本文格式為Word版，下載可任意編輯電力電子教材重點學問點總結《電力電子技術》復習題1的技術，是應用于電力領域的電子技術，主要用于電力變換。電力變換的種類〔1AC-DC：整流〔2DC-AC：逆變〔3〕直流變直流DC-DC：一般通過直流斬波電路實現，也叫斬波電路〔4〕溝通變溝通AC-AC：可以是電壓或電力的變換，一般稱作溝通電力把握電力電子技術分類：分為電力電子器件制造技術和變流技術。

4、相控方式;對晶閘管的電路的把握方式主要是相控方式5、斬空方式：與晶閘管電路的相位把握方式對應，承受全空件的電路的主要把握方式為脈沖寬度調制方式。相對于相控方式可稱之為斬空方式。2電力電子器件與主電路的關系〔1務的電路。〔2〕電力電子器件：指應用于主電路中，能夠實現電能變換或把握的電子器件。廣義可分為電真空器件和半導體器件。電力電子器件一般特征：1級。2、都工作于開關狀態，以減小本身損耗。3、由電力電子電路來把握。4、安有散熱器電力電子系統根本組成與工作原理魏 第1頁共12頁本文格式為Word版，下載可任意編輯〔1〕一般由主電路、把握電路、檢測電路、驅動電路、疼惜電路等組成。〔2〕檢測主電路中的信號并送入把握電路，依據這些信號并依據系統工作要求形成電力電子器件的工作信號。〔3〕把握信號通過驅動電路去把握主電路中電力電子器件的導通或關斷。〔4〕同時，在主電路和把握電路中附加一些疼惜電路，以保證系統正常牢靠運行。4電力電子器件的分類依據把握信號所把握的程度分類〔1〕半控型器件：通過把握信號可以把握其導通而不能把握其關SCR〔2〕全控型器件：通過把握信號既可以把握其導通，又可以把握GTO、GTR、MOSFETIGBT。〔3

如電力二極管。依據驅動信號的性質分類〔1SCR、GTO、GTR。〔2MOSFET、IGBT。依據器件內部載流子參與導電的狀況分類〔1MOSFET。〔2〕雙極型器件：由電子和空穴兩種載流子參數導電的器件。如SCR、GTO、GTR。〔3IGBT。5SCR2.3.1.4.4晶閘管的關斷工作原理滿足下面條件，晶閘管才能關斷：〔1AK魏 第2頁共12頁本文格式為Word版，下載可任意編輯〔2〕AK〔3〕設法使流過晶閘管的電流降低到接近于零的某一數值以下。2.3.2.1.1晶閘管正常工作時的靜態根本特性〔1〕當晶閘管承受反向電壓時，不管門極是否有觸發電流，晶閘管都不會導通。〔2〕當晶閘管承受正向電壓時，僅在門極有觸發電流的狀況下晶閘管才能導通。〔3〕晶閘管一旦導通，門極就失去把握作用，不管門極觸發電流是否還存在，晶閘管都保持導通。〔4〕假設要使已導通的晶閘管關斷，只能利用外加電壓和外電路的作用使流過晶閘管的電流降到接近于零的某一數值以下。GTO〔1〕GTOPNPN引出陽極、陰極和門極。

〔2〕GTO與一般晶閘管的不同點：GTO是一種多元的功率集成器GTOGTO陰極和門極在器件內部并聯在一起，正是這種特別構造才能實現門極關斷作用。GTO〔1〕當GTO承受反向電壓時，不管門極是否有觸發電流，晶閘管都不會導通。〔2GTO管才能導通。〔3〕GTOGTOGTO〔4AKGTOMOSFET〔1MOSFET魏 第3頁共12頁本文格式為Word版，下載可任意編輯壓型器件。〔3UGSUTPPNIGBT〔1〕GTRGTO路冗雜。〔2MOSFET所需驅動功率小，驅動電路簡潔。〔3〕復合型器件：將上述兩者器件相互取長補短結合而成，綜合兩者優點。〔4IGBTGTR和MOSFETGTRMOSFET3

〔1的變流裝置。2全控三種；按電路構造分為橋式電路和零式電路；按溝通輸入相數分為單相電路和多相電路，按變壓器二次電流方向是單向雙向可分為單拍電路和雙拍電路。單相半波可控整流電路〔1〕觸發角：從晶閘管開頭承受正向陽極電壓起，到施加觸發脈沖為止的電角度，稱為觸發角或把握角。〔2〕幾個定義u2控器件晶閘管，且交流輸入為單相，因此為單相半波可控整流電路。魏 第4頁共12頁本文格式為Word版，下載可任意編輯3、帶電阻狀況：ud2)、帶阻感負載時5電力電子電路的根本特點及分析方法〔1〕電力電子器件為非線性特性，因此電力電子電路是非線性電路。〔2〕電力電子器件通常工作于通態或斷態狀態，當無視器件的開為開關閉合，其阻抗為零；斷態時認為開關斷開，其阻抗為無窮大。單相橋式全控整流電路帶電阻負載的工作狀況1、單相橋式全控整流電路帶電阻負載時的波形圖范圍是π〔3〕全波整流

全波整流。〔4〕直流輸出電壓平均值Ud12U2sintd(t)22U21cos1cos0.9U222〔5〕負載直流電流平均值IdUd22U21cosU1cos0.92RR2R2〔6〕晶閘管參數計算篇二：電力電子教材學問點全書總結《電力電子技術》期末復習題1電力電子技術定義：是使用電力電子器件對電能進展變換和把握的技術，是應用于電力領域的電子技術，主要用于電力變換。電力變換的種類魏 第5頁共12頁本文格式為Word版，下載可任意編輯〔1AC-DC：整流〔2DC-AC：逆變〔3DC-DC：一般通過直流斬波電路實現〔4AC-AC：一般稱作溝通電力把握電力電子技術分類：分為電力電子器件制造技術和變流技術。2電力電子器件與主電路的關系〔1〕主電路：指能夠直接承擔電能變換或把握任務的電路。〔2〕電力電子器件：指應用于主電路中，能夠實現電能變換或把握的電子器件。電力電子器件一般都工作于開關狀態，以減小本身損耗。電力電子系統根本組成與工作原理〔1〕一般由主電路、把握電路、檢測電路、驅動電路、疼惜電路等組成。

〔2系統工作要求形成電力電子器件的工作信號。〔3或關斷。〔4〕同時，在主電路和把握電路中附加一些疼惜電路，以保證系統正常牢靠運行。電力電子器件的分類依據把握信號所把握的程度分類〔1SCR〔2〕全控型器件：通過把握信號既可以把握其導通，又可以把握GTO、GTR、MOSFETIGBT。〔3〕不行控器件：不能用把握信號來把握其通斷的”電力電子器件。如電力二極管。魏 第6頁共12頁本文格式為Word版，下載可任意編輯依據驅動信號的性質分類〔1〕電流型器件：通過從把握端注入或抽出電流的方式來實現導SCR、GTO、GTR。〔2〕電壓型器件：通過在把握端和公共端之間施加確定電壓信號MOSFET、IGBT。依據器件內部載流子參與導電的狀況分類〔1MOSFET。〔2〕雙極型器件：由電子和空穴兩種載流子參數導電的器件。如SCR、GTO、GTR。〔3〕復合型器件：有單極型器件和雙極型器件集成混合而成的器IGBT。SCR晶閘管的構造與工作原理晶閘管的雙晶體管模型

將器件N1P2V1-PNP和V2-NPN兩個晶體管。晶閘管的導通工作原理〔1〕當AKEA，晶閘管不能導通，主要是中間存在PN〔2GKEG，NPNIG，NPNIc2。〔3〕集電極電流Ic2PNP，PNPPNPIc1。〔4〕Ic1IGNPNNPNPNP晶閘管是半控型器件的緣由〔1〕晶閘管導通后撤掉外部門極電流IG，但是NPNPNPIc1魏 第7頁共12頁本文格式為Word版，下載可任意編輯此晶閘管連續維持導通。〔2〕因此，晶閘管的門極電流只能觸發把握其導通而不能把握其關斷。晶閘管的關斷工作原理滿足下面條件，晶閘管才能關斷：〔1AK〔2〕AK〔3〕設法使流過晶閘管的電流降低到接近于零的某一數值以下。2.3.2.1.1晶閘管正常工作時的靜態特性〔1〕當晶閘管承受反向電壓時，不管門極是否有觸發電流，晶閘管都不會導通。〔2〕當晶閘管承受正向電壓時，僅在門極有觸發電流的狀況下晶閘管才能導通。〔3〕晶閘管一旦導通，門極就失去把握作用，不管門極觸發電流

是否還存在，晶閘管都保持導通。〔4作用使流過晶閘管的電流降到接近于零的某一數值以下。GTO〔1〕GTO與一般晶閘管的一樣點：是PNPN部引出陽極、陰極和門極。〔2〕GTO與一般晶閘管的不同點：GTO是一種多元的功率集成器GTOGTO陰極和門極在器件內部并聯在一起，正是這種特別構造才能實現門極關斷作用。GTO〔1〕當GTO承受反向電壓時，不管門極是否有觸發電流，晶閘管都不會導通。〔2GTO魏 第8頁共12頁本文格式為Word版，下載可任意編輯管才能導通。〔3〕GTOGTOGTO〔4AKGTOMOSFET〔1MOSFET型器件。〔3UGSUTPPNIGBT〔1〕GTRGTO路冗雜。〔2MOSFET

所需驅動功率小，驅動電路簡潔。〔3〕復合型器件：將上述兩者器件相互取長補短結合而成，綜合兩者優點。〔4IGBTGTR和MOSFETGTRMOSFETIGBT〔1〕IGBTGCE。〔2〕IGBTMOSFET和GTR3〔1的變流裝置。單相半波可控整流電路〔4〕觸發角：從晶閘管開頭承受正向陽極電壓起，到施加觸發脈沖為止的電角魏 第9頁共12頁本文格式為Word版，下載可任意編輯度，稱為觸發角或把握角。〔7〕幾個定義①“半波”整流：轉變觸發時刻，udidudu2周內消滅，因此稱“半波”整流。②單相半波可控整流電路：如上半波整流，同時電路中承受了可控器件晶閘管，且溝通輸入為單相，因此為單相半波可控整流電路。3.1.1.3電力電子電路的根本特點及分析方法〔1〕電力電子器件為非線性特性，因此電力電子電路是非線性電路。〔2〕電力電子器件通常工作于通態或斷態狀態，當無視器件的開為開關閉合，其阻抗為零；斷態時認為開關斷開，其阻抗為無窮大。單相橋式全控整流電路

帶電阻負載的工作狀況〔1〕單相橋式全控整流電路帶電阻負載時的原理圖4VT1~VT4〕組成單相橋式全控整流電路。②VT1VT4VT2VT3〔2〕單相橋式全控整流電路帶電阻負載時的波形圖①0~：VT1~VT4ud0id0i20uVT1uVT4u2，uVT1uVT41u2。2②~：VT1VT4abVT1VT4uVT1uVT40。aVT1、R、VT4budu2，i2id，樣子與電壓一樣。魏 頁共12頁本文格式為Word版，下載可任意編輯③~：〔負半周〕2VT2VT3ud0、id0、i20~2：在角度時，給VT2VT3baVT2VT3通，uVT2uVT30。VT1abVT4abuVT1uVT4u2bVT3、R、VT2budu2，i2id。〔3〕全波整流全波整流。〔4〕直流輸出電壓平均值

122U21cos1cos0.9U222〔5〕負載直流電流平均值IdUd2U2sintd(t)Ud22U21cosU1cos0.92RR2R2〔6〕晶閘管參數計算①承受最大正向電壓：1(2U2)2②承受最大反向電壓：2U2③觸發角的移相范圍：0Ud0.9U2；180oUd0。因此移相180o。④晶閘管電流平均值：VT1、VT4VT2、VT3導電，因此晶閘管