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文檔簡介

藍色發光二極體BlueLED(SapphireBase藍寶石基材)

切割製程介紹家榮股份有限公司Sapphire的特色Sapphire材質相對於其他材質(Silicon,GaAs,LiNBO3,Quartz…)是屬於較硬的材料.Sapphire的硬度與刀片內所含的人工鑽的硬度相當.SideASideCSapphire有一定的晶格方向,SideA適合用SAW製程,SideC適合用Scriber製程.切割製程晶片規格Wafersize:2”waferWaferthickness:100umtDiesize:0.3x0.3Street:50um目前的切割方法多刀切穿法一刀切穿法表面溝槽法切割方法(一)多刀切穿法特點:切割品質好(Chipping約在3-5um)產能最差晶片面積利用率高刀片壽命最短(一把刀片可切1/4晶片)切割深度控制困難

切割方法(一)多刀切穿法Bladetype:ZH202J-SE27HBCCSpindlerpm:20KCuttingdepth:intowafer15um(eachtime)Cuttingspeed:5mm/s刀片Sapphire切割方法(二)一刀切穿法特點製程較簡單切割品質最差(Chipping約70-90um)刀片壽命最長(一把刀片可切2-3片晶片)產能最大晶片面積利用率最低切割方法(二)一刀切穿法Bladetype:MetalBondorNickelBond

blade(刀片厚度在0.05-0.1mm)Spindlerpm:30KCuttingdepth:CutthroughCuttingspeed:5mm/s刀片Sapphire切割方法(三)表面溝槽法特點切割品質好(Chipping約在3-5um)產能較差晶片面積利用率高刀片壽命短

(一把刀片可切約1-2片晶片)需要額外的機器Scriber和Breaker切割深度不易控制切割方法(三)表面溝槽法Bladetype:ZH202J-SE27HBCCSpindlerpm:20KCuttingdepth:intowafer5-15umCuttingspeed:5mm/sScriber的溝槽SAW的溝槽Breaker固定方法Wax固定效果好製程麻煩成本較低需要額外的加熱設備及清洗設備UVTape固定效果較差製程簡單成本較高需要額外的UV照射機

結論三種切割方法各有其優劣點,臺灣客戶多以表面溝槽法切割藍光LED

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