cè)試步驟向總線中發(fā)送頻率是20Hz對(duì)稱性是50%的三角信號(hào)(見圖3)響應(yīng)在三角信號(hào)下降斜率過程中，IUT會(huì)在RX上生成一個(gè)顯性或者隱性值，見表7參考GB/T42691.4—2023中表10的參數(shù)17、參數(shù)18GB/T42691.4—2023中圖4表7定義了測(cè)試用例LIN總線上三角信號(hào)下降斜率。表7測(cè)試用例：LIN總線上三角信號(hào)下降斜率EPL-CT-TCVu:[Vsup]信號(hào)范圍期望的RX信號(hào)隱性顯性隱性顯性隱性顯性圖5表示了測(cè)試系統(tǒng)“IUT作為接收器在Vsup時(shí)測(cè)試VBUsre(LIN電壓上升)”的測(cè)試配置。VsLINGNDRX表8定義了測(cè)試系統(tǒng)“IUT作為接收器在Vsup時(shí)測(cè)試VHus.(LIN電壓上升)”。GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016IUT節(jié)點(diǎn)作為A類設(shè)備[EPL-CT3].1.[EPL-CT3].2,[EPL-CT3].3初始狀態(tài)工作條件：Vur:[Vsup]表9測(cè)試步驟向總線中發(fā)送頻率是20Hz對(duì)稱性是50%的三角信號(hào)(見圖3)響應(yīng)在三角信號(hào)上升斜率過程中，IUT會(huì)在RX上生成一個(gè)顯性或者隱性值，見表9參考GB/T42691.4—2023中表10的參數(shù)17、參數(shù)18GB/T42691.4—2023中圖4表9定義了測(cè)試用例LIN總線上三角信號(hào)上升斜率。EPL-CT-TCVur:[Vsup]信號(hào)范圍期望的RX信號(hào)顯性隱性顯性隱性顯性隱性圖6表示了測(cè)試系統(tǒng)“IUT作為接收器在Vsup時(shí)測(cè)試VBts”的測(cè)試配置。Vsm:[VglGNDRXLINGB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016表10定義了測(cè)試系統(tǒng)“IUT作為接收器在Vsup時(shí)測(cè)試Vbus”。IUT節(jié)點(diǎn)作為A類設(shè)備初始狀態(tài)工作條件：Vm:[Vsup]表11測(cè)試步驟向總線中發(fā)送頻率是20Hz對(duì)稱性是50%的三角信號(hào)(見圖3)響應(yīng)當(dāng)LIN總線電壓上升時(shí)，IUT的RX輸出應(yīng)從顯性切換到隱性，當(dāng)LIN總線電壓下降時(shí)，IUT的RX輸出應(yīng)從隱性切換到顯性。RX輸出轉(zhuǎn)換應(yīng)當(dāng)符合如下條件：—VHscnt=(Vd+Vme)/2在(0.475～0.525)×Vsup范圍內(nèi)；—--VHys=Vhre一Vniom應(yīng)小于0.175×Vsup參考GB/T42691.4—2023中表10的參數(shù)19、參數(shù)20表11定義了“IUT作為接收器在Vsup時(shí)測(cè)試VBus”的測(cè)試用例。EPL-CT-TCVur:[Vsup]信號(hào)范圍[-1.05V,8.05V]上升[8.05V.-1.05V]下降[-2.1V,16.1V]上升[16,1V,-2.1V]下降[-2.7V,20.7V]上升[20.7V,-2.7V]下降口口GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016Y-:[Vsup/Vow]RRXIUT節(jié)點(diǎn)作為B類設(shè)備作為主節(jié)點(diǎn)B類設(shè)備作為從節(jié)點(diǎn)A類設(shè)備初始狀態(tài)工作條件：Vur:[Vsup/VhAT]Vnr;Vps總線負(fù)載Vwr信號(hào)以1V/s的斜率進(jìn)行變化，范圍定義見表13見表13見表13測(cè)試步驟在Vur上設(shè)置一個(gè)電壓斜率(上升和下降)。在Vun=40V時(shí)，激勵(lì)持續(xù)t=30s。如果提供了內(nèi)部上拉或應(yīng)用了隱性電平，則TX信號(hào)應(yīng)保持打開狀態(tài)響應(yīng)LIN總線上不應(yīng)出現(xiàn)顯性狀態(tài)。測(cè)試中IUT不能被損壞。之后的隱性電壓應(yīng)與之前的隱性電壓最大偏差應(yīng)為±5%參考GB/T42691.4—2023中表10參數(shù)11EPL-CT-TCVw范圍：[Vsur范圍/VHAT范圍]Vsp?總線負(fù)載60k+二極管(1N4148)1.1k+二極管(1N4148)1.1k+二極管(1N4148)GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:20165.2.5若干條件下的Igts此測(cè)試檢查輸出階段的驅(qū)動(dòng)能力。LIN驅(qū)動(dòng)應(yīng)按照LIN標(biāo)準(zhǔn)將LIN總線拉到一定電壓以下。電流限制是間接測(cè)量的。RMFASLINRXIUT節(jié)點(diǎn)作為B類設(shè)備作為主節(jié)點(diǎn)B類設(shè)備作為從節(jié)點(diǎn)A類設(shè)備初始狀態(tài)工作條件：Vur:[Vsur/VnAT]見表15測(cè)試步驟LIN引腳通過RMEAs連接到Vut。TX信號(hào)由占空比為50%的方波信號(hào)(T=10ms)驅(qū)動(dòng)響應(yīng)LIN總線應(yīng)顯示方波信號(hào)。對(duì)于收發(fā)器，總線顯性電平應(yīng)低于TH_DOM=0.251×Vur=4.518V。對(duì)于ECU,總線顯性電平應(yīng)低于TH_DOM=0.251×(Vw-1V)=4.267V參考GB/T42691,4—2023中表10參數(shù)12表15定義了測(cè)試用例“顯性狀態(tài)(驅(qū)動(dòng))的IgusLIM”。GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016表15測(cè)試用例：顯性狀態(tài)(驅(qū)動(dòng))的IgtsLMEPL-CT-TCVur:[Vsup/VnAr]RMEAS圖9表示了測(cè)試系統(tǒng)“IgusPAStom隱性狀態(tài)的IUTVBus=0V”的測(cè)試配置。遠(yuǎn)程控制電源遠(yuǎn)程控制電源Vr:[Vsum/VpARXRTXGND測(cè)試設(shè)備被測(cè)對(duì)象us表16定義了測(cè)試系統(tǒng)IUT節(jié)點(diǎn)作為B類設(shè)備作為從節(jié)點(diǎn)A類設(shè)備初始狀態(tài)工作條件：Viwr:[Vsup/VHAt]RMEAs見表17測(cè)試步驟TX信號(hào)設(shè)置為隱性響應(yīng)電壓降最大值應(yīng)高于-500mV參考GB/T42691.4—2023中表10參數(shù)13GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016EPL-CT-TCViu:[Vsup/Vnar]RMEAS此測(cè)試用于檢查IUT的終端路徑內(nèi)是否有二極管。即使Vsus高于IUT的電源電壓Vur,從LINVsKun:[Ys/VAAr]RXbusLINV?RNHAS隱性狀態(tài)的IUTIUT節(jié)點(diǎn)作為B類設(shè)備作為主節(jié)點(diǎn)B類設(shè)備作為從節(jié)點(diǎn)初始狀態(tài)工作條件：Vur:[Vsup/VBAr]RMEAs見表19測(cè)試步驟Vps?=以2V/s斜率在[8V.18V]范圍內(nèi)上升或下降的信號(hào)。TX信號(hào)設(shè)置為隱性響應(yīng)電壓降最大值應(yīng)小于或等于20mV參考GB/T42691.4—2023中表10參數(shù)14GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016表19定義了測(cè)試用例“IptspASm.隱性狀態(tài)的IUT”。EPL-CT-TCVwr:[Vsup/VBAt]RMEAS本測(cè)試的目的是檢查驅(qū)動(dòng)狀態(tài)的占空比。Yos?R?usRXLINGNDpsiIUT節(jié)點(diǎn)作為B類設(shè)備作為主節(jié)點(diǎn)或從節(jié)點(diǎn)A類設(shè)備[EPL-CT9].1到[EPL-CT9].18初始狀態(tài)工作條件：總線負(fù)載VwT:[Vsup/VBAT]Vpss見表21見表21見表21測(cè)試步驟TXD由占空比為50%的方波信號(hào)(T=192ys)驅(qū)動(dòng)。TXD斜率時(shí)間小于500ns,100%電壓擺動(dòng)響應(yīng)對(duì)于Vsur=[7.0V,18V].測(cè)量的占空比D3≥0.417.對(duì)于Vsup=[7.6V,18V],測(cè)量的占空比D4≤0.590。如果Vsup不可獲取，則可以用VBAT—0.7V計(jì)算占空比參考GB/T42691.4—2023中表12參數(shù)29、參數(shù)30GB/T42691.4—2023中圖5GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016表21測(cè)試用例：斜率控制EPL-CT-TCVur:[Vsur/V]Vps2總線負(fù)載占空比D3Min.D4Max.1nF(±1%);1kΩ(±0.1%)1nF(±1%):1kQ(±0.1%)一1nF(士1%);1kΩ(±0.1%)1nF(±1%);1kΩ(±0.1%)6.8nF(±1%);6602(±0.1%)6.8nF(±1%);6602(±0.1%)1nF(±1%);1kΩ(±0.1%)1nF(±1%);1kQ(±0.1%)6.8nF(±1%);6602(±0.1%)遠(yuǎn)程控制電源1遠(yuǎn)程控制電源1ur:['si/VHAl被測(cè)對(duì)象RXLIN遠(yuǎn)程控制電源2Vas脈沖生成器TXGB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016IUT節(jié)點(diǎn)作為B類設(shè)備作為主節(jié)點(diǎn)或從節(jié)點(diǎn)A類設(shè)備初始狀態(tài)工作條件：總線負(fù)載Vur:[Vsup/Vaa]Vps2見表23見表23見表23測(cè)試步驟TXD由占空比為50%的方波信號(hào)(T=100μs)驅(qū)動(dòng)。TXD斜坡時(shí)間小于500ns.100%電壓擺動(dòng)響應(yīng)對(duì)于Vsup=[7.0V,18V],測(cè)量的占空比DI≥0.396,對(duì)于Vsup=[7.6V,18V],測(cè)量的占空比D2≤0.581。如果Vsup不可獲取，則可以用VBAt-0,7V計(jì)算占空比參考GB/T42691,4—2023中表12參數(shù)27、參數(shù)28GB/T42691.4—2023中圖5EPL-CT-TCVu:[Vsup/VBAT]Vpe總線負(fù)載占空比D1Min.D2Max.7.0V/8.0V1nF(±1%);1kΩ(±0.1%)0.3967.0V/8.0V1nF(±1%);1kΩ(±0.1%)0.3967.0V/8.0V6.8nF(±1%);660Ω(士0.1%)0.3967.0V/8.0V6.8nF(±1%):660Q(±0.1%)0.3967.0V/8.0V0.3967.0V/8.0V0.3967.6V/8.6V1nF(±1%);1kQ(±0.1%)0.3960.5817.6V/8.6V1nF(±1%);1kQ(±0.1%)0.3960.5817.6V/8.6V0.3960.5817.6V/8.6V0.3960.5817.6V/8.6V0.3960.5817.6V/8.6V0.3960.5811nF(±1%);1kΩ(±0.1%)0.3960.5811nF(±1%);1kΩ(±0.1%)0.3960.5810.3960.5816.8nF(±1%);6602(士0.1%)0.3960.5810.3960.5810.3960.581GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016以下測(cè)試用于檢查接收器的內(nèi)部延時(shí)及其對(duì)稱性。測(cè)量這些值的方法如GB/T42691.4—2023中圖5所示。VsVaM:[Vg同RxoAI)CLin-RXIUT節(jié)點(diǎn)作為A類設(shè)備初始狀態(tài)工作條件：RXDVur:[Vsup]VccC=20pF(±5%)RLoAD=2.4kΩ(±0.1%):僅用于“開漏”收發(fā)器的上拉電阻，見表25取決于被測(cè)對(duì)象(5V或3.3V)測(cè)試步驟LIN總線由占空比為50%的10kHz方波信號(hào)驅(qū)動(dòng)，VBus從Vsur開始，并在20ns內(nèi)降至0V,反之亦然響應(yīng)測(cè)量時(shí)間tx應(yīng)小于6μs。tnym=tn-tx所在范圍為-2～+2μs參考GB/T42691,4—2023中表14參數(shù)31、參數(shù)32GB/T42691.4—2023中圖520GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016EPL-CT-TCVur:[Vsp]5.2.8供電電壓偏移本測(cè)試的目的是檢查在VBAr和GND偏移情況下的魯棒性。5.2.8.2GND/VBA偏移測(cè)試一動(dòng)態(tài)每一個(gè)疊加都可以獨(dú)立地實(shí)現(xiàn)。工作電壓Vcc取決于具體的被測(cè)零件(通常是3.3V或5V),然而它們可以通過適當(dāng)?shù)挠|發(fā)間接變表26定義了測(cè)試系統(tǒng)“IUT為A類設(shè)備”。21GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016表26測(cè)試系統(tǒng)：動(dòng)態(tài)—IUT作為A類設(shè)備IUT節(jié)點(diǎn)作為A類設(shè)備初始狀態(tài)工作條件：VhATTARYVpsVpVGNDVsVpVGNta0.1×VuaTTERY0.03×VIATTERY0.03×ViATTERY[0.5×sin(2×π×5×t)+0.5]×0.1×VBATTERY帶偏移的5Hz正弦信號(hào)20pF(包含示波器的輸入電容)2.4kΩ(±0.1%):僅適用于集成的開漏收發(fā)器測(cè)試步驟TXD1中的信號(hào)設(shè)置為10kHz。測(cè)試需要在具備R1=1kΩ(±0.1%)和C1=1nF(±1%)的情況下執(zhí)行。測(cè)試應(yīng)當(dāng)在R1=5002(士0.1%)和C1=10nF(±1%)的情況下重復(fù)操作響應(yīng)RXD2的占空比測(cè)量值應(yīng)在0.376～0.601之間(D1-2μs～D2+2μs)參考GB/T42691.4—2023中表10參數(shù)23GB/T42691.4—2023中表12參數(shù)27、參數(shù)285.2.8.4[EPL-CT13]GND偏移測(cè)試一動(dòng)態(tài)—IUT為A類設(shè)備lUT節(jié)點(diǎn)作為A類設(shè)備初始狀態(tài)工作條件：VuATTARYVrstVpVcNpVrs2VnVGND0.03×VHATTER)[0.5×sin(2×π×5×t)+0.5]×0.1×VBATTERY帶偏移的5Hz正弦信號(hào)0.1×VBATTERY0.03×VBATTERY20pF(包含示波器的輸入電容)2.4kΩ(±0.1%):僅適用于集成的開漏收發(fā)器測(cè)試步驟TXD1中的信號(hào)設(shè)置為10kHz。測(cè)試需要在具備R1=1kΩ(±0.1%)和C1=1nF(士1%)的情況下執(zhí)行。測(cè)試應(yīng)當(dāng)在R1=500Ω(±0.1%)和C1=10nF(±1%)的情況下重復(fù)操作響應(yīng)RXD2的占空比測(cè)量值應(yīng)在0.376～0.601之間(D1-2μs~D2+2μs)參考GB/T42691.4—2023中表10參數(shù)23GB/T42691.4—2023中表12參數(shù)27、參數(shù)2822GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:20165.2.8.5[EPL-CT14]VBAr偏移測(cè)試一動(dòng)態(tài)—IUT作為A類設(shè)備表28定義了測(cè)試系統(tǒng)“動(dòng)態(tài)—IUT作為A類設(shè)備”。表28測(cè)試系統(tǒng)：動(dòng)態(tài)—IUT作為A類設(shè)備IUT節(jié)點(diǎn)作為A類設(shè)備初始狀態(tài)工作條件：VBATTARYVgsVpVGspiVrsVpVGxt[0.5×sin(2×π×5×t)+0.5]×0.1×VBATTFRY帶偏移的5Hz正弦信號(hào)0.03×VATTERY0.03×VBATTERY0.1×VEATTERY20pF(包含示波器的輸入電容)2.4kΩ(±0.1%):僅適用于集成的開漏收發(fā)器測(cè)試步驟TXD1中的信號(hào)設(shè)置為10kHz。測(cè)試需要在具備R1=1kQ(±0.1%)和C1=1nF(±1%)的情況下執(zhí)行。測(cè)試應(yīng)當(dāng)在R1=500Ω(±0.1%)和C1=10nF(±1%)的情況下重復(fù)操作響應(yīng)RXD2的占空比測(cè)量值應(yīng)在0.376～0.601之間(D1-2ps～D2+2ps)參考GB/T42691.4—2023中表10參數(shù)22GB/T42691.4—2023中表12參數(shù)27、參數(shù)285.2.8.6[EPL-CT15]VBAr偏移測(cè)試一動(dòng)態(tài)—IUT作為A類設(shè)備表29定義了測(cè)試系統(tǒng)“動(dòng)態(tài)—IUT作為A類設(shè)備”。表29測(cè)試系統(tǒng)：動(dòng)態(tài)—IUT作為A類設(shè)備IUT節(jié)點(diǎn)作為A類設(shè)備初始狀態(tài)工作條件：VBAITARYVRsiVpVGNpVBS2VmVGNve0.03×VeATTERY[0.5×sin(2×π×5×t)+0.5]×0.1×VBATTERY帶偏移的5Hz正弦信號(hào)0.03×VBATTERY20pF(包含示波器的輸入電容)2.4kΩ(±0.1%);僅適用于集成的開漏收發(fā)器測(cè)試步驟TXD1中的信號(hào)設(shè)置為10kHz。測(cè)試需要在具備R1=1kQ(±0.1%)和C1=1nF(±1%)的情況下執(zhí)行。測(cè)試應(yīng)當(dāng)在R1=500Ω(±0.1%)和C1=10nF(±1%)的情況下重復(fù)操作響應(yīng)RXD2的占空比測(cè)量值應(yīng)在0.376～0.601之間(D1-2μs～D2+2ps)參考GB/T42691.4—2023中表10參數(shù)22GB/T42691.4—2023中表12參數(shù)27、參數(shù)28GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:20165.2.8.7[EPL-CT16]GND偏移測(cè)試一動(dòng)態(tài)—IUT作為B類設(shè)備表30定義了測(cè)試系統(tǒng)“IUT作為B類設(shè)備”。表30測(cè)試系統(tǒng)：動(dòng)態(tài)—IUT作為B類設(shè)備IUT節(jié)點(diǎn)作為B類設(shè)備初始狀態(tài)工作條件：VATTARYVnsiVGNDiVpsVpVpVGNp0.1XVIATTEKY0.03×ViATTERY0.03×ViATTERY[0.5×sin(2×π×5×t)+0.5]×0.1×VHATTErr帶偏移的5Hz正弦信號(hào)20pF(包含示波器的輸入電容)2.4kΩ(±0.1%):僅適用于集成的開漏收發(fā)器測(cè)試步驟TXD1中的信號(hào)設(shè)置為10kHz。測(cè)試需要在具備R1=1kΩ(±0.1%)和C1=1nF(±1%)的情況下執(zhí)行。測(cè)試應(yīng)當(dāng)在R1=500Ω(±0.1%)和C1=10nF(±1%)的情況下重復(fù)操作響應(yīng)RXD2的占空比測(cè)量值應(yīng)在0.376～0.601之間(D1-2μs～D2+2ps)參考GB/T42691.4—2023中表10參數(shù)23GB/T42691,4—2023中表12參數(shù)27、參數(shù)285.2.8.8[ELP-CT17]GND偏移測(cè)試一動(dòng)態(tài)—IUT作為B類設(shè)備表31定義了測(cè)試系統(tǒng)“動(dòng)態(tài)—IUT作為B類設(shè)備”。表31測(cè)試系統(tǒng)：動(dòng)態(tài)—IUT作為B類設(shè)備IUT節(jié)點(diǎn)作為B類設(shè)備初始狀態(tài)工作條件：VBATTARYVBsiVGNDIVns2VcseVpVpg0.03×VTTERY[0.5×sin(2×π×5×t)+0.5]×0.1×VBATTERY帶偏移的5Hz正弦信號(hào)0.1×VBTTEKY0.03×VATTERY20pF(包含示波器的輸入電容)2.4kΩ(±0.1%):僅適用于集成的開漏收發(fā)器測(cè)試步驟TXD1中的信號(hào)設(shè)置為10kHz。測(cè)試需要在具備R1=1kΩ(±0.1%)和C1=1nF(±1%)的情況下執(zhí)行。測(cè)試應(yīng)當(dāng)在R1=500Ω(±0.1%)和C1=10nF(±1%)的情況下重復(fù)操作響應(yīng)RXD2的占空比測(cè)量值應(yīng)在0.376～0.601之間(D1-2μs～D2+2ps)參考GB/T42691.4—2023中表10參數(shù)23GB/T42691,4—2023中表12參數(shù)27、參數(shù)28GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016IUT節(jié)點(diǎn)作為B類設(shè)備初始狀態(tài)工作條件：VBATTARYVBsVGxpiVs?VpVpVGxt帶0.1×VBATTERy的振幅，0.5×0.1×VBATTERY偏移和5Hz頻率的正弦波0.03×VATTERY0.03×VjaTTERY0.1×VBATTERY20pF(包含示波器的輸入電容)2.4kΩ(±0.1%):僅適用于集成的開漏收發(fā)器測(cè)試步驟TXD1中的信號(hào)設(shè)置為10kHz。測(cè)試需要在具備R1=1kQ(±0.1%)和C1=1nF(±1%)的情況下執(zhí)行。測(cè)試應(yīng)當(dāng)在R1=500Ω(±0.1%)和C1=10nF(±1%)的情況下重復(fù)操作響應(yīng)RXD2的占空比測(cè)量值應(yīng)在0.376～0.601之間(D1-2ps～D2+2ps)參考GB/T42691.4—2023中表10參數(shù)22GB/T42691.4—2023中表12參數(shù)27、參數(shù)28IUT節(jié)點(diǎn)作為B類設(shè)備初始狀態(tài)工作條件：VBAITARYVpsiVGNDIVhs2VGNteVpV@0.03×VeATTERY0.1×VTTERY[0.5×sin(2×π×5×1)+0.5]×0.1×VBATTERY帶偏移的5Hz正弦信號(hào)0.03×ViATTER)20pF(包含示波器的輸入電容)2.4kΩ(±0.1%);僅適用于集成的開漏收發(fā)器測(cè)試步驟TXD1中的信號(hào)設(shè)置為10kHz。測(cè)試需要在具備R1=1kQ(±0.1%)和C1=1nF(±1%)的情況下執(zhí)行。測(cè)試應(yīng)當(dāng)在R1=500Ω(±0.1%)和C1=10nF(±1%)的情況下重復(fù)操作響應(yīng)RXD2的占空比測(cè)量值應(yīng)在0.376～0.601之間(D1-2μs～D2+2ps)參考GB/T42691.4—2023中表10參數(shù)22GB/T42691.4—2023中表12參數(shù)27、參數(shù)28GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016Vgs=VpsRMLASwm:[Vsm/vnxlRMLASRXmsLINmsLINIUT節(jié)點(diǎn)作為B類設(shè)備作為主節(jié)點(diǎn)或從節(jié)點(diǎn)A類設(shè)備起始狀態(tài)工作條件：Vur=GND失效0<Vsus<18VRMEASVnr:[Vsup/Vaxt]電源丟失測(cè)試步驟電源與IUTViur引腳斷開。Vhus=以2V/s斜率在[0V,18V]范圍內(nèi)上升或下降的信號(hào)響應(yīng)在整個(gè)測(cè)試期間，總線和IUT之間不應(yīng)形成寄生電流路徑。Isus應(yīng)小于100μA,這意味著在R=10kΩ上產(chǎn)生1V的電壓降。重新連接電源后，IUT應(yīng)在故障恢復(fù)后重啟參考GB/T42691.4—2023中表10參數(shù)16GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016圖16表示了測(cè)試系統(tǒng)“斷地”的測(cè)試配置。Vpsinn:[Vsp/VnxlRXLINLIN圖16測(cè)試系統(tǒng)：斷地表35測(cè)試系統(tǒng)：斷地IUT節(jié)點(diǎn)作為B類設(shè)備作為從節(jié)點(diǎn)A類設(shè)備初始狀態(tài)工作條件：Viur;[Vsup/VHAt]GNDsup/GNDBAT=Vwr失效RMEASVur=Vpsi=12V本地GND對(duì)Vwr短路對(duì)地丟失測(cè)試步驟IUT與地失去連接。VBus=以2V/s斜率在[oV,18V]范圍內(nèi)上升或下降的信號(hào)響應(yīng)在整個(gè)測(cè)試期間，總線和IUT之間不應(yīng)形成寄生電流路徑。Isus應(yīng)包含在±1mA中，這意味著在RMEas=1kΩ上產(chǎn)生1V的電壓降。重新連接電源后，1UT應(yīng)在故障恢復(fù)后重啟參考GB/T42691.4—2023中表10參數(shù)155.2.10[EPL-CT22]驗(yàn)證內(nèi)部電容和動(dòng)態(tài)干擾—IUT作為從節(jié)點(diǎn)本測(cè)試目的是在正常和故障條件下檢查IUT的內(nèi)部電容。當(dāng)IUT處于隱性(無發(fā)送)或者無電源狀態(tài)時(shí)不應(yīng)動(dòng)態(tài)干擾總線信號(hào)。如果存在可切換的內(nèi)部上拉電阻，內(nèi)部上拉電阻應(yīng)處于活動(dòng)狀態(tài)。圖17表示了測(cè)試系統(tǒng)“驗(yàn)證內(nèi)部電容和動(dòng)態(tài)干擾—IUT作為從節(jié)點(diǎn)”的測(cè)試配置。GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016VgRRpFVπ:[Vstm/YAAr]LINRcoM表36定義了測(cè)試系統(tǒng)“基于IUT配置的開關(guān)設(shè)置”。表36測(cè)試系統(tǒng)：基于IUT配置的開關(guān)設(shè)置開關(guān)設(shè)置描述常閉。如果IUT具有可切換和停用的內(nèi)部上拉電阻(如在斷電條件下),則打開S3常閉。如果IUT是3針腳節(jié)點(diǎn)或者ECU,且IUT中包含反極性保護(hù)，則打開S4S5A/S5B當(dāng)用硬線連接IUT的情況下。在基準(zhǔn)測(cè)量時(shí)，關(guān)閉S5A和S5B,并斷開IUT與硬線的連接，因此線束電容計(jì)入基準(zhǔn)中IUT節(jié)點(diǎn)作為B類設(shè)備作為從節(jié)點(diǎn)A類設(shè)備[EPL-CT22].1.[EPL-CT22].2.[EPL-CT22]起始狀態(tài)工作條件：VwT:[Vsup/VnaT]RcoMMONCcoMMONRREFCREF750pF(1.5nF+1.5nF串聯(lián))(±1%)30kΩ(±0.1%)250pF(100pFll150pF并聯(lián))(±1%)測(cè)試步驟使用一個(gè)占空比為50%的10kHz方波信號(hào)驅(qū)動(dòng)LIN總線。上升時(shí)間≤20ns。在斜率電壓的10%、90%處測(cè)量斜率時(shí)間。S5B閉合：使用一個(gè)250pF的已知電容+750pF測(cè)量上升時(shí)間TkEF。S5A閉合：通過IUT內(nèi)部電容+750pF測(cè)量上升時(shí)間Tint表37測(cè)試系統(tǒng)：驗(yàn)證內(nèi)部電容和動(dòng)態(tài)干擾—IUT作為從節(jié)點(diǎn)(續(xù))響應(yīng)CsLAvE≤250pF:Tm≤TgeFIUT不能被動(dòng)態(tài)激勵(lì)干擾參考GB/T42691.4—2023中5.3.6參數(shù)37GB/T42691.4—2023中5.3.9.2表38定義了測(cè)試用例“驗(yàn)證內(nèi)部電容和動(dòng)態(tài)干擾—IUT為從節(jié)點(diǎn)”。表38測(cè)試用例：驗(yàn)證內(nèi)部電容和動(dòng)態(tài)干擾—IUT作為從節(jié)點(diǎn)EPL-CT-TC條件正常供電下IUT應(yīng)處于正常模式IUT對(duì)GND丟失(IUT的GND對(duì)電源短接)IUT對(duì)Vps丟失(IUTVur:[Vsup/VBAt]對(duì)GND短接)5.3工作模式終端5.3.1概述將一個(gè)外部電阻Rm.連接到LIN引腳。為了獲得內(nèi)部電阻值，需要測(cè)量電流和電壓。通過兩種不Rm處電壓(用Rme)VRint_mensl=Viwr-Vdiodk-Vmeasl=(Imeast—Ieki)×Rm (1)Rm處電壓(用Rmea2)VRintmeas2=V?ur-Vdiode-Vmeas2=(Imeast—IIek2)×Rm (2)公式(1)一公式(2)=公式(3) (3)假設(shè)計(jì)算內(nèi)部電阻：…………(4)圖18表示了測(cè)試系統(tǒng)“工作模式”的測(cè)試配置。GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016遠(yuǎn)程控制電源VsRNYt:[Vsup/IAxr]被測(cè)對(duì)象Iuk1/2LINI?/2GND圖18測(cè)試系統(tǒng)“工作模式”5.3.2[EPL-CT23]測(cè)量?jī)?nèi)部電阻—IUT作為從節(jié)點(diǎn)表39測(cè)試系統(tǒng)“測(cè)量?jī)?nèi)部電阻—IUT作為從節(jié)點(diǎn)”IUT節(jié)點(diǎn)作為A類設(shè)備B類設(shè)備作為從節(jié)點(diǎn)起始狀態(tài)參數(shù)：20kΩ(±0.1%)工作條件：Vur:[Vsur/VnAT]測(cè)試步驟IUT應(yīng)處于工作/激活模式。LIN總線上沒有通信。如果IUT包含總線顯性狀態(tài)超時(shí)檢測(cè)，將禁用1UT的上拉電阻，則應(yīng)在檢測(cè)到超時(shí)之前進(jìn)行測(cè)量響應(yīng)Rm值應(yīng)包含在[20kQ.60kQ]范圍內(nèi)，見公式(4)參考GB/T42691.4—2023中表11的參數(shù)26GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:20165.3.3[EPL-CT24]測(cè)量?jī)?nèi)部電阻—IUT作為主節(jié)點(diǎn)表40測(cè)試系統(tǒng)：測(cè)量?jī)?nèi)部電阻—IUT作為主節(jié)點(diǎn)IUT節(jié)點(diǎn)作為B類設(shè)備作為主節(jié)點(diǎn)起始狀態(tài)參數(shù)：Rmea!Rmeas22kΩ(土0.1%)工作條件：Vur:[Vsup/VnAr]測(cè)試步驟IUT應(yīng)處于運(yùn)行/激活模式。LIN總線上沒有通信。如果IUT包含總線顯性狀態(tài)超時(shí)檢測(cè)，將禁用IUT的上拉電阻，則應(yīng)在檢測(cè)到超時(shí)之前進(jìn)行測(cè)量響應(yīng)R.值應(yīng)包括在[900Ω,1100Ω]范圍內(nèi)，參見公式(4)。Rmal=1kΩ(±0.1%);Rma=2kΩ(±0.1%)參考GB/T42691.4—2023中表11的參數(shù)25靜態(tài)測(cè)試用例的目的是檢查IUT數(shù)據(jù)表中的可用性和邊界。對(duì)于所有集成電路，表41中的每個(gè)相關(guān)參數(shù)應(yīng)成為數(shù)據(jù)表的一部分，并滿足物理最壞情況下的規(guī)定邊界。數(shù)據(jù)表參數(shù)名稱可能偏離表41中的名稱，但在這種情況下，應(yīng)為此測(cè)試提供交叉參考列表(數(shù)據(jù)表與表41)。如果數(shù)據(jù)表?xiàng)l件至少符合表41中的物理最壞情況，則參數(shù)條件可能偏離表41中的條件。表10和表20。表41定義了測(cè)試系統(tǒng)“集成電路數(shù)據(jù)表的LIN靜態(tài)測(cè)試參數(shù)”。表41測(cè)試系統(tǒng)“集成電路數(shù)據(jù)表的LIN靜態(tài)測(cè)試參數(shù)”序號(hào)參考參數(shù)最小值最大值單位備注/條件適用范圍測(cè)試通過參考值≤≥1參數(shù)9VBAr"VECU工作電壓范圍所有帶有集成反極性二極管的設(shè)備最小值最大值2參數(shù)10Vsup"V電源電壓范圍所有沒有集成反極性二極管的設(shè)備最小值最大值3參數(shù)11VsupNONOP—0.340.0V電壓范圍內(nèi)設(shè)備未損壞。最大值時(shí)的工作時(shí)間應(yīng)至少為400ms。無法保證正常工作所有設(shè)備最小值最大值4參數(shù)82—27.040.0V電壓范圍內(nèi)設(shè)備未損壞。最大值時(shí)的工作時(shí)間應(yīng)至少為400ms。無法保證正常工作所有設(shè)備最小值最大值GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016表41測(cè)試系統(tǒng)“集成電路數(shù)據(jù)表的LIN靜態(tài)測(cè)試參數(shù)”(續(xù))序號(hào)參考參數(shù)最小值最大值單位備注/條件適用范圍測(cè)試通過參考值≤≥5參數(shù)12mA驅(qū)動(dòng)顯性狀態(tài)電流限制驅(qū)動(dòng)打開VBus=VBAT所有帶有集成LIN發(fā)送器的設(shè)備最小值最大值6參數(shù)13mA接收器處的輸入漏電流。從節(jié)點(diǎn)上拉電阻值參考參數(shù)26驅(qū)動(dòng)關(guān)閉Vpws=0VVBAT=12V所有帶有集成從節(jié)點(diǎn)上拉電阻的設(shè)備最小值7參數(shù)14Ipus_PAS_me驅(qū)動(dòng)關(guān)閉8V<VBx<18V8V<Vgts<18VVBus>VBAT所有設(shè)備最大值8參數(shù)151mA控制單元與地面斷開連接GNDpevic=Vsup0V<Vpus<18VVBar=12V本地地面的丟失不應(yīng)影響剩余網(wǎng)絡(luò)中的通信所有設(shè)備最大值最小值9參數(shù)16V斷開Vsup=GND0V<Vbus<18V節(jié)點(diǎn)應(yīng)維持在這種情況下可以流動(dòng)的電流。在此條件下，總線應(yīng)保持工作狀態(tài)所有設(shè)備最大值參數(shù)17Vsup接收器顯性狀態(tài)所有帶有集成LIN接收器的設(shè)備最大值參數(shù)18VBUs—Vsup接收器隱性狀態(tài)所有帶有集成LIN接收器的設(shè)備最小值參數(shù)19VsupVHscxr=(Vbam+Vbm)/2°所有帶有集成LIN接收器的設(shè)備最大值最小值參數(shù)20VHysVsupVhys=Vnm.-Vdom所有帶有集成LIN接收器的設(shè)備最大值參數(shù)27D1(占空比1)THk(m)=0.744×Vsup;THpom(mo=0.581×Vsup;Vsup=7.0V～18V:D1=tBmrecmms/(2×tsrr)在20kbit/s條件下，所有集成設(shè)備最小值GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016序號(hào)參考參數(shù)最小值最大值單位備注/條件適用范圍≤≥參數(shù)28D2(占空比2)THReetmin)=0.422×Vsup;THpa(min)=0.284×Vsup;Vsup=7.6V～18V;D2=Ihatre(mux)/在20kbit/s條件下，所有集成LIN發(fā)送器的設(shè)備最大值一參數(shù)29D3(占空比3)THptm=0.778×Vsup;THamm(max)=0.616×Vsup;Vsp=7.0V～18V;D3=1Busre(min/(2×tarr)條件下，所有集成LIN發(fā)送器的設(shè)備最小值參數(shù)30D4(占空比4)THecmim)=0.389×Vsup;THpom(mn=0.251×Vsup;Vsup=7.6V～18V;D4=1Bnore(mx)/(2×tar)條件下，所有集成LIN發(fā)送器的設(shè)備最大值參數(shù)316接收器的傳輸延遲所有帶有集成LIN接收器的設(shè)備最大值參數(shù)32trx_sym2接收器傳輸延遲上升沿相對(duì)于下降沿的對(duì)稱性所有帶有集成LIN接收器的設(shè)備最大值最小值參數(shù)26RsAVE所有集成從節(jié)點(diǎn)上拉電阻的設(shè)備最大值最小值參數(shù)25RMASTERΩ串行二極管是強(qiáng)制性的。僅適用于集成主節(jié)點(diǎn)上拉電阻的收發(fā)器所有集成主節(jié)點(diǎn)上拉電阻的設(shè)備最大值最小值參數(shù)37CsLAVE從節(jié)點(diǎn)電容所有LIN的從節(jié)點(diǎn)設(shè)備最大值6.3.7.1LIN設(shè)備狀態(tài)改變所有關(guān)于條件事件(如溫度關(guān)閉)的LIN設(shè)備狀態(tài)變化應(yīng)在LIN設(shè)備數(shù)據(jù)表中指定所有設(shè)備LIN收發(fā)器輸入電容最大LIN收發(fā)器輸入電容應(yīng)在LIN設(shè)備數(shù)據(jù)表中指定。請(qǐng)考慮數(shù)據(jù)表的限制(例如電壓、溫度)值應(yīng)盡可能地小所有設(shè)備一"Vmar表示控制單元連接器處的電源電壓，可能與電子元件的內(nèi)部電源Vsup不同(見GB/T42691.4—2023中Vsup表示控制單元內(nèi)部收發(fā)器的電源電壓，可能與控制單元的外部電源VaAr不同(見GB/T42691.4—2023中Ipts:流入節(jié)點(diǎn)的電流。“收發(fā)器應(yīng)至少能下降40mA。在直流條件下，流入節(jié)點(diǎn)的最大電流不應(yīng)超過200mA,以避免可能的損壞。V:隱性到顯性LIN總線邊緣的接收器閾值。V:顯性到隱性LIN總線邊緣的接收器閾值。GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:20166不具有RX和TX接入的12VLIN設(shè)備電氣物理層本章適用于C類設(shè)備。6.1測(cè)試規(guī)范概述本規(guī)范適用于無TX和RX引腳的電氣設(shè)備(見ISO17987-4)的LIN一致性測(cè)試。這可能是集成由于無法訪問TX引腳，IUT被激勵(lì)向總線發(fā)送LIN幀用以測(cè)試設(shè)備傳輸功能。測(cè)試系統(tǒng)會(huì)評(píng)估由于無法訪問RX引腳，需要通過測(cè)試系統(tǒng)和IUT之間的通信來測(cè)試IUT的接收。6.2通信方案根據(jù)IUT的類型(主/從C類設(shè)備),一致性測(cè)試使用多種不同的通信方案，見6.2.2～6.在ISO17987-3一致性中指定的下列測(cè)試幀(必要的)用于從節(jié)點(diǎn)的測(cè)試。表42定義了用于從節(jié)點(diǎn)測(cè)試的測(cè)試幀。表42用于從節(jié)點(diǎn)測(cè)試的測(cè)試幀測(cè)試幀測(cè)試幀需求TST_FRM_RDBI_0通過標(biāo)識(shí)符讀取(標(biāo)識(shí)符=0)根據(jù)IUT規(guī)范和測(cè)試用例規(guī)范，其他所有參數(shù)應(yīng)填入默認(rèn)值TST_HDR_SR_3D從節(jié)點(diǎn)響應(yīng)幀頭，標(biāo)識(shí)符=3D??除非測(cè)試用例另有定義，否則測(cè)試系統(tǒng)作為主節(jié)點(diǎn)，主節(jié)點(diǎn)以支持的最大比特率周期性地發(fā)送TST_FRM_RDBI_0,然后發(fā)送TST_HDR_SR_3D。一個(gè)TST_FRM_RDBI_0后接TST_HDR_SR_3D稱為一個(gè)通信周期。如果作為從節(jié)點(diǎn)的IUT能夠正確響應(yīng)(攜帶正響應(yīng)或者負(fù)響應(yīng)，取決于TST_FRM_RDBI_0)TST_HDR_SR_3D,就可認(rèn)為是一個(gè)成功的通信周期。6.2.3IUT作為主節(jié)點(diǎn)如果允許，測(cè)試應(yīng)用程序需安裝在作為主節(jié)點(diǎn)的IUT上。測(cè)試程序需支持以下測(cè)試方案：測(cè)試系統(tǒng)和IUT之間的通信應(yīng)按照如下方式進(jìn)行：2)IUT作為主節(jié)點(diǎn)：發(fā)送一個(gè)幀頭(ID=01),然后是一個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)的響應(yīng)(計(jì)數(shù)器=[00])和檢4)IUT作為主節(jié)點(diǎn)：發(fā)送幀頭(ID=021?,十六進(jìn)制);GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:20165)測(cè)試系統(tǒng)作為從節(jié)點(diǎn)：如果發(fā)送標(biāo)志位置位，則使用一個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)(儲(chǔ)存的計(jì)數(shù)=[00])器累加1;7)轉(zhuǎn)到步驟2)。步驟2)～步驟7)的序列稱為一個(gè)通信周期。如果計(jì)數(shù)器在步驟6中遞增，則認(rèn)為是一個(gè)成功的通應(yīng)能夠通過IUT(例如通過設(shè)置輸入引腳)來停止LIN幀頭的傳輸，以便LIN總線保持靜默。率和10.417kbit/s或者更如果沒有測(cè)試軟件可以安裝在作為主節(jié)點(diǎn)的IUT(例如集成設(shè)備)上，則使用設(shè)備特定的通信方案，該方案應(yīng)允許驗(yàn)證IUT作為主節(jié)點(diǎn)是否正確接收來自測(cè)試系統(tǒng)的響應(yīng)。6.2.4IUTC類設(shè)備對(duì)于C類設(shè)備(例如帶有集成收發(fā)器的微控制器或帶有集成UART和收發(fā)器的SBC),需要一個(gè)測(cè)試應(yīng)用程序。測(cè)試應(yīng)用程序的類型取決于集成設(shè)備的類型。此設(shè)備類型僅支持從節(jié)點(diǎn)程序。對(duì)于一致性測(cè)試，作為從節(jié)點(diǎn)的IUTC類設(shè)備配備了一個(gè)測(cè)試應(yīng)用程序，該應(yīng)用程序應(yīng)支持以下——應(yīng)用程序可以適應(yīng)設(shè)備支持的所有比特率：測(cè)試系統(tǒng)與IUT之間的通信應(yīng)按照如下方式進(jìn)行：2)測(cè)試系統(tǒng)為主節(jié)點(diǎn)：發(fā)送一個(gè)幀頭(ID=01??),然后是一個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)的響應(yīng)(計(jì)數(shù)器=[00])和5)IUT為從節(jié)點(diǎn)：如果設(shè)置了發(fā)送標(biāo)志位，則使用一個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)(儲(chǔ)存的計(jì)數(shù)=[00])和校驗(yàn)和6)測(cè)試系統(tǒng)為主節(jié)點(diǎn)：如果IUT作為從節(jié)點(diǎn)應(yīng)答無誤，并且接收的計(jì)數(shù)器值等于發(fā)送的計(jì)數(shù)器值，則計(jì)數(shù)器累加1;7)轉(zhuǎn)到步驟2)。步驟2)～步驟7)的序列稱為一個(gè)通信周期。如果計(jì)數(shù)器在步驟6)中遞增，則認(rèn)為是一個(gè)成功的通信周期。此設(shè)備類型僅支持主節(jié)點(diǎn)應(yīng)用程序。如果IUT沒有集成主節(jié)點(diǎn)上拉電阻，則應(yīng)配備IUT數(shù)據(jù)表中規(guī)定的外部上拉電路。如果IUT數(shù)GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016據(jù)表中沒有規(guī)定上拉電路，則使用圖19中所述的電路。圖19表示了默認(rèn)的主節(jié)點(diǎn)上拉電路。D(1N418)R(1kQ/0.1%)Vu:[Vsup/VBAtl圖19默認(rèn)的主節(jié)點(diǎn)上拉電路對(duì)于一致性測(cè)試，作為主節(jié)點(diǎn)的IUTC類設(shè)備配備了一個(gè)測(cè)試應(yīng)用程序，該應(yīng)用程序應(yīng)支持以下測(cè)試方案：測(cè)試系統(tǒng)與IUT之間的通信應(yīng)按照如下方式進(jìn)行：1)計(jì)數(shù)器=0;2)IUT為主節(jié)點(diǎn)：發(fā)送一個(gè)幀頭(ID=01??),然后是一個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)的響應(yīng)(計(jì)數(shù)器=[00])和檢3)測(cè)試系統(tǒng)為從節(jié)點(diǎn)：如果幀接收無誤，則存儲(chǔ)接收到的計(jì)數(shù)器并設(shè)置發(fā)送標(biāo)志位；5)測(cè)試系統(tǒng)為從節(jié)點(diǎn)：如果發(fā)送標(biāo)志位置位，則使用一個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)(儲(chǔ)存的計(jì)數(shù)器=[00])和校驗(yàn)6)IUT作為主節(jié)點(diǎn)：如果測(cè)試系統(tǒng)作為從節(jié)點(diǎn)應(yīng)答無誤，并且接收的計(jì)數(shù)器值等于發(fā)送的計(jì)數(shù)7)轉(zhuǎn)到步驟2)。步驟2)～步驟7)的序列稱為一個(gè)通信周期。如果計(jì)數(shù)器在步驟6)中遞增，則認(rèn)為是一個(gè)成功的應(yīng)能夠通過IUT(例如通過設(shè)置端口引腳)來停止LIN幀頭的傳輸，以便LIN總線保持靜默。10.417kbit/s或者更低之間進(jìn)行選擇(例如通過設(shè)置端口引腳)。一個(gè)IUT配備6.2.4.2中所述的從節(jié)點(diǎn)應(yīng)用程序。一個(gè)IUT配備6.2.4.3中所述的主節(jié)點(diǎn)應(yīng)用程通信。通信方案按照如下進(jìn)行：1)計(jì)數(shù)器=0;2)IUT為主節(jié)點(diǎn)：發(fā)送一個(gè)幀頭(ID=01?),然后是一個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)的響應(yīng)(計(jì)數(shù)器=00)和檢GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:20165)IUT作為從節(jié)點(diǎn)：如果發(fā)送標(biāo)志位置位，則使用一個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)(儲(chǔ)存的計(jì)數(shù)器=[00])和校驗(yàn)則計(jì)數(shù)器累加1;7)轉(zhuǎn)到步驟2)。步驟2)～步驟7)的序列稱為一個(gè)通信周期。如果計(jì)數(shù)器在步驟6)中遞增，則認(rèn)為是一個(gè)成功的如果主/從節(jié)點(diǎn)應(yīng)用程序的選擇不影響設(shè)備的物理層(如開關(guān)內(nèi)部上拉電阻),則配備從節(jié)點(diǎn)應(yīng)用程序的IUT用于所有剩余的測(cè)試用例，并被視為IUTC類設(shè)備作為從設(shè)備。如果主/從節(jié)點(diǎn)應(yīng)用程序的選擇確實(shí)影響了設(shè)備的物理層，對(duì)于主/從節(jié)點(diǎn)測(cè)試參數(shù)不同的測(cè)試用例，IUT應(yīng)作為IUTC類設(shè)備作為從節(jié)點(diǎn)和IUTC類設(shè)備作為主節(jié)點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試。在執(zhí)行測(cè)試之前，應(yīng)將測(cè)試系統(tǒng)設(shè)置為6.5中所描述的初始狀態(tài)。測(cè)試過程和預(yù)期結(jié)果以圖表的形式描述每個(gè)測(cè)試用例。表43是一個(gè)典型的測(cè)試描述，定義了測(cè)試用例組成。表43測(cè)試用例組成IUT節(jié)點(diǎn)作為A/B/C類設(shè)備作為主設(shè)備或者從設(shè)備，或兩者都有對(duì)應(yīng)的測(cè)試編號(hào)TCx、TCy,其中x、y是測(cè)試用例編號(hào)初始狀態(tài)參數(shù)：節(jié)點(diǎn)數(shù)總線負(fù)載測(cè)試實(shí)施中的節(jié)點(diǎn)數(shù)為了模擬LIN網(wǎng)絡(luò)工作條件：IUT模式VBAT、Vsur、Vur失效IUT工作模式(如正常模式、低功耗模式……)電壓值為了將失效設(shè)置為電壓值測(cè)試步驟描述測(cè)試階段響應(yīng)描述預(yù)期的結(jié)果，以決定測(cè)試是通過還是失敗參考GB/T42691.4—2023對(duì)應(yīng)的編號(hào)根據(jù)IUT的類型，C類設(shè)備的電源電壓為VBAT,A類設(shè)備的電源電壓為Vsup,在描述中統(tǒng)稱6.4測(cè)量和信號(hào)生成要求測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)能發(fā)送具有可調(diào)隱性/顯性電平的LIN幀，例如測(cè)GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016響應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)發(fā)送的LIN幀頭。如圖20所示，測(cè)試系統(tǒng)作為主節(jié)點(diǎn)發(fā)送可調(diào)節(jié)的顯性電平(VDomts)LIN幀頭，IUT作為從節(jié)點(diǎn)發(fā)VInVIn響應(yīng)作為從節(jié)點(diǎn)的IUT發(fā)送響應(yīng)同步場(chǎng)測(cè)試系統(tǒng)發(fā)送幀頭間隔場(chǎng)PID如圖21所示，測(cè)試系統(tǒng)作為主節(jié)點(diǎn)發(fā)送可調(diào)節(jié)的隱性電平(VRets)LIN幀頭，IUT作為從節(jié)點(diǎn)發(fā)k同步場(chǎng)測(cè)試系統(tǒng)發(fā)送幀頭作為從節(jié)點(diǎn)的IUT發(fā)送響應(yīng)間隔場(chǎng)響應(yīng)PID圖21測(cè)試系統(tǒng)作為主節(jié)點(diǎn)發(fā)送可調(diào)節(jié)的隱性電平(VReeis)LIN幀頭，測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)能發(fā)送LIN幀頭和響應(yīng)，并能接收LI測(cè)試系統(tǒng)的數(shù)據(jù)生成可以按照?qǐng)D22所示實(shí)現(xiàn)。GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016VRICIsYGNDpxMTsLIN總線RXGND圖22數(shù)據(jù)生成數(shù)據(jù)生成包括兩個(gè)電源，為數(shù)據(jù)生成傳輸?shù)腖IN幀提供隱性和顯性電平(VRis和VIm.Is)。數(shù)據(jù)生成應(yīng)能夠通過使用低阻抗路徑(Swl)將LIN總線連接到其隱性電壓電源來傳輸隱性位，以便當(dāng)Vur>VunBus,傳輸?shù)碾[性電平不會(huì)被IUT內(nèi)部的上拉電阻干擾。如果必要，內(nèi)部隱性電平VReers作在使用數(shù)據(jù)生成的測(cè)試用例中Vpom.rs和VRecrs/Vpll被指定。表44定義了數(shù)據(jù)生成、信號(hào)測(cè)量和電源要求。數(shù)據(jù)生成分辨率精度值的0.2%上升/下降時(shí)間位定時(shí)精度20×10-6內(nèi)部電阻信號(hào)測(cè)量動(dòng)態(tài)信號(hào)示波器100MHz上升時(shí)間≤3.5ns靜態(tài)信號(hào)直流電壓直流電流電阻電源分辨率精度值的0.2%GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:20166.5工作條件校準(zhǔn)表45定義了每個(gè)測(cè)試用例的初始配置，每個(gè)測(cè)試用例中都指定了單個(gè)測(cè)試的任何要求。表45電氣輸入/輸出的初始狀態(tài)參數(shù)節(jié)點(diǎn)數(shù)量1總線負(fù)載操作條件VBAT、Vsup、Vwr、Vps每次測(cè)試單獨(dú)定義失效無失效6.5.2[EPL-CT25]工作電壓范圍該測(cè)試應(yīng)通過正確接收顯性位來確保在有效的電源電壓范圍內(nèi)的正確操作。因此，具有遞增/遞減電壓斜率的IUT被提供。圖23表示了測(cè)試系統(tǒng)“無RX和TX接入的工作電壓范圍”的測(cè)試配置。p中遠(yuǎn)程控制電源VsRgug數(shù)據(jù)生成被測(cè)對(duì)象LINLINBVRECVpoMr?GNT)圖23測(cè)試系統(tǒng)：無RX和TX接入的工作電壓范圍40GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016表46測(cè)試系統(tǒng)：無RX和TX接入的工作電壓范圍IUT節(jié)點(diǎn)作為C類設(shè)備作為主設(shè)備C類設(shè)備作為從設(shè)備初始狀態(tài)工作條件：Viur:[Vsup/VHAT]VDoenTS見表47測(cè)試步驟按表47中定義在VBat/Vsup上設(shè)置電壓斜率。測(cè)試系統(tǒng)和IUT之間建立LIN通信響應(yīng)信號(hào)斜率期間發(fā)送的所有IUT通信都應(yīng)成功參考GB/T42691.4—2023中表10的參數(shù)9和參數(shù)10表47測(cè)試用例：無RX和TX接入的工作電壓范圍EPL-CT-TCVwr范圍：[Vsup范圍/VaAt范圍]信號(hào)斜率Rpus0.1V/s30kΩ(±0.1%)0.1V/s30kΩ(士0.1%)0.1V/s0.1V/s這組測(cè)試用于檢查IUT的接收器閾值電壓是否在整個(gè)指定的工作電源電壓范圍內(nèi)正確實(shí)現(xiàn)。測(cè)試系統(tǒng)與IUT之間建立通信，在此期間，由測(cè)試系統(tǒng)傳輸?shù)腖IN幀的顯性或隱性電平隨外加電源電壓圖24顯示了測(cè)試系統(tǒng)“IUT作為接收器在Vsup時(shí)測(cè)試VBtsdom(LIN電壓下降)”的測(cè)試配置。41GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016Vp生成LINVxM25GND圖24測(cè)試系統(tǒng)：IUT作為接收器在Vsup時(shí)測(cè)試VBtsdom(LIN電壓下降)IUT節(jié)點(diǎn)作為C類設(shè)備作為從節(jié)點(diǎn)[EPL-CT26].1,[EPL-CT26].2,[EPL-CT26]C類設(shè)備作為主節(jié)點(diǎn)[EPL-CT26].4,[EPL-CT26].5,[EPL-CT26]初始狀態(tài)工作條件：Vur:[Vsur]V?os_TSVReeTs/VpiRpts表49測(cè)試步驟測(cè)試系統(tǒng)和IUT之間建立通信。對(duì)于每個(gè)測(cè)試用例，測(cè)試系統(tǒng)傳輸?shù)某跏硷@性電平是表49中定義的最低電壓。測(cè)試系統(tǒng)傳輸?shù)娘@性電平在每個(gè)IUT通信周期后增加20mV,直到表49中定義的每個(gè)測(cè)試用例的最高電平。通信成功的最后一個(gè)Viom被記錄為Vha。測(cè)試系統(tǒng)作為主節(jié)點(diǎn)和作為從節(jié)點(diǎn)的IUT之間的通信示例，見圖20。數(shù)據(jù)生成單元的要求見6.4.1響應(yīng)通信是否成功定義在表49中參考GB/T42691.4—2023中表10參數(shù)17、參數(shù)18GB/T42691.4—2023中圖442GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016EPL-CT-TCVnr:[Vsup]Vpom_TsVgTS期望的通信結(jié)果成功1kΩ(士0.1%)失敗成功失敗成功失敗成功30kΩ(±0.1%)失敗成功失敗成功失敗p遠(yuǎn)程控制電源Vps數(shù)據(jù)生成u:[Vsup]被測(cè)對(duì)象RousLINbuYarcisGND測(cè)試設(shè)備圖25測(cè)試系統(tǒng)：IUT作為接收器在Vsup時(shí)測(cè)試VBts(LIN電壓上升)43GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016表50定義了測(cè)試系統(tǒng)“IUT作為接收器在Vsup時(shí)測(cè)試VBUse(LIN電壓上升)”。IUT節(jié)點(diǎn)作為C類設(shè)備作為從節(jié)點(diǎn)[EPL-CT27].1.[EPL-CT27],2,[EPL-CT27],3C類設(shè)備作為主節(jié)點(diǎn)[EPL-CT27].4.[EPL-CT27].5,[EPL-CT27]初始狀態(tài)工作條件：Vnr:[Vsup]Vtm_TsVRo_is/VpilRpus見表51測(cè)試步驟測(cè)試系統(tǒng)和IUT之間建立通信。對(duì)于每個(gè)測(cè)試用例，測(cè)試系統(tǒng)傳輸?shù)某跏硷@性電平是表51中定義的最高電壓。測(cè)試系統(tǒng)傳輸?shù)碾[性電平在每個(gè)IUT通信周期后降低20mV,直到表51中定義的每個(gè)測(cè)試的最低電平。通信成功的最后一個(gè)VRac記錄為Vim。測(cè)試系統(tǒng)作為主節(jié)點(diǎn)和作為從節(jié)點(diǎn)的IUT之間的通信示例，見圖21。數(shù)據(jù)生成單元的要求見6.4.1章節(jié)響應(yīng)通信是否成功取決于表51中的定義參考GB/T42691.4—2023中表10參數(shù)17、參數(shù)18GB/T42691,4—2023中圖4EPL-CT-TCVur:[Vsup]Vpom.T?VRecTs期望的通信結(jié)果總線電阻Rps—1.05V成功失敗—2.1V成功失敗—2.7V成功失敗-1.05V成功30kΩ(±0.1%)失敗—2.1V成功失敗—2.7V成功失敗44GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016該測(cè)試應(yīng)能驗(yàn)證接收器閾值的對(duì)稱性，衡量6.5.3.3中測(cè)量的Vndom(3個(gè)值)和6.5.3.2中測(cè)量的表52定義了測(cè)試系統(tǒng)“IUT作為接收器：在Vsup時(shí)測(cè)試VBus”。IUT節(jié)點(diǎn)模式C類設(shè)備作為從節(jié)點(diǎn)C類設(shè)備作為主節(jié)點(diǎn)初始狀態(tài)工作條件：Viur:[Vsup]見表53測(cè)試步驟計(jì)算VhtscNr=(Vidom十Vnm)/2且Vhys=Vum-Vndm響應(yīng)VBUscnt在[0.475,0.525]×Vsup范圍內(nèi)，VHys應(yīng)小于0.175×Vsup參考GB/T42691,4—2023中表10參數(shù)19、參數(shù)20表53定義了測(cè)試用例“IUT作為接收器：在Vsup時(shí)測(cè)試Vgus”。EPL-CT測(cè)試用例中測(cè)量的Vm測(cè)試用例中測(cè)試的VnmVur:[Vsup][EPL-CT29]應(yīng)在本測(cè)試中檢查在欠壓和過壓條件下，IUT是否會(huì)影響總線。45GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016Vps?VsiDun:[Vm/Vanr]RpusLINGND表54定義了測(cè)試系統(tǒng)IUT節(jié)點(diǎn)模式C類設(shè)備作為從節(jié)點(diǎn)C類設(shè)備作為主節(jié)點(diǎn)初始狀態(tài)工作條件：Vur:[Vsup/VBaT]Vps2Rnus在表55定義范圍的1V/s斜率的信號(hào)見表55見表55測(cè)試步驟LIN總線上沒有通信。在Vwr:[Vsur/Vnat]上設(shè)置一個(gè)電壓斜率(上升和下降)。在VHAr=40V時(shí)，激勵(lì)持續(xù)t=30s響應(yīng)LIN總線上不應(yīng)出現(xiàn)顯性狀態(tài)。測(cè)試中IUT不能被損壞。之后的隱性電壓應(yīng)與之前的隱性電壓最大偏差應(yīng)為±5%參考GB/T42691.4—2023中表10參數(shù)1146GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016Vwr范圍[Vsup范圍/Vnat范圍]60kΩ(±0.1%)十二極管(1N4148)1.1kΩ(±0.1%)十二極管(1N4148)6.5.5若干條件下的Isus6.5.5.1[EPL-CT30]顯性狀態(tài)(驅(qū)動(dòng))的IstsLM此測(cè)試檢查輸出階段的驅(qū)動(dòng)能力。LIN驅(qū)動(dòng)應(yīng)按照LIN標(biāo)準(zhǔn)將LIN總線拉到一定電壓以下。電流限制是間接測(cè)量的。圖27表示了測(cè)試系統(tǒng)“顯性狀態(tài)(驅(qū)動(dòng))的IgusLm”的測(cè)試配置。u遠(yuǎn)程控制電源數(shù)據(jù)生成Vnr:[Vsp/TaAt]RHtsLINosVRHc_1sVpxMLIsGND圖27測(cè)試系統(tǒng)：顯性狀態(tài)(驅(qū)動(dòng))的IgsLM表56定義了測(cè)試系統(tǒng)“顯性狀態(tài)(驅(qū)動(dòng))的IgusLIM”。47GB/T42691.7—2023/ISO17987-7:2016IUT節(jié)點(diǎn)作為C類設(shè)備作為主節(jié)點(diǎn)C類設(shè)備作為從節(jié)點(diǎn)初始狀態(tài)工作條件：Vur:[Vsup/Vhar]Vpm_TSVReeTS見表57測(cè)試步驟LIN引腳通過Rgus連接Vur:[Vsup/VnAr]。在測(cè)試系統(tǒng)和IUT之間建立LIN通信響應(yīng)一個(gè)通信周期應(yīng)成功。對(duì)于集成設(shè)備，顯性狀態(tài)總線電平應(yīng)低于TH_DOM=0.251×Vu=4.518V,對(duì)于ECU,顯性狀態(tài)總線電平應(yīng)低于TH_DOM=0.251×(Vwr-1V)=4.267V參考GB/T42691.