60W800MHz-900MHz射頻LDMOS器件結構中場極板的設計的開題報告一、選題背景射頻（RadioFrequency,RF）器件在無線通訊設計中占據著重要的地位，具有廣泛的應用。場效應晶體管（FieldEffectTransistor,FET）是當前最常用的RF器件，其中LDMOS（LaterallyDiffusedMetalOxideSemiconductor）則是最為常用的射頻功率放大器器件之一，主要應用在手機基站、廣播電視、雷達等領域。在LDMOS器件的結構中，場極板（FieldPlate）被廣泛應用于提高器件的性能指標。場極板的作用主要是緩解漏結區域產生的電場，從而減少漏電流、增強器件的耐壓和線性性能等方面作用。隨著無線通訊和射頻技術的不斷發展，對LDMOS器件性能的要求也越來越高。現有的研究成果表明，優秀的場極板設計可以大幅度提升LDMOS器件的性能指標，因此針對60W800MHz-900MHz射頻LDMOS器件結構中場極板的設計研究，可以為提高LDMOS器件的性能、降低成本提供技術支持。二、研究內容本研究的主要內容是針對60W800MHz-900MHz射頻LDMOS器件結構中的場極板進行優化設計。具體來說，本研究包括以下幾個方面：1.實驗準備：進行場極板優化設計前，需要對現有的器件結構進行分析和測試，同時需要獲取材料和設備等實驗關鍵元素。2.設計優化：在分析現有器件結構優缺點的基礎上，進行場極板的優化設計。涉及到優化方案的制定、仿真設計、性能測試等環節。3.結果分析：根據實驗數據和仿真結果，進行數據分析并評估場極板的優化效果。此步驟包括數據處理、結果展示、參數優化等過程。4.總結與展望：根據實驗結果進行總結，發現存在的不足和未來的改進方向。同時，對該研究的技術應用前景進行展望。三、研究意義本研究的意義在于對60W800MHz-900MHz射頻LDMOS器件的性能指標進行提升，具體包括以下幾方面：1.提高LDMOS器件的性能和可靠性，增強其應用范圍和可擴展性。2.通過場極板優化設計，降低LDMOS器件的熱阻和失真程度，從而提高LDMOS器件的效率和功率輸出。3.提高LDMOS器件的耐壓水平和可靠性，增強其應用范圍和可擴展性。4.本研究將為射頻器件的優化設計提供技術支持，并提高我國RF器件制造水平和國際競爭力。四、研究方法本研究采用以下方法：1.確定研究范圍和目標，評估目前LDMOS器件的性能和瓶頸。2.進行理論分析和仿真設計，制定場極板優化方案。3.制備測試樣品并進行性能測試，采集實驗數據和仿真數據。4.對實驗數據和仿真數據進行比對和分析，評估場極板優化效果。5.總結研究成果，得出結論，并提出未來的研究方向和建議。五、預期成果通過本研究，我們預期可以得到以下幾個成果：1.完善60W800MHz-900MHz射頻LDMOS器件結構中場極板的設計。2.提高LDMOS器件的輸出功率和效率，提高其性能指標。3.增強LDMOS器件的耐壓能力和可靠性，提高其應用范圍。4.提供為射頻器件的優化設計提供技術支持，進一步提高我國RF器件制造水平和國際競爭力。六、研究進度安排本研究計劃從2021年1月開始，持續約1年。具體工作進度安排如下：1.第1-3個月：實驗準備和理論分析。2.第4-7個月：場極板優化設計和性能測試。3.第8-10個月：實驗數據分析和結果展示。4.第11-12個月：總結研究成果，論文撰寫和答辯準備。七、研究經費預算本研究需要的經費主要用于材料購買、設備租用和人員培訓等方面，具體預算如下：1.材料費：1