AlGaNGaN異質結器件的肖特基接觸研究的綜述報告_第1頁
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文檔簡介

AlGaNGaN異質結器件的肖特基接觸研究的綜述報告背景介紹：隨著半導體技術的不斷發展，AlGaN/GaN異質結器件也逐漸成為了研究的熱點。AlGaN/GaN異質結器件具有Thermal穩定性好、高承壓能力、高速開關特性、高壽命及高分辨率等特點。其中，肖特基接觸是影響器件性能和可靠性的一個重要因素。因此，研究AlGaN/GaN異質結器件的肖特基接觸是十分必要的。研究進展：AlGaN/GaN異質結器件的肖特基接觸研究涉及到多個方面，包括肖特基金屬選擇、表面處理、肖特基接觸判別及器件表征等。（1）肖特基金屬選擇：肖特基金屬選擇是影響肖特基接觸電學性質和參數的關鍵因素。Tanaka等人使用Pt/Ti/Au等金屬作為肖特基金屬，發現Pt/Ti/Au肖特基接觸具有高的正向電阻和漏電流，而Au/Ni/Cr/Au肖特基接觸具有更低的正向電阻和漏電流。Yan等人發現Ni/Au/Ni肖特基接觸也具有優良的電學性能和溫度穩定性。因此，選擇適合的肖特基金屬對于優化AlGaN/GaN異質結器件的特性具有重大意義。（2）表面處理：在AlGaN/GaN異質結器件的肖特基接觸中，物理表面處理可以影響生成肖特基接觸的物理和電學特性。在干法大氣等離子體（DEAP）表面處理下，Tana等人發現Pt/Ti/Au肖特基接觸具有最佳的正向電流-電壓（I-V）特性和良好的重復性，而Wetammonia表面處理可使Au/TiB2/Ni肖特基接觸的正向電流-電壓特性優化。因此，適當的物理表面處理可以大大改善肖特基接觸的性能。（3）肖特基接觸判別：研究者通常使用肖特基接觸電流-電壓（I-V）特性、接觸電阻、逆向漏電流和容積反向比等參數來判斷AlGaN/GaN異質結器件的肖特基接觸是否良好。偏置電壓對于正向電流-電壓特性和逆向漏電流的影響也需要考慮。比如，在-5V偏置下，Rajeswaran等人發現Zr/Ag/Au肖特基接觸具有最佳的I-V特性和逆向漏電流。因此，適當的偏壓對于肖特基接觸判別也是極為重要的。（4）器件表征：AlGaN/GaN異質結器件的肖特基接觸還需要通過器件表征來驗證肖特基接觸的性質和特性。Molnár等人使用反向漏電流-溫度特性研究肖特基接觸對溫度變化的敏感性。Takwan等人則使用恒流源和化合物半導體分析儀（CA）檢查了周期性壓電場對肖特基接觸漏電流的影響。結論：AlGaN/GaN異質結器件的肖特基接觸是影響器件性能和可靠性的一個重要因素。在肖特基金屬選擇、表面處理、肖特基接觸判別及器件表征等方面的研究中，研究者發現采用Ni/Au/Ni肖特基金屬和DEAP表面處理產生的Pt/Ti/Au肖特基接觸具有良好的電學特性和穩定性。并且，適當的偏壓和器件表征可以進一步證明肖特基接觸的性質和特性。未來，我們需要更深

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